技術(shù)特征：
1.一種用于測量硅薄膜的電導(dǎo)率的方法，所述方法包括：以在電容式傳感器和硅薄膜樣品之間具有氣隙的方式，將所述電容式傳感器放置在所述硅薄膜樣品的上方；通過關(guān)閉激發(fā)光源組件利用所述電容式傳感器，來測量所述氣隙的大?。煌ㄟ^開啟所述激發(fā)光源組件，使激發(fā)光照射到所述硅薄膜樣品上，所述激發(fā)光包括紫外光；利用所述電容式傳感器測量所述硅薄膜樣品的電導(dǎo)率變化；以及通過基于所述氣隙的大小的測量結(jié)果使所測量的電導(dǎo)率變化歸一化，來消除由于所述氣隙的偏差而導(dǎo)致的測量誤差。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過所述激發(fā)光而產(chǎn)生的自由載流子轉(zhuǎn)移的路徑平行于所述硅薄膜樣品形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硅薄膜樣品的厚度處于1nm和300nm之間，并且所述硅薄膜樣品堆疊在介電基板上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氣隙的大小與所述電容式傳感器的輸出信號(hào)的強(qiáng)度成反比，并且其中由于所述氣隙的偏差而導(dǎo)致的測量誤差的大小與所述氣隙的大小成反比。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述激發(fā)光的強(qiáng)度被調(diào)制為處于1kHz與100kHz之間的調(diào)制頻率。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硅薄膜樣品的電阻率基于所述電導(dǎo)率變化來計(jì)算，并且其中所述硅薄膜樣品的電阻率相當(dāng)于晶粒間邊界勢和自由載流子壽命的函數(shù)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述硅薄膜樣品的結(jié)晶度基于所述硅薄膜樣品的電阻率來測量，所述硅薄膜樣品的結(jié)晶度表示包含在所述硅薄膜樣品中的晶粒的結(jié)晶程度。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述自由載流子壽命與所述硅薄膜樣品的缺陷的量成反比。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述硅薄膜樣品...