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      一種異質(zhì)結(jié)光催化劑的制備方法和用圖

      文檔序號:9698064閱讀:840來源:國知局
      一種異質(zhì)結(jié)光催化劑的制備方法和用圖
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導體光催化技術(shù)領(lǐng)域,特指一種InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑的制備方法和用途,利用微波合成法和水熱法兩步合成釩酸銦與硫化鎘異質(zhì)結(jié)光催化劑,可用于可見光下降解羅丹明B染料。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,開發(fā)和利用綠色、無污染的太陽能用于解決日益增加的環(huán)境污染和能源危機一直是研究熱點,而半導體光催化技術(shù)能夠最大程度的利用太陽能實現(xiàn)污水凈化、能源轉(zhuǎn)換,半導體光催化技術(shù)是利用半導體光催化劑材料在光照下產(chǎn)生的具有較高氧化還原能力的電子-空穴對實現(xiàn)對有機污染物的降解去除,此技術(shù)因?qū)τ袡C污染物降解徹底、節(jié)能、高效、二次污染小等優(yōu)點得到迅速發(fā)展,目前,研究較多的半導體光催化劑,如:Ti02、SrTi03等活性較高的光催化劑材料只能響應僅占入射太陽光總量5%的紫外光,大大限制了太陽能的利用,因此,開發(fā)新型高效的可見光催化劑是目前光催化技術(shù)研究的熱點。
      [0003]釩酸銦(InV04)是一種新型可見光響應的半導體光催化劑,帶隙寬度在2.0eV左右,能夠被可見光激發(fā),在其導帶(CB)和價帶(VB)上分別產(chǎn)生具有較高氧化還原能力的電子-空穴對,實現(xiàn)對有機污染物的有效降解,目前,InV04大多由水熱法、溶膠-凝膠法和高溫固相煅燒法合成,獲得的產(chǎn)物粒徑較大、形貌不規(guī)整,使得InV04的光催化活性不高,因此,我們利用微波輔助合成法合成了粒徑較小、形貌規(guī)整的InV04納米粒子。
      [0004]硫化鎘(CdS)是一種重要的金屬硫化物,帶隙寬度為2.4eV,能夠很好的響應可見光,但單一的CdS對污染物的降解效果不高,主要在于光照下產(chǎn)生的電子-空穴對極易復合,目前,利用不同半導體材料與CdS復合,構(gòu)筑異質(zhì)結(jié),能夠有效促進界面處電子-空穴對的分離,達到提高光催化活性的目的,例如<(15/¥03<(15/8丨#006和0(15/8丨?04等異質(zhì)結(jié)光催化劑能顯著提高CdS的光催化活性,但目前為止,還沒有發(fā)現(xiàn)利用水熱法制備InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑及其光催化應用的報道。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于提供一種新型InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑材料的制備方法,該方法以乙酸鎘,硫脲,硝酸銦和偏釩酸銨為原料,利用微波合成法、水熱法,獲得可見光下響應的釩酸銦與硫化鎘復合光催化劑材料。
      [0006]本發(fā)明提供的一種可見光響應的InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑材料的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
      [0007]步驟:
      [0008](1)制備釩酸銦:稱取硝酸銦和偏釩酸銨溶于純水中,加熱溶解得到黃色前驅(qū)體懸浮液,之后轉(zhuǎn)移至三口燒瓶中,于微波反應器內(nèi)反應,最后經(jīng)水洗、過濾、干燥得到釩酸銦納米粒子。
      [0009]所述的硝酸銦與偏釩酸銨的物質(zhì)的量比為1:1,微波反應為800胃,100°(3,511。
      [0010]所述制備得出的釩酸銦A的平均粒徑為20nm,形貌為球狀納米粒子,分散性良好,見附圖3。
      [00?1 ]通過微波輔助合成法合成的InV04納米粒子粒徑較小、形貌規(guī)整,InV04納米粒子在本發(fā)明實施中非常重要,主要作用是可通過與硫化鎘進行水熱復合,構(gòu)筑緊密的異質(zhì)結(jié)界面,以此來加速光生電子-空穴對的分離,進而提高復合材料的光催化活性。
      [0012](2)制備硫化鎘:稱取乙酸鎘和硫脲溶于純水中,超聲分散得到透明溶液,之后轉(zhuǎn)移至水熱反應釜中,于烘箱內(nèi)反應,最后經(jīng)水洗、過濾、干燥得到硫化鎘B。
      [0013]所述的乙酸鎘與硫脲的物質(zhì)的量比為1:2,水熱反應為160°C,24h。
      [0014](3)制備釩酸銦與硫化鎘異質(zhì)結(jié)光催化劑:稱取微波輔助合成法合成的InV04納米粒子,乙酸鎘和硫脲溶于純水中,超聲分散得到淡黃色前驅(qū)體懸浮液,之后轉(zhuǎn)移至水熱釜中,于烘箱內(nèi)反應,最后經(jīng)水洗、過濾、干燥得到釩酸銦與硫化鎘異質(zhì)結(jié)材料C。
      [0015]所述InV04納米粒子和硫化鎘的質(zhì)量比為10-60:100,乙酸鎘和硫脲的物質(zhì)的量比為1:2,水熱反應條件為160°C,24h。
      [0016]本發(fā)明中InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑的晶體結(jié)構(gòu)由粉末X射線衍射(XRD)確定,如圖1所示,XRD中可以明顯觀察到CdS的特征峰,與標準卡片77-2306對應;此外,隨著InV04的復合量增加,也隨之觀察到其衍射峰且衍射峰強度顯著增加,與標準卡片48-0898符合;XRD譜圖表明InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑已由微波合成法和水熱法成功制備。
      [0017]InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑的表面化學組成和元素價態(tài)由X-射線光電子能譜(XPS)確定,如圖2所示,XPS能譜圖中出現(xiàn)了 Cd,S,In,V和0的特征峰,此譜圖表明,由微波合成法和水熱法所制備出的InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑含有其所具有的所有元素。
      [0018]此外,本發(fā)明中通過微波輔助合成法與常規(guī)水熱法合成的InV04的形貌和微觀結(jié)構(gòu)由透射電子顯微鏡(TEM)與掃描電子顯微鏡(SEM)確定,如圖3所不,微波輔助合成法合成的InV04形貌為球狀粒子,平均粒徑在20nm,而常規(guī)水熱法合成的InV04形貌也是球狀,但平均粒徑在3-5μπι。
      [0019]本發(fā)明的另一個目的:一、提供制備InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑材料的試驗方法;二、將InV04/CdS作為光催化材料用于可見光下光催化降解有機染料污水。
      [0020]有益效果
      [0021]利用微波合成法和水熱法所制備的InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑材料,在可見光下降解羅丹明B染料顯示出優(yōu)異的光催化活性;本發(fā)明工藝操作簡單,成本低廉,反應時間較短,能夠有效光催化降解有機染料,達到保護環(huán)境的目的。
      【附圖說明】
      [0022]圖1為本發(fā)明實施例1-4所制備樣品的X-射線衍射圖(XRD),圖中InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑分別顯示出InV04和CdS成分的特征峰。
      [0023]圖2為本發(fā)明實施例3所制備的InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑的X-射線光電子能譜圖(XPS):元素全譜(a),Cd3d5(b),S2p(c),In3d(d),V2p(e)和01s(f),說明了XPS譜圖顯示其具備了所合成樣品的所有元素。
      [0024]圖3為本發(fā)明實施例1-4及對比例5中,通過微波輔助合成法與常規(guī)水熱法合成的不同粒徑分布的InV04的透射電子顯微鏡(TEM)圖和掃描電子顯微鏡(SEM)對比圖。
      [0025]圖4為本發(fā)明實施例1-4所制備樣品在可見光條件下光催化降解羅丹明B的效果圖。圖中可以看出純CdS和InV04在可見光下羅丹明B的降解率很低,而InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑的降解率則很高,說明了合成的InV04/CdS異質(zhì)結(jié)光催化劑能夠顯著提升光催化性能,并能很好的應用于羅丹明B污水的降解。
      【具體實施方式】
      [0026]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明進行詳細說明,以使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明,但本發(fā)明并不局限于以下實施例。
      [0027]實施例1
      [0028]步驟(1):稱取lmmol硝酸銦(0.382g)和lmmol偏釩酸銨(0.117g)溶于100mL純水中,加熱溶解得到黃色前驅(qū)體懸浮液,之后轉(zhuǎn)移至250mL的三口燒瓶中,微波反應800W,100°C,5h,最后經(jīng)水洗、過濾、干燥得到I凡酸銦A。步驟(2):稱取lmmo 1乙酸錦(0.266g)和2mmo 1硫脲(0.076g)溶于40mL純水中,超聲分散得到透明溶液,之后轉(zhuǎn)移至50mL的水熱釜中,水熱反應160°C,24h,最后經(jīng)水洗、過濾、干燥得到硫化鎘B。
      [0029]步驟(3):稱取0.015g釩酸銦A,lmmol乙酸鎘(0.26
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