1.一種用于限制催化劑顆粒散發(fā)粉塵的方法，所述方法包括以下兩個(gè)連續(xù)的步驟：
-第一步驟，該步驟包括在大于或等于100℃的溫度下進(jìn)行所述催化劑顆粒的熱處理；隨后進(jìn)行
-第二步驟，該步驟包括通過(guò)使所述催化劑顆粒與一種或多種涂覆材料接觸，對(duì)所述催化劑顆粒的表面進(jìn)行涂覆，所述涂覆材料的熔點(diǎn)T大于或等于45℃且所述涂覆材料以固態(tài)引入，
所述第二步驟在沒(méi)有任何新的熱供應(yīng)的情況下在T-60℃至T-1℃、同時(shí)保持大于或等于40℃的溫度下進(jìn)行。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法連續(xù)進(jìn)行。
3.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二步驟在未加熱的移動(dòng)床上進(jìn)行，所述移動(dòng)床一方面由直接來(lái)源于所述第一步驟的催化劑連續(xù)給料，另一方面由所述一種或多種涂覆材料連續(xù)給料。
4.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一步驟在120℃至650℃、優(yōu)選150℃至550℃、更優(yōu)選200℃至500℃的溫度下進(jìn)行。
5.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一步驟選自催化劑干燥處理、催化劑煅燒處理和催化劑再生處理。
6.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二步驟在T-50℃至T-1℃、優(yōu)選T-40℃至T-5℃的溫度下進(jìn)行。
7.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二步驟中使用的所述涂覆材料的熔點(diǎn)T為45℃至180℃、優(yōu)選50℃至130℃。
8.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述涂覆材料選自：礦物蠟、合成蠟、天然蠟、在環(huán)境溫度下為固體的脂肪酸、熔點(diǎn)T為45℃至180℃的聚合物、以及它們的混合物。
9.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述涂覆材料選自熔點(diǎn)T為50℃至130℃的聚合物，優(yōu)選選自聚乙烯，特別優(yōu)選選自聚乙烯蠟。
10.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述涂覆材料為粒子形式，所述粒子的數(shù)均直徑小于或等于所述催化劑顆粒的數(shù)均直徑的3％。
11.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，相對(duì)于涂覆催化劑的總重量，所述第二步驟中使用的所述涂覆材料的總量為0.05wt％至5wt％、優(yōu)選為0.1wt％至3wt％、更優(yōu)選為0.3wt％至1wt％。
12.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二步驟包括用所述涂覆材料的層在所述顆粒的表面覆蓋所述顆粒，所述涂覆材料的層的平均厚度為0.01μm至15μm。
13.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述涂覆材料的層的平均厚度為0.01μm至10μm、優(yōu)選為0.02μm至5μm、更優(yōu)選為0.05μm至4μm、進(jìn)一步更優(yōu)選為1μm至3.5μm。
14.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述催化劑是烴加氫轉(zhuǎn)化催化劑，所述烴加氫轉(zhuǎn)化催化劑包含多孔耐火氧化物載體，選自VIII族金屬和VIB族金屬中的至少一種金屬沉積在所述多孔耐火氧化物載體上。
15.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述催化劑的載體選自：無(wú)定形或結(jié)晶氧化鋁、二氧化硅或二氧化硅-氧化鋁，所述催化劑的載體優(yōu)選為含有至少30wt％的氧化鋁的載體、更優(yōu)選為含有至少50wt％的氧化鋁的載體。
16.如權(quán)利要求14或15所述的方法，其特征在于，所述催化劑選自含有沉積在基于氧化鋁的載體上的金屬?gòu)?fù)合物CoMo、NiMo、NiW或NiCoMo的催化劑。
17.如在前權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述催化劑顆粒的最大數(shù)均尺寸為1mm至10mm、優(yōu)選2mm至5mm。