所述酸中和的具體工藝要求為:將功率半導(dǎo)體器件引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進行中和，硫酸溶液濃度為0.5?1.5g/L，中和時間為6?10S。
[0024]所述銅保護的具體工藝要求為:將功率半導(dǎo)體器件引線框架導(dǎo)入保護液中進行浸泡附上銅保護膜，所述保護液中銅保護劑的濃度為0.5?1.5ml/L，保護液的pH值為5?7，溫度20?40 °C，浸泡時間為10?20S。
[0025]所述烘干的具體工藝要求為:烘干的溫度120?140°C，時間為15?25S。
[0026]現(xiàn)有技術(shù)的鍍銅的工藝規(guī)范為:氰化亞銅30±10g/L、氫氧化鉀20±5g/L、酒石酸鉀鈉30±5g/L，陽極:電解銅板；本發(fā)明的鍍銅工藝規(guī)范為:氰化亞銅40±10g/L、氫氧化鉀 10±5g/L、酒石酸鉀鈉 20 ±5g/L、錫酸鈉 10 ±5g/L，Copper Glo Brightener 38:1.0 ?2.0ml/L，所述Copper Glo Brightener 38為羅門哈斯公司生產(chǎn)的堿銅補充劑，三乙醇胺15±5g/L，陽極:電解銅板；現(xiàn)有技術(shù)的鍍銅工藝沒有引入錫酸鈉，只鍍銅，在沾錫時，銅層與錫的濕潤性不好，經(jīng)常出現(xiàn)縮錫和空洞的不良。而本發(fā)明的產(chǎn)品表面是銅錫復(fù)合鍍層，與錫的濕潤性和可焊性都很好，解決了以往存在的質(zhì)量問題。由于添加了銅補充劑、三乙醇胺，鍍層結(jié)晶更細致，降低了鍍層中夾雜的其他金屬雜質(zhì)含量，并且改善產(chǎn)品功能區(qū)的鍍層均勻性，確保鍍層的可焊性。
[0027]下面結(jié)合實施例對發(fā)明作進一步的描述，所描述的實施例僅僅是發(fā)明一部分實施例，并不是全部的實施例。基于發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的其他所用實施例，都屬于發(fā)明的保護范圍。
[0028]實施例1
本實施例包括如下工藝步驟:
A、進行超聲波除油:將功率半導(dǎo)體引線框架引導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進行超聲波除油，利用聲波振動使表面覆著的油污疏松脫落，以除去基體表面在沖壓時殘留的油脂。超聲波脫脂劑溫度為50°C (攝氏度)，超聲波脫脂劑溶度為50g/L (克每升)，超聲波除油時間1S(秒
[0029]B、進行電解除油:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進行電解除油，利用電解時表面析出氫氣使表面覆著的油污脫落，以除去基體表面在沖壓時殘留的油脂。溫度為55°C，電解除油劑的濃度為55g/L，時間10S。
[0030]C、進行硫酸中和活化:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進行酸洗，以中和除去基體表面堿性物質(zhì)并對基體表面的氧化層進行還原反應(yīng)。硫酸溶液濃度是5g/L，酸洗時間是12S。
[0031]進行電鍍銅:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進行電鍍銅，所述電鍍液各組份的含量具體是:氰化亞銅40g/L、氫氧化鉀10g/L、酒石酸鉀鈉15g/L、錫酸鈉15g/L，Copper Glo Brightener 38:1.0ml/L，所述Copper Glo Brightener 38為羅門哈斯公司生產(chǎn)的堿銅補充劑，三乙醇胺20g/L，陽極:電解銅板；主要控制點:在鍍層中含有0.1-0.5%的錫，使鍍層與熔融的錫更容易相互潤濕，增加沾錫時的浸潤性，提高錫與引線框架表面的相互潤濕，保證錫層與芯片沾接的可靠性；增加酒石酸鉀鈉和補充劑，提高鍍銅層的致密度和結(jié)晶更細致，保證精壓區(qū)域的表面可焊性。電鍍液溫度50°C，電鍍時間是20S，電鍍電流密度是4安培/平方分米，溶液連續(xù)過濾。
[0032]D、進行硫酸中和:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進行酸洗，以中和除去在鍍銅時殘留在表面的物質(zhì)。硫酸溶液濃度是lg/L，酸洗時間是8S。
[0033]F、進行銅保護:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護液中進行附上銅保護膜，保護液中含有銅保護劑，該銅保護劑為美國羅門哈斯公司生產(chǎn)的銅保護劑，其濃度為lml/L，溶液的pH為6，溫度為30°C，浸泡時間是15S。
[0034]G、最后進行水洗和烘干，烘干的溫度130°C，時間20S。
[0035]此外，為了保證每個步驟處理后不影響下一個步驟的操作產(chǎn)生藥水相互污染和干擾，步驟A、B、C、D、E、F之后進行水洗的步驟，在去離子水中清洗1S左右，同時，將殘留在基體表面的去離子水去除干凈，進入烘干機烘干，以確保基體表面的鍍層干燥潔凈。
[0036]實施例2
A、進行超聲波除油:將功率半導(dǎo)體引線框架引導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進行超聲波除油，利用聲波振動使表面覆著的油污疏松脫落，以除去基體表面在沖壓時殘留的油脂。超聲波脫脂劑溫度為55°C (攝氏度)，超聲波脫脂劑溶度為55g/L (克每升)，超聲波除油時間15S(秒
[0037]B、進行電解除油:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進行電解除油，利用電解時表面析出氫氣使表面覆著的油污脫落，以除去基體表面在沖壓時殘留的油脂。溫度為50°C，電解除油劑的濃度為55g/L，時間16S。
[0038]C、進行硫酸中和活化:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進行酸洗，以中和除去基體表面堿性物質(zhì)并對基體表面的氧化層進行還原反應(yīng)。硫酸溶液濃度是3g/L，酸洗時間是8S。
[0039]D、進行電鍍銅:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進行電鍍銅，所述電鍍液各組份的含量具體是:氰化亞銅35g/L、氫氧化鉀5g/L、酒石酸鉀鈉20g/L、錫酸鈉12g/L，Copper Glo Brightener 38: L 3ml/L，所述 Copper Glo Brightener 38
為羅門哈斯公司生產(chǎn)的堿銅補充劑，三乙醇胺15g/L，陽極:電解銅板；主要控制點:在鍍層中含有0.1-0.5%的錫，使鍍層與熔融的錫更容易相互潤濕，增加沾錫時的浸潤性，提高錫與引線框架表面的相互潤濕，保證錫層與芯片沾接的可靠性；增加酒石酸鉀鈉和補充劑，提高鍍銅層的致密度和結(jié)晶更細致，保證精壓區(qū)域的表面可焊性。電鍍液溫度40°C，電鍍時間是15S，電鍍電流密度是5安培/平方分米，溶液連續(xù)過濾。
[0040]E、進行硫酸中和:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進行酸洗，以中和除去在鍍銅時殘留在表面的物質(zhì)。硫酸溶液濃度是0.5g/L，酸洗時間是10S。
[0041]F、進行銅保護:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入保護液中進行附上銅保護膜，保護液中含有銅保護劑，該銅保護劑為美國羅門哈斯公司生產(chǎn)的銅保護劑，其濃度為0.8ml/L，溶液的PH為5，溫度為25°C，浸泡時間是15S。
[0042]G、最后進行水洗和烘干，烘干的溫度120°C，時間25S。
[0043]此外，為了保證每個步驟處理后不影響下一個步驟的操作產(chǎn)生藥水相互污染和干擾，步驟A、B、C、D、E、F之后進行水洗的步驟，在去離子水中清洗1S左右，同時，將殘留在基體表面的去離子水去除干凈，進入烘干機烘干，以確保基體表面的鍍層干燥潔凈。
[0044]實施例3
A、進行超聲波除油:將功率半導(dǎo)體引線框架引導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進行超聲波除油，利用聲波振動使表面覆著的油污疏松脫落，以除去基體表面在沖壓時殘留的油脂。超聲波脫脂劑溫度為60°C (攝氏度)，超聲波脫脂劑溶度為60g/L (克每升)，超聲波除油時間20S(秒
[0045]B、進行電解除油:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電解除油劑中進行電解除油，利用電解時表面析出氫氣使表面覆著的油污脫落，以除去基體表面在沖壓時殘留的油脂。溫度為55°C，電解除油劑的濃度為58g/L，時間16S。
[0046]C、進行硫酸中和活化:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入硫酸溶液中進行酸洗，以中和除去基體表面堿性物質(zhì)并對基體表面的氧化層進行還原反應(yīng)。硫酸溶液濃度是3g/L，酸洗時間是15S。
[0047]D、進行電鍍銅:將功率半導(dǎo)體引線框架導(dǎo)入電鍍液中進行電鍍銅，所述電鍍液各組份的含量具體是:氰化亞銅45g/L、氫氧化鉀15g/L、酒石酸鉀鈉22g/L、錫酸鈉8g/L