[0020] 在形成鹽之后（根據(jù)需要，任選地在形成鹽之前）沖洗室表面的效果是驚人的，而 中和室表面以在沖洗之前有目的地形成鹽是違反直覺(jué)的。鹽已通常被認(rèn)為是污染顆粒，并 且期望避免鹽的存在。這是常規(guī)實(shí)踐在可能的鹽形成之前沖洗室表面的一個(gè)原因，因?yàn)槠?望沖洗會(huì)去除酸殘留物以避免形成過(guò)量的鹽。本發(fā)明意識(shí)到，在較早的階段將殘留物轉(zhuǎn)換 成鹽實(shí)際上更好，因?yàn)辂}是非常易溶于水的并且因此非常容易從室和工件表面去除。因此， 本發(fā)明還意識(shí)到，在酸之后的處理機(jī)制中較早地有目的地形成鹽使得早期形成鹽是有益的 (較容易沖洗)而不是一種負(fù)擔(dān)。
[0021] 例如，根據(jù)示例性的實(shí)施模式，本發(fā)明的處理機(jī)制可涉及用包含硫酸的化學(xué)物質(zhì) 在晶片上進(jìn)行酸處理，并且直接或間接地接著用包含氨水的中和化學(xué)物質(zhì)在晶片上進(jìn)行處 理。根據(jù)需要，可以在中和處理之前實(shí)施對(duì)晶片和/或室表面的沖洗。生成氨蒸氣接觸并且 與在上方的室表面上的酸殘留物反應(yīng)。硫酸銨是當(dāng)氨與硫酸反應(yīng)時(shí)形成的一種鹽。硫酸銨 鹽是高度溶于水的。在使得在上方的室表面上形成鹽之后，用水沖洗室表面。硫酸銨容易溶 解并且容易通過(guò)沖洗上方表面從表面上去除。通過(guò)使鹽形成在上方表面上并且然后進(jìn)行沖 洗，室的清洗變得更有效，并且晶片上的顆粒污染物減少。更加完全地從上方表面去除酸殘 留物以減少過(guò)量的殘留物存留而污染隨后加工中的晶片的風(fēng)險(xiǎn)。改善是可見(jiàn)的，由于在用 于檢測(cè)晶片表面污染的測(cè)量中光點(diǎn)缺陷(也被稱為顆粒)顯著減少。
[0022] 該處理策略易于與市場(chǎng)可獲得的或者可能已經(jīng)是方便用戶的現(xiàn)有資源的工具結(jié) 合。優(yōu)選地，在單晶片處理系統(tǒng)中使用該策略。這些策略可以使用的示例性工具是從TEL FSI，Inc.，Chaska，MN獲得的商品名為ORION?的多用途的單晶片處理工具。
[0023] 在一個(gè)方面中，本發(fā)明涉及對(duì)室進(jìn)行清洗的方法，該方法包括以下步驟：
[0024] (a)將微電子器件前體放置在處理室中，處理室包括在前體上方的內(nèi)室表面；
[0025] (b)在一定條件下利用酸性組合物對(duì)工件進(jìn)行處理，使得酸殘留物聚集在內(nèi)室表 面的至少一部分上；
[0026] (c)使得中和組合物接觸在內(nèi)室表面上的酸殘留物，中和組合物可以為液體和/或 蒸汽并且包括至少一種堿；以及
[0027] (d)在中和組合物接觸內(nèi)室表面上的酸殘留物之后，對(duì)內(nèi)室表面進(jìn)行沖洗。在一些 實(shí)施方案中，本發(fā)明的該方面的步驟(c)的組合物是包含氨水的液體組合物，這個(gè)沖洗步驟 是可選的，因?yàn)闆_洗內(nèi)表面引起鹽伴隨有效的沖洗行為形成。
[0028]在另一方面中，本發(fā)明涉及處理微電子器件前體的方法，該方法包括以下步驟： [0029] (a)將微電子器件前體放置在處理室中，處理室包括在前體上方的內(nèi)室表面；
[0030] (b)在一定條件下用酸性組合物對(duì)工件進(jìn)行處理，使得酸性組合物的一部分聚集 在內(nèi)室表面的至少一部分上；
[0031] (c)在用酸性組合物對(duì)工件進(jìn)行處理之后，可選地用沖洗液對(duì)微電子前體進(jìn)行沖 洗而不用沖洗液對(duì)內(nèi)室表面進(jìn)行沖洗；
[0032] (d)在用沖洗液對(duì)內(nèi)室表面進(jìn)行沖洗之前，以如下方式用包含堿的第二處理組合 物對(duì)工件進(jìn)行處理:使得第二處理組合物的一部分接觸在內(nèi)室表面上的酸殘留物的至少一 部分并且其中所述接觸在內(nèi)表面上形成包含鹽的反應(yīng)產(chǎn)物；
[0033] (e)在第二處理組合物的一部分接觸在內(nèi)室表面上的酸殘留物的至少一部分之 后，用沖洗液對(duì)內(nèi)表面進(jìn)行沖洗。
[0034]在另一方面中，本發(fā)明涉及對(duì)室進(jìn)行清洗的方法，該方法包括以下步驟：
[0035] (a)將微電子器件前體放置在處理室中，處理室包括在前體上方的內(nèi)室表面；
[0036] (b)在一定條件下用酸性組合物對(duì)工件進(jìn)行處理，使酸殘留物聚集在內(nèi)室表面的 至少一部分上；
[0037] (c)用包含氨水的液體組合物水溶液對(duì)內(nèi)室表面進(jìn)行沖洗;以及；
[0038] (d)在對(duì)內(nèi)室表面進(jìn)行沖洗之后，對(duì)工件進(jìn)行沖洗。
【具體實(shí)施方式】
[0039] 以下所描述的本發(fā)明的實(shí)施方案無(wú)意于窮舉或者將本發(fā)明限制在以下詳細(xì)描述 中所公開(kāi)的具體形式。而是選擇和描述這些實(shí)施方案使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解本發(fā)明 的原理和實(shí)施。本文中所引用的所有專利、未決專利申請(qǐng)、公開(kāi)的專利申請(qǐng)以及技術(shù)文章通 過(guò)以其各自整體的形式引用并入本文中用于所有目的。
[0040] 根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施模式，提供了一個(gè)或更多個(gè)微電子器件前體。各個(gè)前體主要包 含支承在諸如半導(dǎo)體襯底的合適的襯底上的微電子器件特征或其前體。示例性半導(dǎo)體襯底 可以包括一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體材料，例如硅、鍺、碳化硅、硅鍺、砷化鍺、氮化鍺、銻化鍺、磷化 鍺、砷化鋁、氮化鋁、銻化鋁、磷化鋁、砷化硼、氮化硼、磷化硼、砷化銦、氮化銦、銻化銦、磷化 銦、鋁鎵砷、銦鎵砷、銦鎵磷、鋁銦砷、鋁銦銻、氧化銅、銅銦鎵、銅銦鎵硒、銅銦鎵、銅銦鎵硫 硒、鋁鎵銦磷、鋁鎵砷磷、銦鎵砷磷、銦鎵砷銻、銦砷銻磷、銦砷銻磷、鋁銦砷磷、鋁鎵砷氮、銦 鎵砷氮、銦錯(cuò)砷氮、砷化鎵、鎵砷鋪氮、鎵銦氮砷鋪、鎵銦砷鋪磷、硒化鎘、硫化鎘、蹄化鎘、氧 化鋅、硒化鋅、硫化鋅、碲化鋅、鎘鋅碲、汞鎘碲、汞鋅碲、汞鋅硒、氯化亞銅、硫化銅、硒化鉛、 硫化鉛（11 )、碌化鉛、硫化錫、硫化錫、碌化錫、鉛錫碌、銘錫碌、銘錯(cuò)碌、碌化祕(mì)、憐化錦、神 化鎘、銻化鎘、磷化鋅、砷化鋅、銻化鋅、二氧化鈦、銳鈦礦、二氧化鈦、金紅石、二氧化鈦、氧 化亞銅（I )、氧化銅（II )、二氧化鈾、三氧化鈾、三氧化二祕(mì)、二氧化錫、鈦酸鋇、鈦酸鎖、銀酸 鋰、氧化鑭銅及其組合等。
[0041]在典型的實(shí)施模式中，所提供的前體工件被放置在于前體上方具有一個(gè)或更多個(gè) 內(nèi)室表面的處理室中。ORION?工具包括覆蓋工件的多功能蓋組合件。蓋組合件可以升起或 下降以幫助將工件裝載至處理室以及從處理室裝載工件。管道和分配特征被集成到蓋組合 件中以使得處理材料以各種方式引入到室中。一種分配特征使得液體主要分配到旋轉(zhuǎn)工件 的中心上，因?yàn)橐后w流主要來(lái)自中心分配噴嘴。另一分配特征使得霧化的處理材料被噴到 下面的旋轉(zhuǎn)工件上。蓋組合件還具有幫助在工件上方形成屏障的實(shí)際上用作室蓋的大的底 部。蓋組合件具有如下幾何結(jié)構(gòu):使得工件上方的頂部空間從工件中心上方的相對(duì)寬的區(qū) 域向工件邊緣上方的較窄的區(qū)域逐漸變窄。得到的錐形流動(dòng)通道有助于在旋轉(zhuǎn)晶片上或上 方產(chǎn)生氣體的最優(yōu)化的流動(dòng)。因此，可以理解的是，當(dāng)使用ORION?工具時(shí)，蓋組合件的底面 包括直接覆蓋被處理的前體的表面。
[0042]根據(jù)示例性的處理方法，當(dāng)使用諸如ORION?工具的處理裝置時(shí)，通過(guò)用酸化學(xué)物 質(zhì)噴射來(lái)處理前體。噴射在前體上導(dǎo)致酸殘留物間接地聚集在室表面的至少一部分上，如 果使用ORION?工具的話則包括直接在前體上方的蓋組合件上的那些酸殘留物。由于多種原 因可以使用酸處理。作為一個(gè)原因，可以使用酸化學(xué)物質(zhì)以去除光致抗蝕劑或其殘留物或 者從工件表面蝕刻殘留物。酸化學(xué)物質(zhì)還可以用于蝕刻3111^11^、1、附、附？丨合金、鈷、 CoNi合金、其他金屬或金屬的組合等。
[0043]在本發(fā)明的實(shí)踐中可以使用多種不同的酸化學(xué)物質(zhì)處理前體工件。用于去除光致 抗蝕劑或金屬的示例性酸化學(xué)物質(zhì)是包含硫酸、磷酸和/或在原位被轉(zhuǎn)換成這樣的酸的成 分中的一種或更多種的水溶液。一種可用的酸化學(xué)物質(zhì)是由每約1體積份的過(guò)氧化氫水溶 液(過(guò)氧化氫在水中的重量百分比為30% )，約1體積份至約100體積份的濃硫酸(硫酸在水 中的重量百分比為98% )的成分配制的。由硫酸和過(guò)氧化氫配制的化學(xué)物質(zhì)在工業(yè)中被稱 為SPM化學(xué)物質(zhì)和/或Piranha化學(xué)物質(zhì)。另一示例性酸化學(xué)物質(zhì)是由每約1體積份的磷酸水 溶液(磷酸在水中的重量百分比為85% )，約0.5體積份至約2體積份的濃硫酸(硫酸在水中 的重量百分比為98%)配制的。如果除了已經(jīng)存在于試劑中的水之外還期望存在水的話，這 些制劑可選地包括附加量的水。例如，制劑可以按照每重量份包括在制劑中的酸，包括附加 1重量份至10000重量份的水。
[0044]在對(duì)執(zhí)行期望的處理(例如去除可能存在于表面上的光致抗蝕劑的至少一部分） 有效的條件下使得酸性化學(xué)物質(zhì)接觸被處理的工件的至少第一主表面。在通常的處理中， 可以將酸性化學(xué)物質(zhì)以各種方式(包括噴涂在晶片的弦(chord)的全部或一部分上)施加在 第一主表面上。在一些合適的實(shí)施模式中，酸化學(xué)物質(zhì)是與蒸汽一起引入的，如在PCT專利 公開(kāi)第W0 2007/0621