本申請(qǐng)涉及一種陶瓷電容器生產(chǎn)領(lǐng)域，特別是一種用于高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸自動(dòng)分選的裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的分立元件—陶瓷電容器以圓片形為主，這種結(jié)構(gòu)成型簡(jiǎn)單、工藝成熟、操作簡(jiǎn)便，便于批量化、規(guī)?；a(chǎn)。

陶瓷電容器中瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸，為成型壓制保證尺寸，由于瓷粉裝填重量差異、瓷粉松裝密度差異、瓷粉顆粒分布差異以及壓機(jī)原因等，將使沖壓后的瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸差異大。而瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸不良，將會(huì)對(duì)電容量以及裝配造成影響，因此，需要對(duì)瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸進(jìn)行檢測(cè)或全數(shù)分選。

目前，瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸分選，主要是人工操作分選，即分選操作人員，先手持厚度通規(guī)進(jìn)行瓷介質(zhì)芯片厚度最大尺寸的分選，再手持厚度止規(guī)對(duì)瓷介質(zhì)芯片厚度最小尺寸進(jìn)行分選?；蛘?，先采用厚度通規(guī)對(duì)所有待分選瓷介質(zhì)芯片進(jìn)行厚度最大尺寸進(jìn)行分選，最大尺寸分選完成后，再采用厚度止規(guī)對(duì)所有待分選瓷介質(zhì)芯片的厚度最小尺寸進(jìn)行分選。

上述操作方式，勞動(dòng)強(qiáng)度大，分選效率低下，人工成本高，而且遺漏分選的風(fēng)險(xiǎn)極高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種自動(dòng)化程度高、勞動(dòng)強(qiáng)度小、效率高、人力成本低且分選準(zhǔn)確率高的用于高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸自動(dòng)分選的裝置。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案是：

一種用于高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸自動(dòng)分選的裝置，包括自動(dòng)傳輸線、厚度通規(guī)、厚度止規(guī)、第一伸縮推桿、第二伸縮推桿、升降推桿和定位電磁鐵。

厚度通規(guī)和厚度止規(guī)依次沿自動(dòng)傳輸線的傳輸方向設(shè)置；厚度通規(guī)的高度等于瓷介質(zhì)芯片的規(guī)格上限值，厚度止規(guī)的高度等于瓷介質(zhì)芯片的規(guī)格下限值。

厚度止規(guī)的高度能夠升降，厚度止規(guī)底部設(shè)置有第一碰撞傳感器。

位于厚度通規(guī)上游的自動(dòng)傳輸線上設(shè)置有第一伸縮推桿，該第一伸縮推桿能將超過(guò)厚度上限值的瓷介質(zhì)芯片從自動(dòng)傳輸線上推離。

位于厚度止規(guī)下游的自動(dòng)傳輸線上設(shè)置有第二伸縮推桿，該第二伸縮推桿能將厚度超過(guò)下限的瓷介質(zhì)芯片從自動(dòng)傳輸線上推離；第二伸縮推桿與第一碰撞傳感器相連接。

位于厚度通規(guī)和厚度止規(guī)之間的自動(dòng)傳輸線上設(shè)置有升降推桿和定位電磁鐵；定位電磁鐵固定設(shè)置在自動(dòng)傳輸線的底部，能將準(zhǔn)備進(jìn)入厚度止規(guī)的瓷介質(zhì)芯片進(jìn)行吸附定位；升降推桿能將正在進(jìn)入厚度止規(guī)的瓷介質(zhì)芯片向前進(jìn)行推送。

所述厚度止規(guī)通過(guò)支架固定設(shè)置在自動(dòng)傳輸線上，支架包括固定桿和升降桿，固定桿的一端固定在自動(dòng)傳輸線上，固定桿的另一端與升降桿固定連接。

所述固定桿的頂部設(shè)置有限位塊，升降桿的底部設(shè)置有能與限位塊碰撞接觸的定位塊。

所述定位塊的底部設(shè)置有第二碰撞傳感器。

與第一伸縮推桿和第二伸縮推桿位置相對(duì)應(yīng)的自動(dòng)傳輸線側(cè)各設(shè)置有一個(gè)不合格品箱。

本申請(qǐng)采用上述結(jié)構(gòu)后，上述厚度通規(guī)能對(duì)瓷介質(zhì)芯片的最大厚度尺寸進(jìn)行分選，厚度止規(guī)能對(duì)瓷介質(zhì)芯片的最小厚度尺寸進(jìn)行分選。當(dāng)瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸超上限時(shí)，也即不能通過(guò)厚度通規(guī)時(shí)，第一伸縮推桿啟動(dòng)、伸長(zhǎng)，將該不合格瓷介質(zhì)芯片從自動(dòng)傳輸線上推離。然后，厚度不超過(guò)上限的瓷介質(zhì)芯片繼續(xù)向前輸送，當(dāng)有瓷介質(zhì)芯片傳輸至厚度止規(guī)處時(shí)，定位電磁鐵通電，將后一個(gè)準(zhǔn)備進(jìn)入厚度止規(guī)的瓷介質(zhì)芯片吸附定位；然后，升降推桿高度下降并將傳輸至厚度止規(guī)處的瓷介質(zhì)芯片向前輸送，當(dāng)厚度止規(guī)處的第一碰撞傳感器在設(shè)定時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到碰撞時(shí)，則判定該瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸合格，厚度止規(guī)高度上升，判定合格的瓷介質(zhì)芯片繼續(xù)向前輸送，然后厚度止規(guī)高度下降，升降推桿復(fù)位，準(zhǔn)備下一個(gè)瓷介質(zhì)芯片的厚度下限檢測(cè)。當(dāng)厚度止規(guī)處的第一碰撞傳感器未在設(shè)定時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到碰撞時(shí)，則判定該瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸不合格，第二伸縮推桿啟動(dòng)，將其從自動(dòng)傳輸線上推離。

上述限位塊、定位塊及第二碰撞傳感器的設(shè)置，能使得厚度止規(guī)每次的升降位移可控，厚度下限值準(zhǔn)確可靠。

綜上所述，整個(gè)檢測(cè)裝置，自動(dòng)化程度高、勞動(dòng)強(qiáng)度小、效率高、人力成本低且分選準(zhǔn)確率高。

附圖說(shuō)明

圖1是本申請(qǐng)一種用于高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸自動(dòng)分選的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中有：1.自動(dòng)傳輸線；2.厚度通規(guī)；3.厚度止規(guī)；31.固定桿；311.限位塊；32.升降桿；321.定位塊；322.第二碰撞傳感器；33.第一碰撞傳感器；4.第一伸縮推桿；5.第二伸縮推桿；6.升降推桿；7.定位電磁鐵；8.瓷介質(zhì)芯片。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體較佳實(shí)施方式對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖1所示，一種用于高壓陶瓷電容器瓷介質(zhì)芯片厚度尺寸自動(dòng)分選的裝置，包括自動(dòng)傳輸線1、厚度通規(guī)2、厚度止規(guī)3、第一伸縮推桿4、第二伸縮推桿5、升降推桿6和定位電磁鐵7。

厚度通規(guī)和厚度止規(guī)依次沿自動(dòng)傳輸線的傳輸方向設(shè)置；厚度通規(guī)的高度等于瓷介質(zhì)芯片的規(guī)格上限值，厚度止規(guī)的高度等于瓷介質(zhì)芯片的規(guī)格下限值。

厚度止規(guī)的高度能夠升降，厚度止規(guī)底部設(shè)置有第一碰撞傳感器33。

位于厚度通規(guī)上游的自動(dòng)傳輸線上設(shè)置有第一伸縮推桿，該第一伸縮推桿能將超過(guò)厚度上限值的瓷介質(zhì)芯片從自動(dòng)傳輸線上推離。

位于厚度止規(guī)下游的自動(dòng)傳輸線上設(shè)置有第二伸縮推桿，該第二伸縮推桿能將厚度超過(guò)下限的瓷介質(zhì)芯片從自動(dòng)傳輸線上推離；第二伸縮推桿與第一碰撞傳感器相連接。

位于厚度通規(guī)和厚度止規(guī)之間的自動(dòng)傳輸線上設(shè)置有升降推桿和定位電磁鐵；定位電磁鐵固定設(shè)置在自動(dòng)傳輸線的底部，能將準(zhǔn)備進(jìn)入厚度止規(guī)的瓷介質(zhì)芯片進(jìn)行吸附定位；升降推桿能將正在進(jìn)入厚度止規(guī)的瓷介質(zhì)芯片向前進(jìn)行推送。

所述厚度止規(guī)通過(guò)支架固定設(shè)置在自動(dòng)傳輸線上，支架包括固定桿31和升降桿32，固定桿的一端固定在自動(dòng)傳輸線上，固定桿的另一端與升降桿固定連接。

所述固定桿的頂部設(shè)置有限位塊311，升降桿的底部設(shè)置有能與限位塊碰撞接觸的定位塊321。

所述定位塊的底部設(shè)置有第二碰撞傳感器322。

上述限位塊、定位塊及第二碰撞傳感器的設(shè)置，能使得厚度止規(guī)每次的升降位移可控，厚度下限值準(zhǔn)確可靠。

進(jìn)一步，與第一伸縮推桿和第二伸縮推桿位置相對(duì)應(yīng)的自動(dòng)傳輸線側(cè)各設(shè)置有一個(gè)不合格品箱。

本申請(qǐng)采用上述結(jié)構(gòu)后，上述厚度通規(guī)能對(duì)瓷介質(zhì)芯片的最大厚度尺寸進(jìn)行分選，厚度止規(guī)能對(duì)瓷介質(zhì)芯片的最小厚度尺寸進(jìn)行分選。當(dāng)瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸超上限時(shí)，也即不能通過(guò)厚度通規(guī)時(shí)，第一伸縮推桿啟動(dòng)、伸長(zhǎng)，將該不合格瓷介質(zhì)芯片從自動(dòng)傳輸線上推離。然后，厚度不超過(guò)上限的瓷介質(zhì)芯片繼續(xù)向前輸送，當(dāng)有瓷介質(zhì)芯片傳輸至厚度止規(guī)處時(shí)，定位電磁鐵通電，將后一個(gè)準(zhǔn)備進(jìn)入厚度止規(guī)的瓷介質(zhì)芯片吸附定位；然后，升降推桿高度下降并將傳輸至厚度止規(guī)處的瓷介質(zhì)芯片向前輸送，當(dāng)厚度止規(guī)處的第一碰撞傳感器在設(shè)定時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到碰撞時(shí)，則判定該瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸合格，厚度止規(guī)高度上升，判定合格的瓷介質(zhì)芯片繼續(xù)向前輸送，然后厚度止規(guī)高度下降，升降推桿復(fù)位，準(zhǔn)備下一個(gè)瓷介質(zhì)芯片的厚度下限檢測(cè)。當(dāng)厚度止規(guī)處的第一碰撞傳感器未在設(shè)定時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到碰撞時(shí)，則判定該瓷介質(zhì)芯片的厚度尺寸不合格，第二伸縮推桿啟動(dòng)，將其從自動(dòng)傳輸線上推離。

以上詳細(xì)描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本申請(qǐng)并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本申請(qǐng)的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換，這些等同變換均屬于本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。