本申請(qǐng)總體涉及醫(yī)學(xué)成像。其具體結(jié)合正電子發(fā)射斷層攝影(pet)探測器的校準(zhǔn)應(yīng)用,并且將具體參考其進(jìn)行描述。然而,應(yīng)理解到,其也適用于其他使用場景并且不一定限于前述應(yīng)用。
背景技術(shù):
在具有飛行時(shí)間(tof)功能的pet中,重建算法依賴于針對(duì)每個(gè)響應(yīng)線(lor)的精確定時(shí)校準(zhǔn)。當(dāng)前校準(zhǔn)方法使用正電子發(fā)射點(diǎn)源、圓柱體源或患者數(shù)據(jù)來確定閃爍器晶體定時(shí)。然而,這些源對(duì)于pet系統(tǒng)的定時(shí)校準(zhǔn)不是有利的。點(diǎn)源是小的并且直接符合事件計(jì)數(shù)對(duì)于許多有效lor不可用。圓柱體源太大以致于沿著每條lor,源被分布在大范圍中。
圓柱體校準(zhǔn)源被放置在掃描器的中心中。存在不與體模相交因此不能夠直接校準(zhǔn)的一些lor。在這種情況下,只能間接地導(dǎo)出定義不相交的lor的閃爍晶體之間的實(shí)際時(shí)間差。間接導(dǎo)出背后的隱含假定是要么晶體處的延遲獨(dú)立于伽瑪入射角,要么每個(gè)晶體處的延遲總是相同的。然而,更大的(即,更淺的)入射角可能引起歸因于伽瑪光子在閃爍晶體中的減小的平均相互作用深度(doi)的額外的延遲??梢姷拈W爍光子比閃爍晶體中的伽瑪光子行進(jìn)更慢,其導(dǎo)致歸因于由伽瑪光子貫穿的晶體長度的比例的時(shí)間差。為了校準(zhǔn)環(huán)型掃描器,來自校準(zhǔn)源的每條lor在兩端處相同入射角處撞擊晶體。因此,假定由增加的入射角引起的額外延遲是相同的。
圓柱體源中的活動(dòng)被分布在沿著lor的范圍中,因此相比于活動(dòng)在沿著lor的單個(gè)斑點(diǎn)處集中,以相同精度確定lor的晶體定時(shí)要求更大數(shù)目的計(jì)數(shù)。此外,符合光子遇到康普頓散射的機(jī)會(huì)隨著源的體積增加。將散射光子包括在測量結(jié)果中還降低晶體定時(shí)精度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
根據(jù)一個(gè)方面,一種診斷成像系統(tǒng)包括:多個(gè)輻射探測器,其被配置為探測從成像區(qū)域發(fā)出的輻射事件;以及校準(zhǔn)體模,其被配置為實(shí)質(zhì)上跨整個(gè)視場被設(shè)置于所述成像區(qū)域中并且生成定義響應(yīng)線的輻射事件對(duì),其中,所述校準(zhǔn)體模是薄的,使得每條lor沿著其長度唯一地與所述校準(zhǔn)體模相交,所述體模的厚度小于所述lor的長度。
根據(jù)另一方面,一種用于校準(zhǔn)診斷成像系統(tǒng)的方法,包括:將校準(zhǔn)體模實(shí)質(zhì)上跨整個(gè)視場布置在成像區(qū)域中并且生成定義響應(yīng)線的輻射事件對(duì),其中,所述校準(zhǔn)體模是薄的,使得每條lor沿著其長度唯一地與所述校準(zhǔn)體模相交,所述體模的厚度小于所述lor的長度;并且探測從所述成像區(qū)域發(fā)出的多個(gè)輻射事件。
根據(jù)另一方面,一種診斷成像裝置,包括:被布置在成像區(qū)域周圍的多個(gè)輻射探測器,其被配置為探測從所述成像區(qū)域發(fā)出的輻射事件,所述探測器具有不同的定時(shí)延遲。所述系統(tǒng)還包括平面校準(zhǔn)體模,所述平面校準(zhǔn)體模被配置為被設(shè)置于所述成像區(qū)域中,所述體模包括發(fā)射相反地行進(jìn)的輻射事件對(duì)的輻射源,所述輻射事件對(duì)與所述輻射探測器相互作用并且定義lor,所述體模定義沿著每條lor的已知位置。所述系統(tǒng)還包括一個(gè)或多個(gè)處理器,所述一個(gè)或多個(gè)處理器被配置為從所述探測器接收輸出,并且根據(jù)所述探測器輸出的已知位置和相對(duì)定時(shí)來確定針對(duì)所述探測器的時(shí)間校正因子,所述時(shí)間校正因子校正所述探測器之間的不同的定時(shí)延遲。
一個(gè)優(yōu)點(diǎn)存在于更準(zhǔn)確的定時(shí)校準(zhǔn)。
另一優(yōu)點(diǎn)存在于更快的校準(zhǔn)。
另一優(yōu)點(diǎn)存在于針對(duì)校準(zhǔn)的降低的計(jì)數(shù)。
另一優(yōu)點(diǎn)存在于校正每個(gè)晶體中的入射角。
本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀和理解了以下詳細(xì)說明之后,將領(lǐng)會(huì)到本發(fā)明的更進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明可以采取各種部件和各部件的布置以及各種步驟和各步驟的安排的形式。附圖僅出于圖示優(yōu)選的實(shí)施例的目的并且不應(yīng)被解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
附圖說明
圖1圖示了待校準(zhǔn)的核成像系統(tǒng);
圖2描繪了塊探測器的相互作用的深度;
圖3圖示了薄片源的取向;并且
圖4描繪了用于校準(zhǔn)成像系統(tǒng)的方法。
具體實(shí)施方式
本申請(qǐng)?zhí)峁┬?zhǔn)pet系統(tǒng)中的定時(shí)的系統(tǒng)和方法。所述缺點(diǎn)可以通過本申請(qǐng)來克服。本申請(qǐng)使用薄片源或薄片源的變型來對(duì)tof-pet定時(shí)進(jìn)行校準(zhǔn)。源是大的平的薄片,使得要與對(duì)象相交的所有l(wèi)or在平行于中心軸(例如,在中心水平地)放置時(shí)穿過薄片源??梢詫?duì)薄片源進(jìn)行旋轉(zhuǎn),使得所有l(wèi)or在至少一個(gè)取向上與所述薄片源相交。使用薄片源或類似類型源用作定時(shí)校準(zhǔn)得到大的lor覆蓋、可忽略的散射貢獻(xiàn),并且使沿著每條lor的窄活動(dòng)分布變化。而且,不需要間接地導(dǎo)出針對(duì)任何lor的lor定時(shí),因?yàn)榇嬖诳捎糜诿總€(gè)有效lor的直接符合事件計(jì)數(shù)。由于活動(dòng)沿著每條lor狹窄地分布(即,基本上在單個(gè)點(diǎn)處),因而實(shí)現(xiàn)相同定時(shí)校準(zhǔn)精度所需要的所探測的計(jì)數(shù)的數(shù)目低得多。
參考圖1,成像系統(tǒng)10將被校準(zhǔn)。校準(zhǔn)技術(shù)校準(zhǔn)與tof正電子發(fā)射斷層攝影(tof-pet)相關(guān)聯(lián)的飛行時(shí)間(tof)測量結(jié)果中利用的符合定時(shí)。
符合源14被放置在pet掃描器10的成像區(qū)域16(或孔)內(nèi)。下面更詳細(xì)地描述了符合源14。輻射事件由閃爍器和硅光電倍增管(sipm)或其他探測器(諸如光電倍增管(pmt))探測,或者探測器陣列20還預(yù)期雪崩光電二極管(apd)等。校準(zhǔn)處理器24對(duì)pet掃描器的探測器的相對(duì)定時(shí)進(jìn)行校準(zhǔn)。下面更詳細(xì)地描述了校準(zhǔn)。
每個(gè)所探測的伽瑪光子事件由時(shí)鐘30進(jìn)行時(shí)間戳記。在數(shù)字pet系統(tǒng)中,每個(gè)事件通常被時(shí)間戳記在支持apd的電路上。符合對(duì)探測器34比較所探測的事件的時(shí)間戳以確定定義端點(diǎn)和/或例如在預(yù)選擇的符合時(shí)間窗內(nèi)發(fā)生的事件對(duì)。
參考圖2并且繼續(xù)參考圖1,醫(yī)學(xué)成像系統(tǒng)10包括輻射探測器20的環(huán)(包括晶體2(例如,幾千個(gè))光探測器4(例如,幾百個(gè)、幾千個(gè))和支持電路模塊6(例如,幾十個(gè))),其被布置在成像區(qū)域16周圍以探測從成像區(qū)域16內(nèi)發(fā)射的輻射事件(例如,伽馬射線)。如所描繪的,多個(gè)探測器20可以被布置在多個(gè)模塊22中,其中的每一個(gè)發(fā)送指示每個(gè)事件的至少能量和時(shí)間的數(shù)字信號(hào)。掃描器10還包括用于將患者或成像對(duì)象定位在成像區(qū)域16中的支持機(jī)構(gòu)70。在一些實(shí)例中,支持機(jī)構(gòu)70在一般橫向于輻射探測器20的軸向上線性地可移動(dòng)以促進(jìn)采集三維成像數(shù)據(jù)。
在準(zhǔn)備利用掃描器10進(jìn)行成像時(shí),適合的放射藥劑被給予到將被掃描的對(duì)象,并且對(duì)象被定位在成像區(qū)域16內(nèi)。放射藥劑經(jīng)歷放射性衰變,其造成正電子的發(fā)射。每個(gè)正電子與一個(gè)或多個(gè)附近的電子相互作用并且湮滅,其產(chǎn)生各自具有大約511kev的兩個(gè)反向的(180度)伽瑪射線。兩個(gè)反向的伽瑪射線可以基本上同時(shí)(即,符合地)撞擊相反的探測器。
對(duì)探測器34識(shí)別屬于對(duì)應(yīng)的電子-正電子湮滅事件的基本上同時(shí)或符合伽瑪射線探測對(duì)。該處理可以包括例如能量窗口(例如,丟棄關(guān)于511kev布置的所選擇的能量窗之外的輻射探測事件)和符合探測電路(例如,丟棄在時(shí)間上彼此分離開大于所選擇的時(shí)間窗的輻射探測事件對(duì))。
一旦識(shí)別事件對(duì),響應(yīng)線(lor)處理器72處理針對(duì)每對(duì)事件的空間信息以識(shí)別連接兩個(gè)伽瑪射線探測的空間lor。由于由正電子-電子湮滅事件所發(fā)射的兩個(gè)伽瑪射線相反地在空間上定向,因而已知電子-正電子湮滅事件已經(jīng)發(fā)生在lor上的某個(gè)地方。在tof-pet中,探測器4和時(shí)鐘30的時(shí)間戳具有足夠高的時(shí)間分辨率來探測兩個(gè)基本上同時(shí)的伽瑪射線探測之間的飛行時(shí)間(tof)差。tof處理器74分析符合對(duì)的每個(gè)事件的時(shí)間之間的時(shí)間差以沿著lor定位正電子-電子湮滅事件。時(shí)間偏移或校正存儲(chǔ)器76存儲(chǔ)針對(duì)探測定義每條lor的事件的探測器的響應(yīng)時(shí)間中的時(shí)間差的校正。存儲(chǔ)器76由如由其端節(jié)點(diǎn)所定義的lor尋址以移動(dòng)對(duì)飛行時(shí)間處理器74的時(shí)間校正以補(bǔ)償兩個(gè)探測器的響應(yīng)時(shí)間中的相對(duì)差。
重建引擎78將lor重建為圖像,所述圖像被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置或存儲(chǔ)器80中的,并且可以被顯示、打印、歸檔、制成膠片、處理、傳送到另一設(shè)備、顯示在監(jiān)視器82上等。放射科醫(yī)師或其他適合的臨床醫(yī)師可以使用原始數(shù)據(jù)和/或經(jīng)重建的圖像來控制tof-pet掃描器10、診斷對(duì)象等。
將理解到,可以由一個(gè)或多個(gè)處理部件來執(zhí)行上文所描述的處理以及其他處理。因此,可以通過單個(gè)處理部件、個(gè)體處理部件、處理部件的不同的組合、和/或以上的組合來處理本文所描述的處理。
為了校準(zhǔn)核掃描器10特別是確定要存儲(chǔ)在時(shí)間校準(zhǔn)存儲(chǔ)器中的時(shí)間校正,體模被放置在掃描器10中并且方便地水平地取向。薄片源14被放置在近似掃描器的中心處并且近似地水平的。通過掃描器12以列表模式采集記錄若干符合事件。每個(gè)符合事件包括哪兩個(gè)晶體探測到符合事件和兩個(gè)晶體之間的時(shí)間差。在另一實(shí)施例中,當(dāng)使用非平面源時(shí),使用針對(duì)每條lor的事件時(shí)間直方圖,使得lor可以與體模相交兩次或兩次以上,沿著lor直方圖將存在超過一個(gè)峰。
參考圖3,在一個(gè)實(shí)施例中,在記錄了當(dāng)前數(shù)目的事件之后,薄片源14被旋轉(zhuǎn)到另一取向15(例如,一般地垂直地),并且執(zhí)行后續(xù)列表模式采集。在一個(gè)實(shí)施例中,至少兩個(gè)幾乎垂直的取向被用于確保所有l(wèi)or至少在一個(gè)取向上穿過薄片源14。在一個(gè)實(shí)施例中,使用平坦的薄片源,但是還預(yù)期了源14的其他形狀。
其他實(shí)施例預(yù)期不同的形狀的源,例如薄圓柱體殼體和旋轉(zhuǎn)線源。如果殼體的半徑大于橫向fov,則該類型的體模使用單個(gè)采集。在該實(shí)施例中,存在體模與每條lor的兩個(gè)相交點(diǎn)。
在另一實(shí)施例中,使用由三個(gè)或四個(gè)平面源組成的殼體形狀。在該實(shí)施例中,后續(xù)采集,其中,將體模旋轉(zhuǎn)大約60度,來捕獲不與體模相交的lor以與體模相交。
在一個(gè)實(shí)施例中,源14具有相對(duì)大的面積和相對(duì)小的體積。源14的大面積覆蓋整個(gè)或基本上整個(gè)視場(fov),其造成在單次測量中通過源的更多l(xiāng)or。源的小體積(特別是薄層)限制沿著每條lor的窄范圍內(nèi)的活動(dòng),使得所需要的計(jì)數(shù)與跨越寬范圍的更大的體積源相比較被降低。大約70cm×70cm×1.5mm厚的薄片源14是大面積且小體積的范例。薄體積引起針對(duì)伽瑪光子的較少的散射。在另一實(shí)施例中,從點(diǎn)源的陣列構(gòu)建薄片源14。在另一實(shí)施例中,源相對(duì)于閃爍晶體的寬度是薄的。
校準(zhǔn)處理器24要么根據(jù)薄片源14的非飛行時(shí)間(非tof)正弦圖要么通過其他手段來確定源14的位置和取向。在一個(gè)實(shí)施例中,使用體模保持器,使得位置和取向是已經(jīng)已知的。在確定了薄片源的位置和取向之后,校準(zhǔn)處理器24確定事件lor與源14的平面相交的點(diǎn)。相交點(diǎn)是符合伽瑪光子起源處。校準(zhǔn)處理器24計(jì)算每個(gè)伽瑪光子到達(dá)探測器晶體所需要的時(shí)間。確針對(duì)定lorij的期望時(shí)間差eij,其中,i和j是針對(duì)lor的晶體指數(shù)。如果針對(duì)每條lor的計(jì)數(shù)是足夠高的,eij與
通常地,現(xiàn)代3dpet掃描器可以具有大約幾億個(gè)有效lor,其中每條lor具有大約幾千個(gè)計(jì)數(shù)為達(dá)到百分之幾的定時(shí)精度水平得到大約萬億計(jì)數(shù)。如果使用體積源,則所要求的計(jì)數(shù)歸因于lor中的源的較寬的分布的而高出一個(gè)級(jí)別。因此,采集針對(duì)所有l(wèi)or的足夠的計(jì)數(shù)以到達(dá)期望的定時(shí)精度是耗費(fèi)時(shí)間的。然而,如果探測器晶體的定時(shí)不隨著伽瑪入射角變化,那么校準(zhǔn)處理器24在在對(duì)最小均方誤差最小化的迭代過程中計(jì)算晶體延遲以解決計(jì)數(shù)缺陷。
對(duì)于屬于lorij的測量符合事件而言,其中,i和j是晶體指數(shù),在沒有晶體延遲的情況下的期望時(shí)間差是eij。為將分別在晶體i和j處的τi和τj的晶體延遲因子化,校準(zhǔn)處理器24使用(eij-τi+τj)計(jì)算針對(duì)事件的期望測量時(shí)間差。所有事件的均方誤差的和是:
q關(guān)于τi的偏導(dǎo)數(shù)是
其中,所述和包括與晶體i有關(guān)的事件。求解特定lorij,得到
其中,nij是lorij中的事件的數(shù)目。使用該等式,針對(duì)所有事件的最小均方差是
針對(duì)晶體i的晶體延遲τi求解等式以得到
不能解析地確定τi的確切知識(shí)。然而,校準(zhǔn)處理器24將針對(duì)τi計(jì)算迭代過程:
其中,α是(0,1]中的阻尼因子以控制收斂速度。然而,每個(gè)晶體處的晶體延遲不是常量;其取決于伽瑪入射角。針對(duì)事件的期望測量時(shí)間差變?yōu)?eij-τi-ηi(φij)+τj+ηj(φji)),其中,φij是lorij的晶體i的伽瑪入射角,并且ηi是晶體i的與入射角相關(guān)的定時(shí)調(diào)節(jié),并且ηi(0)=0。與入射角相關(guān)的因子ηi獨(dú)立于晶體延遲τi并且不針對(duì)系統(tǒng)的相同模型在不同系統(tǒng)之間變化。使用工作臺(tái)上測量結(jié)果或蒙特卡洛模擬來確定和保存與入射角相關(guān)的因子。在一個(gè)實(shí)施例中,使用對(duì)稱性,使得所存儲(chǔ)的ηi的數(shù)目被降低。
知道每個(gè)晶體的ηi,校準(zhǔn)處理器24調(diào)節(jié)屬于lorij的每個(gè)事件的期望時(shí)間差將是ei'j=(eij-ηi(φij)+ηj(φji))。通過用ei'j替代等式(6)中的eij找到與入射角不相關(guān)延遲τi。在列表模式tof重建期間,τi和ηi被組合以為晶體i提供定時(shí)校正系數(shù)。
當(dāng)使用薄片源14時(shí),與晶體i相關(guān)聯(lián)的lor的數(shù)目是大的。例如,大于晶體的四分之一可以與單個(gè)晶體建立有效lor。所要求的計(jì)數(shù)的總數(shù)降低幾乎三個(gè)級(jí)別或來自薄片源的采集的十億總計(jì)符合計(jì)數(shù)的量級(jí)。如果6個(gè)取向被用于采集,那么每個(gè)需要大約1.6億個(gè)計(jì)數(shù)。大約一半計(jì)數(shù)來自具有通過薄片源的太淺的入射角的lor,其意味著針對(duì)6個(gè)取向大約3億個(gè)計(jì)數(shù)每取向的采集是足夠的。校準(zhǔn)處理器24構(gòu)建每條lor的所計(jì)算的定時(shí)校準(zhǔn)的查找表。校準(zhǔn)處理器24構(gòu)建所計(jì)算的針對(duì)每個(gè)晶體的入射角校正的查找表。
將理解到,以上推導(dǎo)和方法適用于其他形狀的源。例如,可以使用均勻圓柱體源,然而,所要求的總計(jì)數(shù)由于較大的體積而增加??梢允褂脠A柱體源;然而,其將隨著圓柱體源來回移動(dòng)要求多個(gè)采集。另一范例將使用點(diǎn)源,其中,點(diǎn)源是圓柱體源的較小的版本。
另一范例變型是組合兩個(gè)薄片源以形成交叉結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中,三個(gè)薄片源形成導(dǎo)致要么一個(gè)要么兩個(gè)lor-到-源平面相交點(diǎn)的三角形。根據(jù)在每個(gè)事件中的所測量的時(shí)間差,校準(zhǔn)處理器24可以確定事件可能從哪個(gè)板發(fā)起。使用這樣的種類的源降低每定時(shí)校準(zhǔn)采集的數(shù)目。在另一實(shí)施例中,組合薄片源使用圓柱體或點(diǎn)源。
參考圖5,描繪了用于校準(zhǔn)成像系統(tǒng)的方法500。在步驟502處,在成像系統(tǒng)的成像區(qū)域中對(duì)薄片源進(jìn)行取向。在步驟504處,薄片源的第一列表模式采集被執(zhí)行以接收針對(duì)晶體對(duì)的lor數(shù)據(jù)。在步驟506處,薄片源從第一取向被旋轉(zhuǎn)為基本上垂直。在步驟508處,執(zhí)行對(duì)旋轉(zhuǎn)的薄片源的第二列表模式采集。旋轉(zhuǎn)和第二列表模式采集步驟確保所有l(wèi)or穿過薄片源至少一次,要么在第一列表模式采集、第二列表模式采集要么在二者期間。在步驟510處,首先計(jì)算源的取向和位置。該計(jì)算被用于確定薄片源上的伽瑪光子的相交點(diǎn)。在步驟512處,使用上文所描述的推導(dǎo)來計(jì)算與入射角不相關(guān)延遲。在步驟514處,針對(duì)每條lor的定時(shí)校正和探測器中的每個(gè)晶體的角相互作用深度校正來構(gòu)建查找表。
伽瑪光子基本上以真空中的光速穿過對(duì)象、對(duì)象周圍的空氣和閃爍晶體。在伽瑪光子與閃爍體相互作用時(shí),其被轉(zhuǎn)換為光(即,閃爍)。光以顯著地更慢的速度穿過晶體。因此,湮滅事件與來自探測器的輸出之間的時(shí)間隨著伽瑪光子與晶體之間的相互作用的深度而變化。伽瑪光子與晶體相互作用的點(diǎn)是概率的。在校準(zhǔn)期間,相互作用的深度vs.相互作用的數(shù)目的曲線是高斯。校準(zhǔn)可以確定每個(gè)探測器或每對(duì)探測器的時(shí)間偏移或校正以對(duì)齊高斯的峰。
在一個(gè)實(shí)施例中,確定針對(duì)每個(gè)可能的lor的定時(shí)校正或偏移。其是針對(duì)定義每條lor的探測器對(duì)的單個(gè)定時(shí)校正。
在另一實(shí)施例中,基于一般地垂直于晶體表面撞擊晶體的伽瑪光子,針對(duì)每個(gè)探測器確定定時(shí)校正或偏移。參考圖2,以鈍角撞擊晶體的伽瑪光子40由幾何形狀約束以與晶體的上(入口表面)端相互作用和閃爍42。即,相互作用高斯函數(shù)將在入口表面達(dá)到峰值?;旧洗怪庇诒砻孢M(jìn)入的高斯光子44可以與晶體中的任何深度相互作用和閃爍46。在之間的角處進(jìn)入的伽瑪光子的相互作用深度被約束為更大或更小的程度。確定探測器上的lor之間的角的第二幾何校正系數(shù)。如在圖3中可以看到,探測器模塊是對(duì)稱的,因?yàn)閮H可以存儲(chǔ)有限數(shù)目的幾何校正系數(shù)。在成像期間,在確定lor時(shí),確定定義其端點(diǎn)和晶體表面與lor之間的角的閃爍器。端點(diǎn)晶體的定時(shí)校正和基于入射角的幾何定時(shí)校正從存儲(chǔ)器76被檢索并且被提供到tof處理器74。
如本文所使用的,存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或系統(tǒng),諸如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)或只讀存儲(chǔ)器(rom)。而且,如本文所使用的,處理器包括處理輸入設(shè)備以產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或系統(tǒng),諸如微處理器、微控制器、圖形處理單元(gpu)、專用集成電路(asic)、fpga等;控制器包括控制另一設(shè)備或系統(tǒng)的任何設(shè)備或系統(tǒng);用戶輸入設(shè)備包括允許用戶輸入設(shè)備的技術(shù)人員將輸入提供給另一設(shè)備或系統(tǒng)的任何設(shè)備,諸如鼠標(biāo)或鍵盤;并且顯示設(shè)備包括用于顯示數(shù)據(jù)的任何設(shè)備,諸如液晶顯示器(lcd)或發(fā)光二極管(led)顯示器。
已參考優(yōu)選的實(shí)施例描述了本發(fā)明。他人在閱讀并且理解前述詳細(xì)說明之后可以進(jìn)行修改和變型。目的是,本發(fā)明被理解為包括所有這樣的修改和變型,只要其落入權(quán)利要求或其等價(jià)方案的范圍之內(nèi)。