1.一種射頻測(cè)量系統(tǒng)，其包括：
至少一個(gè)射頻探針，所述至少一個(gè)射頻探針被配置來(lái)通過介質(zhì)發(fā)送和接收射頻信號(hào)；
所述介質(zhì)，所述介質(zhì)包含第一材料，所述第一材料的介電性質(zhì)隨著暴露于至少一種第二材料對(duì)所述介質(zhì)造成的變化而以預(yù)定的方式改變；以及
控制單元，所述控制單元被配置來(lái)基于所接收的射頻信號(hào)確定所述第二材料在所述介質(zhì)上的積聚。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述第一材料的性質(zhì)受所述第二材料的影響。
3.如權(quán)利要求2所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述第一材料以物理或化學(xué)方式與所述第二材料相互作用。
4.如權(quán)利要求3所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述第一材料儲(chǔ)存所述第二材料，從而影響所述第一材料的介電常數(shù)。
5.如權(quán)利要求3所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述第一材料導(dǎo)致所述第二材料的氧化。
6.如權(quán)利要求3所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述介質(zhì)是過濾元件，并且所述第一材料包括在所述過濾元件上的涂層。
7.如權(quán)利要求3所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述介質(zhì)是過濾元件，并且所述第一材料包括嵌入所述過濾元件中的顆粒。
8.如權(quán)利要求1所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述控制單元基于從所接收的射頻信號(hào)計(jì)算出的參數(shù)來(lái)確定積聚，其中所述參數(shù)選自由由以下組成的組：絕對(duì)功率衰減、相對(duì)功率衰減、絕對(duì)相移和相對(duì)相移。
9.如權(quán)利要求1所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述介質(zhì)用于第一目的，并且所述第一材料不改善所述介質(zhì)的性能以執(zhí)行所述第一目的。
10.一種射頻測(cè)量系統(tǒng)，其包括：
樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)，所述樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)被設(shè)計(jì)成控制樣品的條件；
腔，所述腔與所述樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)連通；
至少一個(gè)射頻探針，所述至少一個(gè)射頻探針被配置來(lái)通過包含所述樣品的所述腔發(fā)送和接收射頻信號(hào)；以及
控制單元，所述控制單元被配置來(lái)基于在所述受控條件下所接收的射頻信號(hào)確定所述樣品的至少一個(gè)特性。
11.如權(quán)利要求10所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)調(diào)整所述樣品的溫度。
12.如權(quán)利要求10所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)調(diào)整所述樣品中的水分的量。
13.如權(quán)利要求10所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其還包括：第一傳感器，所述第一傳感器設(shè)置在所述樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)的上游；以及第二傳感器，所述第二傳感器設(shè)置在所述樣品調(diào)節(jié)系統(tǒng)的下游，其中所述控制單元使用閉環(huán)控制來(lái)控制所述樣品的所述條件。
14.一種射頻測(cè)量系統(tǒng)，其包括：
樣品腔，所述樣品腔具有用于引入樣品的端口；
測(cè)量腔；
可移動(dòng)過濾元件，所述可移動(dòng)過濾元件在所述樣品腔與所述測(cè)量腔之間通過；
至少一個(gè)射頻探針，所述至少一個(gè)射頻探針被配置來(lái)通過所述測(cè)量腔發(fā)送和接收射頻信號(hào)；以及
控制單元，所述控制單元被配置來(lái)基于所接收的射頻信號(hào)確定所述樣品的至少一個(gè)特性。
15.如權(quán)利要求14所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述可移動(dòng)過濾元件是設(shè)置在第一輥和第二輥上的條狀過濾器，其中所述過濾元件通過旋轉(zhuǎn)所述第一輥和所述第二輥從所述樣品腔前進(jìn)到所述測(cè)量腔。
16.一種射頻探針，其包括：
內(nèi)導(dǎo)體；
外導(dǎo)電套管；
介電材料，所述介電材料設(shè)置在所述外導(dǎo)電套管與所述內(nèi)導(dǎo)體之間；以及
穿孔的外護(hù)套，所述穿孔的外護(hù)套與所述外導(dǎo)電套管電連通，從而形成封閉的容積，其中從所述內(nèi)導(dǎo)體發(fā)送的射頻信號(hào)包含在所述封閉容積內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的射頻探針，其中所述穿孔的外護(hù)套是導(dǎo)電的。
18.一種射頻探針，其包括：
內(nèi)導(dǎo)體；
外導(dǎo)電套管；
介電材料，所述介電材料設(shè)置在所述外導(dǎo)電套管與所述內(nèi)導(dǎo)體之間，并且延伸超過所述內(nèi)導(dǎo)體和所述外導(dǎo)電套管，以形成暴露的部分，其中材料積聚在所述暴露部分上。
19.一種射頻測(cè)量系統(tǒng)，其包括：
非導(dǎo)電導(dǎo)管，樣品穿過所述非導(dǎo)電導(dǎo)管；
導(dǎo)電腔，所述導(dǎo)電腔圍繞所述非導(dǎo)電導(dǎo)管的至少一部分定位；
至少一個(gè)射頻探針，所述至少一個(gè)射頻探針被配置來(lái)通過所述導(dǎo)電腔發(fā)送和接收射頻信號(hào)；以及
控制單元，所述控制單元被配置來(lái)基于所接收的射頻信號(hào)確定所述樣品的至少一個(gè)特性。
20.如權(quán)利要求19所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述非導(dǎo)電導(dǎo)管和所述導(dǎo)電腔具有環(huán)形構(gòu)型。
21.如權(quán)利要求19所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述非導(dǎo)電導(dǎo)管在所述導(dǎo)電腔的特定區(qū)域內(nèi)引導(dǎo)所述樣品。
22.如權(quán)利要求21所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述特定區(qū)域是低電場(chǎng)區(qū)域。
23.如權(quán)利要求21所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述特定區(qū)域是高電場(chǎng)區(qū)域。
24.如權(quán)利要求19所述的射頻測(cè)量系統(tǒng)，其中所述射頻探針未暴露于所述樣品。