本發(fā)明涉及除害裝置，特別涉及對含有硅的工藝氣體及含有氟的清洗氣體進行處理的除害裝置。

背景技術(shù)：

在半導體制造裝置、液晶面板制造裝置、太陽能電池單元制造裝置等中，使用含有硅（si）的工藝氣體、含有氟（f）的清洗氣體。例如，在半導體制造工序中，使絕緣體、金屬膜等堆積于半導體晶片上，進行利用化學氣相反應(yīng)成膜的化學蒸汽沉積（cvd，chemicalvapordeposition）處理等時，向處理腔內(nèi)導入例如甲硅烷（sih4）等工藝氣體。

此外，在除去附著于處理腔內(nèi)的生成物時，定期地將對應(yīng)于生成物的種類的三氟化氮（nf3）等清洗氣體向處理腔內(nèi)部導入，進行附著物的分解、排出，由此來將處理腔內(nèi)清洗。

被從處理腔排出的工藝氣體及清洗氣體被導入除害裝置，借助除害裝置進行除害處理而被無害化。作為這樣的除害裝置，已知具備除酸單元和過濾單元，前述除酸單元使氣體洗滌單元的循環(huán)水的酸度減少，前述過濾單元補充循環(huán)水中的固體粒子（例如，參照專利文獻1）。

專利文獻1：日本特許第5457193號公報。

在如上所述的除害裝置中，為了將循環(huán)水的酸度維持在氟化氫不會再揮發(fā)的范圍內(nèi)，必須將循環(huán)水的一部分排出，并且用水稀釋循環(huán)水，有在循環(huán)水的排水處理上需要巨大的成本的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于以往的問題而作出的，其目的在于提供一種減少循環(huán)水的排水量的除害裝置。

本發(fā)明為了實現(xiàn)上述目的，作出以下方案，技術(shù)方案1記載的發(fā)明提供一種除害裝置，前述除害裝置對含有硅的排出氣體及含有氟的排出氣體進行處理，具備排水罐、循環(huán)路徑、排水閥、補給水供給機構(gòu)、控制機構(gòu)，前述排水罐容納循環(huán)水，使由前述含有硅的排出氣體而生成的二氧化硅及由前述含有氟的排出氣體而生成的氟化氫溶解于前述循環(huán)水，前述循環(huán)路徑連通于前述排水罐，前述排水閥被設(shè)置于前述循環(huán)路徑，將前述循環(huán)水的一部分向外部排出，前述補給水供給機構(gòu)將補給水向前述循環(huán)路徑供給，前述控制機構(gòu)控制前述排水閥及前述補給水供給機構(gòu)，控制前述循環(huán)路徑內(nèi)的前述循環(huán)水的平均排水流量，前述控制機構(gòu)為，在前述循環(huán)水中的前述二氧化硅的濃度與前述循環(huán)水中的前述氟化氫的濃度之比，為能夠生成氫化硅氟酸的既定值以上的情況下，使前述循環(huán)水的前述平均排水流量下降至低流量，在前述循環(huán)水中的前述二氧化硅的濃度與前述循環(huán)水中的前述氟化氫的濃度之比，小于前述既定值的情況下，使前述循環(huán)水的前述平均排水流量上升至比前述低流量大的高流量。這里，“平均排水流量”是指，將循環(huán)水向外部排出時的每單位時間的平均排水量。

根據(jù)該方案，在能夠由二氧化硅和氟化氫生成氫化硅氟酸的情況下，抑制循環(huán)水內(nèi)的氟化氫揮發(fā)，并且使循環(huán)水的平均排水流量下降為低流量，所以能夠減少循環(huán)水的平均排水流量。

技術(shù)方案2記載的發(fā)明提供一種除害裝置，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明的基礎(chǔ)上，前述控制機構(gòu)基于前述含有硅的排出氣體的累計流量、前述循環(huán)水的前述平均排水流量、前述補給水的流量，推導出前述二氧化硅的濃度。

根據(jù)該方案，基于殘留于除害裝置內(nèi)的二氧化硅的濃度，能夠判斷是否生成氫化硅氟酸，所以在清洗處理腔內(nèi)的情況等工藝氣體未流入除害裝置內(nèi)的情況下，也能夠減少循環(huán)水的平均排水流量。

技術(shù)方案3記載的發(fā)明提供一種除害裝置，在技術(shù)方案1或2記載的發(fā)明的基礎(chǔ)上，前述控制機構(gòu)基于前述含有氟的排出氣體的累計流量、前述循環(huán)水的前述平均排水流量、前述補給水的流量，推導出前述氟化氫的濃度。

根據(jù)該方案，基于殘留于除害裝置內(nèi)的氟化氫的濃度，能夠判斷是否生成氫化硅氟酸，所以在化學蒸汽沉積處理等清洗氣體未流入除害裝置內(nèi)的情況下，也能夠減少循環(huán)水的平均排水流量。

技術(shù)方案4記載的發(fā)明提供一種除害裝置，在技術(shù)方案1至3中任一項記載的發(fā)明的基礎(chǔ)上，具備測量前述循環(huán)水的酸度的酸度測量機構(gòu)。

根據(jù)該方案，對應(yīng)于氟化氫的溶解量，抑制循環(huán)水過度地呈強酸性，所以能夠抑制氟化氫從循環(huán)水再揮發(fā)。

技術(shù)方案5記載的發(fā)明提供一種除害裝置，在技術(shù)方案4記載的發(fā)明的基礎(chǔ)上，前述酸度基于傳導率傳感器測量的前述循環(huán)水中的氟化氫濃度而被推導出。

根據(jù)該方案，基于傳導率傳感器測量的氟化氫濃度，推導出循環(huán)水的酸度，由此能夠廉價地、易于保養(yǎng)地、長期地持續(xù)運轉(zhuǎn)除害裝置。

技術(shù)方案6記載的發(fā)明提供一種除害裝置，在技術(shù)方案1至5中任一項記載的發(fā)明的基礎(chǔ)上，具備從前述循環(huán)水分離前述二氧化硅的離心分離器。

根據(jù)該方案，能夠抑制二氧化硅堵塞比離心分離器靠下游側(cè)的機器，并且能夠?qū)⒀h(huán)水的平均排水量減少所必需的二氧化硅留在排水罐內(nèi)。

本發(fā)明在能夠由二氧化硅和氟化氫生成氫化硅氟酸的情況下，即使使循環(huán)水的平均排水流量下降為低流量，也會抑制循環(huán)水內(nèi)的氟化氫揮發(fā)，所以能夠減少平均排水流量。

附圖說明

圖1是表示處理腔、干燥泵、除害裝置的連接關(guān)系的框圖。

圖2是表示本發(fā)明的一實施例的除害裝置的示意圖。

圖3是表示離心分離器的立體圖。

具體實施方式

本發(fā)明為了實現(xiàn)提供減少循環(huán)水的排水量的除害裝置這一目的，借助如下除害裝置來實現(xiàn)，前述除害裝置是一種對含有硅的排出氣體及含有氟的排出氣體進行處理的除害裝置，具備排水罐、循環(huán)路徑、排水閥、補給水供給機構(gòu)、控制機構(gòu)，前述排水罐容納循環(huán)水，前述循環(huán)水使從含有硅的排出氣體生成的二氧化硅及從含有氟的排出氣體生成的氟化氫溶解，前述循環(huán)路徑被連通于排水罐，前述排水閥被設(shè)置于循環(huán)路徑，將循環(huán)水的一部分向外部排水，前述補給水供給機構(gòu)向循環(huán)路徑供給補給水，前述控制機構(gòu)控制排水閥及補給水供給機構(gòu)，循環(huán)路徑內(nèi)的循環(huán)水的平均排水流量，控制機構(gòu)為，在循環(huán)水中的二氧化硅的濃度和循環(huán)水中的氟化氫的濃度之比為能夠生成氫化硅氟酸的既定值以上的情況下，使循環(huán)水的平均排水流量下降至低流量，在循環(huán)水中的二氧化硅的濃度與循環(huán)水中的氟化氫的濃度之比小于既定值的情況下，使循環(huán)水的平均排水流量上升至比低流量大的高流量。

實施例

以下，基于附圖，對本發(fā)明的一實施例的除害裝置進行說明。另外，在以下的說明中，“上”、“下”的術(shù)語對應(yīng)于上下方向的上方、下方。

圖1是表示處理腔10、干燥泵20、除害裝置30的連接關(guān)系的圖。

處理腔10是圖中未示出的半導體制造裝置的一部分。通過實施化學蒸汽沉積處理來得到元件（デバイス），前述化學蒸汽沉積處理使薄膜附著于，被配置在處理腔10內(nèi)的圖中未示的出半導體晶片的表面。另外，在圖1中，相對于1臺除害裝置連接有1臺處理腔，但也可以是多個處理腔被連接于1臺除害裝置。

向處理腔10內(nèi)供給含有硅的工藝氣體g1。工藝氣體g1作為處理腔10內(nèi)的化學蒸汽沉積處理的反應(yīng)體被供給。被向處理腔10供給的工藝氣體g1的一部分在化學蒸汽沉積處理時被消耗，其他被向干燥泵20吸引。

此外，向處理腔10內(nèi)供給含有氟的清洗氣體g2。清洗氣體g2通過在被填充于處理腔10內(nèi)的狀態(tài)下進行等離子蝕刻，來使化學蒸汽沉積處理的殘留物揮發(fā)。被供給于處理腔10的清洗氣體g2的一部分在清洗處理時被消耗，其他被向干燥泵20吸引。

質(zhì)量流量控制器11a測量工藝氣體g1的流量來送向控制機構(gòu)31。質(zhì)量流量控制器11b測量清洗氣體g2的流量來送向控制機構(gòu)31。另外，也可以不設(shè)置質(zhì)量流量控制器11a、11b，而是基于半導體制造裝置的加工條件，計算工藝氣體g1及清洗氣體g2的流量。

處理腔10和除害裝置30被經(jīng)由干燥泵20連接。干燥泵20將殘留于處理腔10內(nèi)的工藝氣體g1及清洗氣體g2吸引來向除害裝置30導入。

除害裝置30將被從干燥泵20導入的工藝氣體g1及清洗氣體g2轉(zhuǎn)換為粒狀的二氧化硅（sio2）及氟化氫（hf）氣體g3后，將他們從排氣體分離，加入至循環(huán)水r2，向酸性廢水r1排出來進行無害化。具體地，使排氣體中所含的氟化氫濃度減少至既定值（例如3ppm）以下。此外，將溶解有氟化氫氣體的酸性廢水r1排出。另外，二氧化硅的形狀不限于粒狀，例如也可以是膏狀。

控制機構(gòu)31基于從質(zhì)量流量控制器11a、11b送來的工藝氣體g1及清洗氣體g2的流量、及從流量計32a送來的氟化氫氣體g3及酸性廢水r1的平均排水流量、和后述的補給水的流量，控制除害裝置30的循環(huán)水的平均排水流量。

接著，基于圖2、3，對除害裝置30的具體的結(jié)構(gòu)進行說明。圖2是表示除害裝置的示意圖。圖3是表示離心分離器的立體圖。

除害裝置30具備加熱機構(gòu)33、排水罐34、填充塔35。被導入除害裝置30的工藝氣體g1及清洗氣體g2依次流向加熱機構(gòu)33、排水罐34、填充塔35，被從排氣口30a向外部排出。

加熱機構(gòu)33將工藝氣體g1及清洗氣體g2加熱至高溫。加熱機構(gòu)33內(nèi)的溫度例如被設(shè)定為600～800℃。在本實施例中，作為加熱機構(gòu)33，采用氣體燃燒器。另外，加熱機構(gòu)33只要能夠加熱工藝氣體g1及清洗氣體g2，可以是任意結(jié)構(gòu)，可以是用電氣加熱器的輻射熱加熱的加熱器方式、用等離子體加熱的等離子體方式等。

排水罐34被配置于加熱機構(gòu)33的下方，容納有既定量的循環(huán)水r2。排水罐34是聚丙烯等耐腐蝕塑料制的，循環(huán)水r2的溫度優(yōu)選地維持在60度以下。

填充塔35被設(shè)置于排水罐34的上方。在填充塔35內(nèi)，填充有圖中未示出的塑料制的微小粒體，水從被設(shè)置于填充塔35的上方的灑水噴嘴35a灑向微小粒體。由此，水溶性的氟化氫氣體溶解于微小粒體的表面的水，與水一同向排水罐34滴下。

排水罐34連通于循環(huán)路徑r，排水罐34內(nèi)的循環(huán)水r2在循環(huán)路徑r內(nèi)循環(huán)。循環(huán)路徑r的上游端被連接于排水罐34。循環(huán)路徑r在離心分離器36處分岔，一方被連接于熱交換器37，另一方被連接于排水罐34。通過將第1閥v1打開，循環(huán)水r2作為酸性廢水r1被向外部排出。此外，通過將第2閥v2打開，循環(huán)水r2向排水罐34回流。另外，附圖標記p是增壓泵。

在循環(huán)路徑r上，設(shè)置有分選循環(huán)水r2中的粒狀的二氧化硅的離心分離器36。離心分離器36如圖3所示，從流入口36a流入的循環(huán)水r2如箭頭所示通過進行離心分離，將粒狀的二氧化硅從下方排出口36b排出，使不含二氧化硅的循環(huán)水r2從上方排水口36c排出。

熱交換器37將循環(huán)水r2的溫度冷卻，將循環(huán)水r2的水溫維持在既定值（例如60度）以下。被熱交換器37冷卻的循環(huán)水r2向排水罐34回流。

在循環(huán)路徑r上，設(shè)置有作為酸度測量機構(gòu)的傳導率傳感器38。若循環(huán)水r2中的酸度變高，則循環(huán)水r2的傳導率上升，若酸度下降則傳導率下降。由此，推導出循環(huán)水r2的酸度。借助傳導率傳感器38推導出的酸度被送至控制機構(gòu)31。酸度測量機構(gòu)采用廉價且容易保養(yǎng)的傳導率傳感器38，但也可以是能夠更精確地測量酸度的ph計等。

補給水供給機構(gòu)39將補給水（純水）供給至填充塔35。被設(shè)置于排水罐34內(nèi)的圖中未示出的水位檢測機構(gòu)。將排水罐34內(nèi)的循環(huán)水r2的水位送至控制機構(gòu)31，在循環(huán)水r2的水位低于既定值的情況下，控制機構(gòu)31將補給水供給至補給水供給機構(gòu)39。進而，控制機構(gòu)31將第3閥v3打開，并且將第4閥v4關(guān)閉，由此補給水被供給至填充塔35內(nèi)。此外，補給水的供給量被控制成，氟化氫氣體g3濃度為既定值。另外，附圖標記39a是測量補給水的流量的流量計。

控制機構(gòu)31基于工藝氣體g1、清洗氣體g2、氟化氫氣體g3及酸性廢水r1的流量、循環(huán)水r2的酸度，將第1閥v1、第2閥v2、第3閥v3、第4閥v4開閉。具體地，若循環(huán)水r2的酸度上升至閾值以上，則打開第1閥v1和第3閥v3，將酸性廢水r1排出，并且用水將循環(huán)水r2稀釋，由此使酸度下降。在循環(huán)水r2的酸度小于閾值的情況下，打開第2閥v3和第4閥v4，使循環(huán)水r2在循環(huán)路徑r內(nèi)循環(huán)。另外，排水閥v1通過控制開閉時間，能夠調(diào)整循環(huán)水r2的平均排水流量。

接著，對使用除害裝置30的工藝氣體g1的處理進行說明。另外，以下，作為工藝氣體g1以甲硅烷（sih4）為例、作為清洗氣體g2以三氟化氮（nf3）為例進行了說明，但工藝氣體g1不限于甲硅烷，此外，清洗氣體g2不限于三氟化氫。

若從處理腔10向除害裝置30導入的甲硅烷被加熱機構(gòu)33加熱，則基于數(shù)式1的反應(yīng)式，生成粒狀的二氧化硅（sio2）。

流入排水罐34內(nèi)的二氧化硅大多作為混入至循環(huán)水r2內(nèi)的微小粒徑的粉塵，存在于循環(huán)路徑r內(nèi)。二氧化硅的一部穿過填充塔35，被從排氣口30a向外部排出。存在于排水罐34內(nèi)的二氧化硅和向外部排出的二氧化硅的比例與除害裝置30的種類等對應(yīng)地改變，例如前者為60％，后者為40％。

接著，對使用除害裝置30的清洗氣體g2的處理進行說明。

若從處理腔10向除害裝置30導入的三氟化氮被加熱機構(gòu)33加熱，則基于數(shù)式2的反應(yīng)式，生成氣體狀的氟化氫（hf）。

經(jīng)由排水罐34內(nèi)流入填充塔35的氟化氫穿過填充塔35內(nèi)時，溶解于水，向排水罐34滴下，所以被從排氣口30a向外部排出的氟化氫濃度很少（例如3ppm以下）。

氟化氫溶解于循環(huán)水r2，若循環(huán)水r2的酸度變高，則除害裝置30的耐腐蝕性成為問題。例如，不銹鋼（sus316等級）作為與循環(huán)水r2直接接觸的構(gòu)成材料而被使用的情況下，為了抑制構(gòu)成材料在短時間內(nèi)發(fā)生腐蝕，氟化氫濃度被優(yōu)選地管理在0.5％以下。另一方面，若對除害裝置30的允許氟化氫濃度留有過多余量，則平均排水流量增加，結(jié)果除害裝置30的清洗成本增加。這里，傳導率傳感器38檢測循環(huán)水r2的傳導率，若酸度為既定的閾值以上，則將第1閥v1及第3閥v3打開，使酸性廢水r1的流量上升，并且增加補給水的供給量，使循環(huán)水r2的酸度下降。酸度的閾值能夠任意地設(shè)定，例如可以考慮設(shè)定為0.5％。

另一方面，例如將閾值設(shè)定為0.5％的情況下，且循環(huán)水r2中僅存在氟化氫的情況下，即，循環(huán)水r2中不存在二氧化硅的情況下，有循環(huán)水r2中的氟化氫再揮發(fā)，被排出的氟化氫氣體的氟化氫濃度變高的可能。

但是，在化學蒸汽沉積處理的除害處理中，在被導入甲硅烷和三氟化氮的除害裝置30處，存在著在排水罐34及循環(huán)路徑r內(nèi)循環(huán)的循環(huán)水r2內(nèi)存在著的粒狀的二氧化硅、和溶解于循環(huán)水r2的氟化氫。并且，二氧化硅和氟化氫基于數(shù)式3的反應(yīng)式生成氫化硅氟酸。

基于數(shù)式3的反應(yīng)式而生成的氫化硅氟酸若溶解于循環(huán)水r2，則與氟化氫同樣顯酸性，即，使循環(huán)水r2的傳導率上升，但沒有像氟化氫那樣再揮發(fā)的可能。因此，用上述的傳導率傳感器38，將循環(huán)水r2的酸度r2管理為閾值以下，確保除害裝置30的可靠性，并且氟化氫減少，生成氫化硅氟酸，由此抑制如上所述的由氟化氫引起的酸度的上升，能夠減少酸性廢水的流量。如式3所示，氫化硅氟酸的生成所必需的二氧化硅及氟化氫的摩爾比為1：6。因此，循環(huán)水r2中的二氧化硅/氟化氫的摩爾比超過1/6，即，超過約0.17的情況下，氟化氫與二氧化硅反應(yīng)，發(fā)生生成氫化硅氟酸的反應(yīng)。

控制機構(gòu)31基于工藝氣體g1的流量和循環(huán)水r2的平均排水流量，計算循環(huán)水r2中的二氧化硅的濃度。二氧化硅的一部分殘留于除害裝置30內(nèi)，其他被向外部排出。此外，殘留于除害裝置30內(nèi)的二氧化硅的一部分被容納于循環(huán)水r2中，其他被容納于除害裝置30內(nèi)。因此，二氧化硅的摩爾數(shù)，即，對工藝氣體g1中的甲硅烷的摩爾數(shù)，乘以被容納于除害裝置30內(nèi)的二氧化硅的比例及乘以被容納于循環(huán)水r2中的比例，計算循環(huán)水r2中的二氧化硅的濃度。例如，設(shè)想為前者的值為60％，后者的值為75％，該情況下，循環(huán)水r2中的二氧化硅的摩爾數(shù)為乘以0.6和0.75，為甲硅烷的摩爾數(shù)的0.45倍。

循環(huán)水r2中的二氧化硅濃度基于工藝氣體g1的累計流量（積算流量）、補給水流量、循環(huán)水r2的平均排水流量來計算。由此，在清洗處理腔10內(nèi)等僅導入清洗氣體g2的情況下，也能夠基于除害裝置30內(nèi)的二氧化硅的余量，在能夠生成氫化硅氟酸時，抑制酸性廢水r1的流量。

此外，控制機構(gòu)31基于清洗氣體g2的流量、補給水流量、循環(huán)水r2的平均排水流量，計算循環(huán)水r2中的氟化氫的濃度。氟化氫幾乎全部溶解于循環(huán)水r2。因此，氟化氫的摩爾數(shù)為三氟化氮的摩爾數(shù)的3倍。

氟化氫的濃度基于清洗氣體g2的累計流量計算。由此，在僅工藝氣體g1被從處理腔10導入除害裝置30的情況下，也能夠基于除害裝置30內(nèi)的氟化氫的余量，在能夠生成氫化硅氟酸時，抑制酸性廢水r1的流量。

這樣，計算循環(huán)水r2中的二氧化硅的濃度及氟化氫的濃度，在二氧化硅的濃度和氟化氫的濃度之比為既定值以上的情況下，即，約0.17以上的情況下，生成氫化硅氟酸，所以使循環(huán)水r2的平均排水流量下降至低流量（例如10ll/min）。另一方面，在二氧化硅的濃度和氟化氫的濃度之比小于既定值的情況下，即，小于約0.17的情況下，為了抑制氟化氫的再揮發(fā)，使循環(huán)水r2的平均排水流量上升為高流量（例如20l/min）。另外，在循環(huán)水r2中的二氧化硅濃度和氟化氫濃度非常低的情況下，也能夠使循環(huán)水r2的平均排水流量為零。

關(guān)于在排水罐34及循環(huán)路徑r內(nèi)循環(huán)的循環(huán)水r2的流量，以將工藝氣體g1的每單位時間的流量設(shè)定為20slm，將清洗氣體g2的每單位時間的流量設(shè)定為50slm的情況為例進行說明。

在標準循環(huán)模式（循環(huán)水r2中的二氧化硅濃度和氟化氫濃度非常低的情況）下，循環(huán)水r2的平均排水流量及補給水流量分別為零，在排水罐34及循環(huán)路徑r內(nèi)循環(huán)的循環(huán)水r2的流量，作為除害裝置30的除害處理所必需的流量設(shè)定為80l/min。具體地，在標準循環(huán)模式中，將經(jīng)由熱交換器37循環(huán)的循環(huán)水r2的回流量設(shè)定為70l/min，打開第2閥v2，將向排水罐34的回流量設(shè)定為10l/min。

在低流量模式（循環(huán)水r2的酸度為閾值以下，滿足氫化硅氟酸的生成條件的情況）下，打開排水閥v1，循環(huán)水r2被作為酸性廢水r1排出。將打開排水閥v1時的排水流量設(shè)定為30l/min，通過排水閥v1的開閉控制，控制循環(huán)水r2的平均排水流量為10l/min。因此，排水罐34及循環(huán)路徑r內(nèi)的循環(huán)水r2的流量設(shè)定為80l/min～100l/min。具體地，循環(huán)水r2的最小流量設(shè)定為，在關(guān)閉排水閥v1的情況下，作為經(jīng)由熱交換器37循環(huán)的循環(huán)水r2的回流量（70l/min）、和向排水罐34回流的回流量（10l/min）的和為80l/min。另一方面，循環(huán)水r2的最大流量設(shè)定為，在打開排水閥v1的情況下，作為經(jīng)由熱交換器37循環(huán)的循環(huán)水r2回流的回流量（70l/min）、和經(jīng)由排水閥v1被向外部排出的排水流量（30l/min）的和為100l/min。另外，將打開第3閥v3時的補給水的流量設(shè)定為20l/min，通過第3閥v3的開閉控制，將補給水的平均流量控制為10l/min。

在高流量模式（循環(huán)水r2的酸度為閾值以上的情況，或未滿足氫化硅氟酸的生成條件的情況）下，打開排水閥v1，循環(huán)水r2被作為酸性廢水r1排出。通過排水閥v1的開閉控制，循環(huán)水r2的平均排水流量被控制為20l/min。因此，排水罐34及循環(huán)路徑r內(nèi)的循環(huán)水r2的流量與低流量模式同樣，被設(shè)定為80l/min～100l/min。另外，在高流量模式下，總是打開第3閥v3，補給水的流量恒定為20l/min。

這樣，本發(fā)明的除害裝置在能夠由二氧化硅和氟化氫生成氫化硅氟酸的情況下，即使使循環(huán)水r2的平均排水流量下降至低流量，也會抑制循環(huán)水r2內(nèi)的氟化氫揮發(fā)，所以能夠減少酸性廢水流量。進而，能夠抑制比被設(shè)置于循環(huán)路徑r內(nèi)的離心分離器36靠下游側(cè)的機器被粒狀的二氧化硅堵塞。

進而，本發(fā)明除了上述變形以外，只要不脫離本發(fā)明的精神，能夠進行各種改變，并且，本發(fā)明當然及于該改變。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明除了半導體制造裝置，還能夠應(yīng)用于液晶面板制造裝置、太陽能電池單元制造裝置等。

附圖標記說明

10???處理腔

20???干燥泵

30???除害裝置

31???控制裝置

32a???流量計

33???加熱機構(gòu)

34???排水罐

35???填充塔

36???離心分離器

37???熱交換器

38???傳導率傳感器（酸度測量機構(gòu)）

39???補給水供給機構(gòu)

g1???工藝氣體

g2???清洗氣體

g3???氟化氫氣體

r1???酸性廢水

r2???循環(huán)水

r???循環(huán)路徑

v1???第1閥（排水閥）

v2???第2閥

v3???第3閥

v4???第4閥。