在丙酮中以去除PMMA膜，浸泡完后用氮氣吹干凈第二硅片表面的丙酮，最終金屬電極轉(zhuǎn)移至設(shè)有所需測試樣品的第二硅片上，制得所需器件。
[0033]實施例2:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，第一硅片和第二硅片表面二氧化娃厚度在250-350nm之間。
[0034]實施例3:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，其中旋涂光刻膠的轉(zhuǎn)速為2000-4000rpm，烘膠處理溫度為95-110°(:，時間為3-61^11。
[0035]實施例4:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，其中曝光光源可為太陽光、齒素?zé)?、萊燈、日光燈、白熾燈中的一種，曝光時間為10?120min。
[0036]實施例5:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，其中第一硅片上蒸鍍的金屬厚度為20-100nmo
[0037]實施例6:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，其中PMMA溶液為聚甲基丙烯酸甲酯溶于一氯代苯制備得到的，質(zhì)量比為8:92，所述步驟4中烘膠溫度為120-150°C，烘膠時間為l_2h。
[0038]實施例7:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，其中步驟5中上PMMA膜的第二硅片的烘干溫度為85-100°C，時間為20-60min。
[0039]實施例8:本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，所述步驟3中是用真空熱蒸鍍儀在顯影出圖形的第一硅片上蒸鍍金。
[0040]實施例9: 一種微納加工制備電子器件的方法，包括以下步驟:
[0041]步驟1:取一片第一硅片，第一硅片上設(shè)有二氧化硅氧化層；在第一硅片上以2000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂一層光刻膠；
[0042]步驟2:把涂有光刻膠的第一硅片置于熱臺上，在溫度為100°C的情況下，進行烘膠處理，時間為4min;烘膠處理結(jié)束后將第一硅片平放，用光刻板輕輕壓在第一硅片上;在曝光光源下照射進行曝光處理;所述曝光光源是太陽光，曝光時間為10-60min;
[0043]步驟3:曝光處理后的第一硅片浸泡在顯影液中進行顯影處理，之后立即用蒸餾水沖洗干凈;利用真空熱蒸鍍儀在顯影出圖形的第一硅片上蒸鍍金屬金;蒸鍍的金屬金厚度為20-100nm;
[0044]步驟4:把已蒸鍍金屬金的第一硅片浸泡在丙酮中，去掉光刻膠以及多余的金屬，使第一硅片上留有所需圖案的金電極，之后將其從丙酮中取出吹干;在有金屬電極的第一硅片上旋涂一層PMMA，之后將其放在熱臺上進行烘膠；
[0045]步驟5:把涂有PMMA膜的第一硅片浸泡在氫氧化鈉溶液中60min以去除第一硅片上的氧化層并使PMMA膜與第一硅片分離，此時金電極也隨之粘在PMMA膜上，再用蒸餾水洗干凈PMMA膜;在顯微鏡下把附有金電極的PMMA膜轉(zhuǎn)移到設(shè)有所需測試樣品的第二硅片上，待PMMA膜干后，把上有PMMA膜的第二硅片放在熱臺上烘干;烘干溫度為90°C，時間為30min;
[0046]步驟6:把上有PMMA膜的第二硅片浸泡在丙酮中以去除PMMA膜，浸泡完后用氮氣吹干凈第二硅片表面的丙酮，最終金屬電極轉(zhuǎn)移至設(shè)有所需測試樣品的第二硅片上，制得所需器件。
[0047]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1:取一片第一硅片，所述第一硅片上設(shè)有二氧化硅氧化層;在所述第一硅片上旋涂一層光刻膠； 步驟2:把涂有光刻膠的第一硅片置于熱臺上進行烘膠處理;烘膠處理結(jié)束后將第一硅片平放，用光刻板輕輕壓在第一硅片上;在曝光光源下照射進行曝光處理； 步驟3:曝光處理后的第一硅片浸泡在顯影液中進行顯影處理，之后立即用蒸餾水沖洗干凈;利用真空熱蒸鍍儀在顯影出圖形的第一硅片上蒸鍍金屬； 步驟4:把已蒸鍍金屬的第一硅片浸泡在丙酮中，去掉光刻膠以及多余的金屬，使第一硅片上留有所需圖案的金屬電極，之后將其從丙酮中取出吹干;在有金屬電極的第一硅片上旋涂一層PMMA，之后將其放在熱臺上進行烘膠； 步驟5:把涂有PMMA膜的第一硅片浸泡在氫氧化鈉溶液中50-120min以去除第一硅片上的氧化層并使PMMA膜與第一硅片分離，此時金屬電極也隨之粘在PMMA膜上，再用蒸餾水洗干凈PMMA膜;在顯微鏡下把附有金屬電極的PMMA膜轉(zhuǎn)移到設(shè)有所需測試樣品的第二硅片上，待PMMA膜干后，把上有PMMA膜的第二硅片放在熱臺上烘干； 步驟6:把上有PMMA膜的第二硅片浸泡在丙酮中以去除PMMA膜，浸泡完后用氮氣吹干凈第二硅片表面的丙酮，最終金屬電極轉(zhuǎn)移至設(shè)有所需測試樣品的第二硅片上，制得所需器件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，其中第一硅片和第二硅片表面二氧化硅厚度在250-350nm之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，其中旋涂光刻膠的轉(zhuǎn)速為2000-4000rpm，烘膠處理溫度為95-110°C，時間為3-6min。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，其中曝光光源可為太陽光、齒素?zé)?、萊燈、日光燈、白熾燈中的一種，曝光時間為10?120min。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，其中第一硅片上蒸鍍的金屬厚度為20-100nmo6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，其中PMMA溶液為聚甲基丙烯酸甲酯溶于一氯代苯制備得到的，質(zhì)量比為8:92，所述步驟4中烘膠溫度為120-150°(:，烘膠時間為1-211。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，其中步驟5中上PMMA膜的第二硅片的烘干溫度為85-100°C，時間為20-60min。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工制備電子器件的方法，其特征在于，所述步驟3中是用真空熱蒸鍍儀在顯影出圖形的第一硅片上蒸鍍金。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微納加工制備電子器件的方法，包括在第一硅片上旋涂光刻膠、烘膠處理后、曝光處理、顯影處理、PMMA膜轉(zhuǎn)移第二硅片上等操作步驟，最終得到電子器件。該方法中利用利用普通照明光源進行光刻以制備器件電極，再通過濕法轉(zhuǎn)移的方式把金電極轉(zhuǎn)移至納米材料上面制成電子器件，簡單方便，且無需購置貴重設(shè)備，只需普通實驗室和車間的實驗條件即可做出微納器件，大大降低了實驗成本，推廣了微納器件制備的應(yīng)用，促進對納米材料的實驗研究。
【IPC分類】B81C1/00
【公開號】CN105668511
【申請?zhí)枴緾N201610121130
【發(fā)明人】李京波, 黎永濤, 陳新
【申請人】廣東工業(yè)大學(xué)
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2016年3月3日