1.通道上下兩壁面指定位置可變形的微流控芯片，其特征在于：該微流控芯片由上凹槽層(1)、主通道薄膜層(2)、下凹槽薄膜層(3)和基底層(4)四部分依次鍵合組成；
上凹槽層(1)的下底面為開口側，上凹槽層(1)下底面的開口側上設有上凹槽結構(7)，上凹槽層(1)上設有三個通孔分別是第一連續(xù)相入口(5)、第一離散相入口(6)、第一出口(8)；主通道薄膜層(2)的下底面為開口側，主通道薄膜層(2)下底面的開口側設有通道結構(12)，主通道薄膜層(2)上設有三個通孔分別是第二連續(xù)相入口(9)、第二離散相入口(10)、第二出口(11)，通道結構(12)的上游分別與第二連續(xù)相入口(9)和第二離散相入口(10)相連接，通道結構(12)的下游與第二出口(11)相連接；下凹槽薄膜層(3)的下底面為開口側，開口側包含下凹槽結構(13)；第二連續(xù)相入口(9)、第二離散相入口(10)、第二出口(11)、通道結構(12)組成主通道；
微流控芯片的四部分互相配合使用，第一連續(xù)相入口(5)和第二連續(xù)相入口(9)相連組成連續(xù)相通口，第一離散相入口(6)和第二離散相入口(10)相連組成離散相通孔，第一出口(8)和第二出口(11)相連組成出口通道；上凹槽結構(7)與通道結構(12)之間的間隔層，下凹槽結構(13)與通道結構(12)之間的間隔層均為可變形壁面，間隔層的間距要足夠小于主通道的寬度和高度；
常規(guī)微通道結構的芯片不設置上凹槽結構(7)和下凹槽結構(13)；
所述可變形壁面為固體PDMS薄層，該固體PDMS薄層的變形能力由上凹槽結構(7)與通道結構(12)，以及下凹槽結構(13)與通道結構(12)之間的間距決定；間距要足夠小于主通道的寬度和高度即主通道薄膜層(2)和下凹槽薄膜層(3)的厚度要足夠小，以保證固體PDMS薄層在通道結構(12)的內(nèi)部流體流動作用下容易發(fā)生變形；同時，上凹槽結構(7)和下凹槽結構(13)為通道結構(12)上下兩壁面的變形提供了空間，凹槽的尺寸和位置分別決定了可變形部分的尺寸和位置。
2.根據(jù)權利要求1所述的通道上下兩壁面指定位置可變形的微流控芯片，其特征在于：所述微流控芯片由聚二甲基硅氧烷制成。