子（例如銀離子、鉛離子和其混合 物）添加到電鍍?cè)?。由此，可使鉻（III)離子的負(fù)面影響降到最小。另一金屬的離子的濃 度優(yōu)選在〇. 〇〇5g/l到5g/l、更優(yōu)選0. 01g/l到3g/l的范圍內(nèi)。
[0043] 本發(fā)明提供功能鉻電鍍?cè)『蛯⒐δ茔t層沉積到襯底上從而使得具有在高電流密 度下也獲得的增加的腐蝕抗性的工藝。
[0044] 實(shí)您1
[0045] 現(xiàn)將參照以下非限制性實(shí)例對(duì)本發(fā)明加以說(shuō)明。
[0046] 在含有氫氧化鈉和K3[Fe(CN)6]的水溶液中蝕刻鉻層的表面后利用光學(xué)顯微鏡測(cè) 定微觀裂縫數(shù)。測(cè)定沿若干具有相同長(zhǎng)度的線的微觀裂縫數(shù)，從所述微觀裂縫數(shù)計(jì)算平均 微觀裂縫數(shù)，并且接著將其除以線長(zhǎng)度（以cm給出）以提供"平均微觀裂縫數(shù)"（裂縫/ cm) 〇
[0047] 根據(jù)ISO 9227NSS(中性鹽霧測(cè)試）測(cè)定功能鉻層的腐蝕抗性。
[0048] 在實(shí)例1到3中使用含有250g/lCr03、3. 2g/l硫酸根離子和2ml/l的表面活性劑 的水性電鍍?cè)?chǔ)備溶液。將不同量的烷基-磺酸添加到此儲(chǔ)備溶液中，然后沉積功能鉻層。
[0049] 實(shí)例1(比較)
[0050] 烷基-磺酸是以2g/l到12g/l (7. 6mmol/l到45. 4mmol/l)的濃度添加到儲(chǔ)備溶 液中的甲烷-二磺酸二鈉鹽。此烷基-磺酸揭示于EP 0 452 471 Bl中。
[0051] 表1總結(jié)在不同濃度的甲烷-二磺酸二鈉鹽下作為唯一烷基-磺酸所測(cè)定的平均 微觀裂縫數(shù)（電鍍?cè)囟龋?8°C，電流密度：50A/dm2)。
[0052]
[0053] 僅當(dāng)在儲(chǔ)備溶液中使用窄濃度范圍的催化劑甲烷_(kāi)二磺酸二鈉鹽時(shí)獲得高數(shù)量 的所需微觀裂縫。
[0054] 表2總結(jié)對(duì)于具有18. 9mmol/l(5g/l)的甲烷-二磺酸二鈉鹽作為唯一烷基-磺 酸的電鍍?cè)〗M合物在不同電流密度下測(cè)定的平均微觀裂縫數(shù)。
[0056] 所需微觀裂縫的數(shù)量隨電流密度增加而下降。
[0057] 根據(jù)ISO9227NSS經(jīng)測(cè)定在192h的中性鹽霧測(cè)試后形成不需要的紅銹（在192h 后>0. 1 %的表面積由紅銹覆蓋）。
[0058] 實(shí)例2(比較）
[0059] 烷基-磺酸是以14. 3mmol/l(5g/l)的濃度添加到儲(chǔ)備溶液中的丙烷-1，2, 3-三 磺酸三鈉鹽。此烷基-二磺酸揭示于DE43 05 732Al中。
[0060] 在50A/dm2和55°C的電鍍?cè)囟认碌碾娏餍蕿?7. 4 %并且在這些條件下沉積 的鉻層中的微觀裂縫數(shù)為160個(gè)裂縫/cm。
[0061] 根據(jù)ISO9227NSS經(jīng)測(cè)定在24h的中性鹽霧測(cè)試后形成不需要的紅銹（在24h 后>0. 1 %的表面積由紅銹覆蓋）。
[0062] 實(shí)例3(發(fā)明)
[0063] 烷基-磺酸是以6.2mmol/l到37. 2mmol/l(2g/l到12g/l)的濃度添加到儲(chǔ)備溶 液中的甲烷-三磺酸三鈉鹽。
[0064] 表3總結(jié)在不同濃度的甲烷-三磺酸三鈉鹽下作為唯一烷基-磺酸所測(cè)定的平均 微觀裂縫數(shù)（電鍍?cè)囟龋?8°C，電流密度：50A/dm2)。
[0065]
[0066] 表4總結(jié)對(duì)于具有24. 8mmol/l (8g/l)的甲烷-三磺酸三鈉鹽作為唯一烷基-磺 酸的電鍍?cè)〗M合物在不同電流密度下測(cè)定的平均微觀裂縫數(shù)。
[0069] 在施加的整個(gè)電流密度范圍中獲得高數(shù)量的所需微觀裂縫。
[0070] 根據(jù)ISO 9227 NSS在552h的中性鹽霧測(cè)試之前未測(cè)定出形成不需要的紅銹。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)。浒? ⑴鉻（VI)離子源， (ii) 硫酸根離子源，和 (iii) 甲烷-三磺酸或其鹽。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其中鉻（VI)離子的濃度在 80g/l到600g/l的范圍內(nèi)。3. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其中?酸根離子的濃度在lg/1到15g/l的范圍內(nèi)。4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其中?述甲烷-三磺酸的鹽是選自鈉、鉀和銨鹽。5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其中?述甲燒-三磺酸或其鹽的濃度在2mmol/l到80mmol/l的范圍內(nèi)。6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其包?甲烷-三磺酸和一或多種選自包含以下的群組的其它烷基-磺酸：甲烷-磺酸、甲烷-二磺 酸、乙烷-磺酸、1，2-乙烷-二磺酸、丙基磺酸、1，2-丙烷-二磺酸、1，3-丙烷-二磺酸和 1，2, 3-丙烷-三磺酸。7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其中?述電鍍?cè)∵M(jìn)一步包含選自由以下組成的群組的表面活性劑：全氟化磺酸鹽表面活性劑、全 氟化磷酸鹽表面活性劑、全氟化膦酸鹽表面活性劑、部分氟化磺酸鹽表面活性劑、部分氟化 磷酸鹽表面活性劑、部分氟化膦酸鹽表面活性劑和其混合物。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于沉積功能鉻層的水性電鍍?cè)?，其中表面活性劑的濃度?0.05g/l到4g/l的范圍內(nèi)。9. 一種用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其以此順序包含以下步驟： (i) 提供金屬襯底， (ii) 使所述襯底與根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一權(quán)利要求所述的水性電鍍?cè)〗佑|，和 (iii) 將外電流施加到作為陰極的所述襯底并且從而將功能鉻層沉積到所述襯底上。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中在使用期 間將所述水性電鍍?cè)”３衷趌〇°C到80°C的范圍內(nèi)的溫度下。11. 根據(jù)權(quán)利要求9和10所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中在使 用期間將在lOA/dm2到250A/dm 2的范圍內(nèi)的電流密度施加到所述金屬襯底。12. 根據(jù)權(quán)利要求9到11中任一權(quán)利要求所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的 方法，其中在步驟（iii)中使用惰性陽(yáng)極。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中所述惰性 陽(yáng)極具有選自由鉑金屬、氧化銥和其混合物組成的群組的表面。14. 根據(jù)權(quán)利要求12和13中任一權(quán)利要求所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上 的方法，其中所述水性電鍍?cè)∵M(jìn)一步包含選自由銀、鉛和其混合物組成的群組的另一金屬 的陽(yáng)咼子。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于將功能鉻層沉積到金屬襯底上的方法，其中所述另一 金屬的陽(yáng)離子的濃度在〇. 〇〇5g/l到5g/l的范圍內(nèi)。
【專利摘要】本發(fā)明的水性電鍍?cè)“t(VI)離子、硫酸根離子和作為催化劑的甲烷-三磺酸或其鹽。從本發(fā)明的所述水性電鍍?cè)〕练e的功能鉻層具有增加的腐蝕抗性。
【IPC分類】C25D3/10, C25D3/56
【公開(kāi)號(hào)】CN105102686
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480020384
【發(fā)明人】西貝斯提恩·菲斯坦霍爾, 緹那·艾克瑟尼爾, 戴維·艾爾維瑞茲, 馬西亞斯·羅斯特
【申請(qǐng)人】德國(guó)艾托特克公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2014年1月22日
【公告號(hào)】CA2908478A1, EP2792770A1, EP2792770B1, WO2014170037A1