本發(fā)明涉及X-Ray射線、高低溫控制和光譜檢測領(lǐng)域，特別涉及一種X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜檢測裝置。

背景技術(shù)：

當(dāng)材料受到高能粒子(如X射線，γ射線等)輻照后會產(chǎn)生電子-空穴對。在材料制備的過程中，由于制備工藝限制難免會存在各種缺陷(電子陷阱，空穴陷阱，反位置缺陷等)，受高能射線輻照后，處于激發(fā)態(tài)的電子或空穴會被材料中的缺陷捕獲，將輻射能量暫時儲存在陷阱中。但這些能級并不穩(wěn)定，當(dāng)加熱時，陷阱中的能量便以光的形式釋放出來，這種現(xiàn)象稱為熱釋發(fā)光。熱釋光對材料研究和了解材料發(fā)光過程來說具有重要意義。以閃爍材料為例，閃爍材料是一種能將入射在其上的高能射線(X/γ射線)或粒子轉(zhuǎn)換為紫外或可見光的晶態(tài)能量轉(zhuǎn)換體，廣泛應(yīng)用在高能物理與核物理實驗、影像核醫(yī)學(xué)(Computed Tomography，簡稱CT和Positron Emission Tomography，簡稱PET)、工業(yè)CT在線檢測、油井勘探、安全稽查及反恐應(yīng)用等。閃爍材料中的缺陷在能帶結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)為在能帶間隙中形成陷阱。缺陷的存在嚴(yán)重影響閃爍材料載流子輸運(yùn)過程，造成發(fā)光慢分量，降低光產(chǎn)額，這些閃爍性能的降低會嚴(yán)重影響材料的實際應(yīng)用效果，造成探測效率和成像分辨率大大降低。熱釋光光譜儀是研究固體缺陷的有力工具，可以對陷阱深度、陷阱濃度等進(jìn)行分析表征。根據(jù)結(jié)果，我們可以對制備工藝進(jìn)行設(shè)計和優(yōu)化，提高發(fā)光性能。此外，我們可以根據(jù)陷阱能級位置，對閃爍材料的能級進(jìn)行設(shè)計計算，這對制備新型高光輸出快衰減閃爍材料意義重大。材料的陷阱深度和熱釋光的溫度密切相關(guān)，這是因為，材料受熱時，載流子首先由較淺的陷阱中釋放出來，當(dāng)這些陷阱中儲存的載流子全部釋放完時，光強(qiáng)度減小，形成熱釋光圖譜中的第一個峰。隨著加熱溫度的增加，較深的陷阱中的載流子被釋放。因此，熱釋光儀器所能達(dá)到的溫度范圍直接決定了其所能探測的陷阱深度。處于淺能級的陷阱只有用低溫?zé)後尮獠趴梢蕴綔y到。

熱釋光測試系統(tǒng)還可用于熱釋光定年法判斷古陶瓷年代，主要是利用熱釋光信號的強(qiáng)度來進(jìn)行年代判定。因為對于陶瓷制品來講，其中含有大量的礦物晶體，如石英、長石和方解石等，這些晶體長期受到核輻射(如α、β和γ)的作用，積累了相當(dāng)?shù)哪芰?，因此若把陶瓷加熱，將可觀察熱釋光現(xiàn)象，熱釋光的強(qiáng)度與它所接受的核輻照的多少成正比。由于陶瓷所受的核輻射是來自于自然環(huán)境和陶瓷本身所含的微少的放射性雜質(zhì)(如鈾、釷和鉀40等)。其放射性劑量相對恒定，因此熱釋光的強(qiáng)度便和受輻時間的長短成正比。在陶瓷的 燒制過程中原始的熱釋光能量都會因高溫而全部釋放掉，此后陶瓷重新積累熱釋光信號，所以最后所測量得到的熱釋光信號，是與陶瓷的燒制年代成正比，這就是熱釋光斷代的基本原理。同樣地，根據(jù)熱釋光信號的強(qiáng)弱，還可以進(jìn)行輻照劑量的測定，以此原理可制成輻照劑量儀。

另外，發(fā)光光譜是由物質(zhì)本身的能級結(jié)構(gòu)決定的，因此可以根據(jù)物質(zhì)所產(chǎn)生的光譜，對發(fā)光離子進(jìn)行定性分析鑒別，在生物、化學(xué)、環(huán)境等領(lǐng)域有重要作用。

目前，國內(nèi)尚無低溫X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置，現(xiàn)有熱釋光儀器僅能測試室溫以上的熱釋光信號，主要原因在于：在技術(shù)上同時實現(xiàn)樣品的低溫控制及X-ray輻照和光譜接收十分困難。但是，如前所述，材料內(nèi)部的陷阱深度直接與溫度相關(guān)，例如閃爍材料的位置缺陷一般出現(xiàn)在100K-200K之間，所以現(xiàn)有的熱釋光無法對這些淺能級缺陷進(jìn)行探測，其測量范圍限制了這項技術(shù)在材料研究和檢測方面的應(yīng)用。而且在進(jìn)行類似X-Ray誘導(dǎo)熒光光譜測量裝置中，該類裝置由X-Ray源、熒光探頭、單色儀組成，該類裝置用于收集X-Ray誘導(dǎo)熒光的光譜數(shù)據(jù)。其中的X-Ray源作為激發(fā)光光源，熒光探頭用于收集熒光物質(zhì)被激發(fā)后產(chǎn)生的熒光，單色儀用于檢測熒光光譜，進(jìn)行熒光檢測時(見圖2)，熒光探頭收集的熒光先通過單色儀上的狹縫21進(jìn)入單色儀，再通過一反射鏡22反射到光柵23上，經(jīng)光柵色散后通過另一反射鏡24反射到單點(diǎn)探測器25上，由于不同波長的從光柵的角度不同，控制光柵23順序轉(zhuǎn)動，即可使光柵色散后的不同波長的光順序照射到單點(diǎn)探測器25上，光柵23順序轉(zhuǎn)動一個周期后，即可實現(xiàn)對熒光光譜的掃描，進(jìn)而獲得熒光光譜。

該類X-Ray誘導(dǎo)熒光光譜測量裝置的缺陷在于：

1.單色儀中需要配置驅(qū)動光柵轉(zhuǎn)動的驅(qū)動部件，因此其體積、功耗都較大，導(dǎo)致整個裝置的體積、功耗都過于龐大，而且獲取熒光光譜的時間周期較長，無法實現(xiàn)熒光光譜的實時采集，因而也無法分析熒光信號的一些瞬態(tài)特征，光譜重復(fù)性也較差；

2.僅僅對X-Ray誘導(dǎo)熒光光譜進(jìn)行了測量，在更長波長范圍內(nèi)的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜無法進(jìn)行測量，影響了分析的信息內(nèi)容；

現(xiàn)有的熱釋光儀器僅有室溫以上熱釋光測試系統(tǒng)，主要原因在于現(xiàn)有技術(shù)沒有集成可以進(jìn)行液氮或液氦降溫的樣品室。

因而，該領(lǐng)域迫切需要一種性能優(yōu)異的低溫X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在填補(bǔ)低溫X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置的技術(shù)空白，本發(fā)明提供了一種低溫X射線誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置。

本發(fā)明提供了一種低溫X射線誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置，所述測量裝置包括X射線源、溫度控制單元、設(shè)置于溫度控制單元內(nèi)的樣品臺、光收集系統(tǒng)、以及光柵光譜儀，所述溫度控制單元包括保溫殼體、以及設(shè)置于保溫殼體內(nèi)的溫度傳感器和加熱制冷器，其中，

所述X射線源設(shè)置為發(fā)射通過溫度控制單元的保溫殼體上的孔洞、入射至樣品臺的樣品上的X射線；

所述溫度傳感器設(shè)置為檢測樣品臺上樣品的溫度，所述加熱制冷器設(shè)置為響應(yīng)溫度傳感器測量的樣品溫度、并調(diào)節(jié)樣品溫度至設(shè)定溫度，所述保溫殼體上設(shè)置有用于使樣品發(fā)出的熱釋光信號傳輸至保溫殼體外部的孔洞；

所述光采集系統(tǒng)設(shè)置為采集樣品發(fā)出的熱釋光信號、并將熱釋光信號輸送至光柵光譜儀；

所述光柵光譜儀設(shè)置為接受光采集系統(tǒng)輸送的熱釋光信號、并將熱釋光信號輸送至其內(nèi)部的圖像傳感器。

本發(fā)明中測試系統(tǒng)包括X-Ray源、溫度控制單元、設(shè)置于溫度控制單元內(nèi)的樣品臺、光收集系統(tǒng)、光柵光譜儀。發(fā)光材料(樣品)裝入溫度控制單元內(nèi)的樣品臺并經(jīng)溫控系統(tǒng)降至指定溫度，之后用X-Ray源按一定劑量進(jìn)行輻照，輻照停止后樣品按照設(shè)定升溫速率進(jìn)行升溫，在升溫的過程中可以采集到材料由于溫度變化產(chǎn)生的熱釋光信號。

較佳地，所述X射線源為能夠定向發(fā)射X射線的X射線管；

X射線管通過定向發(fā)射X射線，X射線的輻照劑量要達(dá)到樣品材料所需的閾值。

較佳地，所述溫度控制單元設(shè)置為能夠調(diào)節(jié)樣品溫度至77K。

溫度控制單元能夠?qū)悠窚囟冉抵烈旱獪囟?77K)，從而可以測量缺陷出現(xiàn)在100-200K之間的閃爍材料。

較佳地，所述光采集系統(tǒng)包括準(zhǔn)直透鏡、聚焦透鏡、傳導(dǎo)光纖，其中，

準(zhǔn)直透鏡設(shè)置為將采集的熱釋光信號準(zhǔn)直；

聚焦透鏡設(shè)置為將經(jīng)準(zhǔn)直的熱釋光信號聚焦至傳導(dǎo)光纖；

所述傳導(dǎo)光纖設(shè)置為輸送熱釋光信號至光柵光譜儀。

具備上述組成的光采集系統(tǒng)能夠很好地實現(xiàn)熱釋光信號采集、傳輸。

所述光柵光譜儀包括狹縫器件、信號光反射鏡、反射式閃耀平場光柵、反射聚光鏡、圖像傳感器，其中，

所述狹縫器件設(shè)置為用于通過熱釋光信號；

所述信號光反射鏡設(shè)置為接受通過狹縫器件的熱釋光信號、并將熱釋光信號反射至反射式閃耀平場光柵；

所述反射式閃耀平場光柵設(shè)置為接受熱釋光信號、并將熱釋光信號反射至反射聚光鏡；

所述反射聚光鏡設(shè)置為接受熱釋光信號、并將熱釋光信號反射至圖像傳感器。

較佳地，所述溫度傳感器內(nèi)嵌于所述樣品臺。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提供的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置，引入了光柵光譜儀，該光柵光譜儀采用反射式閃耀平場光柵實現(xiàn)對光信號的色散，采用圖像傳感器來一次性捕獲全光譜波長信號光光譜，獲取光譜的時間周期很短(能達(dá)到1ms)，能實現(xiàn)光譜的實時采集，光譜重復(fù)性好，并能利用光信號的一些瞬態(tài)特征，還能減少裝置整體體積、降低裝置整體功耗；相對于傳統(tǒng)X-Ray熒光光譜測量裝置，該裝置增加了樣品溫度控制系統(tǒng)，不僅能檢測X-Ray熒光光譜，還能檢測更寬范圍的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜，對樣品分析更全面，準(zhǔn)確，數(shù)據(jù)信息更豐富。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一個實施方式中X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有的單色儀的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一個實施方式中X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置中的溫度控制盒的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明一個實施方式中X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置中的光收集系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一個實施方式中X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置中的光柵光譜儀的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是實施例1的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜儀測試系統(tǒng)構(gòu)架圖；

圖7是Pr：LuAG閃爍陶瓷(添加Sc₂O₃,La₂O₃燒結(jié)助劑)的熱釋光曲線(左：米蘭比克卡大學(xué)測試結(jié)果，右：實施例1測試系統(tǒng)獲得的結(jié)果)；

圖8是采用用實施例1測試系統(tǒng)獲得的不同工藝制備的Ce,Pr:Gd₂O₂S陶瓷熱釋光曲線；

圖9是文獻(xiàn)報道的Ce,Pr:Gd₂O₂S典型的熱釋光曲線(Optical Materials 33(2011)1514–1518)。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和下述實施方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，應(yīng)理解，附圖及下述實施方式僅用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。

針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種X-Ray誘 導(dǎo)低溫?zé)後尮夤庾V檢測裝置，實現(xiàn)對X-Ray熒光光譜和X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜的實時采集、減少裝置整體體積、降低裝置整體功耗。該發(fā)明解決了低溫X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜的檢測問題，對研究發(fā)光材料內(nèi)部缺陷尤其是淺能級缺陷具有重要意義，同時儀器可用于熱釋光定年法判斷古陶瓷年代和輻照計量評估。

本發(fā)明提供了一種低溫X射線誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置，所述測量裝置包括X射線源、溫度控制單元、設(shè)置于溫度控制單元內(nèi)的樣品臺、光收集系統(tǒng)、以及光柵光譜儀，所述溫度控制單元包括保溫殼體、以及設(shè)置于保溫殼體內(nèi)的溫度傳感器和加熱制冷器，其中，

所述X射線源設(shè)置為發(fā)射通過溫度控制單元的保溫殼體上的孔洞、入射至樣品臺的樣品上的X射線；

所述溫度傳感器設(shè)置為檢測樣品臺上樣品的溫度，所述加熱制冷器設(shè)置為響應(yīng)溫度傳感器測量的樣品溫度、并調(diào)節(jié)樣品溫度至設(shè)定溫度，所述保溫殼體上設(shè)置有用于使樣品發(fā)出的熱釋光信號傳輸至保溫殼體外部的孔洞；

所述光采集系統(tǒng)設(shè)置為采集樣品發(fā)出的熱釋光信號、并將熱釋光信號輸送至光柵光譜儀；

所述光柵光譜儀設(shè)置為接受光采集系統(tǒng)輸送的熱釋光信號、并將熱釋光信號輸送至其內(nèi)部的圖像傳感器。

測試系統(tǒng)包括X-Ray源、溫度控制盒、樣品臺、光收集系統(tǒng)、光柵光譜儀。發(fā)光材料裝入溫度控制盒并經(jīng)溫控系統(tǒng)降至指定溫度，之后用X-Ray源按一定劑量進(jìn)行輻照，輻照停止后樣品按照設(shè)定升溫速率進(jìn)行升溫，在升溫的過程中可以采集到材料由于溫度變化產(chǎn)生的熱釋光信號。

如圖1及圖3至圖5所示，本發(fā)明實施例所提供的一種X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置，包括X-Ray源1、溫度控制盒2、樣品臺31、光收集系統(tǒng)3、光柵光譜儀4。

所述X-Ray源1是一種X-Ray管，能持續(xù)發(fā)射定向的X-Ray束。其X-ray的輻照劑量要達(dá)到材料發(fā)光所需的閾值。

所述溫度控制盒2(見圖3)包括保溫殼體34、溫度傳感器33、加熱制冷器32。

所述溫度傳感器33能將溫度轉(zhuǎn)換成電信號，從而感知被測樣品溫度信息，該溫度傳感器33被內(nèi)嵌在樣品臺31中，用來測試樣品的溫度信息。

所述加熱制冷器32能將樣品臺31加熱升溫和制冷降溫，根據(jù)溫度傳感器33反饋的溫度信息與設(shè)定值的差異來進(jìn)行加熱或者降溫，使樣品臺31溫度達(dá)到設(shè)定溫度。且為了保證整個樣品受熱均勻，樣品和加熱樣品臺需要貼合在一起。

所能達(dá)到的低溫范圍由保溫殼體所確定，如到液氦(絕對零度)或液氮溫度 (77K)。

所述樣品臺31、溫度傳感器33、加熱制冷器32均被放置于保溫殼體34中，以減少溫度控制器32的工作功率。

所述X-Ray源1和溫度控制盒2構(gòu)成激發(fā)光路，X-Ray源1發(fā)射的X-Ray進(jìn)入溫度控制盒2，打到樣品臺31上的被測樣品，之后樣品被加熱制冷器32加熱到設(shè)定溫度，樣品發(fā)射X-Ray誘導(dǎo)熱釋光信號。

所述光收集系統(tǒng)3(見圖4)包括準(zhǔn)直透鏡41、聚焦透鏡42、傳導(dǎo)光纖43；

所述準(zhǔn)直透鏡41將樣品發(fā)射的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光信號進(jìn)行準(zhǔn)直，經(jīng)所述聚焦透鏡42聚焦到所述傳導(dǎo)光纖43，經(jīng)傳導(dǎo)光纖43進(jìn)入光柵光譜儀4。

進(jìn)一步的，所述光柵光譜儀4(見圖5)包括狹縫器件51、信號光反射鏡52、反射式閃耀平場光柵53、反射聚光鏡54、圖像傳感器55；

所述經(jīng)傳導(dǎo)光纖43進(jìn)入光柵光譜儀4的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光信號，先穿過狹縫器件51，再依次由信號光反射鏡52反射至反射式閃耀平場光柵53，由反射式閃耀平場光柵53反射至反射聚光鏡54，由反射聚光鏡54反射至圖像傳感器55。

所述光收集系統(tǒng)3、光柵光譜儀4構(gòu)成光信號接收回路。

本發(fā)明實施例中，所述圖像傳感器45采用的是型號為ILX511B的線陣CCD圖像傳感器，本發(fā)明其它實施例中，所述圖像傳感器也可以采用能實現(xiàn)捕獲全光譜波長熒光光譜的其它圖像傳感器。

本發(fā)明實施例的工作原理如下：

X-Ray源1發(fā)射的X-Ray經(jīng)過保溫殼體34，照射在固定于樣品臺31上的樣品，之后加熱制冷器32根據(jù)溫度傳感器33的信號將樣品加熱到設(shè)定溫度，此時，樣品即發(fā)射X-Ray誘導(dǎo)熱釋光信號；

部分X-Ray誘導(dǎo)熱釋光信號通過保溫殼體34的出射口，進(jìn)入光收集系統(tǒng)3的準(zhǔn)直透鏡41，準(zhǔn)直透鏡41將樣品發(fā)射的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光信號進(jìn)行準(zhǔn)直，經(jīng)所述聚焦透鏡42聚焦到傳導(dǎo)光纖43，經(jīng)傳導(dǎo)光纖43的信號光進(jìn)入光柵光譜儀4的狹縫器件51，經(jīng)過狹縫器件51，再依次由信號光反射鏡52反射至反射式閃耀平場光柵53，產(chǎn)生色散，色散光由反射式閃耀平場光柵53反射至反射聚光鏡54，由反射聚光鏡54將色散光信號壓縮反射至圖像傳感器55，由圖像傳感器55捕獲后通過模電轉(zhuǎn)換，形成一個全光譜波長的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜。本發(fā)明實施例特別適用于陶瓷等物質(zhì)的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量。

本發(fā)明提供的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜測量裝置，引入了光柵光譜儀，該光柵光譜儀 采用反射式閃耀平場光柵實現(xiàn)對光信號的色散，采用圖像傳感器來一次性捕獲全光譜波長信號光譜，獲取光譜的時間周期很短(能達(dá)到1ms)，能實現(xiàn)光譜的實時采集，光譜重復(fù)性好，并能利用光信號的一些瞬態(tài)特征，還能減少裝置整體體積、降低裝置整體功耗；相對于傳統(tǒng)X-Ray熒光光譜測量裝置，該裝置增加了樣品溫度控制系統(tǒng)，不僅能檢測X-Ray熒光光譜，還能檢測更寬范圍的X-Ray誘導(dǎo)熱釋光光譜，對樣品分析更全面，準(zhǔn)確，數(shù)據(jù)信息更豐富。

下面進(jìn)一步例舉實施例以詳細(xì)說明本發(fā)明。同樣應(yīng)理解，以下實施例只用于對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明，不能理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的上述內(nèi)容作出的一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。下述示例具體的工藝參數(shù)等也僅是合適范圍中的一個示例，即本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過本文的說明做合適的范圍內(nèi)選擇，而并非要限定于下文示例的具體數(shù)值。

實施例1

圖6為X-Ray誘導(dǎo)低溫?zé)後尮鉁y試系統(tǒng)的原理圖，其中X-Ray光源的最高電壓為90Kv，電流為2-2.5mA；樣品室的溫度范圍為77K(液氮溫度)-500K，升溫速率<6K/min(可調(diào))；光譜儀探測靈敏度為26個光子(@250nm)。最終測試系統(tǒng)的主要指標(biāo)如下表所示：

測試結(jié)果1：

測試材料：Pr：LuAG閃爍陶瓷(添加Sc₂O₃,La₂O₃燒結(jié)助劑)；

材料來源：上海硅酸鹽研究所制備。

圖7中的紅色曲線是以Sc₂O₃和La₂O₃為燒結(jié)助劑制備的Pr:LuAG閃爍陶瓷的熱釋光曲線。輻照時間為5min；輻照劑量為70kv，2.5mA；77K至設(shè)定溫度的升溫速率為0.1k/min.左圖為意大利米蘭可比卡大學(xué)的測試結(jié)果，可以看出此樣品在200K附近有一個明顯的熱釋光峰，相關(guān)結(jié)果已在國際知名期刊上獲得發(fā)表(J.Am.Ceram.Soc.2012,95(7):2130-2132.)右圖是對同一塊樣品，用實施例1測試系統(tǒng)獲得的熱釋光曲線，可以看出，結(jié)果與意大利可比卡大學(xué)的結(jié)果一致，說明此臺儀器可以獲得準(zhǔn)確的熱釋光信號。

測試結(jié)果2：

測試材料：Ce,Pr:Gd₂O₂S陶瓷；

材料來源：上海硅酸鹽研究所。

圖8是采用實施例1搭建的測試系統(tǒng)，對Ce,Pr:Gd₂O₂S陶瓷測試獲得的熱釋光曲線。輻照時間為10min；輻照劑量為60kv，2.2mA；77K至480K設(shè)定溫度的升溫速率為0.15k/min。從圖中可以看出不同工藝獲得材料的熱釋光強(qiáng)度有明顯差異，強(qiáng)度高意味著缺陷濃度高，從而會造成光產(chǎn)額的降低和慢分量的增加。據(jù)此可以對制備工藝進(jìn)行優(yōu)選以獲得高性能的閃爍材料。測試數(shù)據(jù)得到國際同行認(rèn)可，此結(jié)果與文獻(xiàn)報到的結(jié)果一致(見圖9，Optical Materials 33(2011)1514–1518)，說明按照實施例1研制的低溫?zé)後尮鈨x器可以獲得較為準(zhǔn)確的測試信號。