本申請涉及掩膜板技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種掩膜板及其制作方法。

背景技術(shù)：

掩膜板是半導(dǎo)體芯片、微機(jī)電產(chǎn)品、顯示面板等制造過程中經(jīng)常使用的工具之一，其可結(jié)合光刻、蒸鍍、濺射等工藝，以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。一般情況下，掩膜板是在金屬薄板的特定位置上制作出工藝所需的開口，之后再進(jìn)行光刻、刻蝕、蒸鍍、濺射等工藝，在半導(dǎo)體膜層上形成特定圖案。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，工藝尺寸越來越小，掩膜板的精度也越來越高，其厚度也越來越薄。這種高精度掩膜板的常用制備方法有電鑄法。電鑄法制備掩膜板的過程包括：提供基板；在基板上涂覆貼膜；對貼膜進(jìn)行曝光；去除部分貼膜，形成開口；在開口處采用電鑄工藝，得到電鑄層；將電鑄層從基體上剝離，得到掩膜板。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用機(jī)械剝離的方式，將電鑄層從基體上剝離。但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，采用現(xiàn)有技術(shù)制得的掩膜板，時(shí)常會(huì)有損壞，即掩膜板的良率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種掩膜板制作方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提高了掩膜板的良率。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種掩膜板制作方法，包括：

提供基板，所述基板的材料為絕緣材料；

在所述基板上形成圖案化的電極層，所述圖案化的電極層上具有多個(gè)電極，所述電極層的材料為導(dǎo)電材料；

采用電鑄工藝，在所述電極層上形成電鑄膜；

采用機(jī)械剝離工藝，將所述電鑄膜剝離所述基板和所述圖案化的電極層，得到掩膜板。

優(yōu)選的，所述電鑄膜與所述基板之間的附著力小于5mpa。

優(yōu)選的，所述電鑄膜與所述基板之間的附著力小于0.1mpa。

優(yōu)選的，所述電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于1mpa。

優(yōu)選的，所述基板的材料為玻璃或塑料。

優(yōu)選的，所述基板的表面粗糙度小于0.5μm。

優(yōu)選的，所述掩膜板的表面粗糙度小于0.5μm。

優(yōu)選的，所述電鑄膜的側(cè)向生長速度與其縱向生長速度相同。

優(yōu)選的，所述掩膜板上開口的寬度為w，所述掩膜板的厚度為d，位于所述掩膜板上開口兩側(cè)的所述電極層上兩個(gè)電極的間距為l，則l＝w+2d。

優(yōu)選的，所述電鑄工藝的電流密度為0.03a/㎡，電鑄液的溫度在35℃～40℃以內(nèi)，電鑄液的ph值為2.5～3.5；或者所述電鑄工藝的電流密度為0.05a/㎡，電鑄液的溫度在45℃～50℃以內(nèi)，電鑄液的ph值為3.5～4.5。

優(yōu)選的，所述電鑄膜的厚度為10μm，大小為10cm×10cm，所述電鑄工藝的電鑄時(shí)間為5min～8min。

優(yōu)選的，所述電極的寬度在3μm～5μm以內(nèi)。

優(yōu)選的，所述電極的厚度小于0.5μm。

優(yōu)選的，所述電極層的材料為軟金屬、石墨烯、導(dǎo)電聚合物、或透明金屬氧化物。

優(yōu)選的，所述軟金屬為布氏硬度在20hv～58hv以內(nèi)的金屬，所述軟金屬材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于1mpa。

優(yōu)選的，所述軟金屬為金、銀、錫、鉛、鎂、或銦。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電聚合物為含有共軛π鍵的高分子聚合物，所述導(dǎo)電聚合物材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于0.1mpa。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電聚合物為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、或聚雙炔。

優(yōu)選的，所述透明金屬氧化物為氧化銦錫ito、氧化銦鋅izo、氧化銻錫ato、或氧化鋁鋅azo，所述透明金屬氧化物材料的電極與電鑄膜之間的附著力在0.05mpa～0.1mpa以內(nèi)。

優(yōu)選的，所述石墨烯材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力在0.5mpa～1mpa以內(nèi)。

優(yōu)選的，所述電鑄膜的材料為鎳、鎳鈷合金、或鐵鎳合金。

優(yōu)選的，所述電極層的材料為軟金屬、導(dǎo)電聚合物、或透明金屬氧化物時(shí)，所述在所述基板上形成圖案化的電極層具體為：

采用濺射工藝或電沉積工藝，在所述基板上形成電極層；

采用光刻和刻蝕工藝，在所述電極層上形成多個(gè)開口，得到所述多個(gè)電極。

優(yōu)選的，所述電極層的材料為石墨烯時(shí)，所述在所述基板上形成圖案化的電極層具體為：

采用旋涂工藝或化學(xué)氣相沉積工藝，在所述基板上形成所述電極層；

采用光刻和刻蝕工藝，在所述電極層上形成多個(gè)開口，得到所述多個(gè)電極。

本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種采用以上所述的掩膜板制作方法制作而成的掩膜板。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板制作方法，基板選用絕緣材料，之后在基板上形成圖案化的電極層，在電極層上電鑄得到電鑄膜，之后采用機(jī)械剝離工藝，剝離電鑄膜，得到掩膜板。由于基板材料的調(diào)整，使得電鑄膜與基板之間的附著力小于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬材料基板與電鑄膜間的附著力，從而在一定程度上提高了掩膜板的良率，從根本上解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板制作方法的流程圖；

圖2-圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板制作方法的各步驟剖面圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)所述，采用現(xiàn)有技術(shù)中的方法制得的掩膜板的良率較低，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)這種問題的原因在于，由于高精度掩膜板的厚度很薄，約在5μm-15μm之間，并且掩膜板內(nèi)有大量的開口，在這種情況下，再采用機(jī)械剝離工藝，將電鑄膜從基板上直接剝離下來，由于電鑄膜與基板之間具有一定的附著力，機(jī)械剝離電鑄膜的過程中極易損壞電鑄膜，導(dǎo)致掩膜板的良率降低。

并且，現(xiàn)有技術(shù)中多采用不銹鋼等金屬材料作為基板，而電鑄膜的材料也多為金屬或合金，基板材料和電鑄膜的材料屬性相近，導(dǎo)致二者間的附著力較大，因此，采用機(jī)械剝離的方式必然容易導(dǎo)致電鑄膜的損壞。

基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板制作方法，包括以下步驟：

提供基板，所述基板的材料為絕緣材料；

在所述基板上形成圖案化的電極層，所述電極層上具有多個(gè)電極，所述電極層的材料為導(dǎo)電材料；

采用電鑄工藝，在所述電極層上形成電鑄膜；

采用機(jī)械剝離工藝，將所述電鑄膜剝離所述電極層，得到掩膜板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板制作方法，基板選用絕緣材料，之后在基板上形成圖案化的電極層，在電極層上電鑄得到電鑄膜，之后采用機(jī)械剝離工藝，剝離電鑄膜，得到掩膜板。由于基板材料的調(diào)整，使得電鑄膜與基板之間的附著力小于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬材料基板與電鑄膜間的附著力，從而在一定程度上提高了掩膜板的良率，從根本上解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板制作方法，該方法的流程圖如圖1所示，各步驟的剖面圖如圖2-圖7所示，各步驟的具體說明如下。

步驟s1：參見圖2，提供基板11，所述基板11的材料為絕緣材料。

本實(shí)施例中的掩膜板的材料優(yōu)選為鎳、鎳鈷合金、或鐵鎳合金。與現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬導(dǎo)電基板不同，本實(shí)施例中的基板11的材料為絕緣材料，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中的絕緣材料與金屬電鑄膜之間的附著力，小于不銹鋼等金屬基板與電鑄膜之間的附著力。

需要說明的是，為了進(jìn)一步驗(yàn)證本發(fā)明實(shí)施例的效果，本實(shí)施例中優(yōu)選采用中國國家標(biāo)準(zhǔn)gb5210-85《涂層附著力的測定法-拉開法》中規(guī)定的方法，來測量基板與電鑄膜之間的附著力，以及電鑄膜與電極之間的附著力。具體的，拉開法所測定的附著力是指在規(guī)定的速度下，在試樣的膠結(jié)面上施加垂直、均勻的拉力，以測定涂層間或涂層與底材間附著破壞時(shí)所需的力。當(dāng)然，本實(shí)施例中還可以采用其他方法來測定基板與電鑄膜之間的附著力，以及電鑄膜與電極之間的附著力，本實(shí)施例中對此不做限定。

經(jīng)實(shí)際測量發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬基板與電鑄膜直接接觸時(shí)，二者之間的附著力在5mpa～10mpa之間，而本實(shí)施例中的基板與電鑄膜接觸時(shí)，二者之間的附著力小于5mpa，更優(yōu)選的，電鑄膜與基板之間的附著力小于0.1mpa。基于此，本實(shí)施例中的基板材料優(yōu)選為玻璃或塑料。以塑料基板為例，可選用聚乙烯、聚丙烯等材質(zhì)的塑料基板。

步驟s2：如圖2所示，在基板11上形成電極層12。該電極層12的材料為導(dǎo)電材料，根據(jù)電極層12材料的不同，形成電極層12的方式不同。

現(xiàn)有技術(shù)中的基板的材料為不銹鋼等金屬導(dǎo)電材料，因此，可以將基板作為電極，直接在基板上電鑄掩膜板材料，但是如以上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的基板與電鑄膜間的附著力過大，導(dǎo)致機(jī)械剝膜過程損傷掩膜板。因此本實(shí)施例中選用絕緣的基板材料，絕緣材料的基板與電鑄膜間的附著力，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中的金屬基板與電鑄膜間的附著力，絕緣材料的基板并不能作為電鑄過程的電極，因此，為了滿足電鑄工藝需求，需在絕緣材料的基板上設(shè)置導(dǎo)電的電極。

步驟s3：參見圖3-圖5，采用光刻和刻蝕工藝，對電極層12進(jìn)行圖案化，得到圖案化的電極層，所述圖案化的電極層上具有多個(gè)電極14。

需要說明的是，為了滿足機(jī)械剝離工藝的需求，本實(shí)施例中形成的電極14與電鑄膜之間的附著力優(yōu)選小于或等于1mpa。

本實(shí)施例中為了滿足電極14與電鑄膜間附著力的需求，電極層12的材料可以為軟金屬、石墨烯、導(dǎo)電聚合物、或透明金屬氧化物。

其中，本實(shí)施例中的軟金屬為布氏硬度在20hv～58hv以內(nèi)的金屬，經(jīng)測量，軟金屬材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于1mpa。優(yōu)選的，本實(shí)施例中的軟金屬可以為金、銀、錫、鉛、鎂、或銦。

本實(shí)施例中的導(dǎo)電聚合物為含有共軛π鍵的高分子聚合物，經(jīng)測量，導(dǎo)電聚合物材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于0.1mpa。優(yōu)選的，本實(shí)施例中的導(dǎo)電聚合物為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、或聚雙炔。

本實(shí)施例中的透明金屬氧化物為氧化銦錫ito、氧化銦鋅izo、氧化銻錫ato、或氧化鋁鋅azo。經(jīng)測量，本實(shí)施例中的透明金屬氧化物材料的電極與電鑄膜之間的附著力在0.05mpa～0.1mpa以內(nèi)。

當(dāng)電極層12的材料為軟金屬、導(dǎo)電聚合物、或透明金屬氧化物時(shí)，在基板11上形成電極層12的方式可以為，采用濺射工藝或電沉積工藝，在基板11上形成電極層12。

當(dāng)電極層的材料為石墨烯時(shí)，在基板11上形成電極層12的方式可以為，采用旋涂工藝或化學(xué)氣相沉積工藝，在基板11上形成所述電極層12。其中，經(jīng)測量，石墨烯材料的電極與電鑄膜之間的附著力在0.5mpa～1mpa以內(nèi)。

形成電極層12后，對電極層12圖案化的過程具體為：

首先，如圖3所示，先在電極層12上旋涂光刻膠層，之后采用具有所述多個(gè)電極14圖形的掩膜板對該光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，在該光刻膠層上形成電極圖形13；

之后如圖4所示，以具有多個(gè)電極圖形的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕或濕法腐蝕工藝，去除未被光刻膠層覆蓋的電極層材料，在所述電極層12上形成多個(gè)開口15，從而得到多個(gè)電極14；

最后，如圖5所示，去除光刻膠層，得到圖案化的電極層，多個(gè)電極14暴露于基板11表面上。

步驟s4：得到圖案化的電極層之后，參見圖6，采用電鑄工藝，在所述電極層上形成電鑄膜16。本實(shí)施例中的電鑄膜16的材料優(yōu)選為鎳、鎳鈷合金、或鐵鎳合金。

需要說明的是，電鑄膜16的形成過程中，多個(gè)電極14即作為電鑄過程的一個(gè)電極，電鑄膜材料吸附于電極14上。電鑄過程中，各個(gè)方向電鑄得到的電鑄材料的厚度是相同的，即電鑄膜的側(cè)向生長速度與其縱向生長速度相同。

基于此，可以根據(jù)掩膜板上的開口寬度確定電極14的寬度以及兩個(gè)電極14間的開口寬度。具體的，如圖5和6所示，掩膜板(即電鑄膜16，下同)上開口的寬度為w，掩膜板的厚度為d，則位于掩膜板上開口兩側(cè)的所述電極層上兩個(gè)電極14的間距為l，則l＝w+2d。

并且，由于電鑄膜材料是圍繞電極14生長的，且電鑄過程各個(gè)方向的生長速度均勻，因此，最終得到的電鑄膜16表面并非完全平整的，而是存在一些凸起和凹陷區(qū)域，即電鑄膜16表面具有一定的粗糙度，為了不影響掩膜板的正常使用，本實(shí)施例中優(yōu)選電鑄膜16的表面粗糙度小于0.5μm，即將電鑄膜16剝離基板和電極后得到的掩膜板的表面粗糙度小于0.5μm，也就是說，掩膜板表面凸起區(qū)域的頂點(diǎn)與凹陷區(qū)域的最低點(diǎn)之間的垂直距離小于0.5μm。

同樣的，為了確保掩膜板的質(zhì)量，本實(shí)施例中的基板11的表面粗糙度同樣要求小于0.5μm，可通過前期對基板表面進(jìn)行打磨，以滿足基板表面粗糙度的要求。

為了滿足電鑄膜粗糙度的要求，電極14的寬度和厚度應(yīng)設(shè)置的盡量小，本實(shí)施例中電極14的寬度優(yōu)選在3μm～5μm以內(nèi)，電極14的厚度小于0.5μm。

本實(shí)施例中對電鑄工藝參數(shù)并不做具體限定，只要能夠滿足電鑄膜的生長需要即可。舉例來說，本實(shí)施例中電鑄工藝的電流密度為0.03a/㎡，電鑄液的溫度在35℃～40℃以內(nèi)，電鑄液的ph值為2.5～3.5；或者所述電鑄工藝的電流密度為0.05a/㎡，電鑄液的溫度在45℃～50℃以內(nèi)，電鑄液的ph值為3.5～4.5。以電鑄膜16的厚度為10μm，大小為10cm×10cm為例，形成該電鑄膜16，在以上電鑄液的參數(shù)設(shè)置下，所需的電鑄工藝的電鑄時(shí)間為5min～8min。

步驟s5：如圖7所示，采用機(jī)械剝離工藝，將所述電鑄膜16剝離基板11和電極14，得到掩膜板17。

本實(shí)施例中的基板11與電鑄膜16之間的附著力遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬基板與電鑄膜之間的附著力，并且，本實(shí)施例中的電極14電鑄膜16之間的附著力也遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬基板與電鑄膜之間的附著力，因此，在采用機(jī)械剝離工藝，剝離電鑄膜16時(shí)，對電鑄膜16的損傷大大減小了，提高了掩膜板17的良率。

并且，由于電極與電鑄膜接觸的區(qū)域非常小，進(jìn)行機(jī)械剝離時(shí)，所需的力也很小，因此，在一定程度上，電極與電鑄膜之間的附著力可以稍大于基板與電鑄膜之間的附著力，在機(jī)械剝離電鑄膜時(shí)，也不會(huì)將電極剝離基板，本實(shí)施例中基板、電極、電鑄膜的材料選擇，需滿足在機(jī)械剝離電鑄膜時(shí)，不會(huì)將電極剝離基板的要求。

本實(shí)施例中還可以通過緩慢增加機(jī)械脫模力的方式，進(jìn)一步的減小機(jī)械剝離電鑄膜時(shí)，損壞電鑄膜的風(fēng)險(xiǎn)，以提高掩膜板的良率。

本發(fā)明是實(shí)施例還公開了一種采用以上實(shí)施例中的掩膜板制作方法制作而成的掩膜板。

本發(fā)明實(shí)施例公開的掩膜板及其制作方法，通過調(diào)整基板的材料，以及電極的材料，減小基板與電鑄膜之間以及電極與電鑄膜之間的附著力，使得電鑄膜與基板之間的附著力，以及電極與電鑄膜之間的附著力，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中的不銹鋼等金屬材料基板與電鑄膜間的附著力，減小了機(jī)械剝離電鑄膜過程中對電鑄膜的損傷，從而在一定程度上提高了掩膜板的良率，從根本上解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

舉例來說，本實(shí)施例中的掩膜板及其制作方法，可用于oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)電激光顯示)顯示面板或lcd顯示面板等制作過程中使用的高精度掩膜板。但本實(shí)施例對該掩膜版及其制作方法的應(yīng)用范圍不做限制。

本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。