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      印刷線路板用表面處理銅箔、印刷線路板用覆銅層壓板及印刷線路板的制作方法

      文檔序號(hào):11446614閱讀:754來(lái)源:國(guó)知局
      印刷線路板用表面處理銅箔、印刷線路板用覆銅層壓板及印刷線路板的制造方法與工藝

      本發(fā)明涉及一種印刷線路板用表面處理銅箔。另外,本發(fā)明涉及一種使用該印刷線路板用表面處理銅箔的印刷線路板用覆銅層壓板及印刷線路板。



      背景技術(shù):

      近年來(lái),伴隨著計(jì)算機(jī)或信息通信設(shè)備的高性能/高功能化、網(wǎng)絡(luò)化的發(fā)展,需要將大容量的信息以更加高速的方式進(jìn)行傳輸處理。因此,所傳輸?shù)男盘?hào)趨于更加高頻化,要求印刷線路板可抑制高頻信號(hào)的傳輸損耗。在印刷線路板的制作中,通常將銅箔與絕緣性基材(樹脂基材)層疊,對(duì)其進(jìn)行加熱、加壓而粘接,由此制作出覆銅箔層壓板,使用該覆銅箔層壓板來(lái)形成導(dǎo)體電路。將高頻信號(hào)傳輸(高頻傳輸)至該導(dǎo)體電路時(shí)的傳輸損耗與導(dǎo)體損耗、介電損耗、輻射損耗這三個(gè)因素有關(guān)。

      導(dǎo)體損耗由導(dǎo)體電路的表面電阻引起。若向使用覆銅箔層壓板形成的導(dǎo)體電路傳輸高頻信號(hào),則會(huì)產(chǎn)生集膚效應(yīng)現(xiàn)象。即,若在導(dǎo)體電路中流通交流電,則磁通量會(huì)產(chǎn)生變化,在導(dǎo)體電路的中心部產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),其結(jié)果是電流難以在導(dǎo)體中心部流動(dòng),反而會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)體表面部分(表皮部分)的電流密度升高的現(xiàn)象。這種集膚效應(yīng)現(xiàn)象為:為了使導(dǎo)體的有效剖面積減少,而產(chǎn)生所謂的表面電阻。電流流過(guò)的表皮部分的厚度(集膚深度)與頻率的平方根成反比。

      近年來(lái),開發(fā)出了如超過(guò)20ghz這樣的高頻對(duì)應(yīng)設(shè)備。若在導(dǎo)體電路中傳輸頻率為ghz波段的高頻信號(hào),則集膚深度變?yōu)?μm左右或其以下,電流僅在導(dǎo)體的極為表層處流動(dòng)。因此,在該高頻對(duì)應(yīng)設(shè)備中使用的覆銅箔層壓板中,若銅箔的表面粗糙度變大,則由該銅箔形成的導(dǎo)體的傳輸路徑(也就是表皮部分的傳輸路徑)變長(zhǎng),傳輸損耗得以增加。因此,對(duì)于在高頻對(duì)應(yīng)設(shè)備中使用的覆銅箔層壓板的銅箔,期望減小其表面粗糙度。

      另一方面,在印刷線路板中使用的銅箔一般利用電鍍或蝕刻等方法在其表面形成粗化處理層(形成粗化顆粒的層),通過(guò)物理效果(錨定效應(yīng))來(lái)提高與樹脂基材的粘接力。但是,若為了有效提高與樹脂基材的粘接力而增大形成于銅箔表面的粗化顆粒,則如上所述,將導(dǎo)致傳輸損耗増加。

      介電損耗由樹脂基材的介電常數(shù)或介電損耗正切引起。若使脈沖信號(hào)流通于導(dǎo)體電路,導(dǎo)體電路周邊的電場(chǎng)便會(huì)產(chǎn)生變化。若該電場(chǎng)進(jìn)行變化的周期(頻率)接近樹脂基材的分極的緩和時(shí)間(產(chǎn)生分極的帶電體的移動(dòng)時(shí)間)(即,若進(jìn)行高頻化),則在電場(chǎng)變化中產(chǎn)生遲延。在該種狀態(tài)下,樹脂內(nèi)部產(chǎn)生分子摩擦而產(chǎn)生熱,造成傳輸損耗。為了抑制該介電損耗,作為覆銅箔層壓板的樹脂基材,需要采用極性大的取代基的量少的樹脂,或采用不具有極性大的取代基的樹脂,使得伴隨電場(chǎng)變化而引起的樹脂基材的分極難以產(chǎn)生。

      另一方面,對(duì)于在印刷線路板中使用的銅箔,除了形成該粗化處理層之外,還通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑將銅箔表面進(jìn)行處理,由此提高與樹脂基材的化學(xué)粘接力。為了提高硅烷偶聯(lián)劑與樹脂基材的化學(xué)粘接力時(shí),樹脂基材需要具有某種程度的極性大的取代基,但在為了抑制介電損耗而使用減少樹脂基材中的極性大的取代基的量的低介電性基材的情況下,化學(xué)粘接力會(huì)降低,難以確保銅箔與樹脂基材的充分的粘接性。

      如此,在覆銅箔層壓板中,抑制傳輸損耗和提升(提升耐久性)銅箔與樹脂基材的密合性(粘接性)存在著相互權(quán)衡取舍的關(guān)系。

      近年來(lái),高頻對(duì)應(yīng)印刷線路板在更加要求可靠性的領(lǐng)域中迅速發(fā)展。例如,作為在車載用途等移動(dòng)通信的印刷線路基板的使用中,要求即使在嚴(yán)苛環(huán)境下仍可使用的高可靠性。為了順應(yīng)這種要求,對(duì)于覆銅箔層壓板,需要大幅提高銅箔與樹脂基材的密合性。

      為了滿足這種要求,進(jìn)行了技術(shù)開發(fā)。例如,在專利文獻(xiàn)1中記載有:一種表面處理銅箔,其使粗化顆粒附著至銅箔,形成表面粗糙度rz為1.5~4.0μm、亮度值為30以下的粗化面,該粗化顆粒以規(guī)定密度大致均等地分布,由該粗化顆粒形成的突起物具有規(guī)定的高度和寬度;還記載有:通過(guò)使用該表面處理銅箔,提高了與以液晶聚合物為首的高頻電路基板用樹脂基材的密合性。

      在智能手機(jī)或平板pc這類的小型電子設(shè)備中,由容易配線或輕量性的觀點(diǎn)考慮,采用柔性印刷線路板(以下,簡(jiǎn)稱為fpc)。近年來(lái),伴隨著這種小型電子設(shè)備的高功能化,信號(hào)傳輸速度的高速化得以發(fā)展,fpc的阻抗匹配(輸出阻抗與輸入阻抗的匹配)成為重要的課題。為了實(shí)現(xiàn)針對(duì)信號(hào)傳輸速度的高速化的阻抗匹配,實(shí)施將作為fpc的基礎(chǔ)的樹脂基材(具代表性的為聚酰亞胺)厚層化的措施。

      對(duì)fpc進(jìn)行規(guī)定的加工,即,接合于液晶基材或搭載有ic芯片等。將透過(guò)由蝕刻去除銅箔的部分的樹脂基材而辨識(shí)到的定位圖案作為指標(biāo),由此進(jìn)行該加工時(shí)的定位。因此,在上述對(duì)位時(shí),樹脂基材的透過(guò)性(可辨識(shí)性)很重要。這種樹脂基材的透過(guò)性通常利用可見光領(lǐng)域的全光透光率和霧度(霧影值)來(lái)進(jìn)行評(píng)價(jià)和管理。近年來(lái),樹脂基材的厚層化和對(duì)位工序的多樣化得以發(fā)展,對(duì)蝕刻后的樹脂基材所要求的透過(guò)性的水平變高。除了樹脂本身的特性以外,貼合于樹脂基材的銅箔的表面形狀也會(huì)對(duì)蝕刻法后的樹脂基材的透過(guò)性造成很大影響。

      如聚酸亞胺、液晶聚合物這類的具有柔性的樹脂基材在高溫高壓條件下與銅箔相貼合。此時(shí),因?yàn)闃渲瑵B入至形成于銅箔的粗化處理表面的粗化顆粒的根部,因此粗化顆粒越大則被轉(zhuǎn)印至樹脂的凹凸也越深,其結(jié)果是,透過(guò)蝕刻后的樹脂基材的光線容易被散射,透光性趨于變差。

      另外,在有關(guān)fpc的專利文獻(xiàn)2中記載有:一種適用于覆晶膜(cof)類型的fpc,其具有電解銅箔,該電解銅箔在粘接至絕緣層的粘接面具備由鎳-鋅合金形成的防銹處理層,該粘接面的表面粗糙度(rz)為0.05~1.5μm,入射角60°的鏡面光澤度為250以上;還記載有:該fpc顯示優(yōu)良的光透過(guò)率,且銅箔與樹脂基材的密合性優(yōu)良。

      另外,在專利文獻(xiàn)3中記載有:一種表面處理銅箔,其通過(guò)粗化處理形成粗化顆粒,將粗化處理面的平均粗糙度rz設(shè)為0.5~1.3μm,光澤度設(shè)為4.8~68,粗化顆粒的表面積a與從該銅箔表面?zhèn)雀┮曈^察粗化顆粒時(shí)所得的面積b之比a/b設(shè)為2.00~2.45;并記載有:對(duì)于將該表面處理銅箔與樹脂基板層疊而形成的銅張層疊板而言,蝕刻除去銅箔之后的樹脂透明性為良好,并且銅箔與樹脂的密合性為優(yōu)良。

      現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

      專利文獻(xiàn)

      專利文獻(xiàn)1:日本專利第4833556號(hào)公報(bào)

      專利文獻(xiàn)2:日本專利第4090467號(hào)公報(bào)

      專利文獻(xiàn)3:日本專利第5497808號(hào)公報(bào)



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      (一)發(fā)明要解決的問題

      雖然上述專利文獻(xiàn)1所記載的表面處理銅箔與高頻對(duì)應(yīng)樹脂基材的密合性良好,但在ghz波段的高頻波段中,使用該表面處理銅箔的覆銅箔層壓板的傳輸損耗高,無(wú)法充分滿足針對(duì)高頻對(duì)應(yīng)印刷線路板的高要求。

      另外,上述專利文獻(xiàn)2所記載的fpc所采用的電解銅箔并未實(shí)施粗化處理,無(wú)法實(shí)現(xiàn)除了cof以外的印刷線路板所要求的與樹脂基材的高密合性。

      另外,在上述專利文獻(xiàn)3中記載的表面處理銅箔將低介電基材用作樹脂基材的情況下,不能得到與樹脂基材的充分的密合性。

      本發(fā)明的問題在于提供一種印刷線路板用表面處理銅箔,其能得到在傳輸ghz波段的高頻信號(hào)時(shí)也大幅抑制傳輸損耗,銅箔與樹脂基材的密合性高,耐久性也優(yōu)異,并且可辨識(shí)性也優(yōu)異的印刷線路板。另外,本發(fā)明的問題在于提供使用該印刷線路板用表面處理銅箔的印刷線路板用覆銅層壓板以及印刷線路板(電路基板)。

      (二)技術(shù)方案

      本發(fā)明的上述問題可通過(guò)下述方案得以解決。

      [1]

      一種印刷線路板用表面處理銅箔,其在形成有粗化顆粒的表面具有硅烷偶聯(lián)劑層,其中,在該硅烷偶聯(lián)劑層表面中,粗化顆粒的平均高度為0.05μm以上且小于0.5μm,該硅烷偶聯(lián)劑層表面的bet表面積比為1.2以上,細(xì)微表面系數(shù)cms為2.0以上且小于8.0。

      [2]

      根據(jù)[1]所述的印刷線路板用表面處理銅箔,其中,在所述硅烷偶聯(lián)劑層表面,粗化顆粒的平均高度為0.05μm以上且小于0.3μm。

      [3]

      根據(jù)[1]或[2]所述的印刷線路板用表面處理銅箔,其中,所述硅烷偶聯(lián)劑層表面的l*a*b*表色系中的l*為40以上且小于60。

      [4]

      根據(jù)[1]~[3]中任一項(xiàng)所述的印刷線路板用表面處理銅箔,其中,所述形成有粗化顆粒的表面具備具有選自鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉬、及錫中的至少一種金屬的金屬處理層,或具備具有由選自鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉬、及錫中的兩種以上的金屬形成的合金的金屬處理層。

      [5]

      根據(jù)[1]~[4]中任一項(xiàng)所述的印刷線路板用表面處理銅箔,其中,在所述硅烷偶聯(lián)劑層中所含有的si元素量為0.5μg/dm2以上且小于15μg/dm2。

      [6]

      根據(jù)[1]~[5]中任一項(xiàng)所述的印刷線路板用表面處理銅箔,其中,所述硅烷偶聯(lián)劑具有選自環(huán)氧基、氨基、乙烯基、(甲基)丙烯?;?、苯乙烯基、脲基、異氰脲酸酯基、巰基、硫醚基、及異氰酸酯基中的至少一種官能團(tuán)。

      [7]

      一種印刷線路板用覆銅層壓板,其是通過(guò)在[1]~[6]中任一項(xiàng)所述的印刷線路板用表面處理銅箔的所述硅烷偶聯(lián)劑層表面層疊樹脂層而形成的。

      [8]

      一種使用了[7]所述的印刷線路板用覆銅層壓板的印刷線路板。

      (三)有益效果

      通過(guò)將本發(fā)明的印刷線路板用表面處理銅箔用于印刷線路板的導(dǎo)體電路,能得到大幅抑制傳輸ghz波段的高頻信號(hào)時(shí)的傳輸損耗,銅箔與樹脂基材的密合性高,耐久性也優(yōu)異,并且可辨識(shí)性也優(yōu)異的印刷線路板。

      通過(guò)將本發(fā)明的印刷線路板用覆銅層壓板用作印刷線路板的基板,能得到大幅抑制傳輸ghz波段的高頻信號(hào)時(shí)的傳輸損耗,銅箔與樹脂基材的密合性高,耐久性也優(yōu)異,并且可辨識(shí)性也優(yōu)異的印刷線路板。

      本發(fā)明的印刷線路板大幅抑制傳輸ghz波段的高頻信號(hào)時(shí)的傳輸損耗,銅箔與樹脂基材的密合性高,耐久性也優(yōu)異,并且可辨識(shí)性也優(yōu)異。

      適當(dāng)參照附圖并根據(jù)下述記載,可明確本發(fā)明的上述以及其他特征以及優(yōu)點(diǎn)。

      附圖說(shuō)明

      圖1為表示粗化顆粒高度的測(cè)定方法的一例的說(shuō)明圖。

      圖2為表示粗化顆粒高度的測(cè)定方法的一例的說(shuō)明圖。

      具體實(shí)施方式

      以下,對(duì)本發(fā)明的印刷線路板用表面處理銅箔的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

      [印刷線路板用表面處理銅箔]

      對(duì)于本發(fā)明的印刷線路板用表面處理銅箔(以下,簡(jiǎn)稱為“本發(fā)明的表面處理銅箔”)而言,通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑對(duì)形成有粗化顆粒的表面(根據(jù)需要而進(jìn)一步附著有防腐金屬的面)進(jìn)行處理(即,在形成有粗化顆粒的表面具有硅烷偶聯(lián)劑層),在該硅烷偶聯(lián)劑層表面(表面處理銅箔最表面),粗化顆粒的平均高度為0.05μm以上且小于0.5μm,該硅烷偶聯(lián)劑層表面的bet表面積比為1.2以上,并且,該硅烷偶聯(lián)劑層表面的細(xì)微表面積系數(shù)(cms)為2.0以上且小于8.0。在本發(fā)明的表面處理銅箔中,將硅烷偶聯(lián)劑層表面簡(jiǎn)稱為“粗化處理面”,其為該表面所測(cè)定的粗化顆粒的平均高度為0.05μm以上且小于0.5μm,并且將該表面的bet表面積比為1.2以上,且該表面的cms為2.0以上且小于8.0的面。雖然優(yōu)選整個(gè)粗化處理面由硅烷偶聯(lián)劑所覆蓋,但只要起到本發(fā)明的效果,也可使硅烷偶聯(lián)劑僅覆蓋粗化處理面的一部分(即,只要起到本發(fā)明的效果,也可在粗化處理面的硅烷偶聯(lián)劑層的一部分發(fā)生膜缺損,該形態(tài)也包含于本發(fā)明的“具有硅烷偶聯(lián)劑層”的形態(tài)中)。

      本發(fā)明的表面處理銅箔可以至少單面為粗化處理面,也可雙面均為粗化處理面。本發(fā)明的表面處理銅箔一般是僅單面為粗化處理面的形態(tài)。

      在本發(fā)明的表面處理銅箔中,雖然粗化處理面的粗化顆粒的平均高度低至小于0.5μm的程度,但bet表面積比大到1.2以上的程度。因此,在經(jīng)由該粗化處理面將表面處理銅箔與樹脂層進(jìn)行層疊,制作覆銅箔層壓板時(shí),粗化顆粒的錨定效應(yīng)與大的表面積相結(jié)合,得到大幅提高銅箔與樹脂層的密合性,耐熱性優(yōu)異的覆銅箔層壓板。另外,該粗化處理面的粗化顆粒的平均高度低至小于0.5μm,可降低粗化顆粒的存在對(duì)傳輸路徑長(zhǎng)度的影響。因此,在使用該覆銅箔層壓板的導(dǎo)體電路中傳輸ghz波段的高頻信號(hào)時(shí),也可有效地抑制傳輸損耗。

      在此之前,人們并不知曉如下方法:在銅箔表面形成平均高度小于0.5μm的微小粗化顆粒,同時(shí)將bet表面積比提高至1.2以上。本發(fā)明人在這種狀況下,通過(guò)采用后述的特定的粗化電鍍處理?xiàng)l件,成功制作出具有平均高度為0.05μm以上且小于0.5μm的粗化顆粒,且bet表面積比為1.2以上的銅箔表面,從而完成本發(fā)明。

      從維持與樹脂基材的高密合性的同時(shí),更加有效地減少傳輸損耗的觀點(diǎn)考慮,在上述粗化處理面中的上述粗化顆粒的平均高度優(yōu)選為0.05μm以上且小于0.5μm,更優(yōu)選為0.05μm以上且小于0.3μm。

      在本發(fā)明中,粗化顆粒優(yōu)選均勻(均質(zhì))地形成于整個(gè)粗化處理面。粗化顆粒的平均高度通過(guò)后述實(shí)施例所記載的方法進(jìn)行測(cè)定。

      上述bet表面積比基于采用bet法的表面積的測(cè)定方法計(jì)算而得。即,上述bet表面積比為:使吸附占有面積已知的氣體分子吸附至樣品表面,根據(jù)該吸附量而求出樣品的表面積(bet測(cè)定表面積),使該bet測(cè)定表面積減去假設(shè)在樣品表面無(wú)凹凸的情況下的表面積(樣品切出面積)的值,該值與該樣品切出面積的比值即為bet表面積比,通過(guò)后述實(shí)施例所記載的方法來(lái)進(jìn)行測(cè)定。

      在本發(fā)明的表面處理銅箔中,粗化處理面的bet表面積比的值越大,則意味著表面積越大。因此,粗化處理面的上述bet表面積比越大,則與樹脂的相互作用性越高,與粗化顆粒的錨定效應(yīng)一起,提高層疊樹脂層時(shí)的銅箔與樹脂層的密合性。在本發(fā)明的表面處理銅箔中,粗化處理面的bet表面積比優(yōu)選為1.2以上且10以下,更優(yōu)選為4以上且8以下。

      在銅箔的表面積測(cè)定中一般采用的利用激光顯微鏡的表面積測(cè)定中,在原理上,無(wú)法對(duì)由粗化顆粒的形狀造成激光無(wú)法到達(dá)的“陰”部分進(jìn)行測(cè)定,另外,也難以高靈敏度地檢測(cè)出極細(xì)微的凹凸部分的表面積。例如,即使是高度和直徑相同的粗化顆粒,若對(duì)根部?jī)?nèi)縮的粗化顆粒與無(wú)內(nèi)縮的粗化顆粒進(jìn)行比較,雖然與樹脂密接的面積較多的是前者,但在利用激光顯微鏡的表面積測(cè)定中,幾乎為相同的值。

      相對(duì)于此,在利用bet法的表面積測(cè)定中,由于通過(guò)氣體分子的吸附來(lái)測(cè)定表面積,因此對(duì)于細(xì)微凹凸的靈敏度高,可測(cè)定激光中為“陰”的部分。因此,與使用激光顯微鏡進(jìn)行測(cè)定的情況相比,一般可高精度地測(cè)定形成有粗化顆粒的樣品的表面積。

      本發(fā)明人通過(guò)實(shí)施后述的特定的粗化電鍍處理,成功地進(jìn)一步增大在激光顯微鏡中無(wú)法測(cè)定的“陰”的部分或細(xì)微凹凸部分的表面積的比例。由此發(fā)現(xiàn)了如下內(nèi)容,從而完成了本發(fā)明:抑制粗化顆粒的平均高度,有效地抑制傳輸高頻信號(hào)時(shí)的傳輸損耗,同時(shí)也可大幅提高與樹脂基材的密合性,另外,能夠維持蝕刻后的樹脂基材的可辨識(shí)性。

      上述cms為通過(guò)bet法測(cè)定的表面積比與以激光顯微鏡測(cè)定的表面積比的比值,為將在激光顯微鏡中無(wú)法測(cè)定的“陰”的部分或細(xì)微凹凸部分的表面積的比例進(jìn)行數(shù)值化后的數(shù)值。cms的計(jì)算方法的詳細(xì)內(nèi)容如后述實(shí)施例所記載的那樣。在本發(fā)明的表面處理銅箔中,粗化處理面的cms為2.0以上且小于8.0。通過(guò)將在粗化處理表面的粗化顆粒的平均高度和粗化處理面的bet表面積比設(shè)定在本發(fā)明規(guī)定范圍內(nèi),且將粗化處理面的cms設(shè)定為2.0以上且小于8.0,可大幅提高該表面與樹脂基材的密合性,同時(shí)能良好地維持蝕刻后的樹脂的可辨識(shí)性(透過(guò)性)。cms優(yōu)選為2.5以上且小于5.0。

      需要說(shuō)明的是,對(duì)于利用激光顯微鏡測(cè)定的表面積和利用bet法測(cè)定的表面積而言,由于表面積的測(cè)定原理不同,因此有可能會(huì)因粗化處理面的形狀而產(chǎn)生cms小于1的情況。

      在本發(fā)明的表面處理銅箔中,粗化處理面的亮度指數(shù)l*(lightness)優(yōu)選為40以上且小于60,更優(yōu)選為40以上且小于55。若為所謂的黑化處理那樣的茶褐色~黑色的處理表面(形成有合金、氧化銅的表面),則l*趨于變小、傳輸損耗趨于變高。另一方面,若粗化顆粒的形狀發(fā)圓,則有l(wèi)*趨于上升,與樹脂基體的密合性趨于降低。l*通過(guò)后述實(shí)施例所記載的方法進(jìn)行測(cè)定。

      在本發(fā)明的表面處理銅箔中,硅烷偶聯(lián)劑處理前的形成有粗化顆粒的表面優(yōu)選具備具有選自鉻(cr)、鐵(fe)、鈷(co)、鎳(ni)、銅(cu)、鋅(zn)、鉬(mo)、及錫(sn)中的至少一種金屬的金屬處理層,或具備具有由選自鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鉬、及錫中的至少兩種以上的金屬形成的合金的金屬處理層。該金屬處理層更優(yōu)選具備具有選自鎳、鋅、及鉻中的至少一種金屬的金屬處理層,或具備具有由選自鎳、鋅、及鉻中的兩種以上的金屬形成的合金的金屬處理層。

      對(duì)于使用了本發(fā)明的表面處理銅箔的覆銅箔層壓板或印刷線路板而言,在其制作工序中,經(jīng)常在樹脂與銅箔之間的粘接工序、或焊接工序等中進(jìn)行加熱。通過(guò)該加熱,使銅擴(kuò)散至樹脂側(cè),雖然有時(shí)使銅與樹脂的密合性降低,但可通過(guò)設(shè)置上述金屬處理層而防止銅的擴(kuò)散,更加穩(wěn)定地維持與樹脂基材的高密合性。另外,構(gòu)成金屬處理層的金屬也可作為防止銅銹的防銹金屬發(fā)揮作用。

      從更加提高銅箔的蝕刻性的觀點(diǎn)考慮,在硅烷偶聯(lián)劑處理前的形成有粗化顆粒的表面控制作為防銹金屬的鎳量也很重要。即,在鎳附著量多的情況下,雖然趨于難以產(chǎn)生銅銹、在高溫下的與樹脂的密合性趨于提升,但是在蝕刻后容易殘留鎳,難以得到充分的絕緣可靠性。在本發(fā)明的表面處理銅箔具有金屬處理層的情況下,從兼具高溫下的密合性和蝕刻性的觀點(diǎn)考慮,粗化處理面的鎳元素量?jī)?yōu)選為0.1mg/dm2以上且小于0.3mg/dm2。

      [印刷線路板用表面處理銅箔的制造]

      <銅箔>

      作為用于本發(fā)明的表面處理銅箔的制造的銅箔,可根據(jù)用途或其他目的,選擇如軋制銅箔、電解銅箔等。用于本發(fā)明的表面處理銅箔的銅箔的箔厚并沒有特別限制,可根據(jù)目的適當(dāng)選擇。上述箔厚一般為4~120μm,優(yōu)選為5~50μm,更優(yōu)選為6~18μm。

      <粗化電鍍處理>

      在本發(fā)明的表面處理銅箔的制造中,可通過(guò)適用特定的粗化電鍍條件來(lái)形成上述粗化處理面。即,本發(fā)明為本發(fā)明人基于如下發(fā)現(xiàn)做出的發(fā)明:在將鉬濃度設(shè)定在特定范圍內(nèi),并且通過(guò)在后述的特定條件下實(shí)施電鍍處理,據(jù)此發(fā)現(xiàn)可形成上述粗化處理面。

      (粗化電鍍處理?xiàng)l件)

      為了可形成上述粗化處理面,在粗化電鍍處理(電鍍處理)中,需要將鉬濃度控制在50mg/l以上且600mg/l以下。若將鉬濃度設(shè)為小于50mg/l,則產(chǎn)生粉體剝落等問題;若超過(guò)600mg/l,雖然能滿足其他特性,但難以將硅烷偶聯(lián)劑處理后的表面(也就是粗化處理面)的bet表面積比提高至1.2以上。

      為了可形成上述粗化處理面,在粗化電鍍處理中,需要將電極間間隙的流速設(shè)定在0.15m/秒以上且0.4m/秒以下。若電極間間隙的流速小于0.15m/秒,則容易產(chǎn)生如下問題:在銅箔上產(chǎn)生的氫氣無(wú)法進(jìn)行脫離,難以得到鉬的效果而導(dǎo)致粉體剝落等。另外,若電極間間隙的流速超過(guò)0.4m/秒,則對(duì)細(xì)微凹部的銅離子供應(yīng)會(huì)過(guò)剩,凹部被電鍍掩埋,難以將硅烷偶聯(lián)劑處理后的表面的bet表面積比提高至1.2以上。

      為了可形成上述粗化處理面,在粗化電鍍處理中,需要將電流密度乘以處理時(shí)間而得的值設(shè)定在20(a/dm2)·秒以上且250(a/dm2)·秒以下。若該值小于20(a/dm2)·秒,在硅烷偶聯(lián)劑處理后,由于粗化處理面的粗化顆粒的平均高度難以設(shè)為0.05μm以上,因此不容易確保與層疊的樹脂的充分的密合性。另外,若超過(guò)250(a/dm2)·秒,所形成的粗化顆粒的平均高度難以設(shè)為小于0.5μm,因此傳輸損耗容易惡化。上述的電流密度乘以處理時(shí)間而得的值優(yōu)選為20(a/dm2)·秒以上且小于160(a/dm2)·秒。

      為了可形成上述粗化處理面,在粗化電鍍處理中,需要將電流密度乘以處理時(shí)間而得的值除以鉬濃度的值設(shè)定在1.0{(a/dm2)·秒}/(mg/l)以上且3.0{(a/dm2)·秒}/(mg/l)以下。若該值小于1.0{(a/dm2)·秒}/(mg/l),雖然可滿足其他特性,但難以得到充分的bet表面積比。另外,若該值超過(guò)3.0{(a/dm2)·秒}/(mg/l),則趨于難以將cms設(shè)為小于8.0。使上述的電流密度乘以處理時(shí)間而得的值除以鉬濃度而得的值優(yōu)選為1.2(a/dm2)·秒以上且小于2.4(a/dm2)·秒。

      為了可形成上述粗化處理面的優(yōu)選的粗化電鍍處理?xiàng)l件如下所示。

      -粗化電鍍處理?xiàng)l件-

      需要說(shuō)明的是,將鉬添加至電鍍液是指將鉬作為離子而溶解的形態(tài),并且只要不包含使硫酸銅電鍍液的ph發(fā)生變化或不包含摻入至鍍銅覆膜之類的金屬雜質(zhì),就沒有特別的限制。例如,可將鉬酸鹽(例如,鉬酸鈉或鉬酸鉀)的水溶液添加至硫酸銅電鍍液中。

      <金屬處理層>

      在本發(fā)明的表面處理銅箔具有金屬處理層的情況下,金屬處理層的形成方法沒有特別限制,可利用常規(guī)方法來(lái)形成。例如,以形成具有鎳、鋅及鉻的金屬處理層的情況為例,在下述條件中,例如可以鍍鎳、鍍鋅、鍍鉻的順序進(jìn)行實(shí)施,由此形成金屬處理層。

      (鍍鎳)

      〔鍍鋅〕

      〔鍍鉻〕

      本發(fā)明的表面處理銅箔的存在于粗化處理面的si元素量(即,硅烷偶聯(lián)劑層所含有的si元素量)優(yōu)選為0.5μg/dm2以上且小于15μg/dm2。通過(guò)將該si元素量設(shè)定為0.5μg/dm2以上且小于15μg/dm2,在抑制硅烷偶聯(lián)劑的使用量的同時(shí),還可有效地提高與樹脂的密合性。硅烷偶聯(lián)劑層所包含的si元素量?jī)?yōu)選為3μg/dm2以上且小于15μg/dm2,進(jìn)一步優(yōu)選為5μg/dm2以上且小于15μg/dm2。

      對(duì)于上述硅烷偶聯(lián)劑而言,根據(jù)構(gòu)成與本發(fā)明的表面處理銅箔層疊的樹脂層的樹脂的分子結(jié)構(gòu)(官能團(tuán)的種類等),進(jìn)行適當(dāng)選擇。其特征在于,上述硅烷偶聯(lián)劑優(yōu)選具有選自環(huán)氧基、氨基、乙烯基、(甲基)丙烯?;⒈揭蚁┗?、脲基、異氰脲酸酯基、巰基、硫醚基、及異氰酸酯基中的至少一種的官能團(tuán)?!?甲基)丙烯?;笔侵浮氨;?或甲基丙烯?;?。

      可通過(guò)常規(guī)方法進(jìn)行利用形成有粗化顆粒的銅箔表面的硅烷偶聯(lián)劑的處理。例如,制備硅烷偶聯(lián)劑的溶液(涂覆液),將該涂覆液涂覆于形成有粗化顆粒的銅箔表面,加以干燥,由此,可使硅烷偶聯(lián)劑吸附乃至結(jié)合于形成有粗化顆粒的銅箔表面。作為上述涂覆液,例如,可以使用利用純水以0.05wt%~1wt%的濃度含有硅烷偶聯(lián)劑的溶液。

      上述涂覆液的涂覆方法并沒有特別限制,例如在使銅箔傾斜的狀態(tài)下,使涂覆液均勻地流動(dòng)于形成有粗化顆粒的表面,使用輥?zhàn)尤コ嘤嗯乓汉?,進(jìn)行加熱干燥,或者在輥?zhàn)娱g,將涂覆液噴霧于使形成有粗化顆粒的表面朝下并伸展開的銅箔,以輥?zhàn)尤コ嘤嗯乓汉?,進(jìn)行加熱干燥等作業(yè),由此實(shí)施涂覆。涂覆溫度并沒有特別限制,通常以10~40℃來(lái)實(shí)施。

      [印刷線路板用覆銅層壓板]

      本發(fā)明的印刷線路板用覆銅層壓板(以下,簡(jiǎn)稱為“本發(fā)明的覆銅箔層壓板”)在本發(fā)明的表面處理銅箔的粗化處理面具有層疊有樹脂層(樹脂基材)的結(jié)構(gòu)。關(guān)于該樹脂層并沒有特別限制,可以采用通常用于為了制作印刷線路板的覆銅箔層壓板的樹脂層。舉例來(lái)說(shuō),可采用在硬板(rigidboard)中使用的無(wú)鹵素低介電樹脂基材,或采用廣泛用于柔性基板的低介電聚酰亞胺。

      表面處理銅箔與樹脂基材的層疊方法并沒有特別限制,例如,通過(guò)使用熱壓加工機(jī)的熱壓成型法等,使銅箔與樹脂基材粘接。上述熱壓成型法的壓合溫度優(yōu)選設(shè)定為150~400℃左右。另外,壓合壓力優(yōu)選設(shè)定為1~50mpa左右。

      覆銅箔層壓板的厚度優(yōu)選為10~1000μm。

      [印刷線路板]

      本發(fā)明的印刷線路板使用本發(fā)明的覆銅箔層壓板而制作。即,可對(duì)本發(fā)明的覆銅箔層壓板實(shí)施蝕刻等處理,形成導(dǎo)體電路圖案,進(jìn)一步根據(jù)需要,通過(guò)常規(guī)方法形成乃至搭載其他構(gòu)件,由此形成。

      實(shí)施例

      以下,根據(jù)實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。另外,以下為本發(fā)明的一例,在本發(fā)明的實(shí)施中,只要在不違背本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi),可采用各種形態(tài)。

      [銅箔的制造]

      作為用于實(shí)施粗化處理的基材的銅箔,使用電解銅箔或軋制銅箔。

      在實(shí)施例1、2、4、5、7、8、比較例1~4、7以及參考例1中,使用以下述條件制造的厚度為12μm的電解銅箔。

      <電解銅箔的制造條件>

      (添加劑)

      ·3-巰基1-丙烷磺酸鈉:2mg/l,

      ·羥乙基纖維素:10mg/l,

      ·低分子量膠(分子量3000):50mg/l。

      在實(shí)施例3、6以及比較例5、6中,對(duì)于市售的12μm的韌煉銅軋制箔(株式會(huì)社uacj制),使用在下述條件下實(shí)施了脫脂處理的銅箔。

      <脫脂處理?xiàng)l件>

      [粗化處理面的形成]

      通過(guò)電鍍處理,在上述銅箔的單面形成粗化電鍍處理面。該粗化電鍍處理面使用下述粗化電鍍液基本浴組成,如下述表1所記載的那樣設(shè)定鉬濃度,且如下述表1所記載那樣設(shè)定電極間間隙的流速、電流密度、處理時(shí)間,由此形成該粗化電鍍處理面。通過(guò)將鉬酸鈉溶解于純水的水溶液添加至基本浴,從而對(duì)鉬濃度進(jìn)行調(diào)整。

      <粗化電鍍液基本浴組成>

      cu:25g/l,

      h2so4:180g/l,

      浴溫:25℃。

      [表1]

      表1

      <金屬處理層的形成>

      接著,進(jìn)一步以下述電鍍條件在如上進(jìn)行了粗化電鍍處理的表面以ni、zn、cr的順序?qū)嵤┙饘匐婂儯纬山饘偬幚韺?。需要說(shuō)明的是,參考例1并未形成金屬處理層。

      <鍍鎳>

      <鍍鋅>

      〔鍍鉻〕

      <硅烷偶聯(lián)劑的涂覆(粗化處理面的形成)>

      在整個(gè)上述金屬處理層表面涂覆表2所記載的市售的硅烷偶聯(lián)劑的溶液(30℃),以刮刀去除多余排液后,在120℃大氣下干燥30秒。各硅烷偶聯(lián)劑的溶液的制備方法如下。

      3-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)株式會(huì)社制kbm-402):以純水制備0.3wt%溶液。

      3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化學(xué)株式會(huì)社制kbm-903):以純水制備0.25wt%溶液。

      乙烯基三甲氧基硅烷(信越化學(xué)株式會(huì)社制kbm-1003):在純水中添加硫酸,以調(diào)整為ph3的溶液制備0.2wt%溶液。

      3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)株式會(huì)社制kbm-502):在純水添加硫酸,以調(diào)整為ph3的溶液制備0.25wt%溶液。

      3-異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷(信越化學(xué)株式會(huì)社制kbe-9007):在純水中添加硫酸,以調(diào)整為ph3的溶液制備0.2wt%溶液。

      3-脲基丙基三乙氧基硅烷(信越化學(xué)株式會(huì)社制kbe-585):將乙醇與純水以1:1混合,以該混合溶液制備0.3wt%溶液。

      [表2]

      表2

      [粗化顆粒的平均高度的測(cè)定]

      通過(guò)sem觀察與經(jīng)過(guò)離子研磨處理所得的銅箔厚度方向平行的剖面,求出在粗化處理面中的粗化顆粒的平均高度。以下進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

      圖1為與在比較例6中制造的表面處理銅箔的粗化處理面(硅烷偶聯(lián)劑處理后的表面)的厚度方向平行的剖面的sem像。同樣的,在各銅箔的剖面中,在視野范圍內(nèi)可確認(rèn)到粗化顆粒的頭頂部與底部,并且,以可觀察到約十個(gè)左右的粗化顆粒的倍率,在無(wú)限制下針對(duì)不同的五個(gè)視野進(jìn)行sem觀察。在一個(gè)銅箔中的五個(gè)視野范圍內(nèi),各自對(duì)高度最高的粗化顆粒的該高度進(jìn)行測(cè)定,對(duì)所得的五個(gè)測(cè)定值(最大值)取平均,設(shè)為在該銅箔的粗化處理面中的粗化顆粒的平均高度。

      使用附圖詳細(xì)說(shuō)明粗化顆粒的高度的測(cè)定方法。如圖1所示,針對(duì)作為測(cè)定對(duì)象的粗化顆粒,連接左右最底部的直線(連接a點(diǎn)與b點(diǎn)的直線)的最短距離最長(zhǎng),將該粗化顆粒的頭頂部(c點(diǎn))與連接a點(diǎn)及b點(diǎn)的直線之間的最短距離設(shè)為粗化顆粒的高度h。

      圖2為與在實(shí)施例2制造的表面處理銅箔的粗化處理面(硅烷偶聯(lián)劑處理后的表面)的厚度方向平行的剖面的sem像。在如此分枝地形成粗化顆粒的情況下,將包含分枝結(jié)構(gòu)的整體視為一個(gè)粗化顆粒。即,連接形成為樹枝狀的粗化顆粒的左右最底部的直線(連接d點(diǎn)與e點(diǎn)的直線)的最短距離最長(zhǎng),將該粗化顆粒的頭頂部(f點(diǎn))與連接d點(diǎn)及e點(diǎn)的直線之間的最短距離設(shè)為粗化顆粒的高度h。

      結(jié)果示于下述表3。

      [bet表面積比a的測(cè)定]

      使以bet法測(cè)定的粗化處理面的表面積(bet測(cè)定表面積)除以作為俯視面積的樣品切出面積,計(jì)算bet表面積比a。

      bet測(cè)定表面積使用micromeritics社制氣體吸附細(xì)孔分布測(cè)定裝置asap2020型,利用氪氣吸附bet多點(diǎn)法進(jìn)行測(cè)定。在測(cè)定前,作為前處理,在150℃的溫度下進(jìn)行6小時(shí)的減壓干燥。

      用于測(cè)定的樣品(銅箔)切出構(gòu)成約3g的3dm2,再切割成5mm方形后,導(dǎo)入測(cè)定裝置內(nèi)。

      在利用bet法進(jìn)行表面積測(cè)定中,由于測(cè)定導(dǎo)入至裝置內(nèi)的樣品整面的表面積,因此,無(wú)法只測(cè)定實(shí)施了單面粗化處理的上述表面處理銅箔中的該粗化處理面的表面積。在此,bet表面積比a實(shí)際上根據(jù)下述式而計(jì)算。

      <bet表面積比a>

      將未實(shí)施粗化處理的面(與上述粗化處理面相反側(cè)的面)的表面積比設(shè)為1,也就是視為與樣品切出面積相同,利用下述式計(jì)算出bet表面積比a。

      (bet表面積比a)=[(bet測(cè)定表面積)-(樣品切出面積)]/(樣品切出面積)

      需要說(shuō)明的是,在bet法的表面積測(cè)定中,雖然對(duì)粗化處理面以及未實(shí)施粗化處理的面以外的面(側(cè)面)的表面積也進(jìn)行測(cè)定,但是,在本發(fā)明所推定的箔厚(例如,即使最大也在120μm左右)中,在全俯視面積中側(cè)面所占的比例極少,實(shí)際上可以忽略。

      如參考例1所示,在表面未實(shí)施粗化處理的樣品中,根據(jù)bet法的測(cè)定原理,有時(shí)bet測(cè)定表面積小于切出面積(即,bet表面積比a有時(shí)小于1)。另一方面,在因粗化處理而形成具有細(xì)微凹凸的表面的情況下,通過(guò)適用bet法,可高靈敏度地檢測(cè)細(xì)微的凹凸等,其結(jié)果是,bet表面積比a大于1。

      [測(cè)定激光表面積比b]

      基于使用激光顯微鏡vk8500(keyence社制)的表面積測(cè)定值,計(jì)算激光表面積比b。更詳細(xì)來(lái)說(shuō),以倍率1000倍觀察樣品(銅箔)的粗化處理面,測(cè)定俯視面積6550μm2部分的三維表面積,通過(guò)使該三維表面積除以6550μm2,求得激光表面積比b。測(cè)定間距設(shè)為0.01μm。將結(jié)果示于表3。

      [細(xì)微表面系數(shù)cms的計(jì)算]

      使用上述bet表面積比a與上述激光表面積比b,根據(jù)下述公式計(jì)算細(xì)微表面系數(shù)cms。將結(jié)果示于下述表3。

      細(xì)微表面系數(shù)cms=bet表面積比a/激光表面積比b

      [si的測(cè)定]

      對(duì)于粗化處理面的si元素量(μg/dm2)(即,硅烷偶聯(lián)劑層所含的si元素量)而言,用涂料對(duì)樣品的未實(shí)施粗化電鍍處理的面進(jìn)行標(biāo)記后,切出10cm方形,用加溫至80℃的混合酸(硝酸2:鹽酸1:純水5(體積比))僅溶解表面部后,使用日立high-techscience社制的原子吸光亮度計(jì)(型式:z-2300),通過(guò)原子吸光分析法進(jìn)行定量分析,求出所得到的溶液中的si質(zhì)量。將結(jié)果以si元素量示于下述表3。

      [亮度指數(shù)l*的測(cè)定]

      亮度指數(shù)l*為jis-z8729所規(guī)定的表色系l*a*b*中的l*。在亮度指數(shù)l*的測(cè)定中使用了日本分光制紫外可見分光亮度儀v-660(積分球單元)。在波長(zhǎng)870~200nm的范圍內(nèi),測(cè)定了粗化處理面的全光線分光反射率。根據(jù)所得光譜,利用測(cè)定儀附屬軟件計(jì)算出亮度指數(shù)l*值,結(jié)果表示于表3。

      [表3]

      表3

      [高頻特性的評(píng)價(jià)]

      測(cè)定在高頻波段中的傳輸損耗作為高頻特性的評(píng)價(jià)。將上述實(shí)施例以及比較例制造出的具有粗化處理面的表面處理銅箔的該粗化處理面(經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑處理后的面)在面壓3mpa、200℃的條件下壓合于panasonic社制的聚苯醚低介電常數(shù)樹脂基材megtron6(厚度為50~100μm)2個(gè)小時(shí),由此進(jìn)行貼合,制作出覆銅箔層壓板。對(duì)所得的層疊板進(jìn)行電路加工,在其上進(jìn)一步貼合megtron6而最終形成3層銅箔基層板。傳輸路徑形成寬度100μm、長(zhǎng)度40mm的微帶線。在該傳輸路徑中,使用網(wǎng)絡(luò)分析儀來(lái)傳輸高達(dá)100ghz的高頻信號(hào),測(cè)定傳輸損耗。特性阻抗為50ω。

      對(duì)于傳輸損耗的測(cè)定值而言,絕對(duì)值越小則意味著傳輸損耗越少,高頻特性越良好。在表4中記載20ghz和70ghz中的傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果。其評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下。

      <20ghz的傳輸損耗評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ◎:傳輸損耗為-6.2db以上,

      ○:傳輸損耗為-6.5db以上且小于-6.2db,

      ×:傳輸損耗小于-6.5db。

      <70ghz的傳輸損耗評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ◎:傳輸損耗為-20.6db以上,

      ○:傳輸損耗為-24.0db以上且小于-20.6db,

      ×:小于-24.0db。

      進(jìn)而,根據(jù)上述傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果,依據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)對(duì)高頻特性進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于下述表4。

      <高頻特性綜合評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ◎(優(yōu)良):20ghz的傳輸損耗和70ghz的傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果均為◎。

      ○(良):20ghz的傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果為◎,70ghz的傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果為○。

      △(合格):雖然70ghz的傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果為×,但20ghz的傳輸損耗為◎或○。

      ×(不合格):20ghz的傳輸損耗和70ghz的傳輸損耗的評(píng)價(jià)結(jié)果,均為×。

      [可辨識(shí)性的評(píng)價(jià)]

      作為可辨識(shí)性的評(píng)價(jià),進(jìn)行了霧度(霧影值)測(cè)定。將實(shí)施例和比較例中制造的樣品的粗化處理面作為樹脂接合面,貼合于株式會(huì)社kaneka制的層壓用聚酰亞胺pixeo(frs-522、厚度12.5μm)的雙面,制作出覆銅箔層壓板。對(duì)于這些銅張層疊板,通過(guò)利用氯化銅溶液的蝕刻將貼合于雙面的銅箔去除,制作出霧影值測(cè)定用的樣品膜。

      對(duì)于所制作的樣品膜,利用日本分光制的紫外線可見分光亮度儀v-660(積分球單元),基于jisk7136:2000所記載的方法測(cè)定霧影值。作為霧影值,以(td/tt)×100(%)進(jìn)行計(jì)算。(tt:全光線透過(guò)率、td:拡散透過(guò)率)。

      霧影值表示樣品膜的霧度,數(shù)值越小則霧度越低,作為可辨識(shí)性越良好。基于下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn),對(duì)上述可辨識(shí)性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于下述表4。

      <可辨識(shí)性的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ◎:霧影值小于30%,

      ○:霧影值為30%以上且小于60%,

      △:霧影值為60%以上且小于80%,

      ×:霧影值為80%以上。

      若可辨識(shí)性為◎、○或△,則可以說(shuō)其具有實(shí)際應(yīng)用上可容許的可辨識(shí)性。

      [密合性的評(píng)價(jià)-1]

      密合性通過(guò)剝離試驗(yàn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。與以上述[高頻特性的評(píng)價(jià)]制作的覆銅箔層壓板相同的方式制作覆銅箔層壓板,將所得到的覆銅箔層壓板的銅箔部以寬度10mm的膠帶進(jìn)行標(biāo)記。在對(duì)該覆銅箔層壓板實(shí)施氯化銅蝕刻之后去除膠帶,制作出寬度10mm的電路線路板。使用東洋精機(jī)制作所社制的tensilon測(cè)試機(jī),在90度方向上以50mm/分的速度從樹脂基材上剝離該電路線路板的寬度10mm的電路線路部分(銅箔部分),測(cè)定剝離時(shí)的剝離強(qiáng)度。將所得的測(cè)定值作為指標(biāo),根據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)對(duì)密合性進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外,megtron6樹脂與pixeo樹脂相比,對(duì)密合性的錨定效應(yīng)的貢獻(xiàn)大。將結(jié)果示于下述表4。

      <密合性的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ○:剝離強(qiáng)度為0.6kn/m以上,

      △:剝離強(qiáng)度為0.5kn/m以上且小于0.6kn/m,

      ×:剝離強(qiáng)度小于0.5kn/m。

      [密合性的評(píng)價(jià)-2]

      與以上述[高頻特性的評(píng)價(jià)]制作的覆銅箔層壓板相同的方式制作覆銅箔層壓板,將所得到的覆銅箔層壓板的銅箔部以寬度10mm的膠帶進(jìn)行標(biāo)記。在對(duì)該覆銅箔層壓板實(shí)施氯化銅蝕刻之后去除膠帶,制作出寬度10mm的電路線路板。使用東洋精機(jī)制作所社制的tensilon測(cè)試機(jī),在90度方向上以50mm/分的速度從樹脂基材上剝離該電路線路板的寬度10mm的電路線路部分(銅箔部分),測(cè)定剝離時(shí)的剝離強(qiáng)度。將所得的測(cè)定值作為指標(biāo),根據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)對(duì)密合性進(jìn)行評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于下述表4。

      <密合性的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ○:剝離強(qiáng)度為1kn/m以上,

      ×:剝離強(qiáng)度小于1kn/m。

      進(jìn)而,根據(jù)上述密合性的評(píng)價(jià)結(jié)果,依據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)對(duì)密合性進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于下述表4。

      <密合性的綜合評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      ◎(優(yōu)良):上述[密合性評(píng)價(jià)-1]以及[密合性評(píng)價(jià)-2]的兩個(gè)評(píng)價(jià)結(jié)果均為○。

      ○(合格):上述[密合性評(píng)價(jià)-1]的評(píng)價(jià)結(jié)果為△、上述[密合性評(píng)價(jià)-2]的評(píng)價(jià)結(jié)果為○。

      ×(不合格):上述[密合性評(píng)價(jià)-1]及[密合性評(píng)價(jià)-2]的至少一個(gè)評(píng)價(jià)結(jié)果為×。

      [綜合評(píng)價(jià)]

      對(duì)上述的高頻特性、可辨識(shí)性及密合性的所有信息進(jìn)行歸納,根據(jù)下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)。

      <綜合評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)>

      a(優(yōu)良):高頻特性的綜合評(píng)價(jià)、可辨識(shí)性的評(píng)價(jià)以及密合性的綜合評(píng)價(jià)結(jié)果均為◎。

      b:(合格):雖然不滿足上述a,但在高頻特性的綜合評(píng)價(jià)、可辨識(shí)性的評(píng)價(jià)以及密合性的綜合評(píng)價(jià)結(jié)果中沒有×。

      c(不合格):高頻特性的綜合評(píng)價(jià)、可辨識(shí)性的評(píng)價(jià)以及密合性的綜合評(píng)價(jià)結(jié)果的至少一個(gè)評(píng)價(jià)結(jié)果為×。

      [表4]

      表4

      針對(duì)上述各表所示的結(jié)果進(jìn)行研究。

      比較例1為存在于表面處理銅箔的粗化處理面的粗化顆粒的平均高度比本發(fā)明的規(guī)定小的例子。在使用比較例1的表面處理銅箔制作覆銅箔層壓板的情況下,結(jié)果為銅箔與樹脂基材的密合性惡化。

      比較例2、3及7為表面處理銅箔的粗化處理面的bet表面積比以及cms均比本發(fā)明的規(guī)定小的例子。在使用比較例2、3及7的表面處理銅箔制作覆銅箔層壓板的情況下,結(jié)果為銅箔與樹脂基材之間的密合性惡化。

      比較例4及5為存在于表面處理銅箔的粗化處理面的粗化顆粒的平均高度比本發(fā)明的規(guī)定大的例子。在使用比較例4及5的表面處理銅箔制作覆銅箔層壓板、形成導(dǎo)體電路的情況下,結(jié)果為高頻特性以及可辨識(shí)性均大幅惡化。

      比較例6為cms比本發(fā)明的規(guī)定小的例子。在使用比較例6的表面處理銅箔制作覆銅箔層壓板的情況下,結(jié)果為在對(duì)密合性的錨定效應(yīng)貢獻(xiàn)較大的megtron6樹脂中密合性惡化。

      另外,參考例1為銅箔未實(shí)施粗化處理,進(jìn)而未形成金屬處理層也未實(shí)施硅烷偶聯(lián)劑處理的例子。在使用參考例1的銅箔來(lái)制作覆銅箔層壓板的情況下,結(jié)果為銅箔與樹脂基材的密合性大幅惡化。

      相對(duì)于此,對(duì)于形成在表面處理銅箔的粗化處理面的粗化顆粒的平均高度在本發(fā)明所規(guī)定的范圍內(nèi)并且該粗化處理面的bet表面積比以及cms也滿足本發(fā)明規(guī)定的實(shí)施例1~8的表面處理銅箔而言,使用該表面處理銅箔制作覆銅箔層壓板時(shí),銅箔與樹脂基材的密合性優(yōu)異。另外,由使用實(shí)施例1~8的表面處理銅箔的覆銅箔層壓板形成的導(dǎo)體電路即使傳輸高頻信號(hào)仍可有效地抑制傳輸損耗,進(jìn)一步,對(duì)于將實(shí)施例1~8的表面處理銅箔層疊而密接的樹脂基材而言,在隨后通過(guò)蝕刻去除銅箔時(shí),顯示出良好的可辨識(shí)性。

      本申請(qǐng)主張2015年12月9日在日本提出專利申請(qǐng)的專利申請(qǐng)?zhí)柼卦?015-240007的優(yōu)先權(quán),在此參照該優(yōu)先權(quán),將其內(nèi)容作為本說(shuō)明書的記載內(nèi)容的一部分。

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