本發(fā)明涉及高壓輸變電工程狀體檢修設(shè)備計(jì)量領(lǐng)域，具體涉及一種UHF局部放電測(cè)量裝置的校準(zhǔn)方法。

背景技術(shù)：

UHF局部放電檢測(cè)是測(cè)量GIS絕緣狀況的有效手段，用于定量的測(cè)量GIS局部放電的電場(chǎng)信號(hào)，如果UHF局部放電檢測(cè)裝置無(wú)法有效檢測(cè)GIS內(nèi)部放電情況，將會(huì)造成GIS絕緣的破壞，從而造成相關(guān)事故的發(fā)生。運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)表明，現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)外各種型號(hào)的UHF局部放電檢測(cè)裝置的計(jì)量性能良莠不齊，迫切需要一種行之有效的UHF局部放電測(cè)量裝置的校準(zhǔn)方法來(lái)對(duì)各類(lèi)UHF局部放電檢測(cè)儀進(jìn)行校準(zhǔn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了滿(mǎn)足現(xiàn)有技術(shù)的需要，本發(fā)明提供了一種UHF局部放電測(cè)量裝置的校準(zhǔn)方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

所述方法包括：

步驟1：構(gòu)建場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)；

步驟2：將所述UHF局部放電測(cè)量裝置和參考場(chǎng)強(qiáng)儀置于所述場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)內(nèi)，測(cè)量同一個(gè)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)；

步驟3：比較所述UHF局部放電測(cè)量裝置和參考場(chǎng)強(qiáng)儀的輸出信號(hào)，確定UHF局部放電測(cè)量裝置的測(cè)量準(zhǔn)確度。

優(yōu)選的，所述場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)包括射頻信號(hào)源、功率放大器、GTEM小室和頻譜儀；

所述射頻信號(hào)源與功率放大器連接，該功率放大器通過(guò)同軸傳輸線接入GTEM小室；

所述參考場(chǎng)強(qiáng)儀放置在GTEM小室內(nèi)，該參考場(chǎng)強(qiáng)儀的場(chǎng)強(qiáng)探頭與頻譜儀連接；

優(yōu)選的，所述參考場(chǎng)強(qiáng)儀為全向場(chǎng)強(qiáng)儀；所述同軸傳輸線為50Ω帶狀傳輸線；

優(yōu)選的，所述UHF局部放電測(cè)量裝置包括主機(jī)和待測(cè)傳感器；所述主機(jī)接收待測(cè)傳感器的輸出信號(hào)；

步驟2中將所述待測(cè)傳感器與參考場(chǎng)強(qiáng)儀放置在所述GTEM小室的同一個(gè)測(cè)試區(qū)域內(nèi)；

優(yōu)選的，所述功率放大器包括第一放大器和第二放大器；

所述第一放大器的輸出頻率為300MHz～1GHz；

所述第二放大器的輸出頻率為800MHz～3GHz；

優(yōu)選的，所述GTEM小室的測(cè)試區(qū)域的頻率范圍為300MHz～3GHz；

優(yōu)選的，所述GTEM小室的測(cè)試區(qū)域的不確定度為±1dB；

優(yōu)選的，所述射頻信號(hào)源的輸出信號(hào)為300MHz～3GHz的連續(xù)信號(hào)。

與最接近的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)異效果是：

1、本發(fā)明提供的一種UHF局部放電測(cè)量裝置的校準(zhǔn)方法，通過(guò)建立一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的電場(chǎng)環(huán)境，回避射頻信號(hào)源在測(cè)量環(huán)境中衰減過(guò)大，難以控制的問(wèn)題；

2、本發(fā)明提供的一種UHF局部放電測(cè)量裝置的校準(zhǔn)方法，采用了300MHz～1GHz和800MHz～3GHz兩個(gè)頻率范圍的放大器，解決了UHF局部放電頻帶較寬難以測(cè)量的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1：本發(fā)明實(shí)施例中場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

本發(fā)明提供的一種UHF局部放電測(cè)量裝置的校準(zhǔn)方法的實(shí)施例為：

一、構(gòu)建場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)。

如圖1所示，本實(shí)施例中場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)包括射頻信號(hào)源、功率放大器、GTEM小室、參考場(chǎng)強(qiáng)儀和頻譜儀。其中，

1、射頻信號(hào)源

射頻信號(hào)源與功率放大器連接，該功率放大器通過(guò)同軸傳輸線接入GTEM小室。該同軸傳輸線為50Ω帶狀傳輸線。

射頻信號(hào)源的輸出信號(hào)為300MHz～3GHz的連續(xù)信號(hào)。

2、功率放大器

本實(shí)施例中功率放大器包括第一放大器和第二放大器。其中，

第一放大器的輸出頻率為300MHz～1GHz，第二放大器的輸出頻率為800MHz～3GHz。

3、參考場(chǎng)強(qiáng)儀

參考場(chǎng)強(qiáng)儀放置在GTEM小室內(nèi)，該參考場(chǎng)強(qiáng)儀的場(chǎng)強(qiáng)探頭與頻譜儀連接，該參考場(chǎng)強(qiáng)儀為全向場(chǎng)強(qiáng)儀。

4、UHF局部放電測(cè)量裝置

UHF局部放電測(cè)量裝置包括主機(jī)和待測(cè)傳感器；其中主機(jī)接收待測(cè)傳感器的輸出信號(hào)。

二、將UHF局部放電測(cè)量裝置和參考場(chǎng)強(qiáng)儀置于場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量系統(tǒng)內(nèi)，測(cè)量同一個(gè)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)。

本實(shí)施例中將待測(cè)傳感器與參考場(chǎng)強(qiáng)儀放置在GTEM小室的同一個(gè)測(cè)試區(qū)域內(nèi)，分別通過(guò)絕緣且不干擾電磁波的裝置進(jìn)行支撐和固定。

GTEM小室用于產(chǎn)生均勻的可以被校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)場(chǎng)環(huán)境，其測(cè)試區(qū)域的頻率范圍為300MHz～3GHz，GTEM小室的測(cè)試區(qū)域的不確定度為±1dB。本實(shí)施例中測(cè)試區(qū)域的頻率范圍與UHF局部放電測(cè)量裝置的典型頻率范圍相同，其中測(cè)試區(qū)域的電場(chǎng)頻率范圍可以通過(guò)GTEM小室的集合尺寸和形狀進(jìn)行計(jì)算，并結(jié)合測(cè)量得到的輸入?yún)?shù)獲得。

三、比較UHF局部放電測(cè)量裝置和參考場(chǎng)強(qiáng)儀的輸出信號(hào)，確定UHF局部放電測(cè)量裝置的測(cè)量準(zhǔn)確度。

最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是：所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。