用于裝配有透明板的晶片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于裝配有透明板的晶片的制造方法。本發(fā)明同樣涉及一種用于 微機(jī)械部件的覆蓋罩的制造方法。本發(fā)明還涉及一種晶片和一種用于微機(jī)械部件的覆蓋 罩。
【背景技術(shù)】
[0002] 在DE 10 2008 040 528 Al中描述了一種用于微機(jī)械部件的制造方法和一種相應(yīng) 制造的微機(jī)械部件。所述微機(jī)械部件包括具有可調(diào)節(jié)的鏡板的芯片和設(shè)計(jì)用于容納所述芯 片的、具有光入射窗的殼體。所述光入射窗可以如此設(shè)置在殼體的覆蓋罩上，使得所述光入 射窗相對(duì)于覆蓋罩的背離芯片定向的外側(cè)并且相對(duì)于在其輸出位置處存在的鏡板以不等 于0°且不等于180°的傾斜角定向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明創(chuàng)造一種具有權(quán)利要求1的特征的用于裝配有透明板的晶片的制造方法， 一種具有權(quán)利要求8的特征的用于微機(jī)械部件的覆蓋罩的制造方法，一種具有權(quán)利要求9 的特征的晶片和一種具有權(quán)利要求10的特征的用于微機(jī)械部件的覆蓋罩。
[0004] 本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在一個(gè)唯一的工作步驟/處理步驟中多個(gè)安置面的機(jī)械制造，所 述多個(gè)安置面用于將至少一個(gè)透明板安置在相對(duì)于晶片表面傾斜的位置處。因此，借助本 發(fā)明可以解決在晶片上用于僅僅一個(gè)透明板的一個(gè)唯一的安置面的以常規(guī)方式實(shí)施的順 序加工。通過完整芯片列的可借助本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的同時(shí)的機(jī)械加工，顯著降低用于制造裝配 有透明板的晶片或者用于制造由此結(jié)構(gòu)化出的用于微機(jī)械部件的覆蓋罩的制造時(shí)間。相應(yīng) 地，借助本發(fā)明可以成本有利地制造晶片和用于微機(jī)械部件的覆蓋罩。
[0005] 此外，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)具有與在現(xiàn)有技術(shù)中可使用的工具相比更大外徑的銑削卡 銷（Frasstift)或者磨削卡銷（Schleifstift)。本發(fā)明也通過這種方式提高所使用的機(jī)械 工具的壽命，這引起成本節(jié)約。此外，本發(fā)明也能夠?qū)崿F(xiàn)鋸的使用，這在現(xiàn)有技術(shù)中不能實(shí) 現(xiàn)。
[0006] 在所述制造方法的一種有利的實(shí)施方式中，在晶片表面中分別從晶片的側(cè)棱邊的 第一區(qū)段出發(fā)直至晶片的所述側(cè)棱邊的第二區(qū)段地構(gòu)造至少一個(gè)帶狀凹部。所述過程例如 可以借助相對(duì)低成本的鋸快速且可靠地實(shí)施。
[0007] 在一種特別低成本且可容易實(shí)施的實(shí)施方式中，借助同一個(gè)透明板覆蓋至少兩個(gè) 相鄰的并且與同一個(gè)帶狀凹部重疊的通孔。尤其可以借助僅僅一個(gè)透明板來覆蓋與同一個(gè) 帶狀凹部重疊的一列通孔。因此，可以在一個(gè)工作步驟中通過一個(gè)唯一的透明板的安置實(shí) 現(xiàn)多個(gè)通孔的覆蓋。因此，所述制造方法的在此所描述的實(shí)施方式顯著降低制造持續(xù)時(shí)間。 此外，所述制造方法的所述實(shí)施方式能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)大的透明板的使用并且因此降低對(duì)可用 于安置透明板的設(shè)備的需求。
[0008] 所述至少一個(gè)通孔例如可以借助至少一個(gè)光學(xué)窗、至少一個(gè)UV窗、至少一個(gè)抗反 射涂層窗、至少一個(gè)透鏡、至少一個(gè)棱鏡和/或至少一個(gè)濾光器作為所述至少一個(gè)透明板 來覆蓋。因此，完成制造的晶片可用于多種的應(yīng)用可能性。
[0009] 至少一個(gè)透明板尤其可以借助固定模塊固定在至少一個(gè)通孔上。這可以如此實(shí) 現(xiàn)，使得所述至少一個(gè)通孔借助固定模塊和至少一個(gè)透明板嚴(yán)密地密封。因此，完成制造的 晶片或者由此結(jié)構(gòu)化出的覆蓋罩也可用于多個(gè)微機(jī)械部件的氣體密封的封裝。例如可以通 過這種方式在分別封裝的微機(jī)械部件上實(shí)現(xiàn)負(fù)壓。
[0010] 在一種有利的擴(kuò)展方案中，借助至少一種保護(hù)漆來覆蓋至少一個(gè)透明板的朝晶片 表面定向的外側(cè)。通過這種方式可以防止至少一個(gè)透明板在晶片的運(yùn)輸和/或進(jìn)一步加工 期間的損壞。此外，借助所述至少一種保護(hù)漆可以防止至少一個(gè)透明板在從完成制造的晶 片結(jié)構(gòu)化出覆蓋罩時(shí)的損壞或者污染。
[0011] 在用于覆蓋罩的相應(yīng)制造方法中也保證上述優(yōu)點(diǎn)。
[0012] 具有構(gòu)造在晶片中的至少一個(gè)通孔列和構(gòu)造在晶片的晶片表面中的至少一個(gè)帶 狀凹部的晶片也實(shí)現(xiàn)上述優(yōu)點(diǎn)，其中同一列的通孔中的每一個(gè)部分地與相應(yīng)分配的帶狀凹 部重疊并且在同一列的兩個(gè)相鄰的通孔之間的每一個(gè)中間區(qū)域中構(gòu)造不中斷的槽，所述槽 的底面以大于0°且小于90°的傾斜角傾斜于晶片表面定向，其中所述至少一個(gè)通孔借助 由至少一種材料構(gòu)成的至少一個(gè)透明板覆蓋，所述至少一種材料至少對(duì)于電磁福射的一部 分頻譜而言是穿透的。所述晶片可根據(jù)以上所描述的實(shí)施方式擴(kuò)展。
[0013] 此外，在用于具有從晶片結(jié)構(gòu)化出的承載體的微機(jī)械部件的覆蓋罩中也保證所述 優(yōu)點(diǎn)，所述承載體在承載體側(cè)上具有至少一個(gè)通孔，所述至少一個(gè)通孔借助由至少一種材 料構(gòu)成的至少一個(gè)透明板覆蓋，所述至少一種材料對(duì)于電磁輻射的一部分頻譜而言是穿透 的，其中所述承載體側(cè)具有至少一個(gè)不中斷的槽，所述至少一個(gè)不中斷的槽從承載體側(cè)的 一個(gè)邊緣延伸到在所述承載體側(cè)上構(gòu)造的一個(gè)唯一的通孔或者延伸到在所述承載體側(cè)上 構(gòu)造的通孔中的一個(gè)，在所述邊緣處承載體從晶片結(jié)構(gòu)化出，其中所述至少一個(gè)不中斷的 槽的底面以大于0°且小于90°的傾斜角傾斜于承載體側(cè)定向。所述覆蓋罩也可根據(jù)以上 所描述的實(shí)施方式擴(kuò)展。
[0014] 附圖描述
[0015] 以下根據(jù)附圖闡述本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)。附圖示出：
[0016] 圖IA至圖IF :晶片的示意圖，以闡述用于裝配有透明板的晶片的制造方法的第一 實(shí)施方式，其中圖IAa至IFa示出晶片的俯視圖，圖IAb至IFb示出沿著圖IAa至IFa的線 A-A'的橫截面而圖IAc至IFc示出沿著圖IAa至IFa的線B-B '的橫截面；
[0017] 圖2a和2b :晶片的示意性橫截面，以闡述用于裝配有透明板的晶片的制造方法的 第二實(shí)施方式，其中圖2a的橫截面沿著所使用的工具的掃描方向（Abrasterrichtung)延 伸而圖2b的橫截面垂直于所使用的工具的掃描方向延伸；
[0018] 圖3a和3b :晶片的示意性橫截面，以闡述用于裝配有透明板的晶片的制造方法的 第三實(shí)施方式，其中圖3a的橫截面沿著所使用的另一個(gè)工具的掃描方向延伸而圖3b的橫 截面垂直于所使用的工具的掃描方向延伸；
[0019] 圖4a和4b :晶片的示意性橫截面，以闡述用于裝配有透明板的晶片的制造方法的 第四實(shí)施方式，其中圖4a的橫截面沿著所使用的另一個(gè)工具的掃描方向延伸而圖4b的橫 截面垂直于所使用的工具的掃描方向延伸；
[0020] 圖5A和圖5B :晶片的示意圖，以闡述用于微機(jī)械部件的覆蓋罩的制造方法的一種 實(shí)施方式，其中圖5Aa和5Ba示出晶片的俯視圖，圖5Ab和5Bb示出沿著圖5Aa和5Ba的線 A-A'的橫截面而圖5Ac和5Bc示出沿著圖5Aa和5Ba的線B-B'的橫截面；
[0021] 圖6 :用于微機(jī)械部件的覆蓋罩的一種實(shí)施方式的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 圖IA至圖IF示出晶片的示意圖，以闡述用于裝配有透明板的晶片的制造方法的 第一實(shí)施方式，其中圖IAa至IFa示出所述晶片的俯視圖，圖IAb至IFb示出沿著圖IAa至 IFa的線A-A'的橫截面而圖IAc至IFc示出沿著圖IAa至IFa的線B-B'的橫截面。
[0023] 在此處所描述的方法中，在晶片12中構(gòu)造至少一列通孔10。在此，通孔10理解為 通過晶片12的間隙。因此這也可以換言之，通孔10從晶片12的第一晶片表面14a延伸到 背離所述第一晶片表面14a定向的第二晶片表面14b。優(yōu)選的方式，第一晶片表面14a平行 于第二晶片表面14b定向。
[0024] 用于實(shí)施在此所描述的方法的晶片12優(yōu)選是半導(dǎo)體晶片。所述晶片12尤其可以 是硅晶片。然而應(yīng)當(dāng)指出，在此所描述的方法的可執(zhí)行性不局限于晶片12的確定的材料。
[0025] 例如可以通過晶片12地蝕刻通孔10。在由硅構(gòu)成的晶片12中，例如可以通過KOH 蝕刻（氫氧化鉀蝕刻）實(shí)現(xiàn)至少一列通孔10的構(gòu)造。然而，為了構(gòu)造通孔10也可以使用 多種其他蝕刻材料。同樣，也可以機(jī)械地、例如通過鉆孔實(shí)現(xiàn)所述至少一列通孔10的構(gòu)造。
[0026] 優(yōu)選地，如此彼此設(shè)置在一個(gè)列中構(gòu)造的通孔10,使得對(duì)于其剖面可以借助延伸 通過第一晶片表面Ha的面定義位于線A-A'上的（未圖示的）中點(diǎn)。多列通孔10的線 A-A'可以相互平行地延伸。多個(gè)列的通孔10尤其可以構(gòu)成柵。在這種情形中，（具有延 伸經(jīng)過第一晶片表面14a的面的不同列