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      一種鉬基體上金屬鍍層的制備方法_3

      文檔序號(hào):8278013閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      r> (I)、鑰基體表面的氧化膜的清除
      ①、鑰基體表面除油
      將鑰基體置于丙酮中,超聲輔助清洗30min,然后用無(wú)水乙醇清洗;
      所述的鑰基體為2cm*5cm的鑰箔;
      ②、陽(yáng)極電解
      以除油后的鑰基體為陽(yáng)極,鉛板為陰極,在陽(yáng)極電解液中控制電流密度為22A/dm2進(jìn)行電解lmin,然后用去離子水清洗干凈;
      所述陽(yáng)極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:
      硫酸3g 鉻酐280g
      余量為水;
      ③、陰極電解
      將陽(yáng)極電解后的鑰基體作為陰極,鉛板為陽(yáng)極,在陰極電解液中控制電流密度為22A/dm2進(jìn)行陰極電解2min,電解完后用去離子水清洗,即完成了鑰基體表面的氧化膜的清除;所述的陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:
      硫酸70g
      余量為水;
      (2)、電鍍
      將步驟(I)中鑰基體表面的氧化膜清除后的鑰基體作為陰極,鉛板為陽(yáng)極,在電鍍液I控制電流密度為22A/dm2,進(jìn)行電鍍30min,即在鑰基體表面形成銀白色的金屬鉻電鍍層;所述的電鍍液1,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:
      硫酸2.5g
      鉻酐250g
      三價(jià)鉻Ig
      余量為水;
      將上述所得的表面具有銀白色的金屬鉻電鍍層在電鍍液2中控制電流密度為lA/dm2,進(jìn)行電鍍8min,即在銀白色的金屬鉻電鍍層的表面形成紅色的金屬銅電鍍層;
      所述的電鍍液2,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:
      硫酸60g
      硫酸銅200g
      余量為水。
      [0029]結(jié)合力測(cè)試結(jié)果表明,膠帶撕扯后,無(wú)脫皮,折斷后,邊緣不起皮、鍍層不脫落。
      [0030]采用日本Hitachi (日立)S-3400N掃描電子顯微鏡對(duì)上述所得的金屬鍍層進(jìn)行掃描,所得的SEM圖如圖3所示,從圖3中可以看出在電鍍鉻層上,實(shí)現(xiàn)了電鍍銅層的電鍍,得到了立方塊狀銅晶粒,該晶粒細(xì)致、緊密、均勻。由此表明鑰基體上成功電鍍其他金屬之后可以繼續(xù)實(shí)現(xiàn)另一種金屬的電鍍。
      [0031]以上僅以在鑰基體上制備金屬鉻鍍層、金屬銅鍍層、制備完金屬鉻鍍層后再在金屬鉻鍍層上制備金屬銅鍍層為例進(jìn)行說(shuō)明,但并不限制本發(fā)明的制備方法用于在鑰基體上形成其他金屬鍍層的應(yīng)用,其區(qū)別僅在于通過(guò)調(diào)整制備過(guò)程步驟(2)中的電鍍液中的金屬鹽并采用鉛板或與被鍍金屬材質(zhì)相同的金屬板為陽(yáng)極進(jìn)行電鍍即可。
      [0032]以上所述僅是本發(fā)明的實(shí)施方式的舉例,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和變型,這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于具體包括如下步驟: (1)、鑰基體表面的氧化膜的清除 ①、鑰基體表面除油 將鑰基體置于丙酮或溫度為80-90°C、濃度為110g/L的氫氧化鈉水溶液中,超聲輔助清洗30min,然后用無(wú)水乙醇清洗; ②、陽(yáng)極電解 以除油后的鑰基體為陽(yáng)極,鉛板為陰極,在陽(yáng)極電解液中控制電流密度為10-22A/dm2進(jìn)行電解l_2min,然后用去離子水清洗干凈; 所述陽(yáng)極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸0_300g 鉻酐0-300g 余量為水; ③、陰極電解 將陽(yáng)極電解后的鑰基體作為陰極,鉛板為陽(yáng)極,在陰極電解液中控制電流密度為10-22A/dm2進(jìn)行陰極電解2-5min,電解完后用去離子水清洗,即完成了鑰基體表面的氧化膜的清除; 所述的陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸30-100g 余量為水; (2)、電鍍 將步驟(I)中表面氧化膜清除后的鑰基體作為陰極,采用鉛板或與待鍍金屬層材質(zhì)相同的金屬板為陽(yáng)極,在電鍍液中控制電流密度為l_22A/dm2進(jìn)行電鍍5-40min,即在鑰基體表面形成金屬鍍層; 所述的電鍍液中,含有待鍍金屬。
      2.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于步驟(I)中②所述陽(yáng)極電解液中,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸3-50g 鉻酐50-280g 余量為水; 步驟(I)中③所述陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸40-70g 余量為水。
      3.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于: 步驟(I)中的②: 所述陽(yáng)極電解液中,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸300g 余量為水; 電解過(guò)程控制電流密度為ΙΟΑ/dm2進(jìn)行電解2min ; 步驟(I)中的③:所述陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:硫酸30g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為ΙΟΑ/dm2進(jìn)行電解5min。
      4.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于:步驟(I)中的②:所述陽(yáng)極電解液中,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:硫酸120g鉻酐50g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為15A/dm2進(jìn)行電解1.5min ;步驟(I)中的③:所述陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:硫酸10g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為15A/dm2進(jìn)行電解3min。
      5.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于:步驟(I)中的②:所述陽(yáng)極電解液中,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:硫酸50g鉻酐280g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為20A/dm2進(jìn)行電解1.0min ;步驟(I)中的③:所述陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:硫酸40 g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為18A/dm2進(jìn)行電解4min。
      6.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于:步驟(I)中的②:所述陽(yáng)極電解液中,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:鉻酐300g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為22A/dm2進(jìn)行電解1.0min ;步驟(I)中的③:所述陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下:硫酸70g余量為水;電解過(guò)程控制電流密度為20A/dm2進(jìn)行電解2min。
      7.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于: 步驟(I)中的②: 所述陽(yáng)極電解液中,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸3g 鉻酐280g 余量為水; 電解過(guò)程控制電流密度為22A/dm2進(jìn)行電解Imin ; 步驟(I)中的③: 所述陰極電解液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸70g 余量為水; 電解過(guò)程控制電流密度為22A/dm2進(jìn)行電解2min。
      8.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于步驟(2)中所述的電鍍液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸60g 硫酸銅200g 余量為水。
      9.如權(quán)利要求1所述的一種鑰基體上金屬鍍層的制備方法,其特征在于步驟(2)中所述的電鍍液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 所述的電鍍液,按每升計(jì)算,其組成及含量如下: 硫酸2.5g 鉻酐250g 三價(jià)鉻Ig 余量為水。
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種鉬基體上金屬鍍層的制備方法,首先對(duì)鉬基體表面除油,然后以除油后的鉬基體為陽(yáng)極,鉛板為陰極,在陽(yáng)極電解液中控制電流密度為10-22A/dm2進(jìn)行電解;然后再將陽(yáng)極電解后的鉬基體作為陰極,鉛板為陽(yáng)極,在陰極電解液中控制電流密度為10-22A/dm2進(jìn)行陰極電解以去除鉬基體表面的氧化膜;最后將表面的氧化膜清除后的鉬基體作為陰極,采用鉛板或與待鍍金屬層材質(zhì)相同的金屬板為陽(yáng)極,在電鍍液中控制電流密度為1-22A/dm2進(jìn)行電鍍5-40min,即在鉬基體表面形成金屬鍍層。本發(fā)明的制備方法所得的金屬鍍層與鉬基體之間的結(jié)合力強(qiáng)。
      【IPC分類(lèi)】C25F3-02, C25D5-24
      【公開(kāi)號(hào)】CN104593842
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510006640
      【發(fā)明人】萬(wàn)傳云, 張?zhí)鹛? 何云慶
      【申請(qǐng)人】上海應(yīng)用技術(shù)學(xué)院, 江蘇澳光電子有限公司
      【公開(kāi)日】2015年5月6日
      【申請(qǐng)日】2015年1月7日
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