技術特征：

技術總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N納米結(jié)構(gòu)的制造方法。該方法包括：根據(jù)預設的第一圖案模板，在具有低表面能的襯底上寫入電荷，以使襯底在寫入電荷的區(qū)域產(chǎn)生化學改性，從而形成第一納米圖案，然后在第一納米圖案所在的區(qū)域引入第一納米顆粒，進而形成第一納米結(jié)構(gòu)。由于襯底本身是具有低表面能的，而第一納米圖案是采用寫入電荷的方式使得襯底表面產(chǎn)生化學改性，從而能夠在襯底上形成具有高表面能的第一納米圖案。因此，第一納米顆粒在高表面能的作用下，可以精確吸附在第一納米圖案所在的區(qū)域，而襯底上除第一納米圖案以外的區(qū)域的表面能較低，不會吸附第一納米顆粒，也不會產(chǎn)生現(xiàn)有技術中的非特異性吸附的問題，使得所形成的第一納米結(jié)構(gòu)更加干凈。

技術研發(fā)人員：張偉華;魯振達;滿再琴;邊捷;邢星
受保護的技術使用者：南京大學
技術研發(fā)日：2019.05.31
技術公布日：2019.08.30