本發(fā)明型專利屬于環(huán)保領(lǐng)域，具體涉及一種用于醫(yī)療廢物焚燒尾氣處理工藝的冷等離子體催化凈化裝置。

背景技術(shù)：

目前，各種有毒有害氣體的排放已造成嚴(yán)重的大氣環(huán)境污染，nox、二噁英、vocs等有害氣態(tài)污染物廣泛的產(chǎn)生于工業(yè)生產(chǎn)、交通運(yùn)輸、能源轉(zhuǎn)化等過(guò)程中。國(guó)家正參照國(guó)際排放標(biāo)準(zhǔn)，逐步加強(qiáng)對(duì)這些有害氣體的限制，傳統(tǒng)的方法如液體吸收，活性炭吸附，焚燒和催化氧化等已很難滿足實(shí)際工業(yè)應(yīng)用的需求。

近年來(lái)，興起的冷等離子體催化協(xié)同技術(shù)解決了傳統(tǒng)的凈化方法所不能解決的問(wèn)題。用該技術(shù)處理尾氣中的nox和有機(jī)廢物具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.能耗低?？稍谑覝叵屡c催化劑反應(yīng)，無(wú)需加熱，極大的節(jié)約了能源；2.使用便利，可以根據(jù)風(fēng)量變化以及現(xiàn)場(chǎng)條件進(jìn)行調(diào)節(jié)；3.不產(chǎn)生副產(chǎn)物，催化劑可以選擇性的降解等離子體反應(yīng)中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物；4.不產(chǎn)生放射性物質(zhì)；5.尤其適于處理有異味及低濃度大風(fēng)量的氣體。

國(guó)內(nèi)外大量研究表明，等離子體-催化劑協(xié)同作用相比單個(gè)作用時(shí)能大大增強(qiáng)尾氣凈化效果。有研究表明，處理苯類氣分時(shí)，僅使用催化劑轉(zhuǎn)化率為20%，僅使用等離子體脈沖放電，轉(zhuǎn)化率為70%，兩者協(xié)同，苯類的轉(zhuǎn)化率可以達(dá)到90%；同時(shí)，其他實(shí)驗(yàn)表明，在低于140°c，不經(jīng)過(guò)等離子處理時(shí)，nox幾乎沒(méi)有被去除；而在經(jīng)過(guò)等離子體放電和催化轉(zhuǎn)化后，約有70%的nox被還原。

但是目前冷等離子體處理工藝和催化反應(yīng)工藝是由兩個(gè)獨(dú)立的裝置來(lái)完成的，是兩個(gè)工藝步驟。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種醫(yī)療廢物焚燒尾氣處理中，冷等離子體催化協(xié)同凈化氣體中污染物（如nox以及vocs、二噁英等有機(jī)污染物）的一體化的反應(yīng)裝置，以進(jìn)一步提高凈化效率效果。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明具體是這樣來(lái)實(shí)現(xiàn)的：用于處理醫(yī)療廢物焚燒尾氣的冷等離子體催化凈化裝置，包括反應(yīng)器、絕緣卡座、第一電極、第二電極和“x”型絕緣體，所述反應(yīng)器具有一方形體的反應(yīng)腔體，所述反應(yīng)腔體的前側(cè)腔壁上設(shè)有一進(jìn)氣通孔，所述反應(yīng)腔體的后側(cè)腔壁上設(shè)有一出氣通孔，所述反應(yīng)腔體的上側(cè)腔壁和下側(cè)腔壁上分別設(shè)有絕緣卡座，所述“x”型絕緣體數(shù)目大于等于二且它們的上下端分別卡接在上側(cè)腔壁的絕緣卡座和下側(cè)腔壁上的絕緣卡座上，每個(gè)“x”型絕緣體的上端和上側(cè)腔壁的絕緣卡座之間設(shè)有一第一電極且該第一電極是嵌入在上側(cè)腔壁的絕緣卡座中，每個(gè)“x”型絕緣體的下端和下側(cè)腔壁的絕緣卡座之間設(shè)有一第二電極且該第二電極是嵌入在下側(cè)腔壁的絕緣卡座中，所述“x”型絕緣體用于放置催化劑，從所有的第一電極和第二電極上引出電源線用于連接脈沖等離子體電源。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔體的上側(cè)腔壁上并列設(shè)置兩個(gè)絕緣卡座，所述反應(yīng)腔體的下側(cè)腔壁上并列設(shè)置兩個(gè)絕緣卡座，所述上側(cè)腔壁的兩個(gè)絕緣卡座和下側(cè)腔壁的兩個(gè)絕緣卡座上下一一正對(duì)應(yīng)從而形成了兩組上下對(duì)應(yīng)的絕緣卡座組，在每個(gè)絕緣卡座組中，所述“x”型絕緣體數(shù)目大于等于二且它們的上下端分別卡接在上側(cè)腔壁的絕緣卡座和下側(cè)腔壁上的絕緣卡座上，每個(gè)“x”型絕緣體的上端和上側(cè)腔壁的絕緣卡座之間設(shè)有一第一電極且該第一電極是嵌入在上側(cè)腔壁的絕緣卡座中，每個(gè)“x”型絕緣體的下端和下側(cè)腔壁的絕緣卡座之間設(shè)有一第二電極且該第二電極是嵌入在下側(cè)腔壁的絕緣卡座中。

進(jìn)一步地，所述催化劑采用v2o5、wo3或者tio2。

進(jìn)一步地，所述第一電極和第二電極均采用玻璃碳電極。

進(jìn)一步地，所述絕緣卡座與反應(yīng)腔體的腔壁是卡接或者螺釘連接固定。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)腔體上側(cè)腔壁和下側(cè)腔壁上的絕緣卡座設(shè)有條狀的卡槽，所述“x”型絕緣體上下端分別卡接在卡槽中。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)器上設(shè)有用于控制第一電極和第二電極通斷電的開(kāi)關(guān)、用于顯示第一電極和第二電極之間的電壓的電壓表以及用于顯示電壓是否正常的指示燈。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：設(shè)備簡(jiǎn)單，布置方便，體積小，幾乎不增加占地面積；采用冷等離子體催化凈化裝置，耗能低，適用溫度范圍廣，在10~250°c內(nèi)均可滿足工況；等離子體-催化劑協(xié)同作用相比單個(gè)作用去除效果提升顯著，運(yùn)行工況穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

圖1所示為本發(fā)明的正視圖（剖視圖）。

圖2所示為本發(fā)明的左視圖（剖視圖）。

圖3所示為本發(fā)明的立體示意圖。

圖中，反應(yīng)器1、絕緣卡座2、第一電極3、第二電極4、“x”型絕緣體5、進(jìn)氣通孔6、出氣通孔7、開(kāi)關(guān)8、電壓表9、指示燈10。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1用于處理醫(yī)療廢物焚燒尾氣的冷等離子體催化凈化裝置，包括反應(yīng)器1、絕緣卡座2、第一電極3、第二電極4和“x”型絕緣體5，所述反應(yīng)器1具有一方形體的反應(yīng)腔體，所述反應(yīng)腔體的前側(cè)腔壁上設(shè)有一進(jìn)氣通孔6，所述反應(yīng)腔體的后側(cè)腔壁上設(shè)有一出氣通孔7，所述反應(yīng)腔體的上側(cè)腔壁和下側(cè)腔壁上分別設(shè)有絕緣卡座2，所述“x”型絕緣體5數(shù)目大于等于二且它們的上下端分別卡接在上側(cè)腔壁的絕緣卡座2和下側(cè)腔壁上的絕緣卡座2上，每個(gè)“x”型絕緣體5的上端和上側(cè)腔壁的絕緣卡座2之間設(shè)有一第一電極3且該第一電極3是嵌入在上側(cè)腔壁的絕緣卡座2中，每個(gè)“x”型絕緣體5的下端和下側(cè)腔壁的絕緣卡座2之間設(shè)有一第二電極4且該第二電極4是嵌入在下側(cè)腔壁的絕緣卡座2中，所述“x”型絕緣體5用于放置催化劑，從所有的第一電極和第二電極上引出電源線用于連接脈沖等離子體電源，優(yōu)選的，所述“x”型絕緣體5數(shù)目在十到十四范圍內(nèi)，以放置適量的催化劑，提高凈化效果。

為了增加廢氣與催化劑的接觸幾率以提高凈化效果，所述反應(yīng)腔體的上側(cè)腔壁上并列設(shè)置兩個(gè)絕緣卡座2，所述反應(yīng)腔體的下側(cè)腔壁上并列設(shè)置兩個(gè)絕緣卡座2，所述上側(cè)腔壁的兩個(gè)絕緣卡座和下側(cè)腔壁的兩個(gè)絕緣卡座上下一一正對(duì)應(yīng)從而形成了兩組上下對(duì)應(yīng)的絕緣卡座組，在每個(gè)絕緣卡座組中，所述“x”型絕緣體5數(shù)目大于等于二且它們的上下端分別卡接在上側(cè)腔壁的絕緣卡座2和下側(cè)腔壁上的絕緣卡座2上，每個(gè)“x”型絕緣體5的上端和上側(cè)腔壁的絕緣卡座2之間設(shè)有一第一電極3且該第一電極3是嵌入在上側(cè)腔壁的絕緣卡座中，每個(gè)“x”型絕緣體5的下端和下側(cè)腔壁的絕緣卡座2之間設(shè)有一第二電極4且該第二電極4是嵌入在下側(cè)腔壁的絕緣卡座2中。

具體的，所述催化劑采用v2o5、wo3或者tio2。所述第一電極3和第二電極4均采用玻璃碳電極。所述絕緣卡座2與反應(yīng)腔體的腔壁是卡接或者螺釘連接固定。所述反應(yīng)腔體上側(cè)腔壁和下側(cè)腔壁上的絕緣卡座2設(shè)有條狀的卡槽，所述“x”型絕緣體5上下端分別卡接在卡槽中。

為了實(shí)現(xiàn)顯示反應(yīng)器工作狀態(tài)和控制反應(yīng)器，在上述技術(shù)方案上，所述反應(yīng)器1上設(shè)有用于控制第一電極和第二電極通斷電的開(kāi)關(guān)8、用于顯示第一電極和第二電極之間的電壓的電壓表9以及用于顯示電壓是否正常的指示燈10。從所有的第一電極和第二電極上引出電源線且接在一起，然后通過(guò)開(kāi)關(guān)8連接脈沖等離子體電源。

本裝置中，催化工藝和等離子工藝集成于一體，采用了脈沖等離子體放電方式和v2o5、wo3/tio2作為催化劑。脈沖等離子體電源功率為：300~800w，脈沖高壓：10~30kv，脈沖頻率35~50khz。在急冷和除塵裝置后增加一冷等離子體催化凈化裝置，將焚燒尾氣送入冷等離子體電場(chǎng)中，與該電場(chǎng)產(chǎn)生的高能電子和自由基進(jìn)行反應(yīng)，隨后在催化劑（v2o5、wo3/tio2）的參與下，繼續(xù)對(duì)污染分子進(jìn)行降解反應(yīng)，形成穩(wěn)定態(tài)的無(wú)害氣分排出。該方法具有工藝先進(jìn)，操作簡(jiǎn)便，能耗低，處理效率高，處理成本比傳統(tǒng)方法低，且不會(huì)產(chǎn)生二次污染等優(yōu)點(diǎn)，此裝置氣體污染物去除率高達(dá)80~95%，凈化效果均優(yōu)傳統(tǒng)工業(yè)方法。工業(yè)應(yīng)用可根據(jù)實(shí)際需求對(duì)放電方式和催化劑進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。

以上是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明技術(shù)方案所作的改變，所產(chǎn)生的功能作用未超出本發(fā)明技術(shù)方案的范圍時(shí)，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。