本發(fā)明涉及質(zhì)子性離子液體、含有該離子液體的潤滑劑和使用了該潤滑劑的磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：以往，對于薄膜磁記錄介質(zhì)，為了減少磁頭和介質(zhì)表面的摩擦、磨損，在磁性層表面涂布潤滑劑。為了避免靜摩擦這樣的粘接，實(shí)際的潤滑劑的膜厚為分子水平。因此，就薄膜磁記錄介質(zhì)而言，即使說最重要的是選擇在任何環(huán)境下都具有優(yōu)異的耐磨損性的潤滑劑也不為過。就磁記錄介質(zhì)的使用壽命而言，使?jié)櫥瑒┐嬖谟诮橘|(zhì)表面而不產(chǎn)生脫離、脫落(spin-off)、化學(xué)性的劣化等是重要的。薄膜磁記錄介質(zhì)的表面越平滑，潤滑劑越難存在于介質(zhì)表面。這是因?yàn)楸∧ご庞涗浗橘|(zhì)不具有涂布型磁記錄介質(zhì)這樣的潤滑劑的補(bǔ)充能力。另外，潤滑劑與磁性層表面的保護(hù)膜的粘接力弱時(shí)，加熱、滑動(dòng)時(shí)產(chǎn)生潤滑劑膜厚的減少，加速磨損，因此需要大量的潤滑劑。大量的潤滑劑成為移動(dòng)性的潤滑劑，可以使其具有補(bǔ)充已消失潤滑劑的功能。但是，由于過量的潤滑劑使?jié)櫥瑒┑哪ず癖缺砻娲植诙却?，因此產(chǎn)生與粘接有關(guān)的問題，存在著嚴(yán)重的情況下會導(dǎo)致靜摩擦而成為驅(qū)動(dòng)不良的原因的兩難窘境。這些摩擦的問題，在以往的全氟聚醚(PFPE)系潤滑劑中沒有得到充分解決。特別是表面平滑性高的薄膜磁記錄介質(zhì)中，為了消除這些進(jìn)退兩難的問題，分子設(shè)計(jì)并合成了新型潤滑劑。另外，提出了很多關(guān)于PFPE的潤滑性的報(bào)告。如此，磁記錄介質(zhì)中，潤滑劑是非常重要的。表1中顯示了代表性的PFPE系潤滑劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)。[表1]表1中的Z-DOL是通常使用的薄膜磁記錄介質(zhì)用潤滑劑的一種。另外，有報(bào)告稱：Z-Tetraol(ZTMD)是在PFPE的主鏈中進(jìn)一步導(dǎo)入了功能性羥基的物質(zhì)，減少磁頭介質(zhì)界面(headmediainterface)間隙的同時(shí)提高驅(qū)動(dòng)的可靠性。還有報(bào)告稱：A20H抑制因PFPE主鏈的路易斯酸、路易斯堿引起的分解，改善摩擦學(xué)特性。另一方面，還報(bào)告稱：與上述的PFPE不同，Mono的高分子主鏈和極性基團(tuán)分別是聚正丙基氧和胺，使近接觸時(shí)的粘接相互作用減少。但是，被認(rèn)為熔點(diǎn)高、熱穩(wěn)定的一般的固體潤滑劑會妨礙靈敏度非常高的電磁轉(zhuǎn)換過程，另外，被磁頭削掉的磨損粉在運(yùn)行磁道上產(chǎn)生，因此磨損特性變差。如前所述，如果是液體潤滑劑，則存在對于因磁頭引起磨損而被去除的潤滑劑，從相鄰的潤滑層移動(dòng)而進(jìn)行補(bǔ)充這樣的移動(dòng)性。但是，由于該移動(dòng)性，特別是在高溫下，在盤片運(yùn)轉(zhuǎn)中從盤片表面脫落，潤滑劑減少，結(jié)果失去防護(hù)功能。因此，適當(dāng)使用了粘度高并且低揮發(fā)性的潤滑劑，使得抑制蒸發(fā)速度、延長盤片驅(qū)動(dòng)壽命成為可能。鑒于這些潤滑機(jī)制，對薄膜磁記錄介質(zhì)所使用的低摩擦、低磨損的潤滑劑的要求如下所述。(1)低揮發(fā)性。(2)為了表面補(bǔ)充功能，因而表面張力低。(3)末端極性基團(tuán)與盤片表面具有相互作用。(4)熱穩(wěn)定性和氧化穩(wěn)定性高，以使得使用期間沒有分解、減少。(5)對金屬、玻璃、高分子沒有化學(xué)活性，對磁頭、導(dǎo)槽不產(chǎn)生磨損粉。(6)沒有毒性、可燃性。(7)邊界潤滑特性優(yōu)異。(8)溶解于有機(jī)溶劑。近年，在蓄電材料、分離技術(shù)、催化劑技術(shù)等中，離子液體作為用于合成有機(jī)、無機(jī)材料的環(huán)境友好的溶劑之一，受到關(guān)注。離子液體屬于低熔點(diǎn)溶融鹽的大的范疇，一般是指其中熔點(diǎn)為100℃以下的物質(zhì)。用作潤滑劑的離子液體的重要特性有：揮發(fā)性低、無可燃性、熱穩(wěn)定、溶解性能優(yōu)異。故而，離子液體因其特征，也被期待作為真空中、高溫中等極端環(huán)境下的新型潤滑劑來應(yīng)用。另外還已知通過在單一的自組裝量子點(diǎn)晶體管的柵極中使用離子液體，可以將晶體管的可控性提高到以往的100倍的技術(shù)。該技術(shù)中，離子液體通過形成雙電層，作為1nm左右的絕緣膜來起作用，從而能夠獲得大的電容量。例如通過使用某種離子液體，金屬、陶瓷表面的摩擦和磨損與以往的烴系潤滑劑相比，有時(shí)會降低。例如有報(bào)告稱：用氟代烷基進(jìn)行取代而合成以咪唑陽離子為基礎(chǔ)的離子液體，烷基咪唑鎓的四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽在用于鋼、鋁、銅、單晶SiO2、硅、賽龍?zhí)沾?Si-Al-O-N)時(shí)，顯示出比環(huán)狀磷腈(X-1P)、PFPE更優(yōu)異的摩擦學(xué)特性。另外還有報(bào)告稱：如果是以銨為基礎(chǔ)的離子液體，則在自彈性流體到邊界潤滑區(qū)域中，比基礎(chǔ)油還降低了摩擦。另外，對于離子液體，調(diào)查了作為向基礎(chǔ)油添加的添加劑的效果，或在理解潤滑機(jī)制的基礎(chǔ)上研究了化學(xué)性和摩擦學(xué)化學(xué)性的反應(yīng)，但幾乎沒有作為磁記錄介質(zhì)的應(yīng)用例子。其中，質(zhì)子性的離子液體(PIL)是通過布朗斯特酸和布朗斯特堿的當(dāng)量的化學(xué)反應(yīng)而形成的化合物的總稱。還報(bào)告了全氟辛烷酸烷基銨鹽是PIL，與前述Z-DOL相比，具有顯著降低磁記錄介質(zhì)的摩擦的效果(參照專利文獻(xiàn)1和2、以及非專利文獻(xiàn)1～3)。還報(bào)告了通過使用磺酸銨鹽而增大酸的pKa與堿的pKa的差(ΔpKa),提高了熱穩(wěn)定性的磁記錄介質(zhì)用潤滑劑(參照非專利文獻(xiàn)4)。該報(bào)告中確認(rèn)了：潤滑劑熱穩(wěn)定性的機(jī)理因ΔpKa的數(shù)值而有所不同，根據(jù)DG/DTA，ΔpKa的數(shù)值小時(shí)，重量減少是吸熱的，由于蒸發(fā)而發(fā)生重量減少，與此相對，ΔpKa的數(shù)值大時(shí)，重量減少是放熱的，對重量減少而言，熱分解是主導(dǎo)的。可是，硬盤的面記錄密度的極限可以說是1Tb/in2-2.5Tb/in2。現(xiàn)在，日益接近該極限,以磁性粒子微細(xì)化為大前提，對大容量化技術(shù)持續(xù)進(jìn)行著大力開發(fā)。大容量化的技術(shù)有：有效浮動(dòng)高度的減少、單個(gè)寫入(SingleWrite)的導(dǎo)入(BMP)等。另外，作為下一代記錄技術(shù)，有“熱輔助記錄(HeatAssistedMagneticRecording)”。圖3顯示了熱輔助磁記錄的概況。圖3中，符號1表示激光，符號2表示近場光，符號3表示記錄磁頭(PMR元件)，符號4表示再現(xiàn)磁頭(TMR元件)。作為該技術(shù)的問題，可以舉出記錄再現(xiàn)時(shí)用激光來加熱記錄部分，因此磁性層表面的潤滑劑蒸發(fā)或者分解引起耐久性惡化。熱輔助磁記錄可能在短時(shí)間暴露于400℃以上的高溫，如果是一般使用的薄膜磁記錄介質(zhì)用潤滑劑Z-DOL、羧酸銨鹽系潤滑劑的話，其熱穩(wěn)定性令人擔(dān)心。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本專利第2581090號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利第2629725號公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1:Kondo,H.,Seto,J.,Haga.S.,Ozawa,K.,(1989)NovelLubricantsforMagneticThinFilmMedia,MagneticSoc.Japan,Vol.13,Suppl.No.Sl,pp.213～218非專利文獻(xiàn)2:Kondo,H.,Seto,A.,Watanabe,H.,&Seto,J.,(1990).FeictionalPropertiesofNovelLuvricantsforMagneticThinFilmMedia,IEEETrans.Magn.Vol.26,No.5,(Sep.1990),pp.2691～2693,ISSN:0018-9464非專利文獻(xiàn)3:Kondo,H.,Seto,A.,&Kita,A.,(1994a).ComparisonofanAmideandAmineSaltasFrictionModifiersforaMagneticThinFilmMedium,TribologyTrans.Vol.37,No.1,(Jan.1994),pp.99～105,ISSN:0569-8197非專利文獻(xiàn)4:HirofumiKondo,MakiyaIto,KoukiHatsuda,KyungsungYun,MasayoshiWatanabe,NewionicliquidlubricantsformagneticthinfilmmediaIEEETrans.Magn.,2013,Vol.49,issue7,pp.3756～3759技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的課題是解決以往的上述各問題，達(dá)到以下的目的。即，本發(fā)明的目的是提供一種在高溫下也具有優(yōu)異的潤滑性的離子液體、在高溫也具有優(yōu)異的潤滑性的潤滑劑和在高溫下也具有優(yōu)異的實(shí)用特性的磁記錄介質(zhì)。解決問題的方案解決所述課題的方案如下。即，＜1＞一種潤滑劑，其特征在于，含有具有共軛酸(B+)和共軛堿(X－)并且為質(zhì)子性的離子液體，所述共軛酸具有碳原子數(shù)10以上的直鏈烴基，所述共軛堿由下述通式(1)表示。[化1]所述通式(1)中，n表示0～6的整數(shù)。＜2＞如上述＜1＞所述的潤滑劑，其中，成為共軛酸的來源的堿是胺、脒、胍和咪唑中的任一種。＜3＞如上述＜1＞～＜2＞的任一項(xiàng)所述的潤滑劑，其中，離子液體由下述通式(2)～通式(4)的任一個(gè)表示。[化2]所述通式(2)～通式(4)中，X－是由通式(1)表示的共軛堿，所述通式(2)中，R1、R2、R3和R4是取代基，R1、R2、R3和R4之中，至少1個(gè)是氫原子，至少1個(gè)是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。所述通式(3)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。n是0或1。所述通式(4)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。＜4＞如上述＜1＞～＜3＞的任一項(xiàng)所述的潤滑劑，其中，成為共軛酸的來源的堿是含有伯氮原子的化合物、含有仲氮原子的化合物和含有叔氮原子的化合物中的任一種。＜5＞如上述＜1＞～＜4＞的任一項(xiàng)所述的潤滑劑，其中，共軛堿由下述結(jié)構(gòu)式(1)表示。[化3]＜6＞如上述＜1＞～＜5＞的任一項(xiàng)所述的潤滑劑，其中，烴基是烷基。＜7＞一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有非磁性支撐體、在所述非磁性支撐體上的磁性層和在所述磁性層上的上述＜1＞～＜6＞的任一項(xiàng)所述的潤滑劑。＜8＞一種離子液體，其特征在于，是質(zhì)子性的離子液體，具有共軛酸(B+)和共軛堿(X－)，所述共軛酸具有碳原子數(shù)10以上的直鏈烴基，所述共軛堿由下述通式(1)表示。[化4]所述通式(1)中，n表示0～6的整數(shù)。＜9＞如上述＜8＞所述的離子液體，其中，成為共軛酸的來源的堿是胺、脒、胍和咪唑中的任一種。＜10＞如上述＜8＞～＜9＞的任一項(xiàng)所述的離子液體，其由下述通式(2)～通式(4)中的任一個(gè)表示。[化5]所述通式(2)～通式(4)中，X－是由通式(1)表示的共軛堿，所述通式(2)中，R1、R2、R3和R4是取代基，R1、R2、R3和R4之中，至少1個(gè)是氫原子，至少1個(gè)是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。所述通式(3)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。n是0或1。所述通式(4)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。＜11＞如上述＜8＞～＜10＞的任一項(xiàng)所述的離子液體，其中，成為共軛酸的來源的堿是含有伯氮原子的化合物、含有仲氮原子的化合物和含有叔氮原子的化合物中的任一種。＜12＞如上述＜8＞～＜11＞的任一項(xiàng)所述的離子液體，其中，共軛堿由下述結(jié)構(gòu)式(1)表示。[化6]＜13＞如上述＜8＞～＜12＞的任一項(xiàng)所述的離子液體，其中，烴基是烷基。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以解決以往的上述各問題，能夠提供在高溫下也具有優(yōu)異的潤滑性的離子液體、在高溫下也具有優(yōu)異的潤滑性的潤滑劑和在高溫下也具有優(yōu)異的實(shí)用特性的磁記錄介質(zhì)。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的硬盤的一個(gè)例子的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁帶的一個(gè)例子的剖視圖。圖3是表示熱輔助磁記錄的概要圖。圖4是實(shí)施例1的生成物的FTIR波譜。圖5是實(shí)施例1的生成物的TG/DTA測定結(jié)果。圖6是實(shí)施例2的生成物的FTIR波譜。圖7是實(shí)施例2的生成物的TG/DTA測定結(jié)果。圖8是實(shí)施例3的生成物的FTIR波譜。圖9是實(shí)施例3的生成物的TG/DTA測定結(jié)果。具體實(shí)施方式(潤滑劑和離子液體)本發(fā)明的潤滑劑含有本發(fā)明的離子液體，進(jìn)而根據(jù)需要含有其他的成分。本發(fā)明的離子液體具有共軛酸(B+)和共軛堿(X－)。所述共軛酸具有碳原子數(shù)10以上的直鏈烴基。所述共軛堿由下述通式(1)表示。[化7]所述通式(1)中，n表示0～6的整數(shù)。所述離子液體是質(zhì)子性的。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在質(zhì)子性離子液體中，通過使共軛堿為由所述通式(1)表示的物質(zhì)，熱穩(wěn)定性高，從而完成了本發(fā)明。就所述離子液體而言，所謂是質(zhì)子性的，是指所述離子液體具有質(zhì)子供給性，例如是指所述離子液體中所述共軛酸(B+)的陽離子性原子上結(jié)合有氫原子的狀態(tài)。＜共軛酸＞所述共軛酸(B+)具有碳原子數(shù)10以上的直鏈烴基。所述碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的碳原子數(shù)的上限值，沒有特別限定，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，從原材料供應(yīng)的觀點(diǎn)考慮，所述碳原子數(shù)優(yōu)選為25以下，更優(yōu)選為20以下。通過使所述烴基為長鏈，可以降低摩擦系數(shù)，提高潤滑特性。所述烴基只要是直鏈即可，可以是飽和烴基，可以是一部分具有雙鍵的不飽和烴基或一部分具有支鏈的不飽和分支烴基的任一種。這些之中，從耐磨損性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選是作為飽和烴基的烷基。另外，還優(yōu)選是一部分不具有支鏈的直鏈烴基。所述共軛酸優(yōu)選由具有碳原子數(shù)10以上的直鏈烴基的堿形成。作為所述堿在水中的pKa，沒有特別限制，優(yōu)選為9以上。這里，本說明書中的pKa是酸解離常數(shù)，是在水中的酸解離常數(shù)。在水中的所述酸解離常數(shù)，例如可以參照J(rèn).Chem.Res.，Synop.1994，212～213中記載的方法來測定，具體地，可以通過組合光譜儀和電位差測定來進(jìn)行測定。作為所述堿，例如可以舉出含有伯氮原子的化合物、含有仲氮原子的化合物、含有叔氮原子的化合物等。這里，“伯氮原子”是指僅與2個(gè)氫原子和1個(gè)氫原子以外的原子結(jié)合的氮原子(例如、伯氨基(-NH2基)中所含的氮原子)。另外，“仲氮原子”是指僅與1個(gè)氫原子和2個(gè)氫原子以外的原子結(jié)合的氮原子。另外，“叔氮原子”是指僅與3個(gè)氫原子以外的原子結(jié)合的氮原子。上述中，作為“氫原子以外的原子”，沒有特別限定，例如可以舉出碳原子、硅原子等。另外，作為所述堿，例如可以使用在形成共軛酸與共軛堿的離子對時(shí)，成為含有帶正電荷的氮的共軛酸的物質(zhì)。作為這樣的堿，例如可以舉出胺類、羥基胺類、亞胺類、肟類、肼類、腙類、胍類、脒類、磺酰胺、酰亞胺類、酰胺類、硫代酰胺類、氨基甲酸酯類、腈類、尿素類、尿烷類、環(huán)狀雜環(huán)類等。作為所述環(huán)狀雜環(huán)類，例如可以舉出吡咯、吲哚、氮雜茂、噁唑、三唑、四唑、咪唑等。例如，胺可以舉出脂肪族胺、芳香族胺、環(huán)狀胺、脒、胍等。作為所述脂肪族胺，例如可以舉出脂肪族叔胺等。作為所述芳香族胺，例如可以舉出二甲基苯胺、三苯基胺、4-二甲基氨基吡啶衍生物等。作為所述環(huán)狀胺，例如可以舉出吡咯烷、2,2,6,6-四甲基哌啶、奎寧衍生物等。作為所述脒、胍，例如可以舉出環(huán)狀脒、環(huán)狀胍等。具體地，可以使用所述表1的強(qiáng)堿化合物，但結(jié)構(gòu)不限于這些。另外，作為所述堿，例如可以舉出十八烷基胺(C18H37NH2)、甲基十八烷基胺〔C18H37NH(CH3)〕、二甲基十八烷基胺〔C18H37N(CH3)2〕、二甲基癸基胺〔C10H21N(CH3)2〕、二甲基十四烷基胺〔C14H29N(CH3)2〕、二甲基二十烷基胺〔C20H41N(CH3)2〕、二甲基油基胺〔C18H35N(CH3)2〕、2-庚基十一烷基胺〔CH3(CH2)8CH(C7H15)CH2NH2〕等。這些之中，優(yōu)選胺、脒、胍、咪唑。這里，“成為來源的堿”的意思是形成共軛酸時(shí)所使用的堿。作為“成為來源的堿”，在由共軛酸形成的堿之中，優(yōu)選pKa大的堿。例如，在下述式中所生成的胺之中，優(yōu)選pKa大的胺。[化8]作為所述共軛酸，例如可以舉出下述通式(2-1)所表示的共軛酸、下述通式(3-1)所表示的共軛酸、下述通式(4-1)所表示的共軛酸等。[化9]所述通式(2-1)中，R1、R2、R3和R4是取代基，R1、R2、R3和R4之中，至少1個(gè)是氫原子，至少1個(gè)是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。所述通式(3-1)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。n是0或1。所述通式(4-1)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。另外，所述通式(3-1)和通式(4-1)中的共軛酸可以采取其他的共振結(jié)構(gòu)(極限結(jié)構(gòu))。即，可以采取其他的氮原子帶正的電荷，氫原子結(jié)合于該氮原子上的共振結(jié)構(gòu)(極限結(jié)構(gòu))。本發(fā)明中，關(guān)于采取這樣的共振結(jié)構(gòu)(極限結(jié)構(gòu))的共軛酸，也包括在所述通式(3-1)所表示的共軛酸和通式(4-1)所表示的共軛酸中。作為所述通式(2-1)的R1、R2、R3和R4中的取代基，例如可以舉出芳基、環(huán)烷基、烷基等。作為所述烷基，例如可以舉出碳原子數(shù)1～20的烷基等。R1、R2、R3和R4之中，作為包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)以外基團(tuán)，優(yōu)選碳原子數(shù)1～6的烷基。作為所述通式(2-1)所表示的共軛酸，例如可以舉出十八烷基銨(C18H37N+H3)、二甲基十八烷基銨〔C18H37N+H(CH3)2〕、甲基十八烷基銨〔C18H37N+H2(CH3)〕、癸基銨(C10H21N+H3)、十四烷基銨(C14H29N+H3)、二十烷基銨(C20H41N+H3)、油基銨(C18H35N+H3)、2－庚基十一烷基銨〔CH3(CH2)8CH(C7H15)CH2N+H3〕等。但是，所述通式(2-1)所表示的共軛酸的結(jié)構(gòu)當(dāng)然不限于此。例如，也可以在所述R1、R2、R3和R4的至少一個(gè)中導(dǎo)入來自雜環(huán)化合物、脂環(huán)狀化合物、芳香族化合物的基團(tuán)。所述成為共軛酸的來源的堿，例如可以由非專利文獻(xiàn)(IvariKaljurand，AgnesKu¨tt，LilliSoova¨li，ToomasRodima,VahurMa¨emets，IvoLeito,＊andIImarA.Koppel,”ExtensionoftheSelf-ConsistentSpectrophotometricBasicityScaleinAcetonitriletoaFullSpanof28pKaUnits：UnificationofDifferentBasicityScales”J.Org.Chem.2005，Vol.70，pp.1019～1028)的表1中記載的堿衍生物來合成。＜共軛堿＞所述共軛堿由下述通式(1)表示，優(yōu)選由下述結(jié)構(gòu)式(1)表示。[化10]所述通式(1)中，n表示0～6的整數(shù)。[化11]所述離子液體優(yōu)選由下述通式(2)～通式(4)的任一個(gè)表示。[化12]所述通式(2)～通式(4)中，X－是由通式(1)表示的共軛堿，所述通式(2)中，R1、R2、R3和R4是取代基，R1、R2、R3和R4之中，至少1個(gè)是氫原子，至少1個(gè)是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。所述通式(3)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。n是0或1。所述通式(4)中，R1是包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)。另外，所述通式(3)和通式(4)中的共軛酸可以采取其他的共振結(jié)構(gòu)(極限結(jié)構(gòu))。即，可以采取其他的氮原子帶正電荷、氫原子結(jié)合于該氮原子上的共振結(jié)構(gòu)(極限結(jié)構(gòu))。本發(fā)明中，關(guān)于采取這樣的共振結(jié)構(gòu)(極限結(jié)構(gòu))的共軛酸，也包括在所述通式(3)和通式(4)的共軛酸中。作為所述通式(2)的R1、R2、R3和R4中的取代基，例如可以舉出芳基、環(huán)烷基、烷基等。作為所述烷基，例如可以舉出碳原子數(shù)1～20的烷基等。R1、R2、R3和R4之中，作為包含碳原子數(shù)為10以上的直鏈烴基的基團(tuán)以外的基團(tuán)，優(yōu)選碳原子數(shù)1～6的烷基。作為所述離子液體的合成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出將甲基化物的堿金屬鹽與堿的硝酸鹽當(dāng)量混合來進(jìn)行合成的方法等。作為所述甲基化物的堿金屬鹽的合成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出日本特開2000-226392號公報(bào)中記載的方法等。所述潤滑劑可以單獨(dú)使用所述離子液體，也可以與以往公知的潤滑劑組合使用。作為公知的潤滑劑，例如可以舉出長鏈羧酸、長鏈羧酸酯、全氟烷基羧酸酯、羧酸全氟烷基酯、全氟烷基羧酸全氟烷基酯、全氟聚醚衍生物等。另外，為了在苛刻的條件下使?jié)櫥Ч掷m(xù)，也可以按質(zhì)量比30：70～70：30程度的配合比來并用極壓劑。所述極壓劑，是在邊界潤滑區(qū)域局部地發(fā)生金屬接觸時(shí)，由于相伴的摩擦熱而與金屬面反應(yīng)，形成反應(yīng)生成物被膜，從而進(jìn)行防止摩擦、磨損作用的物質(zhì)。作為所述極壓劑，例如磷系極壓劑、硫系極壓劑、鹵素系極壓劑、有機(jī)金屬系極壓劑、復(fù)合型極壓劑等均可使用。另外，根據(jù)需要也可以并用防銹劑。作為所述防銹劑，只要是通常能夠作為這種磁記錄介質(zhì)的防銹劑使用的物質(zhì)即可，例如可以舉出苯酚類、萘酚類、醌類、含氮原子的雜環(huán)化合物、含氧原子的雜環(huán)化合物、含硫原子的雜環(huán)化合物等。另外，所述防銹劑可以與潤滑劑混合來使用，也可以在非磁性支撐體上形成磁性層，在其上部涂布防銹劑層后涂布潤滑劑層這樣分為2層以上來覆蓋。另外，作為所述潤滑劑的溶劑，例如可以將異丙醇(IPA)、乙醇等醇系溶劑等單獨(dú)使用或組合使用。例如，也可以將正己烷這樣的烴系溶劑、氟系溶劑混合來使用。(磁記錄介質(zhì))本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)具有非磁性支撐體、磁性層和本發(fā)明的所述潤滑劑，進(jìn)而根據(jù)需要具有其他的部件。所述磁性層在所述非磁性支撐體上形成。所述潤滑劑在所述磁性層上形成。所述潤滑劑能夠應(yīng)用于通過蒸鍍、濺射等手段在非磁性支撐體表面形成了磁性層的所謂金屬薄膜型磁記錄介質(zhì)。另外，也可以應(yīng)用于在非磁性支撐體和磁性層之間隔有基底層的構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)。作為這樣的磁記錄介質(zhì)，可以舉出磁盤、磁帶等。圖1是表示硬盤的一個(gè)例子的剖視圖。該硬盤具有依次層疊了基板11、基底層12、磁性層13、碳保護(hù)層14和潤滑劑層15的結(jié)構(gòu)。另外，圖2是表示磁帶的一個(gè)例子的剖視圖。該磁帶具有依次層疊了背涂層25、基板21、磁性層22、碳保護(hù)層23和潤滑劑層24的結(jié)構(gòu)。在圖1所示的磁盤中，基板11、基底層12相當(dāng)于非磁性支撐體，在圖2所示的磁帶中，基板21相當(dāng)于非磁性支撐體。作為非磁性支撐體，使用Al合金板、玻璃板等具有剛性的基板時(shí)，也可以在基板表面形成鋁陽極化處理等的氧化皮膜、Ni-P皮膜等，使其表面變硬。磁性層13、22通過鍍敷、濺射、真空蒸鍍、等離子CVD等手段而形成連續(xù)膜。作為磁性層13、22，可以例示出由Fe、Co、Ni等金屬、Co-Ni系合金、Co-Pt系合金、Co-Ni-Pt系合金、Fe-Co系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co-Ni系合金、Fe-Ni-B系合金、Fe-Co-B系合金、Fe-Co-Ni-B系合金等形成的面內(nèi)磁化記錄金屬磁性膜、Co-Cr系合金薄膜、Co-O系薄膜等垂直磁化記錄金屬磁性薄膜。特別是形成面內(nèi)磁化記錄金屬磁性薄膜時(shí)，也可以預(yù)先在非磁性支撐體上將Bi、Sb、Pb、Sn、Ga、In、Ge、Si、Tl等非磁性材料形成基底層12，從垂直方向蒸鍍或者濺射金屬磁性材料，使這些非磁性材料在磁性金屬薄膜中擴(kuò)散，消除取向性而確保面內(nèi)各向同性，并且提高矯頑力。另外，在磁性層13、22的表面，也可以形成碳膜、金剛石狀碳膜、氧化鉻膜、SiO2膜等硬質(zhì)的保護(hù)層14、23。作為使這種金屬薄膜型的磁記錄介質(zhì)保有前述潤滑劑的方法，可以舉出如圖1和圖2所示那樣，在磁性層13、22的表面、保護(hù)層14、23的表面進(jìn)行表面涂布的方法。作為潤滑劑的涂布量，優(yōu)選為0.1mg/m2～100mg/m2，更優(yōu)選為0.2mg/m2～3mg/m2。另外，如圖2所示那樣，金屬薄膜型磁帶中，除了作為磁性層22的金屬磁性薄膜之外，還可以根據(jù)需要形成背涂層25。背涂層25，是在樹脂粘結(jié)劑中添加用于賦予導(dǎo)電性的碳系微粉末、用于控制表面粗糙度的無機(jī)顔料并進(jìn)行涂布而形成的。本實(shí)施方式中，也可以通過內(nèi)部添加或表面涂布而使背涂層25中含有前述潤滑劑。另外，也可以通過內(nèi)部添加或表面涂布而使磁性層22和背涂層25中均含有前述潤滑劑。另外，作為其他的實(shí)施方式，在通過將磁性涂料涂布于非磁性支撐體表面而形成磁性涂膜來作為磁性層的、所謂涂布型磁記錄介質(zhì)中，也可以應(yīng)用潤滑劑。涂布型磁記錄介質(zhì)中，構(gòu)成非磁性支撐體、磁性涂膜的磁性粉末、樹脂粘結(jié)劑等以往公知的物質(zhì)均可使用。例如，作為所述非磁性支撐體，例如可以例示出由聚酯類、聚烯烴類、纖維素衍生物、乙烯基系樹脂、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚碳酸酯等所代表的高分子材料形成的高分子支撐體、由鋁合金、鈦合金等形成的金屬基板、由氧化鋁玻璃等形成的陶瓷基板、玻璃基板等。另外，其形狀也沒有任何限定，可以是帶狀、片狀、鼓形等任何形態(tài)。進(jìn)而，該非磁性支撐體可以是為了控制其表面性而實(shí)施了形成細(xì)微凹凸這樣的表面處理的物質(zhì)。作為所述磁性粉末，可以例示γ-Fe2O3、包鈷γ-Fe2O3等強(qiáng)磁性氧化鐵系粒子、強(qiáng)磁性二氧化鉻系粒子、由Fe、Co、Ni等金屬、包含這些金屬的合金形成的強(qiáng)磁性金屬系粒子、六角板狀的六方晶系鐵氧體微粒等。作為所述樹脂粘結(jié)劑，可以例示氯乙烯、乙酸乙烯酯、乙烯醇、偏二氯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、苯乙烯、丁二烯、丙烯腈等聚合物、或者將這些中的二種以上組合而成的共聚合物、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂等。這些粘結(jié)劑中，為了改善磁性粉末的分散性，也可以導(dǎo)入羧酸基、羧基、磷酸基等親水性極性基團(tuán)。所述磁性涂膜中，除了所述磁性粉末、樹脂粘結(jié)劑之外，還可以加入作為添加劑的分散劑、研磨劑、抗靜電劑、防銹劑等。使這種涂布型磁記錄介質(zhì)保有前述的潤滑劑的方法有：在構(gòu)成形成于所述非磁性支撐體上的所述磁性涂膜的所述磁性層中進(jìn)行內(nèi)部添加的方法，在所述磁性層的表面進(jìn)行表面涂布的方法，或者并用兩者等。另外，將所述潤滑劑在所述磁性涂膜中進(jìn)行內(nèi)部添加時(shí)，以相對于所述樹脂粘結(jié)劑100質(zhì)量份為0.2質(zhì)量份～20質(zhì)量份的范圍來添加。另外，將所述潤滑劑在所述磁性層的表面進(jìn)行表面涂布時(shí)，其涂布量優(yōu)選為0.1mg/m2～100mg/m2，更優(yōu)選為0.2mg/m2～3mg/m2。另外，作為將所述潤滑劑進(jìn)行表面涂布時(shí)的被覆方法，將離子液體溶解于溶劑中，將所得到的溶液進(jìn)行涂布或噴霧或者將磁記錄介質(zhì)浸漬在該溶液中即可。本實(shí)施方式中，通過使用本發(fā)明的所述潤滑劑，可以發(fā)揮良好的潤滑作用，降低摩擦系數(shù)，可以獲得高的熱穩(wěn)定性。另外，該潤滑作用即使在高溫、低溫、高濕、低濕下等苛刻條件下也不損失。因此，應(yīng)用了本實(shí)施方式中的潤滑劑的磁記錄介質(zhì)，通過潤滑作用，發(fā)揮優(yōu)異的運(yùn)行性、耐磨損性、耐久性等，進(jìn)而，可以提高熱穩(wěn)定性。實(shí)施例以下，對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。本實(shí)施例中，合成離子液體，制備了含有離子液體的潤滑劑。而且，使用潤滑劑制作磁盤和磁帶，分別對盤片耐久性和基帶耐久性進(jìn)行了評價(jià)。磁盤的制造、盤片耐久性試驗(yàn)、磁帶的制造和基帶耐久性試驗(yàn)如下進(jìn)行。予以說明的是，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。＜磁盤的制造＞例如，按照國際公開第2005/068589號公報(bào)，在玻璃基板上形成磁性薄膜，制作圖1所示的磁盤。具體地，準(zhǔn)備由鋁硅酸鹽玻璃形成的外徑65mm、內(nèi)徑20mm、盤片厚0.635mm的化學(xué)強(qiáng)化玻璃盤片，將其表面研磨成Rmax為4.8nm、Ra為0.43nm。將玻璃基板在純水和純度99.9％以上的異丙醇(IPA)中分別進(jìn)行5分鐘超聲波清洗，在IPA飽和蒸氣內(nèi)放置1.5分鐘放置后，使其干燥，將其作為基板11。在該基板11上，通過DC磁控濺射法依次形成：作為種子層的NiAl合金(Ni：50摩爾％、Al：50摩爾％)薄膜30nm、作為基底層12的CrMo合金(Cr：80摩爾％、Mo：20摩爾％)薄膜8nm、作為磁性層13的CoCrPtB合金(Co：62摩爾％、Cr：20摩爾％、Pt：12摩爾％、B：6摩爾％)薄膜15nm。接下來，通過等離子CVD法，制作5nm的由無定形的類金剛石碳形成的碳保護(hù)層14，將該盤片樣品在清洗器內(nèi)在純度99.9％以上的異丙醇(IPA)中進(jìn)行10分鐘超聲波清洗，除去盤片表面上的雜質(zhì)后，使其干燥。之后，在25℃50％相對濕度(RH)的環(huán)境中，通過浸漬涂布法使用離子液體的IPA溶液涂布在盤片表面，形成約1nm的潤滑劑層15。＜盤片耐久性試驗(yàn)＞使用市售的應(yīng)變式盤片摩擦、磨損試驗(yàn)機(jī)，以14.7Ncm的拉緊扭矩將硬盤裝在旋轉(zhuǎn)軸上后，將磁頭浮動(dòng)塊安裝在硬盤上，使得磁頭浮動(dòng)塊相對于硬盤的內(nèi)周側(cè)的空氣軸承面的中心距離硬盤中心17.5mm，由此進(jìn)行CSS耐久試驗(yàn)。本測定中所使用的磁頭是IBM3370類型的in-line型磁頭，浮動(dòng)塊的材質(zhì)是Al2O3-TiC，磁頭負(fù)載是63.7mN。本試驗(yàn)為，在清潔潔凈度100、25℃60％RH的環(huán)境下，監(jiān)測每次CSS(Contact、Start、Stop)的摩擦力的最大值。將摩擦系數(shù)超過1.0的次數(shù)作為CSS耐久試驗(yàn)的結(jié)果。CSS耐久試驗(yàn)的結(jié)果中，超過50,000次的情況表示為“＞50,000”。另外，為了調(diào)查耐熱性，以同樣的方式，進(jìn)行了以300℃的溫度進(jìn)行加熱試驗(yàn)3分鐘后的CSS耐久性試驗(yàn)。＜磁帶的制造＞制作圖2所示的截面結(jié)構(gòu)的磁帶。首先，通過傾斜蒸鍍法使Co覆蓋在由5μm厚的東麗公司制造的MICTRON(芳香族聚酰胺)薄膜形成的基板21上，形成膜厚100nm的強(qiáng)磁性金屬薄膜的磁性層22。接下來，通過等離子CVD法，在該強(qiáng)磁性金屬薄膜表面形成包含10nm的類金剛石碳的碳保護(hù)層23后，裁剪成6毫米寬。將在IPA中溶解了的離子液體按照使得膜厚達(dá)到1nm左右的方式涂布在該磁性層22上，形成潤滑劑層24，制成樣品基帶。＜基帶耐久性試驗(yàn)＞關(guān)于各樣品基帶，對于溫度-5℃環(huán)境下、溫度40℃30％RH環(huán)境下的靜止耐久性(stillDurability)、以及溫度-5℃環(huán)境下、溫度40℃90％RH環(huán)境下的摩擦系數(shù)和來回耐久性(shuttleDurability)，進(jìn)行了測定。靜止耐久性，以暫停狀態(tài)下直到輸出降低-3dB為止的衰減時(shí)間來進(jìn)行評價(jià)。來回耐久性，以每次重復(fù)2分鐘進(jìn)行來回運(yùn)行，直到輸出降低3dB為止的來回次數(shù)來進(jìn)行評價(jià)。另外，為了調(diào)查耐熱性，以同樣的方式，進(jìn)行了以100℃的溫度進(jìn)行加熱試驗(yàn)10分鐘后的耐久性試驗(yàn)。(實(shí)施例1)＜三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基銨鹽的合成＞按照下述流程來合成三(三氟甲烷磺酰基)甲基化物-n-十八烷基銨鹽。原料的十八烷基胺硝酸鹽如下獲得：使十八烷基胺溶解于加熱后的乙醇中，滴加等摩爾的硝酸，確認(rèn)達(dá)到中性后，冷卻，將析出的結(jié)晶過濾后干燥而獲得。使該硝酸鹽3.3g溶解于乙醇中，加入將甲基化物的鉀鹽4.5g溶解于乙醇所得的溶液。之后，攪拌1小時(shí)，加熱回流30分鐘。除去溶劑后加入醚，用水洗滌有機(jī)層后，用無水硫酸鈉使其干燥，除去醚。使用正己烷與乙醇的混合溶劑進(jìn)行重結(jié)晶，得到無色的結(jié)晶6.5g。收率是95％。熔點(diǎn)是92.0℃。[化13]這里，本說明書中的FTIR的測定為：使用日本分光公司制造的FT/IR-460，采用KBr片法或者KBr錠劑法，用透過法進(jìn)行了測定。此時(shí)的分辨率是4cm－1。另外，TG/DTA測定中，使用精工半導(dǎo)體有限公司制造的EXSTAR6000，以200ml/min的流量導(dǎo)入空氣中，同時(shí)以10℃/min的升溫速度在30℃～600℃的溫度范圍進(jìn)行了測定。1HNMR波譜是用VarianMercuryPlus300核磁共振裝置(瓦里安公司制造)測定的。1HNMR的化學(xué)位移是與內(nèi)標(biāo)物(7.24ppm處的CDCl3)比較，用ppm表示的。裂分圖形中，一重峰表示為s，二重峰表示為d，三重峰表示為t，多重峰表示為m，寬峰表示為br。13CNMR波譜是用VarianGemini-300(125MHz)核磁共振裝置(瓦里安公司制造)測定的。13CNMR的化學(xué)位移是與內(nèi)標(biāo)物(77.0ppm處的CDCl3)比較，用ppm表示的。生成物的FTIR波譜及其歸屬分別示于圖4和表2。1124cm－1處可以看到SO2的對稱伸縮振動(dòng)，1371cm－1處可以看到SO2鍵的反對稱伸縮振動(dòng)，1197cm－1和1220cm－1處可以看到CF3的對稱伸縮振動(dòng)，1614cm－1處可以看到NH鍵的反對稱變角振動(dòng)，2851cm－1處可以看到CH2的對稱伸縮振動(dòng)，2920cm－1處可以看到CH2的反對稱伸縮振動(dòng)，3170－3263cm－1處可以看到NH鍵的伸縮振動(dòng)。[表2]帶歸屬1124cm-1vs**SO21197cm-1vsCF31220cm-1vsCF31371cm-1vasSO21614cm-1σas***NH+2851cm-1vaCH22920cm-1vasCH23170-3263cm-1vsNH4+另外，氘代甲醇中的質(zhì)子(1H)NMR和碳(13C)NMR的峰及其歸屬如下所示。[化14][化15]由上確認(rèn)合成了三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基銨鹽。接下來，進(jìn)行了TG/DTA測定。TG/DTA測定結(jié)果示于圖5。重量減少所引起的放熱峰溫度為386.0℃和397.1℃，是非常高的。另外，因?yàn)橹亓繙p少而放熱，所以啟示了這是化合物的分解反應(yīng)。與全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽比較，放熱溫度被改善了2℃。(實(shí)施例2)<三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基TBD鹽的合成>按照以下流程來合成三(三氟甲烷磺酰基)甲基化物-n-十八烷基TBD鹽。首先，說明原料7-n-十八烷基-1，5，7-三氮雜雙環(huán)[4.4.0]-5-癸烯(十八烷基TBD)的合成。參考R.W.Alder等人的方法(參照非專利文獻(xiàn)、RogerW.Alder，RodneyW.Mowlam，DavidJ.VachonandGrayR.Weisman，“NewSyntheticRoutestoMacrocyclicTriamines，”J.Chem.Sos.Chem.Commun.pp.507～508(1992))進(jìn)行合成。即，將氫化鈉(55質(zhì)量％己烷)于10℃加入到溶解于干燥THF中的1,5,7-三氮雜雙環(huán)[4.4.0]-5-癸烯(TBD)8.72g中，進(jìn)行攪拌。將溫度保持在10℃，用20分鐘滴加溴化十八烷。之后，在10℃攪拌30分鐘，接著，在常溫?cái)嚢?小時(shí)后，加熱回流1小時(shí)?；謴?fù)到常溫，加入過量的氫化鈉，使其反應(yīng)。除去溶劑后，用氨基處理后的硅膠進(jìn)行柱層析，得到淡黃色的目標(biāo)物。將所得到的目標(biāo)物4.0g溶解于乙醇，向其中加入65質(zhì)量％硝酸(d＝1.400)0.71cc。用石蕊試紙確認(rèn)達(dá)到中性后，添加三(三氟甲烷磺酰基)甲基化物鉀鹽4.60g的乙醇溶液。添加后攪拌30分鐘，然后進(jìn)行30分鐘加熱回流。除去溶劑后，加入醚，用水洗滌有機(jī)層后，用污水硫酸鈉使其干燥，除去溶劑醚。使用正己烷與乙醇的混合溶劑進(jìn)行重結(jié)晶，得到無色的針狀結(jié)晶7.6g。收率是89％。[化16]生成物的FTIR波譜及其歸屬分別示于圖6和表3。1132cm－1處可以看到SO2的對稱伸縮振動(dòng)，1205cm－1處可以看到CF3的對稱伸縮振動(dòng)，1383cm－1處可以看到SO2鍵的逆對稱伸縮振動(dòng)，1600cm－1處可以看到NH鍵的逆對稱變角振動(dòng)，1631cm－1處可以看到C＝N的伸縮振動(dòng)，2852cm－1處可以看到CH2的對稱伸縮振動(dòng)，2920cm－1處可以看到CH2的逆對稱伸縮振動(dòng)，3447cm－1處可以看到NH鍵的伸縮振動(dòng)。[表3]帶歸屬1132cm-1vs**SO21205cm-1vsCF31383cm-1vasSO21600cm-1σas***NH+1631cm-1vC＝N2852cm-1vaCH22920cm-1vasCH23447cm-1vsNH+另外，氘代氯仿中的質(zhì)子(1H)NMR和碳(13C)NMR的峰及其歸屬如下所示。[化17][化18]由上可以確認(rèn)合成了三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基TBD鹽。接下來，進(jìn)行了TG/DTA測定。TG/DTA測定結(jié)果示于圖7。主要的重量減少所引起的放熱峰溫度為415.0℃、424.7℃和506.7℃，是非常高的。另外，因?yàn)橹亓繙p少而放熱，所以啟示了這是化合物的分解反應(yīng)。與全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽比較，放熱溫度被改善了31℃。(實(shí)施例3)＜三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基DBU鹽的合成＞按照以下流程來合成三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基DBU鹽。首先，說明6-十八烷基-1,8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]-7-十一碳烯(十八烷基DBU)的合成。DBU-C18H37是參考Matsumura等人的方法(參照非專利文獻(xiàn)、NoboruMatsumura，HiroshiNishiguchi，MasaoOkada，andShigeoYoneda，“PreparationandCharacterizationof6-Substituted1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene，”J.HeterocyclicChemistryVol.23，Issue3，pp.885～887(1986))合成。即，將原料1,8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]-7-十一碳烯(DBU)7.17g溶解于四氫呋喃(THF)溶液中，冷卻到0℃，在氬氣氣氛下滴加1.64mol/L濃度的正丁基鋰29cc，在0℃攪拌1小時(shí)。向所得到的溶液中滴加將溴化十八烷基15.71g溶解于THF后的溶液后，攪拌放置24小時(shí)。這里，THF是將用type4A的分子篩干燥后、蒸餾精制后的物質(zhì)立即使用。之后，用鹽酸調(diào)節(jié)為酸性后，除去溶劑，溶解于己烷后的物質(zhì)用氨基化硅膠進(jìn)行柱層析精制，得到無色結(jié)晶。收率是90％。將所得到的十八烷基DBU4.0g溶解于乙醇，加入65質(zhì)量％硝酸(d＝1.400)0.96g。用石蕊試紙確認(rèn)達(dá)到中性后，添加三(三氟甲烷磺酰基)甲基化物鉀鹽4.45g的乙醇溶液。添加后，攪拌30分鐘，然后進(jìn)行30分鐘加熱回流。除去溶劑后，加入醚，用水洗滌有機(jī)層后，用無水硫酸鈉使其干燥，除去溶劑醚。使用正己烷與乙醇的混合溶劑進(jìn)行重結(jié)晶，得到無色的針狀結(jié)晶7.6g。熔點(diǎn)是58.6℃，收率是94％。[化19]生成物的FTIR波譜及其歸屬分別示于圖8和表4。1117cm－1處可以看到SO2的對稱伸縮振動(dòng)，1198cm－1處可以看到CF3的對稱伸縮振動(dòng)，1381cm－1處可以看到SO2鍵的反對稱伸縮振動(dòng)，1632cm－1處可以看到C＝N的伸縮振動(dòng)，2850cm－1處可以看到CH2的對稱伸縮振動(dòng)，2918cm－1處可以看到CH2的反對稱伸縮振動(dòng)，3408cm－1處可以看到NH鍵的伸縮振動(dòng)。[表4]帶歸屬1117cm-1vsSO21198cm-1vsCF31381cm-1vaSO21632cm-1vC＝N2850cm-1vaCH22918cm-1vasCH23408cm-1vsNH+另外，質(zhì)子(1H)NMR和碳(13C)NMR的峰及其歸屬如下所示。[化20][化21]由上可以確認(rèn)合成了三(三氟甲烷磺酰基)甲基化物-n-十八烷基DBU鹽。接下來，進(jìn)行了TG/DTA測定。TG/DTA測定結(jié)果示于圖9。主要的重量減少所引起的放熱峰溫度為414.3℃、426.7℃和528.4℃，是非常高的。另外，因?yàn)橹亓繙p少而放熱，所以啟示了這是化合物的分解反應(yīng)。與全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽比較，放熱溫度被改善了30℃。合成的離子液體總結(jié)于下述表5。實(shí)施例1～3中合成的離子液體設(shè)為離子液體1～3。一并示出此時(shí)的熔點(diǎn)、放熱峰溫度、20％重量減少溫度和10％重量減少溫度。將全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽作為比較例1。將FomblinZ-DOL作為比較例2。將Z-Tetraol(ZTMD)作為比較例3。與比較例1的全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽相比，實(shí)施例1、實(shí)施例2、實(shí)施例3的放熱峰溫度分別為高3℃、32℃、31℃。另外，20％重量減少溫度分別高12℃、45℃、49℃。10％重量減少溫度高14℃、32℃、43℃。可知：含有本發(fā)明的離子液體的本發(fā)明的潤滑劑，與全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽、Z-DOL、其他潤滑劑相比，耐熱性非常高。[表5]接著，在磁記錄介質(zhì)中使用含有離子液體的潤滑劑，調(diào)查耐久性。(實(shí)施例4)使用含有表5所示的[離子液體1]的三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基銨鹽的潤滑劑，制作前述的磁盤。如表6所示那樣，磁盤的CSS測定中超過50,000次，加熱試驗(yàn)后的CSS測定中也超過50,000次，顯示出優(yōu)異的耐久性。(實(shí)施例5)使用含有表5所示的[離子液體2]的三(三氟甲烷磺酰基)甲基化物-n-十八烷基TBD鹽的潤滑劑，制作前述的磁盤。如表6所示那樣，磁盤的CSS測定中超過50,000次，加熱試驗(yàn)后的CSS測定中也超過50,000次，顯示出優(yōu)異的耐久性。(實(shí)施例6)使用含有表5所示的[離子液體3]的三(三氟甲烷磺?；?甲基化物-n-十八烷基DBU鹽的潤滑劑，制作前述的磁盤。如表6所示那樣，磁盤的CSS測定中超過50,000次，加熱試驗(yàn)后的CSS測定中也超過50,000次，顯示出優(yōu)異的耐久性。(比較例4)使用含有表5所示的[比較例1]的全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽(C8F17SO3－H3N+C18H37)的潤滑劑，制作前述的磁盤。如表6所示那樣，磁盤的CSS測定中超過50,000次，加熱試驗(yàn)后的CSS測定也超過50,000次，對于盤片中的特性，沒有發(fā)現(xiàn)與實(shí)施例有大的差別。(比較例5)使用含有表5所示的[比較例2]的Z-DOL的潤滑劑，制作前述的磁盤。如表6所示那樣，磁盤的CSS測定中的耐久性超過50,000次，但加熱試驗(yàn)后，CSS耐久性在12，000次開始劣化。與實(shí)施例相比，可以認(rèn)為缺乏耐熱性，因此加熱后耐久性降低。(比較例6)使用含有表5所示的[比較例3]的Z-Tetraol的潤滑劑，制作前述的磁盤。如表6所示那樣，磁盤的CSS測定中的耐久性超過50,000次，但加熱試驗(yàn)后，CSS耐久性在36，000次開始劣化。關(guān)于耐熱性，耐久性與Z-DOL相比有所改善，但與實(shí)施例相比，可以認(rèn)為缺乏耐熱性，因此加熱后耐久性降低。[表6]由以上說明可知，含有本發(fā)明的離子液體的本發(fā)明的潤滑劑，即使在高溫保存條件下也可以保持優(yōu)異的潤滑性，另外，經(jīng)歷長時(shí)間也可以保持CSS潤滑性。接下來，給出將離子液體1～3、比較離子液體1和比較潤滑劑1～2用于磁帶的例子。(實(shí)施例7)使用含有離子液體1的潤滑劑，制作前述的磁帶。如表7所示那樣，100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.19，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.21。另外，靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。另外，加熱試驗(yàn)后的100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.19，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.22。靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，加熱試驗(yàn)后的來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。由以上結(jié)果可知，涂布了離子液體1的磁帶具有優(yōu)異的摩擦特性、靜止耐久性和來回耐久性。(實(shí)施例8)使用含有離子液體2的潤滑劑，制作前述的磁帶。如表7所示那樣，100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.22，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.23。另外，靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。另外，加熱試驗(yàn)后的100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.22，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.23。加熱試驗(yàn)后的靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，加熱試驗(yàn)后的來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。由以上結(jié)果可知，涂布了離子液體2的磁帶具有優(yōu)異的摩擦特性、靜止耐久性和來回耐久性。(實(shí)施例9)使用含有離子液體3的潤滑劑，制作前述的磁帶。如表7所示那樣，100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.21，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.21。另外，靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。另外，加熱試驗(yàn)后的100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.21，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.22。加熱試驗(yàn)后的靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，加熱試驗(yàn)后的來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。由以上結(jié)果可知，涂布了離子液體2的磁帶具有優(yōu)異的摩擦特性、靜止耐久性和來回耐久性。(比較例7)作為比較例，使用含有作為離子液體的全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽的潤滑劑，制作前述的磁帶。如表7所示那樣，100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.20，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.23。另外，靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。但是，加熱試驗(yàn)后的100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.23，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下增加到0.26。加熱試驗(yàn)后的靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過60min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下超過60min。另外，加熱試驗(yàn)后的來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下超過200次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下超過200次。由以上結(jié)果可知，涂布了比較離子液體1的磁帶具有優(yōu)異的靜止耐久性和來回耐久性，但加熱試驗(yàn)后摩擦系數(shù)増加。(比較例8)使用含有比較例2的潤滑劑，制作前述的磁帶。如表7所示那樣，100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.25，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.30。另外，靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為12min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下為48min。另外，來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為59次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為124次。另外，加熱試驗(yàn)后的100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.32，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下增加到0.35。加熱試驗(yàn)后的靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為12min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下為15min。另外，加熱試驗(yàn)后的來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為46次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為58次。由以上結(jié)果可知，涂布了比較例2的化合物的磁帶，摩擦系數(shù)高，靜止耐久性和來回耐久性大大劣化。(比較例9)使用含有比較例3的化合物的潤滑劑，制作前述的磁帶。如表7所示那樣，100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.22，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為0.26。另外，靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為25min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下為35min。另外，來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為65次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為156次，耐久性與比較例2相比有所改善但不滿足磁帶的規(guī)格。另外，加熱試驗(yàn)后的100次的來回運(yùn)行后的磁帶的摩擦系數(shù)，在溫度-5℃的環(huán)境下為0.28，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下增加到0.32。加熱試驗(yàn)后的靜止耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為23min，在溫度40℃、相對濕度30％環(huán)境下為31min。另外，加熱試驗(yàn)后的來回耐久試驗(yàn)中，在溫度-5℃的環(huán)境下為55次，在溫度40℃、相對濕度90％環(huán)境下為126次。由以上結(jié)果可知，涂布了比較例3的潤滑劑Z-Tetraol的磁帶，與實(shí)施例相比，摩擦系數(shù)高，而且靜止耐久性和來回耐久性差。[表7]由這些結(jié)果可知，涂布了含有本發(fā)明離子液體的本發(fā)明潤滑劑的磁帶表現(xiàn)出優(yōu)異的耐磨損性、靜止耐久性、來回耐久性。但是，在作為比較例的Z-DOL、Z-Tetraol的情況下，與前述盤片的相同的情況下，其耐久性大大劣化。另外，含有全氟辛烷磺酸十八烷基銨鹽的潤滑劑的情況下，雖然具有優(yōu)異的耐久性，但加熱后摩擦系數(shù)増加。由以上說明可知，含有具有共軛酸(B+)和共軛堿(X－)、所述共軛酸具有碳原子數(shù)10以上的直鏈烴基、所述共軛堿如所述通式(1)所示的質(zhì)子性離子液體的潤滑劑，即使在高溫條件下也可以保持潤滑性，另外，經(jīng)歷長時(shí)間也可以保持潤滑性。因此，使用了含有該離子液體的潤滑劑的磁記錄介質(zhì)，可以獲得非常優(yōu)異的運(yùn)行性、耐磨損性和耐久性。附圖標(biāo)記說明11基板12基底層13磁性層14碳保護(hù)層15潤滑劑層21基板22磁性層23碳保護(hù)層24潤滑劑層25背涂層當(dāng)前第1頁1 2 3