單晶硅的清洗裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種單晶硅切割后的清洗技術(shù)，尤其是一種單晶硅的清洗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。
[0003]在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。因此單晶硅被廣泛的應(yīng)用，而單晶硅制作成太陽能電池時(shí)，必須要經(jīng)過一系列的加工處理，最主要的就是要將單晶硅棒原料進(jìn)行切割成單晶硅片，然后再經(jīng)過對單晶硅片的清洗工序，對于單晶硅片的清洗主要是硅片在切割過程中其表面容易產(chǎn)生顆粒、有機(jī)物、金屬、吸附分子等會沿著影響太陽能電池組件的性能，因此必須要經(jīng)過專業(yè)的清洗劑進(jìn)行清洗，而目前的單晶硅片清洗方式操作復(fù)雜、清洗效率差導(dǎo)致后期成品率下降，影響成本，同時(shí)由于單晶硅比較脆，因此在清洗過程中容易斷裂而報(bào)廢，因此大大降低單晶硅的成品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而設(shè)計(jì)的一種清洗結(jié)構(gòu)簡單、清洗效果更好、硅片成品率更高、在清洗過程中不易斷裂而影響硅片成品率的單晶硅的清洗裝置。
[0005]本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的單晶硅的清洗裝置，所述的單晶硅清洗爐為圓柱型結(jié)構(gòu)，在單晶硅清洗爐內(nèi)設(shè)有清洗劑，在單晶硅清洗爐的底部設(shè)有內(nèi)凹臺，在單晶硅清洗爐內(nèi)設(shè)有作為轉(zhuǎn)子的單晶硅攪拌支架，且所述的單晶硅攪拌支架底部設(shè)有與內(nèi)凹臺配合的內(nèi)凹槽，所述的單晶硅攪拌支架以內(nèi)凹槽的上槽壁為分割點(diǎn)將單晶硅攪拌支架分成上半部和下半部，所述的上半部為篩狀結(jié)構(gòu)，下半部內(nèi)嵌有繞內(nèi)凹槽環(huán)形分布的磁鐵，在單晶硅清洗爐的內(nèi)凹臺外設(shè)有作為定子的電磁線圈，在電磁線圈上連接有電源，在內(nèi)凹臺上設(shè)有限位軸，且上述的單晶硅攪拌支架轉(zhuǎn)動套接在限位軸上。
[0006]通過上述的設(shè)計(jì)，首先在單晶硅清洗爐內(nèi)倒入清洗劑，然后將單晶硅棒切割變成單晶硅片后的硅片放入到單晶硅攪拌支架中，由于單晶硅攪拌支架為篩狀結(jié)構(gòu)，因此清洗劑會流入到單晶硅攪拌支架內(nèi)使硅片進(jìn)入到清洗劑中，此時(shí)開啟電源，使得電磁線圈得電，從而驅(qū)動單晶硅攪拌支架繞限位軸中心旋轉(zhuǎn)，使得清洗劑相對于硅片處于流動狀態(tài)，更好的清洗娃片，從而提尚娃片清洗效果，提尚廣品的成品率。
[0007]為了防止硅片清洗過程中撞擊而影響成品率，提高清洗效率，所述的單晶硅攪拌支架內(nèi)設(shè)有一個及以上的篩狀隔板，且所述的篩狀隔板與單晶硅攪拌支架垂直設(shè)置，上述每相鄰的四個篩狀隔板構(gòu)成一個能放置一片硅片的隔槽，使用時(shí)可在每一個隔槽內(nèi)放置一片硅片。上述的設(shè)計(jì)，由幾個篩狀隔板構(gòu)成一個槽，將硅片放入各個槽內(nèi)，使得單晶硅攪拌支架在清洗旋轉(zhuǎn)過程中，硅片之間不會產(chǎn)生撞擊，而影響硅片成本率，同時(shí)提高清洗效率。
[0008]為了方便操作，在單晶硅攪拌支架上方的兩側(cè)設(shè)有耳畔，在單晶硅清洗爐上方設(shè)有氣缸，所述氣缸的輸出軸通過鏈條與耳畔配合，清洗完成后，通過氣缸將單晶硅攪拌支架提起，以便拿出娃片。
[0009]為了快速的瀝干硅片上殘留的清洗劑，在單晶硅清洗爐的上方圓周分布有一個及以上的風(fēng)機(jī)，且上述的風(fēng)機(jī)風(fēng)口均朝下設(shè)置，上述設(shè)計(jì)能夠?qū)杵砻嫠诌M(jìn)行快速瀝干，降低硅片表面污染而影響使用效果。
[0010]為了快速的烘干硅片，提高硅片成品率，在單晶硅清洗爐壁外套有超聲波加熱器，且所述超聲波加熱器離單晶硅清洗爐底部的高度hi大于清洗劑液面離單晶硅清洗爐底部的高度h2。上述設(shè)計(jì)能夠?qū)杵砻孢M(jìn)行快速烘干，降低硅片表面污染而影響使用效果。
[0011]本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的單晶硅的清洗裝置，首先在單晶硅清洗爐內(nèi)倒入清洗劑，然后將單晶硅棒切割變成單晶硅片后的硅片放入到單晶硅攪拌支架中，由于單晶硅攪拌支架為篩狀結(jié)構(gòu)，因此清洗劑會流入到單晶硅攪拌支架內(nèi)使硅片進(jìn)入到清洗劑中，此時(shí)開啟電源，使得電磁線圈得電，從而驅(qū)動單晶硅攪拌支架繞限位軸中心旋轉(zhuǎn)，使得清洗劑相對于硅片處于流動狀態(tài)，更好的清洗硅片，從而提高硅片清洗效果，提高產(chǎn)品的成品率。
【附圖說明】
[0012]圖1是實(shí)施例1中單晶硅清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是實(shí)施例1中單晶硅清洗爐爐體的剖視圖；
[0014]圖3是實(shí)施例1中單晶硅攪拌支架的正視圖；
[0015]圖4是實(shí)施例2中單晶硅攪拌支架的俯視圖；
[0016]圖5是實(shí)施例3中單晶硅攪拌支架的正視圖；
[0017]圖6是實(shí)施例3中單晶硅清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖7是實(shí)施例4中單晶硅清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖8是實(shí)施例5中單晶硅清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖中:單晶硅清洗爐、內(nèi)凹臺2、單晶硅攪拌支架3、內(nèi)凹槽4、上槽壁4-1、上半部5、下半部6、磁鐵7、電磁線圈8、電源9、限位軸10上、篩狀隔板11、隔槽12、耳畔13、氣缸
14、輸出軸14-1、風(fēng)機(jī)15、超聲波加熱器16、圓柱形槽孔17、鏈條18。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0022]實(shí)施例1:
[0023]如圖1、圖2、圖3所示，本實(shí)施例所描述的單晶硅的清洗裝置，所述的單晶硅清洗爐I為圓柱型結(jié)構(gòu)，在單晶硅清洗爐I內(nèi)設(shè)有清洗劑，在單晶硅清洗爐I的底部設(shè)有內(nèi)凹臺2，在單晶硅清洗爐I內(nèi)設(shè)有作為轉(zhuǎn)子的單晶硅攪拌支架3，且所述的單晶硅攪拌支架3底部設(shè)有與內(nèi)凹臺2配合的內(nèi)凹槽4，所述的單晶硅攪拌支架3以內(nèi)凹槽4的上槽壁4-1為分割點(diǎn)將單晶硅攪拌支架3分成上半部5和下半部6，所述的上半部5為篩狀結(jié)構(gòu)，下半部6內(nèi)嵌有繞內(nèi)凹槽4環(huán)形分布的磁鐵7，在單晶硅清洗爐I的內(nèi)凹臺2外設(shè)有作為定子的電磁線圈8，在電磁線圈8上連接有電源9，在內(nèi)凹臺2上設(shè)有限位軸10，且上述的單晶硅攪拌支架3轉(zhuǎn)動套接在限位軸10上，在本實(shí)施例中為了將單晶硅攪拌支架3套于限位軸10上，在單晶硅攪拌支架3的