潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油和其制造方法、電絕緣油的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油和其制造方法、W及電絕緣油。
【背景技術(shù)】 陽(yáng)〇〇引 W主，油浸變壓器、油浸電抗器等油浸電氣設(shè)備中，對(duì)于導(dǎo)電性構(gòu)件之間的絕緣使 用固體絕緣物和電絕緣油。例如油浸變壓器的情況下，在鐵屯、和線圈之間插入固體絕緣物， 將它們浸潰于電絕緣油中，從而可W實(shí)現(xiàn)鐵屯、和線圈之間的絕緣（專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 作為電絕緣油，例如已知有：由異構(gòu)化基礎(chǔ)油制造的電絕緣油（專利文獻(xiàn)2);含有 主鏈中的末端甲基和亞甲基的總數(shù)為16W上且甲基支鏈和乙基支鏈的總數(shù)為1W下的控 化合物的電絕緣油（專利文獻(xiàn)3)等。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 陽(yáng)00引專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2001-143933號(hào)公報(bào)
[0007] 專利文獻(xiàn)2 :日本特表2010-532084號(hào)公報(bào) 陽(yáng)00引專利文獻(xiàn)3 :日本特開(kāi)2011-148970號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)巧要解決的間顆
[0010] 本發(fā)明的目的在于，提供與現(xiàn)有的電絕緣油中所含的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油相比，具有更 優(yōu)異的電絕緣性的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油和其制造方法、W及使用該潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的電絕緣油。
[0011] 用于解決間顆的方式
[0012] 為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供：下述[1]、凹所述的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的制造方法、 下述[3]、[4]所述的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油W及下述[5]所述的電絕緣油。
[001引 山一種潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的制造方法，其具備如下工序：
[0014] 第一工序，對(duì)通過(guò)天然氣制油工藝得到的合成蠟或自該合成蠟分離出的潤(rùn)滑油饋 分進(jìn)行氨化裂化處理，得到正構(gòu)燒控的含有比率為30%W上且50%W下的氨化裂化油；W 及，
[0015] 第二工序，在氨化異構(gòu)化催化劑的存在下，對(duì)前述氨化裂化油進(jìn)行氨化異構(gòu)化脫 蠟處理，得到80°C下的體積電阻率為1ΤΩ.mW上、且25°C下的體積電阻率相對(duì)于80°C下 的體積電阻率滿足下述式（1)所示條件的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油。
[0016] B(25°C)/A(80°C) ^ 1. 5 (1)
[0017][式（1)中，A(80°C)表示前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的80°C下的體積電阻率，B(25°C)表 示前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的25°C下的體積電阻率。]
[0018][2]根據(jù)[1]所述的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的制造方法，其中，前述氨化異構(gòu)化催化劑含 有：選自由ZSM-22型沸石、ZSM-23型沸石、SSZ32和ZSM-48型沸石組成的組中的至少一種 結(jié)晶性固體酸性物質(zhì)、W及作為活性金屬的銷和/或鈕。
[0019] 閒一種潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油，其中，正構(gòu)燒控的含有比率為30%W上且50%W下，80°C 下的體積電阻率為1ΤΩ.mW上，25°C下的體積電阻率相對(duì)于80°C下的體積電阻率滿足下 述式（1)所示的條件。
[0020] B(25°C)/A(80°C) ^ 1. 5 (1) 陽(yáng)OW [式（1)中，A(80°c)表示前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的80°C下的體積電阻率，B(25°C)表 示前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的25°C下的體積電阻率。]
[00巧W]根據(jù)閒所述的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油，其中，前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油是通過(guò)山或凹所 述的制造方法得到的。
[002引 閒一種電絕緣油，其含有閒或Μ所述的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油。
[0024] 發(fā)巧的效果
[0025] 根據(jù)本發(fā)明，可W提供與現(xiàn)有的電絕緣油中所含的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油相比，具有更優(yōu) 異的電絕緣性的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油和其制造方法、W及使用該潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的電絕緣油。
【具體實(shí)施方式】
[0026]W下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0027] 本發(fā)明的實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的制造方法具備如下工序：第一工序，對(duì)通過(guò) 天然氣制油工藝得到的合成蠟或自該合成蠟分離出的潤(rùn)滑油饋分進(jìn)行氨化裂化處理，得到 正構(gòu)燒控的含有比率為30 %W上且50 %W下的氨化裂化油；W及，
[0028] 第二工序，在氨化異構(gòu)化催化劑的存在下，對(duì)前述氨化裂化油進(jìn)行氨化異構(gòu)化脫 蠟處理，得到80°C下的體積電阻率為1ΤΩ.mW上、且25°C下的體積電阻率相對(duì)于80°C下 的體積電阻率滿足下述式（1)所示條件的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油。
[0029] 另外，本發(fā)明的實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油是通過(guò)上述制造方法得到的潤(rùn)滑油基礎(chǔ) 油，80°C下的體積電阻率為1TΩ·πιW上，25°C下的體積電阻率相對(duì)于80°C下的體積電阻率 滿足下述式（1)所示的條件。
[0030]B(25°C)/A(80°C) ^ 1. 5 (1) 陽(yáng)0川[式（1)中，A(80°C)表示前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的80°C下的體積電阻率，B(25°C)表 示前述潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的25°C下的體積電阻率。]
[0032] 本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的80°C下的體積電阻率（A(80°C))為100ΤΩ.mW 上、優(yōu)選為50TΩ·mW上、更優(yōu)選為70TΩ·mW上、進(jìn)一步優(yōu)選為100TΩ·mW上，另外， 優(yōu)選為 1000ΤΩ·mW下、500ΤΩ·mW下。 陽(yáng)03引另外，潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的25°C下的體積電阻率度(25°C))相對(duì)于A(80°C)的比 度(25°C)/A(80°C))為 1. 5W上、優(yōu)選為 2W上。另外，B(25°C)/A(80°C)優(yōu)選為 5W下、 更優(yōu)選為4W下。
[0034] 對(duì)于B(25°C)，只要B(25°C)/A(80°C)滿足上述條件就沒(méi)有特別限制，優(yōu)選為 70ΤΩ.mW上、更優(yōu)選為100ΤΩ.mW上、進(jìn)一步優(yōu)選為200ΤΩ.mW上，另外，優(yōu)選為 5000ΤΩ.mW下、更優(yōu)選為1000ΤΩ.mW下、進(jìn)一步優(yōu)選為500ΤΩ.mW下。
[0035] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂體積電阻率，是指依照J(rèn)ISC2320-1999測(cè)定的值。
[0036] 另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的25°C下的表面張力優(yōu)選為lOmN/mW上、優(yōu)選 為20mN/mW上，另外，優(yōu)選為60mN/mW下、更優(yōu)選為50mN/mW下、進(jìn)一步優(yōu)選為40mN/mW 下、特別優(yōu)選為26mN/mW下。表面張力小于前述下限值時(shí)，有對(duì)應(yīng)用電絕緣油的設(shè)備的有 機(jī)材料造成不良影響的擔(dān)屯、，另外，超過(guò)前述上限值時(shí)，有電絕緣油中產(chǎn)生的不溶解成分的 溶解性降低的傾向。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂表面張力，是指依照J(rèn)ISK2241測(cè)定的 值。
[0037] 另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的介質(zhì)擊穿電壓從防止由電泄漏導(dǎo)致爆炸的觀 點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為30kVW上、更優(yōu)選為50kVW上、進(jìn)一步優(yōu)選為60kVW上。需要說(shuō)明的是， 本發(fā)明中所謂介質(zhì)擊穿電壓，是指依照J(rèn)ISC2101測(cè)定的值。
[003引另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的40°C下的運(yùn)動(dòng)粘度優(yōu)選為7~60mm7s、更優(yōu) 選為8~50mm2/s、進(jìn)一步優(yōu)選為8. 5~36mm2/s。
[0039] 本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的100°C下的運(yùn)動(dòng)粘度優(yōu)選為2~15mm7s、更優(yōu)選為 2. 2~10mm2/s、進(jìn)一步優(yōu)選為2. 5~8. 0mm2/s。 W40] 另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的粘度指數(shù)優(yōu)選為100W上、更優(yōu)選為110W 上、進(jìn)一步優(yōu)選為120W上。粘度指數(shù)的提高帶來(lái)體積電阻率的溫度變化的降低，并且也可W確保低溫流動(dòng)性。
[0041] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂運(yùn)動(dòng)粘度和粘度指數(shù)分別是指依照J(rèn)ISK2283-1993 測(cè)定的運(yùn)動(dòng)粘度和粘度指數(shù)。
[0042] 另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的-35°C下的CCS粘度優(yōu)選為1，300mPa·SW 下、更優(yōu)選為1，OOOmPa'SW下。-30°c或-35°c下的CCS粘度超過(guò)前述上限值時(shí)，有使用該 潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的潤(rùn)滑油整體的低溫流動(dòng)性降低的傾向。 陽(yáng)0創(chuàng)進(jìn)而，對(duì)于SAE10的-35°C下的CCS粘度優(yōu)選為2000mPa·SW下、更優(yōu)選為 1750mPa'SW下。-30°C或-35°C下的CCS粘度超過(guò)前述上限值時(shí)，有使用該潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油 的潤(rùn)滑油整體的低溫流動(dòng)性降低的傾向。 W44] 另夕b對(duì)于SAE20的-35°C下的CCS粘度優(yōu)選為1500mPa·SW下、更優(yōu)選為 1300mPa·SW下。-30°C或-35°C下的CCS粘度超過(guò)前述上限值時(shí)，有使用該潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油 的潤(rùn)滑油整體的低溫流動(dòng)性降低的傾向。
[0045] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂-30°C或-35°C下的CCS粘度分別是指依照J(rèn)ISK 2010-1993測(cè)定的粘度。
[0046] 另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的硫成分從熱?氧化穩(wěn)定性和低硫化的方面出 發(fā)，優(yōu)選為10質(zhì)量ppmW下、更優(yōu)選為5質(zhì)量ppmW下、進(jìn)一步優(yōu)選為3質(zhì)量ppmW下、特 別優(yōu)選為1質(zhì)量ppmW下。一般來(lái)說(shuō)，潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油中的硫成分的含量依賴于該原料的硫 成分的含量。使用如通過(guò)費(fèi)托（FT)反應(yīng)等得到的合成蠟成分那樣實(shí)質(zhì)上不含硫的原料的 情況下，可W得到實(shí)質(zhì)上不含硫的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油。另一方面，使用潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的精制過(guò)程 中得到的疏松石蠟、精蠟過(guò)程中得到的微晶蠟等包含硫的原料的情況下，所得潤(rùn)滑油基礎(chǔ) 油中的硫成分通常變?yōu)?00質(zhì)量ppmW上。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂硫成分，是指依照 JISK2541-1996測(cè)定的硫成分。
[0047] 另外，F(xiàn)T反應(yīng)是由一氧化碳和氨合成控化合物的反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物實(shí)質(zhì)上不含氮成 分。因此，通過(guò)將FT反應(yīng)的產(chǎn)物制成潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的原料，從而可W抑制在后述的氨化裂 化和氨化異構(gòu)化脫蠟中的硫中毒。
[0048] 另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的傾點(diǎn)優(yōu)選為-5°C W下、更優(yōu)選為-10°C W下、 進(jìn)一步優(yōu)選為-12. 5°CW下。傾點(diǎn)超過(guò)前述上限值時(shí)，有使用該潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的潤(rùn)滑油組合 物整體的低溫流動(dòng)性降低的傾向。另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的傾點(diǎn)優(yōu)選為-20°CW 上、更優(yōu)選為-17. 5°CW上、進(jìn)一步優(yōu)選為-15°CW上。傾點(diǎn)低于-20°C時(shí)，有密封性變得不 充分的傾向。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂傾點(diǎn)是指依照J(rèn)IS K 2269-1987測(cè)定的傾點(diǎn)。 W例另外，本實(shí)施方式的潤(rùn)滑油基礎(chǔ)油的15°C下的密度（P15)優(yōu)選為0. 85g/cm3W 下、更優(yōu)選為〇.83g/cm3W下。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中所謂15°C下的密度是指依照J(rèn)IS K 2249-1995、在15°C下