本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種高端電流的檢測電路和檢測方法。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代無線通信技術(shù)的突飛猛進(jìn)，移動通信網(wǎng)絡(luò)也呈現(xiàn)出多樣化和寬帶化的發(fā)展趨勢，通訊技術(shù)中軟硬件的實(shí)時(shí)處理能力大幅提高，無線網(wǎng)絡(luò)也從開始的一代無線通訊已經(jīng)逐步演變到目前的三代、四代寬帶網(wǎng)絡(luò)，以及面向未來的超寬帶5G網(wǎng)絡(luò)，從技術(shù)上極大的滿足了用戶的多樣化、高層次化的需求。

在用戶多樣化、高層次化的需求刺激下，對新一代無線通訊設(shè)備的開發(fā)也提出了更高的要求，降低主流射頻配置成本，提高基站系統(tǒng)集成度，支持靈活多模配置，增加產(chǎn)品競爭力，已經(jīng)成為當(dāng)今通訊設(shè)備設(shè)計(jì)思路的主流，在這種高集成度、平臺化、多模配置的產(chǎn)品開發(fā)思路下，需要通訊設(shè)備具有更高的效率、可兼容性、可擴(kuò)展性及支持多模靈活配置。

目前無線基站系統(tǒng)主流產(chǎn)品，設(shè)計(jì)時(shí)充分考慮各個(gè)應(yīng)用場景，將中頻的發(fā)射和接收帶寬盡量寬帶化設(shè)計(jì)，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)各個(gè)應(yīng)用場景下的靈活配置，但基站系統(tǒng)在不同環(huán)境、不同業(yè)務(wù)需求量下，基站系統(tǒng)不能很好地對電路中的電流進(jìn)行高精度檢測，導(dǎo)致基站系統(tǒng)不能達(dá)到對系統(tǒng)中功放的調(diào)壓需求，從而不能確?；鞠到y(tǒng)高效的運(yùn)行。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種高端電流的檢測電路和檢測方法，解決由于現(xiàn)有技術(shù)不能對基站中功放的電流進(jìn)行高精度檢測，使得基站不能對功放進(jìn)行調(diào)壓控制，從而降低基站運(yùn)行效率的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種高端電流的檢測電路，包括：

與待測電阻連接的采集單元，用于對所述待測電阻兩端的電壓進(jìn)行采集并 放大，將放大后的電壓轉(zhuǎn)換成第一電流并輸出，其中，所述待測電阻與待檢測電路串聯(lián)；

與所述采集單元相連的檢測單元，用于接收所述第一電流，并對所述第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到所述待檢測電路的電流值。

其中，上述的高端電流的檢測電路，所述采集單元包括：

與所述待測電阻連接的運(yùn)算放大器，用于對所述待測電阻兩端的電壓進(jìn)行差分放大，輸出第一電壓信號；

與所述運(yùn)算放大器連接的增益電阻，用于對所述第一電壓信號進(jìn)行放大，得到第二電壓信號；

分別與所述增益電阻和所述運(yùn)算放大器連接的金氧半場效晶體MOSFET管，用于將所述第二電壓信號轉(zhuǎn)換為第一電流并輸出；

所述運(yùn)算放大器包括：正相輸入端IN+、反相輸入端IN-、電源正極V+、電源負(fù)極V-以及輸出端OUTPUT；

其中，所述運(yùn)算放大器的正相輸入端IN+與所述待測電阻的第一端VCC連接，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端IN-與所述待測電阻的第二端VCC-IN連接，所述待測電阻的第二端VCC-IN與所述增益電阻的一端連接，所述增益電阻的另一端分別與所述運(yùn)算放大器的電源正極V+及所述運(yùn)算放大器的輸出端OUTPUT連接；

所述MOSFET管的柵極與所述運(yùn)算放大器的輸出端OUTPUT連接，所述MOSFET管的漏極與所述檢測單元連接，所述MOSFET管的源極與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端IN-連接。

其中，所述運(yùn)算放大器為軌至軌型運(yùn)算放大器。

其中，所述檢測電路還包括：

與所述運(yùn)算放大器連接，用于為所述運(yùn)算放大器提供穩(wěn)定工作電壓，使所述運(yùn)算放大器工作在高共模電壓模式下的穩(wěn)壓電路，其中，所述穩(wěn)壓電路的第一端與所述待測電阻的第二端VCC-IN連接，所述穩(wěn)壓電路的第二端與所述運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-連接，所述穩(wěn)壓電路的第三端接地。

其中，所述穩(wěn)壓電路包括：穩(wěn)壓電阻、穩(wěn)壓管VD1、第一電容C1以及第二電容C2；

其中，所述穩(wěn)壓管VD1的陰極與所述待測電阻的第二端VCC-IN連接，所述穩(wěn)壓管VD1的陽極與所述運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-連接；

所述穩(wěn)壓電阻的一端分別與所述穩(wěn)壓管VD1的陽極和所述運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-連接，所述穩(wěn)壓電阻的另一端接地；

所述第一電容C1以及所述第二電容C2均與所述穩(wěn)壓管VD1并聯(lián)。

其中，所述檢測單元包括：

負(fù)載電阻；

與所述負(fù)載電阻連接的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，用于對所述第一電流在所述負(fù)載電阻上產(chǎn)生的電壓進(jìn)行采樣，將采樣后的電壓轉(zhuǎn)換為第二電流，并將所述第二電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的電流值；

其中，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片包括：第一輸入端VIN+、第二輸入端VIN-、第一輸出端SDA、第二輸出端SCL；

所述負(fù)載電阻的一端分別與所述MOS管的漏極以及所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第一輸入端VIN+連接，所述負(fù)載電阻的另一端與所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第二輸入端VIN-連接；所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第一輸出端SDA和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第二輸出端SCL為所述高端電流的檢測電路的輸出端。

本發(fā)明還提供了一種高端電流的檢測方法，應(yīng)用于上述的高端電流的檢測電路，所述方法包括：

對待測電阻兩端的電壓進(jìn)行采集并放大，將放大后的電壓轉(zhuǎn)換成第一電流并輸出，其中，所述待測電阻與待檢測電路串聯(lián)；

接收所述第一電流，并對所述第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到所述待檢測電路的電流值。

其中，所述接收所述第一電流，并對所述第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到所述待檢測電路的電流值的步驟包括：

對所述第一電流在負(fù)載電阻上產(chǎn)生的電壓進(jìn)行采集，并將采集后的電壓轉(zhuǎn)換為第二電流；

將所述第二電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的電流值，并將所述數(shù)字信號的電流值作為所述待檢測電路的電流值。

本發(fā)明實(shí)施例具有以下有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路，將待測電阻與待檢測電路串聯(lián)，并通過采集單元對待測電阻兩端的電壓進(jìn)行采集并放大，將放大后的電壓轉(zhuǎn)換成第一電流輸出給檢測單元，由檢測單元對第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到待測電路的電流值，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高端電路檢測電路能夠?qū)崿F(xiàn)對基站系統(tǒng)中的電流進(jìn)行精確地檢測，使得基站能夠進(jìn)行更細(xì)微、更高精度的調(diào)壓控制，從而確?；灸軌虮３指叩墓ぷ餍省?/p>

附圖說明

圖1表示本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2表示本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路中穩(wěn)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路中模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的預(yù)設(shè)配置示意圖；

圖4表示本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測方法的工作流程圖。

附圖標(biāo)記說明：

1-采集單元，2-檢測單元。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合具體實(shí)施例及附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

現(xiàn)有低端檢流電路的檢流電阻串聯(lián)到地，高端檢流電路的檢流電阻是串聯(lián)到高電壓端。兩種檢流電路各有特點(diǎn)：低端檢流方式在地線回路中增加了額外的電阻，高端檢流方式則要處理較大的共模信號，且高端檢流電路直接連到電壓端，能夠檢測到后續(xù)回路的任何故障并采取相應(yīng)的保護(hù)措施，針對現(xiàn)有技術(shù)不能很好地對基站系統(tǒng)中的功放的電流進(jìn)行高精度檢測，導(dǎo)致基站不能對功放進(jìn)行調(diào)壓控制，從而降低基站運(yùn)行效率的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高端電流的檢測電路和檢測方法。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路，包括：

與待測電阻連接的采集單元1，用于對所述待測電阻兩端的電壓進(jìn)行采集并放大，將放大后的電壓轉(zhuǎn)換成第一電流并輸出，其中，所述待測電阻與待檢 測電路串聯(lián)；

與所述采集單元相連的檢測單元2，用于接收所述第一電流，并對所述第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到所述待檢測電路的電流值。

本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路，將待檢測電路與高精度待測電阻串聯(lián)，然后對待測電阻兩端的電壓進(jìn)行差分放大，并將差分放大的電壓轉(zhuǎn)換成電流，對所述電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理后，得到待檢測電路的電流值，通過該高端電路的檢測電路能夠?qū)鞠到y(tǒng)中的電流進(jìn)行精確地檢測，使得基站能夠進(jìn)行更細(xì)微、更高精度的調(diào)壓控制，以確保在不同環(huán)境，不同業(yè)務(wù)需求量下，基站能夠保持更高效率的運(yùn)行。

進(jìn)一步地，所述采集單元1包括：

與所述待測電阻連接的運(yùn)算放大器，用于對所述待測電阻兩端的電壓進(jìn)行差分放大，輸出第一電壓信號；

與所述運(yùn)算放大器連接的增益電阻，用于對所述第一電壓信號進(jìn)行放大，得到第二電壓信號；

分別與所述增益電阻和所述運(yùn)算放大器連接的金氧半場效晶體MOSFET管，用于將所述第二電壓信號轉(zhuǎn)換為第一電流并輸出；

所述運(yùn)算放大器包括：正相輸入端IN+、反相輸入端IN-、電源正極V+、電源負(fù)極V-以及輸出端OUTPUT；

其中，所述運(yùn)算放大器的正相輸入端IN+與所述待測電阻的第一端VCC連接，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端IN-與所述待測電阻的第二端VCC-IN連接，所述待測電阻的第二端VCC-IN與所述增益電阻的一端連接，所述增益電阻的另一端分別與所述運(yùn)算放大器的電源正極V+及所述運(yùn)算放大器的輸出端OUTPUT連接；

所述MOSFET管的柵極與所述運(yùn)算放大器的輸出端OUTPUT連接，所述MOSFET管的漏極與所述檢測單元連接，所述MOSFET管的源極與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端IN-連接。

優(yōu)選地，所述運(yùn)算放大器為軌至軌型運(yùn)算放大器，具體為輸入輸出軌至軌運(yùn)算放大器。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，待測電阻的選取受到待測電阻功耗及運(yùn)放誤差 的限制，一般在檢測安培級電流時(shí)，待測電阻可選取在毫歐級左右，電阻功率不夠時(shí)可并聯(lián)多個(gè)電阻，另外，由于待測電阻上的電壓值很小，運(yùn)放的輸入共模電壓就很高，接近運(yùn)放的工作電壓值，同時(shí)運(yùn)放輸出電壓也很小，若不選擇輸入輸出軌至軌運(yùn)算放大器，會導(dǎo)致運(yùn)放不能正常工作，且運(yùn)算放大器的輸入偏置電流、輸入失調(diào)電壓和輸入溫漂等應(yīng)盡可能小，以確保檢測電路能穩(wěn)定工作并產(chǎn)生較小的檢測誤差。

另外，本發(fā)明實(shí)施例中，若增益電阻太小則會導(dǎo)致增益過大，精度將會降低，無法滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求，若增益電阻太大則會導(dǎo)致輸出電流過小，從而導(dǎo)致MOSFET管將無法開啟，整個(gè)電路將無法正常工作。增益電阻的最大取值受限于MOSFET管的漏電流，本發(fā)明實(shí)施例中MOSFET管的漏電流，即流過待檢測通路的電流，其最小值不能小于MOSFET管導(dǎo)通的最小電流值。由于預(yù)設(shè)有特定倍數(shù)的增益關(guān)系，所以增益電阻的取值與待測電阻及待檢測電流的值成正比，與流過MOSFET管的導(dǎo)通電流成反比，因此，增益電阻的取值具體通過待測電阻、待檢測電流，MOSFET管的導(dǎo)通電流三者綜合確定。進(jìn)一步地，MOSFET管的參數(shù)選擇與系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要的增益相關(guān)，影響增益電阻的進(jìn)一步選型。

進(jìn)一步地，所述檢測電路還包括：

與所述運(yùn)算放大器連接，用于為所述運(yùn)算放大器提供穩(wěn)定工作電壓，使所述運(yùn)算放大器工作在高共模電壓模式下的穩(wěn)壓電路，其中，所述穩(wěn)壓電路的第一端與所述待測電阻的第二端VCC-IN連接，所述穩(wěn)壓電路的第二端與所述運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-連接，所述穩(wěn)壓電路的第三端接地。

如圖2所示，所述穩(wěn)壓電路可具體包括：穩(wěn)壓電阻、穩(wěn)壓管VD1、第一電容C1以及第二電容C2；

其中，所述穩(wěn)壓管VD1的陰極與所述待測電阻的第二端VCC-IN連接，所述穩(wěn)壓管VD1的陽極與所述運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-連接；

所述穩(wěn)壓電阻的一端分別與所述穩(wěn)壓管VD1的陽極和所述運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-連接，所述穩(wěn)壓電阻的另一端接地；

所述第一電容C1以及所述第二電容C2均與所述穩(wěn)壓管VD1并聯(lián)。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，為確保上述輸入輸出軌至軌型運(yùn)算放大器工作 在高共模電壓模式下，必須通過外圍穩(wěn)壓電路使得該運(yùn)算放大器正負(fù)極間的電壓差穩(wěn)定在該運(yùn)放正常工作所必須的工作電壓，以確保運(yùn)算放大器的輸出穩(wěn)定可靠。

該部分穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)，是通過對待檢測電路輸入電壓進(jìn)行穩(wěn)壓分壓來實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明實(shí)施例中待檢測電路輸入電壓為無線通信設(shè)計(jì)中的典型應(yīng)用電壓，待檢測電路輸入電壓通過增益電阻直接接到運(yùn)算放大器的電源正極V+，經(jīng)過穩(wěn)壓管及穩(wěn)壓電阻后接到差分運(yùn)算放大器的電源負(fù)極V-，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值為該運(yùn)算放大器的共模電壓值，該穩(wěn)壓值與其共模電壓值越接近越好，以確保差分運(yùn)算放大器的工作電壓穩(wěn)定在共模電壓下，滿足了運(yùn)算放大器穩(wěn)定工作在高電壓模式的要求。運(yùn)算放大器正常工作在高共模電壓下的同時(shí)，需要對待檢測電路輸入電壓進(jìn)行濾波處理以去除雜波，還需要對運(yùn)放輸出信號和電源正極之間進(jìn)行電容耦合隔離。

其中，穩(wěn)壓電阻的最小取值，要保證流過穩(wěn)壓管的電流不能超過穩(wěn)壓管所能承載最大電流值；而對于穩(wěn)壓電阻的最大取值，在運(yùn)放工作在最大工作電流時(shí)，該最大電流為流過MOSFET管的最大電流，即運(yùn)放的最大工作電流，也即穩(wěn)壓電阻的最大取值，必須要使得流過穩(wěn)壓管的電流大于穩(wěn)壓管正常工作的最小電流值，從而確保穩(wěn)壓管能正常穩(wěn)壓。

進(jìn)一步地，所述檢測單元2包括：

負(fù)載電阻；

與所述負(fù)載電阻連接的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，用于對所述第一電流在所述負(fù)載電阻上產(chǎn)生的電壓進(jìn)行采樣，將采樣后的電壓轉(zhuǎn)換為第二電流，并將所述第二電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的電流值；

其中，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片包括：第一輸入端VIN+、第二輸入端VIN-、第一輸出端SDA、第二輸出端SCL；

所述負(fù)載電阻的一端分別與所述MOS管的漏極以及所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第一輸入端VIN+連接，所述負(fù)載電阻的另一端與所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第二輸入端VIN-連接；所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第一輸出端SDA和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片的第二輸出端SCL為所述高端電流的檢測電路的輸出端。

本發(fā)明的具體實(shí)施例中，負(fù)載電壓與待檢測電流、待檢測電阻、增益電阻、 負(fù)載電阻具有一定關(guān)系，當(dāng)待檢測電阻及負(fù)載電阻確定后，負(fù)載電壓即與待檢測電流保持一定比例關(guān)系，待檢測電壓與負(fù)載電壓同時(shí)保持了一定比例的放大關(guān)系，為了方便不同電壓通路的檢測要求，該增益比例的大小可以通過改變增益電阻的大小來調(diào)整，以滿足不同系統(tǒng)精度的要求。

本發(fā)明實(shí)施例中的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片為支持電流、電壓檢測的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，該芯片具有電流檢測和電壓監(jiān)控功能，該模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片可以對待檢測電阻上的電壓差進(jìn)行監(jiān)控采樣，并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的電流值而存儲到自身的寄存器中，同時(shí)也可以對總線電壓進(jìn)行檢測，以滿足系統(tǒng)需要條件下，計(jì)算出電源功率的大小，另外，由于普通電流檢測芯片的輸入電壓的范圍較小，因此，普通的電壓監(jiān)控型電流檢測芯片的輸入電壓范圍較小，不能滿足對高電壓電路的檢測需求，本發(fā)明實(shí)施例中選擇輸入輸出軌至軌運(yùn)放，在確保運(yùn)放正常工作的條件下，待檢測通路的電壓理論上可以達(dá)到足夠高，從而實(shí)現(xiàn)輸入電壓可調(diào)。

具體的，該模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片共有六個(gè)寄存器：配置寄存器、檢測電壓寄存器、總線電壓寄存器、功率寄存器、電流寄存器及定標(biāo)寄存器，分別用于初始化配置、檢測電壓存儲、總線電壓存儲、檢測功率存儲、檢測電流存儲及定標(biāo)值存儲。配置寄存器的值是固定的，會在芯片工作前寫死，除配置寄存器和定標(biāo)寄存器為讀寫寄存外，其他寄存器均為只讀寄存器，用于分別讀取各種檢測值的上報(bào)。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，在測量之前要先對模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)配置處理，如圖3所示，包括：

步驟S31：上電并對模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片進(jìn)行初始化設(shè)置；

步驟S32：對模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片進(jìn)行定標(biāo)校準(zhǔn)處理；

步驟S33：進(jìn)行曲線擬合、校準(zhǔn)驗(yàn)證以及寫入校準(zhǔn)處理；

步驟S34：重新上電。

完成上述步驟后，即可對待檢測電路中的電流進(jìn)行檢測。

本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)不同的監(jiān)測需求，首先需要對該芯片的總線電壓范圍、檢測電阻值及需要監(jiān)測的最大電流值進(jìn)行配置，進(jìn)而得到模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片可監(jiān)測的最小值電流的范圍，得到的可監(jiān)測的最小電流值越小，監(jiān)測精度越高。

在完成基本參數(shù)的設(shè)定與推算后，需要對該模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片進(jìn)行定標(biāo)校準(zhǔn)。 根據(jù)上述配置參數(shù)值及推算得到的可檢測的最小電流值的范圍等參數(shù)后，即可對該檢測芯片進(jìn)行定標(biāo)擬合，以確定最終的配置參數(shù)值，擬合過程決定了該系統(tǒng)最終監(jiān)測精度的范圍。該定標(biāo)過程，需要通過該模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片自帶的軟件配合手動進(jìn)行兩次定標(biāo)測試，根據(jù)兩次定標(biāo)結(jié)果求平均值，最終得到校準(zhǔn)后的定標(biāo)值，將最終得到的校準(zhǔn)定標(biāo)值寫進(jìn)定標(biāo)寄存器，此時(shí)，該模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片完成了所有的配置，即可以進(jìn)行電流、電壓及功率檢測。此外，定標(biāo)寄存器的值可以手動計(jì)算或者使用評估軟件進(jìn)行。在實(shí)際調(diào)試中使用評估軟件來配置，根據(jù)預(yù)先假設(shè)的典型參數(shù)，首先進(jìn)行理論精度的初始定標(biāo)，定標(biāo)之前，需要預(yù)先輸入典型測試通路設(shè)計(jì)的參數(shù)值，例如總線電壓范圍、待檢測電阻值、最大檢測電流等關(guān)鍵參數(shù)，然后根據(jù)輸入完成的參數(shù)進(jìn)行第一次理論期望定標(biāo)，得到一個(gè)初始定標(biāo)值。為了提高整個(gè)系統(tǒng)檢測的實(shí)際精度，則需要將此定標(biāo)寫入實(shí)際設(shè)計(jì)的模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，再進(jìn)行二次定標(biāo)，將假定的輸入電流值與實(shí)際讀出的檢測電流值進(jìn)行比較，進(jìn)一步得到最終的定標(biāo)值，將此定標(biāo)值寫入定標(biāo)寄存器，則定標(biāo)完成，該系統(tǒng)可以正常工作。

根據(jù)實(shí)踐驗(yàn)證結(jié)果，本發(fā)明實(shí)施例的檢測電路的檢測精度可以達(dá)到幾十微安級，能夠完全滿足系統(tǒng)調(diào)壓的需求。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種高端電流的檢測方法，應(yīng)用于如上所述的高端電流的檢測電路，如圖4所示，所述方法包括：

步驟S41：對待測電阻兩端的電壓進(jìn)行采集并放大，將放大后的電壓轉(zhuǎn)換成第一電流并輸出，其中，所述待測電阻與待檢測電路串聯(lián)；

步驟S42：接收所述第一電流，并對所述第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到所述待檢測電路的電流值。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述接收所述第一電流，并對所述第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到所述待檢測電路的電流值的步驟包括：

對所述第一電流在負(fù)載電阻上產(chǎn)生的電壓進(jìn)行采集，并將采集后的電壓轉(zhuǎn)換為第二電流；

將所述第二電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的電流值，并將所述數(shù)字信號的電流值作為所述待檢測電路的電流值。

需要說明的是，該方法應(yīng)用于上述的高端電流的檢測電路，上述高端電流 的檢測電路實(shí)施例中所有實(shí)現(xiàn)方式均適用于該方法的實(shí)施例中，也能達(dá)到相同的技術(shù)效果。

本發(fā)明實(shí)施例的高端電流的檢測電路和檢測方法，將待測電阻與待檢測電路串聯(lián)，并通過采集單元對待測電阻兩端的電壓進(jìn)行采集并放大，將放大后的電壓轉(zhuǎn)換成第一電流輸出給檢測單元，由檢測單元對第一電流進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，得到待測電路的電流值，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高端電路檢測電路能夠?qū)崿F(xiàn)對基站系統(tǒng)中的電流進(jìn)行精確地檢測，使得基站能夠進(jìn)行更細(xì)微、更高精度的調(diào)壓控制，從而確?；灸軌虮３指叩墓ぷ餍省?/p>

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。