1.一種量子點(diǎn)光纖氣體傳感器，其特征在于，包括光纖探針和涂覆于光纖探針末端的氣敏層；所述光纖探針是由光子晶體光纖與單模光纖熔接形成的光纖干涉結(jié)構(gòu)，其末端為折射率敏感區(qū)；所述氣敏層采用膠體量子點(diǎn)，利用膠體量子點(diǎn)的電導(dǎo)率與折射率隨氣體變化的室溫氣敏效應(yīng)實(shí)現(xiàn)氣體檢測(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)光纖氣體傳感器，其特征在于，所述膠體量子點(diǎn)為硫化鉛膠體量子點(diǎn)或氧化錫膠體量子點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的量子點(diǎn)光纖氣體傳感器，其特征在于，所述光纖探針由光子晶體光纖與單模光纖熔接并切割形成，熔接部位具有熔接氣泡；保留的光子晶體光纖段內(nèi)部具有氣孔結(jié)構(gòu)；光纖探針的末端是光子晶體光纖熔融形成的半球形熔接球。
4.一種用于權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)光纖氣體傳感器的光纖探針的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)將單模光纖與光子晶體光纖熔接，獲得單模光纖與光子晶體光纖的熔接結(jié)構(gòu)；其熔接部位具有熔接氣泡；
(2)對(duì)步驟(1)獲得的單模光纖與光子晶體光纖的熔接結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，保留一段光子晶體光纖；
(3)將步驟(2)中所述的保留的光子晶體光纖熔融，熔融部形成半球形熔接球，完成光纖探針的制備。
5.一種如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)光纖氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟：
(1)采用堿性或酸性溶液浸泡光纖探針，使其表面離子化；然后采用具有相反電性的膠體量子點(diǎn)溶液浸泡，使得膠體量子點(diǎn)結(jié)合在光纖探針表面構(gòu)成量子點(diǎn)薄膜；
(2)采用短鏈配體溶液浸泡步驟(1)獲得的覆蓋有量子點(diǎn)薄膜的光纖，以去除量子點(diǎn)表面包覆的長(zhǎng)鏈，便于后續(xù)量子點(diǎn)的再次結(jié)合以及薄膜的生長(zhǎng)；
(3)采用無水甲醇溶液浸泡步驟(2)獲得的產(chǎn)物，以去除殘余的短鏈配體及短鏈配體溶液與膠體量子點(diǎn)溶液反應(yīng)所生成的副產(chǎn)物；
(4)重復(fù)步驟(1)～步驟(3)，使得量子點(diǎn)薄膜的厚度達(dá)到50nm～500nm，完成量子點(diǎn)光纖氣體傳感器的制備。
6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中采用的膠體量子點(diǎn)溶液為硫化鉛膠體量子點(diǎn)溶液或氧化錫膠體量子點(diǎn)溶液。
7.一種如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)光纖氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟：
(1)將光纖探針置于膠體量子點(diǎn)合成前驅(qū)物中反應(yīng)，使量子點(diǎn)在光纖探針表面自動(dòng)生長(zhǎng)均勻成膜；
(2)將步驟(1)獲得的生長(zhǎng)有量子點(diǎn)膜的光纖探針退火，去除合成前驅(qū)物及其副產(chǎn)物；
(3)采用短鏈配體溶液浸泡步驟(2)獲得的產(chǎn)物并干燥，以對(duì)氣敏層進(jìn)行改性，增強(qiáng)氣敏層的氣體吸附活性；
(4)重復(fù)步驟(3)，使氣敏層改性充分，完成量子點(diǎn)光纖氣體傳感器的制備。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，反應(yīng)溫度為120℃～150℃，反應(yīng)時(shí)間為60s～300s。
9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，退火溫度為120℃～300℃，退火時(shí)間為0.5h～3h。
10.如權(quán)利要求5或7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中采用的短鏈配體溶液為氯化銨溶液、亞硝酸鈉溶液、氯化銅溶液、硝酸銀溶液或硝酸銅溶液。