本發(fā)明屬于電路板處理劑技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑及制備方法。

背景技術(shù)：

在pcb制造流程中包括顯影和去膜工序，由于使用到干膜，在顯影和去膜時(shí)會產(chǎn)生的大量的泡沫，泡沫的存在會影響pcb的做板品質(zhì)。在傳統(tǒng)的工藝中，為了消除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫，常用的解決方法是使用含硅消泡劑。雖然含硅消泡劑的消泡效果不錯(cuò)，但是，由于含硅消泡劑中無機(jī)硅的水溶性差，以及跟干膜的反應(yīng)，一些粘性物質(zhì)會吸附在銅面上，導(dǎo)致做板的品質(zhì)下降，制造能力下降，尤其是現(xiàn)在電子產(chǎn)品越來越精細(xì)化，對應(yīng)的pcb線路要求也越來越精細(xì)，傳統(tǒng)的含硅消泡劑已經(jīng)無法滿足pcb制造的需求。

cn1806883a公開了一種印制電路板專用消泡劑，其組份包括：(1)消泡活性物質(zhì)。包括以脂肪醇、脂肪酸、脂肪酸酯等物質(zhì)為起始物質(zhì)聚氧乙烯和聚氧丙烯嵌段聚醚；(2)次消泡物質(zhì)，次消泡物質(zhì)主要指低級脂肪醇(醚)類物質(zhì)；(3)稀釋劑。該發(fā)明的消泡劑是一種高效、安全、廉價(jià)、完全無硅的印制電路板專用消泡劑，它還具備水分散性好、加工簡便和使用方便等特點(diǎn)，但是其cod值較高，水溶性及穩(wěn)定性有待進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的之一在于提供一種pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，具有低cod值，cod值1000-5000mg/l，易水洗，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，所述無硅消泡劑包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為(80～99):(0.5～5):(0.1～5)。

優(yōu)選地，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為(90～98):(1～4):(0.2～2)。

本發(fā)明中，所述聚醚類化合物以聚氧乙烯或/和聚氧丙烯嵌段聚合物為主體。

本發(fā)明中，絡(luò)合劑的加入可以有效防止銅離子在溶液中沉淀，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉。優(yōu)選地，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為0.5～5g/l，例如亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為0.5g/l、1g/l、1.5g/l、2g/l、2.5g/l、3g/l、3.5g/l、4g/l、4.5g/l、5g/l，優(yōu)選為2～4g/l。

本發(fā)明中，防氧化劑的加入是為了防止銅面在消泡劑中發(fā)生氧化，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為(5～8):(2～5)，例如所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為5:5、6:4、7:3、8:2，優(yōu)選為7:3。

本發(fā)明中，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為0.1～2g/l，例如所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為0.1g/l、0.2g/l、0.3g/l、0.4g/l、0.5g/l、0.6g/l、0.7g/l、0.8g/l、0.9g/l、1g/l、1.1g/l、1.2g/l、1.3g/l、1.4g/l、1.5g/l、1.6g/l、1.7g/l、1.8g/l、1.9g/l、2g/l。

本發(fā)明的目的之二在于提供一種pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法，所述制備方法為：在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，其中，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為(80～99):(0.5～5):(0.1～5)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

(1)本發(fā)明的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值1000-5000mg/l，產(chǎn)生的廢水易處理。

(2)本發(fā)明的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑易水洗，在銅面不殘留，避免對pcb做板的品質(zhì)造成影響。

(3)本發(fā)明的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性。

(4)本發(fā)明的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

具體實(shí)施方式

下面通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

實(shí)施例1

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為96:2:2；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為4g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為5:5，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為1g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為1500mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為97:2:1；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為1g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為7:3，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為0.6g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為1350mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為95:4:1；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為3g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為6:4，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為1.2g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為1800mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例4

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為94:3:3；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為2.6g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為7:3，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為2g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為2200mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例5

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為98:1.5:0.5；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為0.5g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為8:2，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為0.3g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為1200mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例6

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為94:4:2；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為4.5g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為6:4，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為1.4g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為2400mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例7

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為95:3:2；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為1.3g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為7:3，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為1.5g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為2010mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

實(shí)施例8

本實(shí)施例的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑，包含聚醚類化合物、絡(luò)合劑和防氧化劑，所述聚醚類化合物、所述絡(luò)合劑、所述防氧化劑的質(zhì)量比為96:1:3；其中，聚醚類化合物以聚氧乙烯、聚氧丙烯嵌段聚合物為主體，所述絡(luò)合劑為亞氨基二琥珀酸四鈉，所述亞氨基二琥珀酸四鈉的質(zhì)量濃度為5g/l，所述防氧化劑為笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的混合物，所述笨并三氮唑和甲基笨并三氮唑的質(zhì)量比為5:5，所述防氧化劑的質(zhì)量濃度為0.7g/l。

pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑的制備方法為，按上述配比在聚醚類化合物中依次加入絡(luò)合劑和防氧化劑，充分?jǐn)嚢韬蟮玫絧cb復(fù)合型多用途無硅消泡劑。

本實(shí)施例制得的pcb復(fù)合型多用途無硅消泡劑具有低cod值，cod值為3800mg/l；在銅面不殘留，在強(qiáng)堿中具有優(yōu)良的穩(wěn)定性，具有良好的分散效果，可充分有效去除顯影和去膜時(shí)產(chǎn)生的泡沫。

申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。