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      一種加氫反應(yīng)器積垢器的制作方法

      文檔序號:11875347閱讀:418來源:國知局

      本發(fā)明涉及一種積垢器,特別是一種加氫反應(yīng)器積垢器。



      背景技術(shù):

      在煉油工業(yè)中,采用高溫高壓加氫精制技術(shù)已有近半個世紀(jì)的歷史。隨著加氫裂化和加氫脫硫等工藝的改進(jìn),輕質(zhì)油品需求量的增加,以及重油原料裂解精制,防止大氣污染等需要,加氫精制裝置和加氫裂化裝置的核心設(shè)備-加氫反應(yīng)器其結(jié)構(gòu)和部件不斷的在進(jìn)行完善。對于氣液并流的下流式加氫固定床反應(yīng)器,其內(nèi)構(gòu)件通常包括入口擴(kuò)散器、氣液分配器、積垢器、冷氫箱、熱電偶和出口收集器等。隨著原料油劣質(zhì)化日趨嚴(yán)重、加工工藝流程越來越長、連續(xù)化程度越來越高,原料油中含酸引起設(shè)備及工藝管線腐蝕所產(chǎn)生的銹垢、上游工藝失穩(wěn)夾帶而來的助劑、儲運過程中的溶氧等,進(jìn)入加氫反應(yīng)器后均會產(chǎn)生垢物、覆蓋催化劑床層表面,使反應(yīng)器的壓力降逐漸升高,嚴(yán)重時影響裝置的正常生產(chǎn)。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的發(fā)明目的在于:針對上述存在的問題,提供一種解決積垢問題,減小積垢器催化劑床層的垢物,和催化劑板結(jié)現(xiàn)象,降低反應(yīng)器壓力降的升高,延長裝置的運行周期,提高反應(yīng)器利用率的加氫反應(yīng)器積垢器。

      本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,包括方形框架,所述方形框架內(nèi)沿豎直方向均布有若干磁吸附區(qū),所述方形框架中部沿水平橫向設(shè)有循環(huán)區(qū)。

      由于采用了上述技術(shù)方案,通過磁吸附區(qū),能夠?qū)⒋蟛糠值墓肝锿ㄟ^吸附作用,使其停留在吸附區(qū),從而減小催化劑床層的垢物,而在使用過程中,通過清洗/更換吸附區(qū)即可保持積垢器長期使用,從而避免催化劑板結(jié),而導(dǎo)致反應(yīng)器壓力降的升高。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述方形框架內(nèi)沿豎直方向設(shè)有若干骨架,所述骨架將方向框架分隔成為若干條形區(qū)域,每一個所述條形區(qū)域內(nèi)上下對稱設(shè)有磁吸附區(qū)。

      由于采用了上述技術(shù)方案,當(dāng)原料從入口進(jìn)入后,原料中的鐵、鈣等較大顆粒的雜質(zhì)通過磁吸附作用被吸附在吸附區(qū)內(nèi),將不會導(dǎo)致大量的大顆粒積進(jìn)入反應(yīng)器,將磁吸附區(qū)取出更換/清洗即可將一次積垢區(qū)進(jìn)行清洗,而避免催化劑板結(jié)等現(xiàn)象出現(xiàn)。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述磁吸附區(qū)包括靜電發(fā)生器,所述靜電發(fā)生器下方設(shè)有磁感區(qū),所述磁感區(qū)內(nèi)均布若干磁點,所述磁點由Fe3O4制成。

      由于采用了上述技術(shù)方案,具有良好的吸附作用,單個磁吸附區(qū)能夠吸附掉75.2%的雜質(zhì),從而減小積垢器催化劑床層的垢物,和催化劑板結(jié)現(xiàn)象,降低反應(yīng)器壓力降的升高,延長裝置的運行周期,提高反應(yīng)器利用率。而本發(fā)明中的結(jié)構(gòu),具有多個磁吸附區(qū),一次原料加入能夠吸附掉92.0%的雜質(zhì)。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述循環(huán)區(qū)的截面大小等于方形框架內(nèi)截面,所述循環(huán)區(qū)內(nèi)均布有若干半導(dǎo)體塊,所述半導(dǎo)體塊之間通過過流通道連接,所述循環(huán)區(qū)內(nèi)兩端設(shè)有固定件,所述固定件將半導(dǎo)體塊與方形框架內(nèi)壁固定連接,所述固定件具有中空腔體,所述腔體內(nèi)設(shè)有脈沖點火器。

      由于采用了上述技術(shù)方案,通過脈沖點火器在半導(dǎo)體塊兩端產(chǎn)生短暫的電壓變化,由于帕爾帖效應(yīng),半導(dǎo)體發(fā)熱,從而將分配器周圍的空氣加熱,產(chǎn)生一小股熱空氣上升,驅(qū)動含雜質(zhì)氣相在積垢器內(nèi)多次往復(fù)循環(huán),形成再吸附,從而保證純化效果。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述半導(dǎo)體塊上下表面均布有若干分配器。

      由于采用了上述技術(shù)方案,分配器與現(xiàn)有的作用相同,使得積垢器內(nèi)的流體力學(xué)復(fù)合沉積要求,使得降壓發(fā)生在氣相進(jìn)入積垢器的中心位置處,改善反應(yīng)進(jìn)料的分布均勻性。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述磁感區(qū)下方設(shè)有催化腔,所述催化腔的兩側(cè)壁上開有若干通孔,所述催化腔內(nèi)填充有催化劑。

      本的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述條形區(qū)域與磁吸附區(qū)之間的孔隙處填充有催化劑。

      由于采用了上述技術(shù)方案,在縫隙處填充催化劑,能夠進(jìn)一步保證純化效果,避免雜質(zhì)進(jìn)入反應(yīng)器中。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述催化劑由質(zhì)量份50份液體石蠟,20份水,15份二甲基亞砜,32份十二烷基磺酸鈉,17份十六烷基三甲基溴化氨,9份聚乙烯吡咯烷酮和20氫氧化鈉制成。

      由于采用了上述技術(shù)方案,除垢效果良好,經(jīng)過吸附積垢后,能夠去除99.1%的雜質(zhì),較現(xiàn)有技術(shù)中的催化劑催化效率高,更加適應(yīng)原料油劣質(zhì)化日趨嚴(yán)重的現(xiàn)狀。

      本發(fā)明的一種加氫反應(yīng)器積垢器,所述半導(dǎo)體塊由質(zhì)量比1:3的單晶鍺和二氧化硅制成

      由于采用了上述技術(shù)方案,能夠促使原料在循環(huán)區(qū)周圍隨氣流變化而進(jìn)行循環(huán)吸附。

      綜上所述,由于采用了上述技術(shù)方案,本發(fā)明的有益效果是:

      1、解決積垢問題,減小積垢器催化劑床層的垢物,和催化劑板結(jié)現(xiàn)象,降低反應(yīng)器壓力降的升高,延長裝置的運行周期,提高反應(yīng)器利用率。

      2、除垢效果良好,經(jīng)過吸附積垢后,能夠去除99.1%的雜質(zhì),較現(xiàn)有技術(shù)中的催化劑催化效率高,更加適應(yīng)原料油劣質(zhì)化日趨嚴(yán)重的現(xiàn)狀。

      附圖說明

      圖1是一種加氫反應(yīng)器積垢器結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖中標(biāo)記:1為方形框架,2為磁吸附區(qū),3為循環(huán)區(qū),4為分配器,5為半導(dǎo)體。

      具體實施方式

      下面結(jié)合附圖,對本發(fā)明作詳細(xì)的說明。

      為了使發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。

      如圖1所示,一種加氫反應(yīng)器積垢器,包括方形框架1,方形框架1內(nèi)沿豎直方向均布有若干磁吸附區(qū)2,方形框架1中部沿水平橫向設(shè)有循環(huán)區(qū)3。方形框架1內(nèi)沿豎直方向設(shè)有若干骨架,骨架將方向框架1分隔成為若干條形區(qū)域,每一個所述條形區(qū)域內(nèi)上下對稱設(shè)有磁吸附區(qū)。磁吸附區(qū)2包括靜電發(fā)生器6,靜電發(fā)生器6下方設(shè)有磁感區(qū)7,磁感區(qū)7內(nèi)均布若干磁點,磁點由Fe3O4制成。循環(huán)區(qū)3的截面大小等于方形框架1內(nèi)截面,循環(huán)區(qū)3內(nèi)均布有若干半導(dǎo)體塊5,半導(dǎo)體塊5之間通過過流通道連接,循環(huán)區(qū)3內(nèi)兩端設(shè)有固定件,固定件將半導(dǎo)體塊5與方形框架1內(nèi)壁固定連接,固定件具有中空腔體,腔體內(nèi)設(shè)有脈沖點火器。半導(dǎo)體塊5上下表面均布有若干分配器4。磁感區(qū)7下方設(shè)有催化腔,催化腔的兩側(cè)壁上開有若干通孔,催化腔內(nèi)填充有催化劑。條形區(qū)域與磁吸附區(qū)2之間的孔隙處填充有催化劑。催化劑由質(zhì)量份50份液體石蠟,20份水,15份二甲基亞砜,32份十二烷基磺酸鈉,17份十六烷基三甲基溴化氨,9份聚乙烯吡咯烷酮和20氫氧化鈉制成。半導(dǎo)體塊5由質(zhì)量比1:3的單晶鍺和二氧化硅制成。

      經(jīng)過實驗,按照10L/min的通入量,經(jīng)過積垢器能夠去除99.1%的雜質(zhì)。

      以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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