1.一種用于測(cè)量氣溶膠中的顆粒質(zhì)量的質(zhì)量傳感器，包括：
傳感器元件(32)；
加熱元件(38)，用于加熱所述傳感器元件；
換能器元件(34)，用于驅(qū)動(dòng)所述傳感器元件諧振并且檢測(cè)所述傳感器元件的諧振頻率，其中所述諧振頻率取決于沉積在所述傳感器元件上的顆粒的質(zhì)量；以及
控制器(36)，用于操作所述加熱元件，并且基于檢測(cè)到的所述諧振頻率的變化監(jiān)測(cè)加熱期間質(zhì)量的變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量傳感器，其中所述控制器(36)進(jìn)一步適合于：
在沒有加熱的情況下實(shí)施初始采樣操作；以及
執(zhí)行后續(xù)的溫度控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的質(zhì)量傳感器，進(jìn)一步包括查找表，所述查找表包括與針對(duì)不同類型的顆粒物的質(zhì)量-溫度函數(shù)有關(guān)的信息。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的質(zhì)量傳感器，其中所述傳感器元件(32)包括具有諧振體的MEMS傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的質(zhì)量傳感器，其中所述加熱元件包括形成在所述諧振體的表面上或嵌入所述諧振體內(nèi)的加熱跡線(38)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的質(zhì)量傳感器，進(jìn)一步包括樣本攝入裝置(30)，用于在感測(cè)周期的至少第一部分期間操作以向所述傳感器元件驅(qū)動(dòng)被監(jiān)測(cè)的氣溶膠。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的質(zhì)量傳感器，進(jìn)一步包括顆粒過濾裝置(30)，用于選擇要被測(cè)量的顆粒質(zhì)量的顆粒尺寸范圍。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的質(zhì)量傳感器，進(jìn)一步包括在所述傳感器元件附近的氣體感測(cè)元件。
9.一種空氣處理裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的質(zhì)量傳感器。
10.一種測(cè)量氣溶膠中的顆粒質(zhì)量的方法，包括：
驅(qū)動(dòng)傳感器元件(32)諧振；
檢測(cè)所述傳感器元件的諧振頻率，其中所述諧振頻率取決于沉積在所述傳感器元件上的顆粒的質(zhì)量；
加熱所述傳感器元件；以及
基于檢測(cè)到的所述諧振頻率的變化，監(jiān)測(cè)加熱期間所述質(zhì)量的變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括：
在沒有加熱的情況下實(shí)施初始采樣操作；以及
執(zhí)行后續(xù)的溫度控制。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，還包括使用查找表，所述查找表包括與針對(duì)不同類型的顆粒物的質(zhì)量-溫度函數(shù)有關(guān)的信息，以從所監(jiān)測(cè)的加熱期間的質(zhì)量變化中獲取顆粒信息。
13.根據(jù)權(quán)利要求10、11或12所述的方法，其中所述加熱元件包括形成在諧振體的表面上的加熱跡線(38)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括在感測(cè)周期的至少第一部分期間向所述傳感器元件驅(qū)動(dòng)被監(jiān)測(cè)的氣溶膠。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括執(zhí)行顆粒過濾以限定氣溶膠污染物要被監(jiān)測(cè)的顆粒尺寸的范圍。