技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基納米柱陣列的制備方法，包括：在硅片的表面上形成硅錐陣列，所述硅錐陣列包括若干個(gè)硅錐；在硅錐陣列的硅錐之間制備犧牲層；其中，所述犧牲層的頂端不超過(guò)硅錐陣列的頂端；在犧牲層和硅錐陣列上沉積金屬，以在犧牲層的表面上形成第一金屬層以及在硅錐陣列的表面上形成第二金屬層；剝離犧牲層和第一金屬層；以第二金屬層為掩膜，刻蝕覆蓋有第二金屬層的硅片，得到硅基納米柱陣列。根據(jù)本發(fā)明的硅基納米柱陣列的制備方法，以覆蓋在硅錐陣列表面上的第二金屬層為掩膜，采用感應(yīng)耦合等離子刻蝕工藝，交替使用SF6和C4F8進(jìn)行刻蝕和鈍化，制備得到了硅基納米柱陣列；該硅基納米柱陣列中的納米柱的直徑以及陣列間距可調(diào)。

技術(shù)研發(fā)人員：張建軍;李豐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號(hào)碼：201510845784
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.27
技術(shù)公布日：2017.06.09