無水乙醇與吐溫溶液混合，得到A溶液，再將A溶液與緩沖液II混合，得到BII 溶液，將A溶液與熒光素溶液混合，得到D溶液；
[0135] 所述的無水乙醇與吐溫的體積比為(7~9): 1;所述的A溶液與緩沖液II的體積比 為1: (95~99);所述的A溶液與熒光素溶液的體積比為1:99;
[0136] 二、實驗操作：
[0137]①、打開與顯微鏡相連接的計算機、信號發(fā)生器、信號放大器、不波器、顯微鏡、(XD 以及熒光燈開關，觀察設備運轉是否正常，然后打開Q-Capture Pro圖像采集軟件，實時觀 察顯微鏡載物臺；
[0138] ②、將基于交流電熱的高通量微混合芯片置于等離子機的腔室內，在腔室壓力為 700毫托及等離子發(fā)生器功率為20W的條件下，曝光時間32s，得到等離子化的芯片，將等離 子化的芯片固定在載物臺上，調好芯片位置和焦距，在出口通孔8處滴入BII溶液，至基于交 流電熱的高通量微混合芯片的流道潤濕，然后將兩個25微升的微量進樣器固定在注射栗 上，其中一個微量進樣器吸入5微升~10微升BII溶液，另一個微量進樣器吸入5微升~10微 升的D溶液，再將連接注射器的兩個金屬連接器分別插入第一圓形入口通孔6和第二圓形入 口通孔7,密封；
[0139] ③、連接好基于交流電熱的高通量微混合芯片的ΙΤ0電極引線3和信號放大器之間 的導線，所述的第一組三維電極4-1與第二組三維電極4-2施加的是相位差為180°的駐波， 所述的第三組三維電極4-3和第四組三維電極4-4施加的是相位差為180°的駐波，且第一組 三維電極4-1重復第三組三維電極4-3，施加的電信號頻率范圍為0.5MHz~3MHz，施加的電 壓范圍為lOVpp~55Vpp。
[0140] ④、啟動注射栗，控制注射栗的參數(shù)為0.182微升/h~0.364微升/h，讓BII溶液和D 溶液以200微米/s~400微米/s的流速流入，當流道內流體流動速度穩(wěn)定時，按下信號發(fā)生 器上的施加信號按鈕；
[0141] ⑤、再次調整好焦距和基于交流電熱的高通量微混合芯片的位置，直至熒光素粒 子清晰，穩(wěn)定高度進行視頻的檢測和錄制；
[0142] ⑥、重步驟二③~⑤步，不斷調整電壓和頻率，觀察現(xiàn)象并記錄；
[0143] ⑦、數(shù)據(jù)的處理和分析。
[0144] 本實施方式電導率為0.2mS/m的緩沖液I為了消除PH值對熒光素溶液的影響，還需 要利用氨水配置出PH值為9.2，電導率為0.2S/m緩沖液II。為了消除PH值對熒光素溶液的影 響，在進行熒光素溶液的配置時，需要利用緩沖液II進行熒光素溶液的配置。A溶液其作用 主要是可以減少粒子在通道或者基底表面粘結。
[0145] 在出口處滴入少量的BII溶液，潤濕整個微混合通道，可以保證粒子不沾在通道壁 上。
[0146] 采用下述試驗驗證本發(fā)明效果：
[0147] 實施例一：
[0148] 一種基于交流電熱的高通量微混合芯片由玻璃基底1和PDMS蓋片2組成；
[0149] 所述的玻璃基底1表面設有第一組三維電極4-1、第二組三維電極4-2、第三組三維 電極4-3、第四組三維電極4-4及ΙΤ0電極引線3;
[0150]所述的ΙΤ0電極引線3由玻璃基底1表面的ΙΤ0導電膜腐蝕后留存得到;所述的第一 組三維電極4-1、第二組三維電極4-2、第三組三維電極4-3、第四組三維電極4-4的厚度均為 76μπι;所述的ΙΤ0電極引線3的厚度為200nm;
[0151] 所述的PDMS蓋片2的下表面設有粒子反應流道5、第一流道10、第二流道11、第三流 道9、第一入口槽12及第二入口槽13，粒子反應流道5的入口端分別與第一流道10的出口端 及第二流道11的出口端相連接，粒子反應流道5的出口端與第三流道9的入口端相連接;且 第一流道10的入口端設有第一入口槽12，第二流道11的入口端設有第二入口槽13，第三流 道9的出口端設有貫穿PDMS蓋片2的出口通孔8;
[0152] 所述的第一入口槽12的中心位置設有貫穿PDMS蓋片2的第一圓形入口通孔6;所述 的第二入口槽13的中心位置設有貫穿PDMS蓋片2的第二圓形入口通孔7;
[0153] 且PDMS蓋片2下表面設有與玻璃基底1表面的第一組三維電極4-1、第二組三維電 極4-2、第三組三維電極4-3及第四組三維電極4-4相對應的槽；
[0154] 所述的TOMS蓋片2的厚度為6mm;所述的粒子反應流道5深Η為76μπι，長L為3500μπι， 寬W為400μπι;第一流道10深為76μπι，長為1.5cm，入口端寬為3mm，出口端寬為200μπι;第二流 道11深為76μηι，長為1.5cm，入口端寬為3mm，出口端寬為200μηι ;第三流道9深為76μηι，長為 1.2cm，入口端寬為400μπι，出口端寬為3mm;第一入口槽12深為76μπι ;第二入口槽13深為76μ m；
[0155] 玻璃基底1設有電極的一側和PDMS蓋片2下表面相對密封，且第一組三維電極4-1 的一端和第三組三維電極4-3的一端均與粒子反應流道5的一側相貼合，第二組三維電極4-2的一端和第四組三維電極4-4的一端均與粒子反應流道5的另一側相貼合;第一組三維電 極4-1與第二組三維電極4-2的水平距離djl為125μπι ;第二組三維電極4-2與第三組三維電 極4-3的水平距離pj為200μπι;第三組三維電極4-3與第四組三維電極4-4的水平距離dj2為 125μπι ;所述的第一組三維電極4-1、第二組三維電極4-2、第三組三維電極4-3和第四組三維 電極4-4的另一端均與ΙΤΟ電極引線3相貼合；
[0156] 所述的第一組三維電極4-1由第一三維電極4-1-1和第二三維電極4-1-2組成;第 一三維電極4-1-1和第二三維電極4-1-2之間的水平距離d3為200μπι;所述的第一三維電極 4-1-1與粒子反應流道5貼合的一端寬dl為225μπι;所得第二三維電極4-1-2與粒子反應流道 5貼合的一端寬d2為200μπι ;
[0157] 所述的第二組三維電極4-2、第三組三維電極4-3和第四組三維電極4-4的結構與 第一組三維電極4-1相同；
[0158] 第一流道10與第二流道11之間的夾角為60° ;
[0159] 第一圓形入口通孔6的直徑為1mm;第二圓形入口通孔7的直徑為1_。
[0160] 上述一種基于交流電熱的高通量微混合芯片的制備方法，是按以下步驟進行的：
[0161] -、PDMS 通道加工：
[0162] (1)、清洗玻璃:首先將玻璃依次置于丙酮和異丙醇中分別超聲清洗lOmin，再用等 離子水沖洗，氮氣吹干，然后將氮氣吹干后的玻璃置于溫度為80°C下加熱15min，得到預處 理后的玻璃；
[0163] (2)、光刻膠的平鋪:首先將干膜光刻膠一側的保護層揭掉并粘貼于預處理后的玻 璃上，然后置于塑封機中將干膜光刻膠和玻璃壓緊，得到粘有一層干膜光刻膠的玻璃，取另 一張干膜光刻膠，將干膜光刻膠一側的保護層及粘于玻璃上的干膜光刻膠的另一側保護層 揭掉，相對貼合，然后置于塑封機中將干膜光刻膠和玻璃壓緊，得到粘有兩層干膜光刻膠的 玻璃；
[0164] 所述的干膜光刻膠為杜邦公司生產型號為SD238的干膜光刻膠，厚度為38μπι;
[0165] (3)、曝光：將經AutoCAD軟件輔助設計并打印好的PDMS掩膜貼于粘有兩層干膜光 刻膠的玻璃上，得到預曝光的玻璃，將透光板和遮光板依次置于預曝光的玻璃表面上，并置 于金鹵導軌射燈下，預熱lmin，預熱后去掉遮光板，曝光6s，然后去掉透光板、掩膜及玻璃上 的保護層，得到曝光后的玻璃；
[0166] (4)、顯影:將曝光后的玻璃置于質量百分數(shù)為5%的碳酸鈉溶液中，顯影5min，然 后用等離子水沖洗，氮氣吹干，并置于溫度為80°C的烤箱中烘烤15min，得到PDMS通道模子；
[0167] (5)、澆筑PDMS:將PDMS與固化劑混合，攪拌均勻，然后置于真空栗中抽真空30min， 得到硅烷化處理劑，用錫箱紙將PDMS通道模子包覆成一個方形開口槽，且PDMS通道模子的 通道一側朝上放置，然后把錫箱紙包好的PDMS通道模子放置在真空栗中，將50yL的硅烷化 處理劑注入錫箱紙包好的TOMS通道模子，抽真空2min，靜置lOmin，再在硅烷處理后的TOMS 通道模子上澆筑PDMS，抽真空20min，最后置于溫度為80°C的烘烤箱中加熱2h，固化；
[0168] 所述的PDMS與固化劑的質量比為10:1;
[0169] (6)、PDMS通道處理:將固化后的PDMS從PDMS通道模子上揭下，并用刀片將其切割 成規(guī)則的形狀，然后用打孔器打好第一圓形入口通孔6、第二圓形入口通孔7及出口通孔8， 得到PDMS蓋片2;
[0170] 二、三維電極的加工：
[0171] (1)、清洗IT0玻璃:首先將IT0玻璃依次置于丙酮和異丙醇中超聲清洗lOmin，再用 等離子水沖洗，氮氣吹干，然后將氮氣吹干后的IT0玻璃置于溫度為80°C下加熱15min，得到 預處理后的IT0玻璃；
[0172] 所述的IT0玻璃表面的IT0導電膜厚度為200nm;
[0173] (2)、光刻膠的平鋪:將干膜光刻膠一側的保護層揭掉并粘貼于預處理后的IT0玻 璃上，得到光刻膠平鋪后的IT0玻璃；
[0174] 所述的干膜光刻膠為杜邦公司生產型號為SD238的干膜光刻膠，厚度為38μπι;
[0175] (3)、曝光:將經AutoCAD軟件輔助設計并打印好的ΙΤ0掩膜貼在光刻膠平鋪后的 ΙΤ0玻璃上，在金鹵導軌射燈下，將光刻膠平鋪后的ΙΤ0玻璃曝光3s，得到曝光后的ΙΤ0玻璃；
[0176] (4)、顯影:將曝光后的ΙΤ0玻璃表面的保護層去掉，然后置于質量百分數(shù)為5%碳 酸鈉溶液中，顯影2min，得到顯影后的ΙΤ0玻璃；
[0177] (5)、腐蝕:將顯影后的ΙΤ0玻璃置于質量百分數(shù)為60%的鹽酸溶液與氯化鐵催化 劑的混合液中，浸泡40min，得到腐蝕后的ΙΤ0玻璃；
[0178]所述的質量百分數(shù)為60%的鹽酸溶液的體積與氯化鐵催化劑的質量比為lmL: 30mg;
[0179] (6)、去除光刻膠:將腐蝕后的ΙΤ0玻璃置于質量百分數(shù)為5%的NaOH溶液中浸泡， 去除光刻膠，得到表面含有ΙΤ0電極引線的玻璃；
[0180] (7)、清洗ΙΤ0電極引線:首先將表面含有ΙΤ0電極引線的玻璃依次置于丙酮和異丙 醇中超聲清洗l〇min，再用等離子水沖洗，氮氣吹干，然后置于溫度為80°C下加熱15min，得 到預處理后的表面含有ΙΤ0電極引線的玻璃；
[0181] (8)、光刻膠的平鋪:首先將干膜光刻膠一側的保護層揭掉并粘貼于預處理后的表 面含有ΙΤ0電極引線的玻璃上，然后置于塑封機中將干膜光刻膠和ΙΤ0玻璃壓緊，得到粘有 一層干膜光刻膠的表面含有ΙΤ0電極引線的玻璃，取另一張干膜光刻膠，將干膜光刻膠一側 的保護層及粘于表面含有ΙΤ0電極引線的玻璃上的干膜光刻膠的另一側保護層揭掉，相對 貼合，然后置于塑封機中將干膜光刻膠和玻璃壓緊，得到粘有兩層干膜光刻膠的表面含有 ITO電極引線的玻璃；
[0182] 所述的干膜光刻膠為杜邦公司生產型號為SD238的干膜光刻膠，厚度為38μπι;
[0183] (9)、曝光:在顯微鏡下，將經Aut