寬度為20 μ m的試驗(yàn)片（以下，稱為試驗(yàn)片20 μ m)，除此以外，根據(jù) "JISC-5016-1994" 進(jìn)行評價(jià)。
[0270] 耐折性試驗(yàn)前后的電鍍銅層的結(jié)晶取向通過X射線衍射使用Wilson取向度指數(shù) 進(jìn)行測定。
[0271] 對于金屬層疊體，通過EBSD法測定銅結(jié)晶的方位和方位比率。將其測定結(jié)果區(qū)分 為從樹脂U旲基板表面?zhèn)鹊経旲厚0. 4 μ m為止的范圍和?旲厚超過0. 4 μ m的范圍進(jìn)行解析。
[0272] 第一實(shí)施例中使用的電子背散射衍射法（EBSD)的測定條件如下所示。
[0273] [電子背散射衍射法（EBSD)的測定條件]
[0274] 作為衍射裝置，使用Oxford Instruments公司制（HKL Channel 5)，以加速電壓： 15kV、測定步驟：0.05 μ m的條件進(jìn)行測定。另外，晶粒的（111)面取向的比例通過沿（111) 面的法線方向±15°的范圍取向的晶粒在測定范圍的面積占有率計(jì)算。
[0275] 通過移除法進(jìn)行的配線加工中所使用的蝕刻液為氯化鐵水溶液（比重1. 35,溫度 45。。）。
[0276] [第一實(shí)施例中的實(shí)施例1]
[0277] 濺射氣體（濺射氣氛）設(shè)為I. 3Pa的氬和5體積％氮的混合氣體。
[0278] 將銅層中從銅薄膜層表面到膜厚1. 5 μ m的范圍成膜的陽極24a?24f的電流密 度設(shè)為lA/dm2以下，結(jié)果，金屬層疊體的從樹脂膜基板表面到0. 4 μ m為止的膜厚范圍中的 通過電子背散射衍射法（EBSD)測得的結(jié)晶的111方位的結(jié)晶比例OR111相對于001方位的 結(jié)晶比例 ORqqi 之比（OR111A)Rqqi)為 〇· 7。
[0279] 為了從電鍍銅層4的表面到10%的膜厚范圍為止使用PR電流進(jìn)行電鍍，在陽極 24t流過PR電流，制作實(shí)施例1的兩層撓性配線用基板。將此時(shí)的負(fù)電流時(shí)間比例設(shè)為 10%，得到鍍敷膜。
[0280] MIT耐折性試驗(yàn)前的電鍍銅層的（111)結(jié)晶取向度指數(shù)為1. 34。
[0281] 對于MIT耐折性試驗(yàn)前后的由X射線取向度指數(shù)表示的結(jié)晶取向比[(200)/ (111)]之差為0. 04的實(shí)施例1的MIT耐折性樣品，配線寬度為Imm的試驗(yàn)片中為895次、 試驗(yàn)片50 μ m中為78次、試驗(yàn)片20 μ m中為50次，即得到了良好的結(jié)果。
[0282] 其蝕刻因子，試驗(yàn)片50 μ m中為6. 3,試驗(yàn)片20 μ m中也為6. 3。
[0283] [第一實(shí)施例中的實(shí)施例2]
[0284] 除了將濺射氣氛設(shè)為氬和1體積％的氮的混合氣體以外，與實(shí)施例1同樣地制作 兩層撓性配線用基板。金屬層疊體的從樹脂膜基板表面到0. 4 μ m為止的膜厚范圍的通過 電子背散射衍射法（EBSD)得到的結(jié)晶的111方位的結(jié)晶比例OR111相對于001方位的結(jié)晶 比例 ORqqi 之比（〇Rm/〇RQQ1)為 3. 3。
[0285] MIT耐折性試驗(yàn)前的電鍍銅層的（111)結(jié)晶取向度指數(shù)為1. 34。
[0286] 對于MIT耐折性試驗(yàn)前后的由X射線取向度指數(shù)表示的結(jié)晶取向比[(200)/ (111)]之差為0. 04的實(shí)施例2的MIT耐折性樣品，配線寬度為Imm的試驗(yàn)片中為851次、 試驗(yàn)片50 μ m中為69次、試驗(yàn)片20 μ m中為45次，即得到了良好的結(jié)果。
[0287] 其蝕刻因子，試驗(yàn)片50 μ m中為5. 3,試驗(yàn)片20 μ m中為5. 5。
[0288] (第一實(shí)施例的比較例1)
[0289] 除了濺射氣氛僅使用氬氣以外，與實(shí)施例1同樣地制作兩層撓性配線用基板。
[0290] 通過電子背散射衍射法（EBSD)測得的結(jié)晶的111方位的結(jié)晶比例OR111相對于 001方位的結(jié)晶比例OR qqi之比（OR111A)Rqqi)為7. 3。
[0291] MIT耐折性試驗(yàn)前的電鍍銅層的（111)結(jié)晶取向度指數(shù)為1. 20。
[0292] MIT耐折性試驗(yàn)前后的由X射線取向度指數(shù)表示的結(jié)晶取向比[(200V(111)]之 差為0. 03。
[0293] 顯示上述特性的比較例1的樣品的耐折性，配線寬度為Imm的試驗(yàn)片中顯示541 次，試驗(yàn)片50 μ m中顯示27次，試驗(yàn)片20 μ m中顯示20次，S卩，顯示出配線寬度為50 μ m以 下時(shí)不工作的結(jié)果，很明顯，是比本發(fā)明的實(shí)施例1差的結(jié)果。
[0294] 其蝕刻因子，試驗(yàn)片50 μ m中為3. 9,試驗(yàn)片20 μ m中為4. 1。
[0295] 表1匯總示出了配線寬度為20 μ m、50 μ m的第一實(shí)施例的實(shí)施例、第一實(shí)施例的 比較例中的配線形狀（底部寬度B、頂部寬度T、銅膜厚C)、濺射氣氛、計(jì)算出的蝕刻因子F e 和MIT耐折性試驗(yàn)結(jié)果。
[0296] [表 1]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 兩層撓性配線用基板，其是在樹脂膜基板表面上不經(jīng)由粘合劑而設(shè)置含鎳合金的基 底金屬層、和在上述基底金屬層的表面上設(shè)置具有銅層的金屬層疊體的配線的兩層撓性配 線用基板，其特征在于， 通過電子背散射衍射法測得的上述金屬層疊體中的從上述樹脂膜基板表面到0.4μπι 為止的范圍內(nèi)所含結(jié)晶的111方位的結(jié)晶比例OR111相對于OOl方位的結(jié)晶比例ORwi之比 ORm/ORcm 為 7 以下， 上述銅層的（111)結(jié)晶取向度指數(shù)為1. 2以上，且 在抗折性試驗(yàn)實(shí)施前后得到的上述銅層的結(jié)晶取向比（200V(111)之差d[(200)/ (111)]為 0· 03 以上。
2. 權(quán)利要求1所述的兩層撓性配線用基板，其特征在于，上述基底金屬層的膜厚為 3nm ?50nm〇
3. 權(quán)利要求1或2所述的兩層撓性配線用基板，其特征在于，上述銅層的膜厚為 5 μ m ~ 12 μ m。
4. 權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的兩層撓性配線用基板，其特征在于，上述銅層由成膜于 上述基底金屬層表面的銅薄膜層和通過電鍍銅而成膜于上述銅薄膜層表面的電鍍銅層構(gòu) 成，上述電鍍銅層通過從其表面沿上述樹脂膜基板方向于膜厚的10%以上的厚度范圍內(nèi)， 通過利用周期性進(jìn)行短時(shí)間電位反轉(zhuǎn)的周期反向電流的電鍍銅而形成。
5. 權(quán)利要求4所述的兩層撓性配線用基板，其特征在于，上述基底金屬層和上述銅薄 膜層通過干式鍍敷法形成。
6. 權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的兩層撓性配線用基板，其特征在于，上述樹脂膜基板為 選自聚酰亞胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙 二醇酯系膜、液晶聚合物系膜的至少一種以上的樹脂膜。
7. 權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的兩層撓性配線用基板的制造方法，該方法在樹脂膜基 板表面上不經(jīng)由粘合劑而通過干式鍍敷法成膜基底金屬層和在上述基底金屬層的表面成 膜銅薄膜層，且在上述銅薄膜層的表面通過電鍍銅法成膜電鍍銅膜，其特征在于， 利用上述干式鍍敷法成膜時(shí)的氣氛為氬氮混合氣體， 上述電鍍銅層通過從上述電鍍銅層的表面沿上述樹脂膜基板方向于上述電鍍銅層膜 厚的10%以上的厚度范圍內(nèi)，通過利用周期性進(jìn)行短時(shí)間電位反轉(zhuǎn)的周期反向電流的電鍍 銅法而形成。
8. 兩層撓性配線板，其是在樹脂膜基板表面上不經(jīng)由粘合劑而設(shè)置含鎳合金的基底金 屬層、和在上述基底金屬層的表面上設(shè)置具有銅層的金屬層疊體的配線的撓性配線板，其 特征在于， 通過電子背散射衍射法測得的上述金屬層疊體中的從上述樹脂膜基板表面到〇. 4μ m 為止的范圍內(nèi)所含結(jié)晶的111方位的結(jié)晶比例OR111相對于001方位的結(jié)晶比例ORwi之比 (OR 111A)Rcm)為 7 以下， 上述銅層的（111)結(jié)晶取向度指數(shù)為1. 2以上，且 在抗折性試驗(yàn)實(shí)施前后得到的上述銅層的結(jié)晶取向比（200V(111)之差d[(200)/ (111)]為 0· 03 以上。
9. 權(quán)利要求8所述的兩層撓性配線板，其特征在于，上述基底金屬層的膜厚為3nm? 50nm〇
10. 權(quán)利要求8或9所述的兩層撓性配線板，其特征在于，上述銅層的膜厚為5 μ m? 12 μ m〇
11. 權(quán)利要求8?10任一項(xiàng)所述的兩層撓性配線板，其特征在于，上述銅層由成膜于上 述基底金屬層表面的銅薄膜層和成膜于上述銅薄膜層表面的電鍍銅層構(gòu)成，上述電鍍銅層 通過從其表面沿上述樹脂膜基板方向于膜厚的10%以上的厚度范圍內(nèi)，通過利用周期性進(jìn) 行短時(shí)間電位反轉(zhuǎn)的周期反向電流的電鍍銅而形成。
12. 權(quán)利要求11所述的兩層撓性配線板，其特征在于，上述基底金屬層和上述銅薄膜 層通過干式鍍敷法形成。
13. 權(quán)利要求8?12任一項(xiàng)所述的兩層撓性配線板，其特征在于，上述樹脂膜基板為選 自聚酰亞胺系膜、聚酰胺系膜、聚酯系膜、聚四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二 醇酯系膜、液晶聚合物系膜的至少一種以上的樹脂膜。
14. 權(quán)利要求8?13任一項(xiàng)所述的兩層撓性配線板的制造方法，該方法在樹脂膜基板 表面上不經(jīng)由粘合劑而通過干式鍍敷法成膜基底金屬層和在上述基底金屬層的表面成膜 銅薄膜層，且在上述銅薄膜層的表面通過電鍍銅法成膜電鍍銅膜，其特征在于， 利用上述干式鍍敷法成膜時(shí)的氣氛為氬氮混合氣體， 上述電鍍銅層通過從上述電鍍銅層的表面沿上述樹脂膜基板方向于上述電鍍銅層膜 厚的10%以上的厚度范圍內(nèi)，通過利用周期性進(jìn)行短時(shí)間電位反轉(zhuǎn)的周期反向電流的電鍍 銅法而形成。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種耐折性優(yōu)異的兩層撓性配線用基板和撓性配線板及其制造方法、以及兩層撓性配線板及其制造方法。具體地，本發(fā)明提供兩層撓性配線用基板或兩層撓性配線板，其是在樹脂膜基板表面上不經(jīng)由粘合劑而設(shè)置含鎳合金的基底金屬層、和在該基底金屬層的表面上設(shè)置具有銅層的金屬層疊體的配線的兩層撓性配線用基板或兩層撓性配線板，其特征在于，通過電子背散射衍射法測得的金屬層疊體中的從樹脂膜基板表面到0.4μm為止的范圍內(nèi)所含結(jié)晶的111方位的結(jié)晶比例OR111相對于001方位的結(jié)晶比例OR001之比(OR111/OR001)為7以下，銅層的(111)結(jié)晶取向度指數(shù)為1.2以上，且在耐折性試驗(yàn)(JIS？C-5016-1994規(guī)定的耐折性試驗(yàn))實(shí)施前后得到的銅層的結(jié)晶取向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]為0.03以上。
【IPC分類】C25D7-12, C23F17-00, H05K1-09, H05K1-03, C23C26-00, H05K3-18, C25D5-18
【公開號】CN104562121
【申請?zhí)枴緾N201410571305
【發(fā)明人】竹之內(nèi)宏, 野口雅司, 西山芳英, 島村富雄, 鴻上政士, 秦宏樹
【申請人】住友金屬礦山株式會社
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年10月23日