本發(fā)明涉及探測領域，尤其涉及一種地下電子標簽的定位系統(tǒng)、方法及地下電子標簽探測儀。

背景技術：

圖1所示為一種地下電子標簽，在地下管線建設和維護過程中，所述地下電子標簽10可按照一定的間隔埋設，也可在改變走向的拐彎處和在一些事件點進行埋設以示標記。所述地下電子標簽10需與地下管線探測儀配合使用，構成地下管線電子標識系統(tǒng)。目前地下電子標簽的探測儀在進行地下電子標簽定位時，是通過提示聲音大小及屏幕顯示分貝數(shù)大小來判斷距離電子標簽的遠近。在探測時，由于沒有方向提示，需要手持探測儀前后左右改變位置才能判斷電子標簽在什么方向，導致探測時間長，探測準確度不高。

因此，現(xiàn)有技術還有待于改進和發(fā)展。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種地下電子標簽的定位系統(tǒng)、方法及地下電子標簽探測儀，無需手動改變探測儀的位置，實現(xiàn)了自動探測地下電子標簽的位置。

本發(fā)明的技術方案如下：

一種地下電子標簽的定位系統(tǒng)，包括：

探測天線，用于產生磁場；

多個霍爾傳感器，在與探測天線的中軸線垂直的面上，以中軸線為圓心均勻的設置；

處理模塊，用于根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，判斷地下電子標簽的位置。

所述的地下電子標簽的定位系統(tǒng)中，所述定位系統(tǒng)還包括顯示模塊，所述顯示模塊用于顯示地下電子標簽的位置。

所述的地下電子標簽的定位系統(tǒng)中，所述處理模塊與多個霍爾傳感器連接，所述處理模塊具體用于根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，比較得出檢測的磁感應強度最弱的霍爾傳感器，將磁感應強度最弱的霍爾傳感器所在的方位對應在顯示模塊中顯示為地下電子標簽的位置。

所述的地下電子標簽的定位系統(tǒng)中，所述探測天線為線圈天線。

所述的地下電子標簽的定位系統(tǒng)中，所述霍爾傳感器的數(shù)量為8個。

一種基于地下電子標簽的定位系統(tǒng)的地下電子標簽的定位方法，包括如下步驟：

A、由探測天線產生磁場；

B、多個霍爾傳感器檢測所在位置的磁感應強度；

C、處理模塊根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，判斷地下電子標簽的位置。

所述的地下電子標簽的定位方法中，所述定位方法還包括步驟：D、顯示模塊顯示地下電子標簽的位置。

所述的地下電子標簽的定位方法中，所述步驟C具體包括：處理模塊根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，比較得出檢測的磁感應強度最弱的霍爾傳感器，將磁感應強度最弱的霍爾傳感器所在的方位對應在顯示模塊中顯示為地下電子標簽的位置。

所述的地下電子標簽的定位方法中，所述探測天線為線圈天線。

一種地下電子標簽探測儀，包括如上所述的地下電子標簽的定位系統(tǒng)。

本發(fā)明提供一種地下電子標簽的定位系統(tǒng)、方法及地下電子標簽探測儀，其中，所述定位系統(tǒng)包括用于產生磁場的探測天線；在垂直探測天線中軸線的面上，以中軸線為圓心均勻的設置有多個霍爾傳感器；用于根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，判斷地下電子標簽的位置的處理模塊。由于地下電子標簽會影響到磁感應區(qū)的磁感應強度，故靠近地下電子標簽一側的霍爾傳感器感應到的磁感應強度會變弱，所述定位系統(tǒng)通過在垂直探測天線中軸線的面上，以中軸線為圓心均勻的設置多個霍爾傳感器，只需找出磁感應強最弱的霍爾傳感器所在的方位，即可獲知地下電子標簽的位置，實現(xiàn)了自動識別地下電子標簽，提高了定位速度和精度，無需手持探測儀前后左右改變位置來檢測。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的地下電子標簽的結構示意圖。

圖2為本發(fā)明所述地下電子標簽的定位系統(tǒng)的結構框圖。

圖3為本發(fā)明所述地下電子標簽的定位系統(tǒng)的原理示意圖。

圖4為本發(fā)明所述地下電子標簽的定位系統(tǒng)中，霍爾傳感器相對于探測天線的分布圖。

圖5為本發(fā)明所述地下電子標簽的定位方法的方法流程圖。

具體實施方式

本發(fā)明提供一種地下電子標簽的定位系統(tǒng)、方法及地下電子標簽探測儀，為使本發(fā)明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參見圖2，本發(fā)明提供的地下電子標簽的定位系統(tǒng)，包括探測天線20、多個霍爾傳感器（磁場傳感器）30、與多個霍爾傳感器30連接的處理模塊40和顯示模塊50。

請一并參閱圖3和圖4，所述探測天線20，用于產生磁場，產生的磁場中，磁感線如圖3虛線箭頭所示，形成一個磁感應區(qū)。所述探測天線20為線圈天線，線圈天線通電后，產生磁場。

多個霍爾傳感器30，在與探測天線20的中軸線垂直的面上，以中軸線為圓心均勻的設置。由于多個霍爾傳感器30均勻設置，以探測天線20中軸線為中心，正北方為基準，每個霍爾傳感器30相對于探測天線20的中軸線都會形成一個夾角，當有霍爾傳感器檢測到的磁感應強度異常時，即可根據(jù)該霍爾傳感器對地下電子標簽10進行定位，非常準確和方便。而且，霍爾傳感器30的數(shù)量越多，定位越準確。優(yōu)選的，所述霍爾傳感器30的數(shù)量為12個。而本實施例中，如圖4所示，所述霍爾傳感器的數(shù)量為8個，8個霍爾傳感器分別表示八個方位：北（前）、南（后）、西（左）和東（右）。

優(yōu)選的，所述霍爾傳感器30設置在探測天線20的一端；多個霍爾傳感器30所在的面，與探測天線20的一端保持一定距離。這樣設置有利于節(jié)省地下電子標簽探測儀的體積，提高探測精度。所述一定距離可根據(jù)探測天線20形成的磁場的強度和霍爾傳感器30之間的距離而定。

所述處理模塊40，用于根據(jù)多個霍爾傳感器30檢測到的磁感應強度，判斷地下電子標簽10的位置。具體的，所述處理模塊40用于根據(jù)多個霍爾傳感器30檢測到的磁感應強度，比較得出檢測的磁感應強度最弱的霍爾傳感器，將磁感應強度最弱的霍爾傳感器所在的方位對應在顯示模塊50中顯示為地下電子標簽10的位置。由于地下電子標簽10會影響到磁感應區(qū)的磁感應強度，故靠近地下電子標簽10一側的霍爾傳感器感應到的磁感應強度會變弱，所述處理模塊40只需比較得出磁感應強最弱的霍爾傳感器所在的方位，即可獲知地下電子標簽的位置，非常方便和實用。

所述顯示模塊50，用于顯示處理模塊40得出的地下電子標簽的位置，具體的，所述顯示模塊50存儲有電子地圖，所述顯示模塊50在電子地圖上顯示地下電子標簽的位置。

因此，本發(fā)明提供的地下電子標簽的定位系統(tǒng)，通過在垂直探測天線中軸線的面上，以中軸線為圓心均勻的設置多個霍爾傳感器。充分利用了電磁感應原理，處理模塊只需比較得出磁感應強最弱的霍爾傳感器所在的方位，即可獲知地下電子標簽的位置，在距離地下電子標簽平面距離2~3米內效果非常好，實現(xiàn)了自動識別地下電子標簽，提高了定位速度和精度，無需手持探測儀前后左右改變位置來檢測。

進一步的，所述處理模塊40包括基準單元、電壓比較單元和控制單元。

所述基準單元，用于獲取正北方向，以正北方向為基準。

所述電壓比較單元，用于比較與處理模塊40連接的霍爾傳感器輸出的電壓，得出輸出電壓最低的霍爾傳感器。霍爾傳感器檢測的電壓越低，說明磁感應強度越弱。

所述控制單元，用于根據(jù)預先設置的各個霍爾傳感器相對于基準（正北方向）的位置關系，具體的，根據(jù)預先設置的各個霍爾傳感器相對于基準（正北方向）的夾角，得出輸出電壓最低的霍爾傳感器與基準的夾角，控制顯示模塊將地下電子標簽的位置對應的在電子地圖上顯示出來。

由此可知，所述處理模塊只需比較設置在探測天線各個方位上的霍爾傳感器輸出的電壓即可識別地下電子標簽的位置，無需復雜的電路設計或者邏輯運算，簡單實用，所述處理模塊可以由模擬電路構成，當然，也可以是MCU，本發(fā)明不作限定。

基于上一實施例提供的地下電子標簽的定位系統(tǒng)，本發(fā)明還提供一種地下電子標簽的定位方法，如圖5所示，所述定位方法包括如下步驟：

S10、由探測天線產生磁場；在與探測天線的中軸線垂直的面上，以中軸線為圓心均勻的設置有多個霍爾傳感器。所述探測天線，用于產生磁場，產生的磁場中，磁感線如圖3虛線箭頭所示，形成一個磁感應區(qū)。所述探測天線20為線圈天線，線圈天線通電后，產生磁場。

S20、多個霍爾傳感器檢測所在位置的磁感應強度。由于多個霍爾傳感器均勻設置，以探測天線中軸線為中心，正北方為基準，每個霍爾傳感器相對于探測天線的中軸線都會形成一個夾角，當有霍爾傳感器檢測到的磁感應強度異常時，即可根據(jù)該霍爾傳感器對地下電子標簽進行定位，非常準確和方便。而且，霍爾傳感器的數(shù)量越多，定位越準確。優(yōu)選的，所述霍爾傳感器的數(shù)量為12個。而本實施例中，如圖4所示，所述霍爾傳感器的數(shù)量為8個，8個霍爾傳感器分別表示八個方位：北（前）、南（后）、西（左）和東（右）。

優(yōu)選的，所述霍爾傳感器設置在探測天線的一端；多個霍爾傳感器所在的面，與探測天線的一端保持一定距離。這樣設置有利于節(jié)省地下電子標簽探測儀的體積，提高探測精度。所述一定距離可根據(jù)探測天線形成的磁場的強度和霍爾傳感器之間的距離而定。

S30、處理模塊根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，判斷地下電子標簽的位置。進一步的，所述步驟S30具體包括：處理模塊根據(jù)多個霍爾傳感器檢測到的磁感應強度，比較得出檢測的磁感應強度最弱的霍爾傳感器，將磁感應強度最弱的霍爾傳感器所在的方位對應在顯示模塊中顯示為地下電子標簽的位置。由于地下電子標簽會影響到磁感應區(qū)的磁感應強度，故靠近地下電子標簽一側的霍爾傳感器感應到的磁感應強度會變弱，所述處理模塊只需比較得出磁感應強最弱的霍爾傳感器所在的方位，即可獲知地下電子標簽的位置，非常方便和實用。

S40、顯示模塊顯示地下電子標簽的位置。具體的，所述顯示模塊存儲有電子地圖，所述顯示模塊在電子地圖上顯示地下電子標簽的位置。

因此，本發(fā)明提供的地下電子標簽的定位方法，通過在垂直探測天線中軸線的面上，以中軸線為圓心均勻的設置多個霍爾傳感器。充分利用了電磁感應原理，處理模塊只需比較得出磁感應強最弱的霍爾傳感器所在的方位，即可獲知地下電子標簽的位置，在距離地下電子標簽平面距離2~3米內效果非常好，實現(xiàn)了自動識別地下電子標簽，提高了定位速度和精度，無需手持探測儀前后左右改變位置來檢測。

更進一步的，所述步驟S30包括：

S310、基準單元獲取正北方向，以正北方向為基準。

S320、電壓比較單元比較與處理模塊連接的霍爾傳感器輸出的電壓，得出輸出電壓最低的霍爾傳感器?；魻杺鞲衅鳈z測的電壓越低，說明磁感應強度越弱。

S330、控制單元根據(jù)預先設置的各個霍爾傳感器相對于基準（正北方向）的位置關系，具體的，根據(jù)預先設置的各個霍爾傳感器相對于基準（正北方向）的夾角，得出輸出電壓最低的霍爾傳感器與基準的夾角，控制顯示模塊將地下電子標簽的位置對應的在電子地圖上顯示出來。

由此可知，所述處理模塊只需比較設置在探測天線各個方位上的霍爾傳感器輸出的電壓即可識別地下電子標簽的位置，無需復雜的電路設計或者邏輯運算，簡單實用，所述處理模塊可以由模擬電路構成，當然，也可以是MCU，本發(fā)明不作限定。

基于上一實施例提供的地下電子標簽的定位系統(tǒng)，本發(fā)明還提供一種地下電子標簽探測儀，包括如上所述的地下電子標簽的定位系統(tǒng)。由于所述探測儀的具體探測原理及結構在上一實施例中已詳細闡述，在此不再贅述。

應當理解的是，本發(fā)明的應用不限于上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬于本發(fā)明所附權利要求的保護范圍。