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      一種激光MEMS器件及其制備方法

      文檔序號:39829083發(fā)布日期:2024-11-01 19:03閱讀:210來源:國知局
      一種激光MEMS器件及其制備方法

      本發(fā)明涉及光纖聲音傳感器,尤其是涉及一種激光mems器件及其制備方法。


      背景技術(shù):

      1、聲音傳感器是用來檢測和測量聲音的設(shè)備,可以有效地接受聲音中的信號。傳統(tǒng)的聲音傳感器有電容式傳感器、壓電陶瓷傳感器等。電容式傳感器的工作原理是一個振動膜片和固定電極形成可變電容,聲波傳輸?shù)侥て鲜蛊湔駝?,從而改變電容值,進(jìn)而轉(zhuǎn)化為電信號;壓電陶瓷傳感器的工作原理是利用壓電效應(yīng),傳感器采用受到機(jī)械力作用會產(chǎn)生電荷的材料,當(dāng)聲波撞擊傳感器表面時,傳感器內(nèi)部的壓電材料產(chǎn)生微小的電荷變化,這種變化可被測量并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。傳統(tǒng)的聲音傳感器目前還存在抗電磁干擾弱、頻率響應(yīng)范圍有限、傳輸距離近等問題。

      2、光纖聲音傳感器是一種利用光纖技術(shù)獲取聲音信號的先進(jìn)傳感器。光纖傳輸聲音信號的基本原理是利用光的全反射和折射現(xiàn)象,把聲音信號轉(zhuǎn)換成光信號,然后通過光纖傳輸?shù)浇邮斩?,再通過解調(diào)器轉(zhuǎn)換成電信號。利用激光器產(chǎn)生光信號的光纖聲音傳感器具有高靈敏度和寬頻帶、信噪比高、抗干擾性好、傳輸距離遠(yuǎn)、輕便耐用等特點(diǎn)。激光器包括固體激光器、氣體激光器、半導(dǎo)體激光器等。其中,半導(dǎo)體激光器具有體積小、重量輕、波長多樣性、響應(yīng)速度快、操作簡便、易于集成等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用在光通信、醫(yī)療設(shè)備、科學(xué)研究、軍事技術(shù)等各領(lǐng)域。

      3、半導(dǎo)體激光器的性能與其結(jié)構(gòu)和制備過程密切相關(guān),如果在光纖聲音傳感器中的激光器結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計(jì)不合理,激光器的光束質(zhì)量、溫度特性、功率限制等將會很差,壽命短,嚴(yán)重影響聲音信號的傳輸。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明的首要目的是提供一種激光mems器件及其制備方法,該器件上表面的中心區(qū)域設(shè)置有第一內(nèi)腔,犧牲層中設(shè)置有與第一內(nèi)腔連通的第二內(nèi)腔,器件上表面外側(cè)區(qū)域布置有呈環(huán)狀的第一外腔,第一外腔延伸至n摻雜gan層中一定深度,與第一外腔連通的、呈環(huán)狀的第二外腔沿第一外腔的底部延伸至犧牲層的下表面,第一、第二內(nèi)腔以及第一、第二外腔的設(shè)置構(gòu)成了懸浮的wgm型微腔結(jié)構(gòu),該微腔結(jié)構(gòu)的設(shè)置獲得了光增益,提高了激光的出射和電光轉(zhuǎn)化效率,提升了器件性能的穩(wěn)定性;該器件應(yīng)用于光纖聲音傳感器中獲得了高的信噪比、傳輸距離遠(yuǎn)、抗干擾性好、拓寬了頻率響應(yīng)范圍等特點(diǎn)。

      2、本發(fā)明一方面提供一種激光mems器件,包括襯底,設(shè)置于襯底上的外延結(jié)構(gòu),和設(shè)置于外延結(jié)構(gòu)上的p型電極,該外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊的緩沖層、犧牲層、n摻雜gan層、下電子阻擋層(n-cl)、下光學(xué)限制層(n-wg)、量子阱層、上光學(xué)限制層(u-wg)、上電子阻擋層(p-cl)和p摻雜gan層;

      3、位于該器件上表面中心區(qū)域的、呈柱狀的第一內(nèi)腔,沿p型電極的上表面延伸至外延結(jié)構(gòu)中n摻雜gan層與犧牲層鄰接的表面;

      4、呈柱狀的、與所述第一內(nèi)腔連通的第二內(nèi)腔,沿犧牲層與n摻雜gan層鄰接的表面延伸至犧牲層與緩沖層鄰接的表面,所述第二內(nèi)腔的直徑大于所述第一內(nèi)腔的直徑;

      5、沿該器件上表面外側(cè)區(qū)域布置的、呈環(huán)狀的第一外腔,其沿p型電極的上表面延伸至外延結(jié)構(gòu)的n摻雜gan層中一定深度,形成該n摻雜gan層的裸露面,該第一外腔暴露外延結(jié)構(gòu)的側(cè)壁,該n摻雜gan層的裸露面上設(shè)置有n型電極;

      6、呈環(huán)狀的、與所述第一外腔連通的第二外腔,沿該n摻雜gan層的裸露面的n型電極的外側(cè)區(qū)域延伸至犧牲層與緩沖層鄰接的表面,第二外腔的內(nèi)徑大于第一外腔的內(nèi)徑;

      7、沿平行于襯底表面的方向上,所述第二外腔和所述第二內(nèi)腔之間間隔所述犧牲層。

      8、進(jìn)一步地,所述緩沖層由第一未摻雜gan層、n型輕摻雜gan層和第二未摻雜gan層依次層疊而成,第一未摻雜gan層的厚度為1~2μm,n型輕摻雜gan層的厚度為300~700nm,其摻雜濃度為5×1017~1×1019cm-3;第二未摻雜gan層的厚度為300~700nm;

      9、所述犧牲層由第一n型重?fù)诫sgan層、n型輕摻雜gan層和第二n型重?fù)诫sgan層依次層疊而成,第一、第二n型重?fù)诫sgan層的厚度為5~15nm,n型輕摻雜gan層的厚度為1200~1800nm,n型輕摻雜gan層的摻雜濃度為5×1018~3×1019cm-3,n型重?fù)诫sgan層的摻雜濃度為1×1019~7×1019cm-3;n型重?fù)诫sgan層的摻雜濃度大于n型輕摻雜gan層的摻雜濃度;

      10、所述n摻雜gan層的厚度為1.2~1.8μm,其摻雜濃度為6×1017~5×1018cm-3。

      11、進(jìn)一步地,第一外腔暴露的側(cè)壁表面設(shè)置有電子絕緣層,所述n型電極與所述電子絕緣層之間間隔一定距離;優(yōu)選地,所述電子絕緣層為sio2。

      12、進(jìn)一步地,所述下光學(xué)限制層包括層疊的n型gan波導(dǎo)層和n型in0.04ga0.96n光限制層,所述n型gan波導(dǎo)層和所述下光學(xué)限制層鄰接設(shè)置,所述n型gan波導(dǎo)層的厚度為30~60nm,所述n型in0.04ga0.96n光限制層的厚度為60~80nm;

      13、所述上光學(xué)限制層包括層疊的未摻雜in0.035ga0.965n層和未摻雜的gan層,所述未摻雜in0.035ga0.965n層和所述量子阱層接觸,所述未摻雜in0.035ga0.965n層的厚度為40~80nm,所述未摻雜的gan層的厚度為25~40nm;

      14、所述上電子阻擋層為p型al0.2ga0.8n層,其厚度為10~25nm;所述下電子阻擋層為n型al0.06ga0.94n層,其厚度為800nm~1300nm;

      15、所述量子阱層為兩周期的in0.15ga0.85n/gan,單個周期中,in0.15ga0.85n的厚度為1~3nm,gan的厚度為13~17nm;

      16、所述p摻雜gan層的厚度為50~150nm。

      17、進(jìn)一步地,所述上電子阻擋層和所述p摻雜gan層之間還設(shè)置有超晶格電子阻擋層,所述超晶格電子阻擋層為100周期的p型al0.14ga0.86n/gan,單個周期中,p型al0.14ga0.86n的厚度為3nm,gan的厚度為3nm。

      18、進(jìn)一步地,所述第一內(nèi)腔采用光刻、刻蝕工藝沿p型電極的上表面刻蝕至犧牲層中一定深度獲得;

      19、所述第一外腔采用光刻、刻蝕工藝沿p型電極的上表面刻蝕至n摻雜gan層中一定深度獲得;

      20、所述第二內(nèi)腔和所述第二外腔采用如下工藝獲得:采用光刻、刻蝕工藝沿n摻雜gan層的裸露面上n型電極的外側(cè)區(qū)域刻蝕n摻雜gan層至犧牲層中一定深度;隨后采用電化學(xué)剝離工藝,從內(nèi)腔區(qū)域向外腐蝕犧牲層,同時從外腔向內(nèi)腐蝕犧牲層,腐蝕一段時間后,獲得所述第二內(nèi)腔和所述第二外腔。

      21、進(jìn)一步地,還包括采用堿溶液進(jìn)行第一外腔側(cè)壁的拋光,隨后進(jìn)行退火,獲得歐姆接觸的p型電極。

      22、進(jìn)一步地,所述電化學(xué)剝離工藝采用草酸溶液、硝酸溶液、稀鹽酸溶液、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液中的一種作為電解液,電解液從內(nèi)腔向外與犧牲層發(fā)生化學(xué)反應(yīng),同時從外腔向內(nèi)與犧牲層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

      23、進(jìn)一步地,所述第一內(nèi)腔和所述第二內(nèi)腔呈同軸柱狀;所述第一外腔和所述第二外腔呈同軸環(huán)狀。

      24、本發(fā)明一方面提供一種光纖聲音傳感器或氣壓傳感器,包含上述任一項(xiàng)所述的激光mems器件。

      25、本發(fā)明至少具有如下有益效果:

      26、本發(fā)明提供的激光mems器件具有懸浮的wgm型微腔結(jié)構(gòu),該懸浮的wgm型微腔結(jié)構(gòu)使得電子和空穴復(fù)合釋放的光子在空腔的腔面上來回反射折射,最終獲得光增益,提高激光的出射,提高了電光轉(zhuǎn)化效率,同時空腔可以使得器件在注入電流時減少焦耳熱的產(chǎn)生,提升器件性能的穩(wěn)定性;另外該器件具有體積小、成本低、壽命長的優(yōu)點(diǎn)。

      27、本發(fā)明的激光mems器件應(yīng)用于光纖聲音傳感器或氣壓傳感器中提供光信號,利用懸浮wgm激光微腔,當(dāng)聲波或壓力信號撞擊到激光mems上,出射的激光信號發(fā)生變化,光纖接收到光的變化,通過進(jìn)一步分析得到聲音信號或壓力信號攜帶的信息,獲得了高的信噪比、抗干擾性好、傳輸距離遠(yuǎn)、拓寬了頻率響應(yīng)范圍的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了聲波的高靈敏檢測以及聲音或其它壓力信號的精準(zhǔn)識別。

      28、本發(fā)明的制備方法創(chuàng)新性地提出了利用電化學(xué)剝離法制備獲得懸浮的wgm型微腔結(jié)構(gòu),該方法根據(jù)光刻、刻蝕工藝形成內(nèi)腔和外腔,在此基礎(chǔ)上利用電化學(xué)剝離法使得犧牲層從內(nèi)腔向外腐蝕、從外腔向內(nèi)腐蝕,獲得了懸浮的wgm型微腔結(jié)構(gòu),該制備方法簡單、操作簡便、成本低廉、與半導(dǎo)體器件工藝兼容度高。

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