技術(shù)特征：

1.一種mems器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件的制備方法，其特征在于，所述提供襯底包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems器件的制備方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和形成所述第二凹槽在同一刻蝕工序中先后實(shí)現(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件的制備方法，其特征在于，所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)的第一端的面積小于所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)的第二端的面積，所述第一端為所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述第二介質(zhì)層的一端，所述第二端為所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)的靠近所述第二介質(zhì)層的一端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的mems器件的制備方法，其特征在于，所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第二端的夾角的范圍為50°至60°，所述側(cè)壁連接所述第一端和所述第二端。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的mems器件的制備方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的工藝包括濕法刻蝕工藝。

7.一種mems器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的mems器件的制備方法制備得到。

8.一種mems微鏡，其特征在于，包括：

9.一種mems微鏡，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的mems微鏡，其特征在于，所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第二端的夾角的范圍為50°至60°，所述側(cè)壁連接所述第一端和所述第二端。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種MEMS器件及其制備方法、MEMS微鏡，其中MEMS器件的制備方法包括：提供襯底，襯底包括彼此相對(duì)的第一表面和第二表面，襯底包括從第一表面至第二表面的方向依次層疊的第一半導(dǎo)體材料層、第一介質(zhì)層、第二半導(dǎo)體材料層、第二介質(zhì)層、以及第三半導(dǎo)體材料層，第一介質(zhì)層包括掩膜部，掩膜部包括掩膜區(qū)和非掩膜區(qū)；在第二表面?zhèn)刃纬善骷Y(jié)構(gòu)層，器件結(jié)構(gòu)層的至少部分用于形成可動(dòng)結(jié)構(gòu)；在第一表面?zhèn)葘?duì)第一半導(dǎo)體材料層進(jìn)行刻蝕，以形成暴露第一介質(zhì)層的掩膜部的第一凹槽；以第一介質(zhì)層的位于掩膜區(qū)的部分為掩膜，通過(guò)第一凹槽進(jìn)行刻蝕，以在第二半導(dǎo)體材料層中形成暴露第二介質(zhì)層的多個(gè)第二凹槽，第二半導(dǎo)體材料層的位于相鄰兩第二凹槽之間的部分被保留以形成加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)，在垂直于第一表面和第二表面的方向上，加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)位于可動(dòng)結(jié)構(gòu)的投影范圍內(nèi)。由此，使得加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)厚度的均勻性更好。

技術(shù)研發(fā)人員：王俊力,謝紅梅,閭新明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/11