背景技術(shù)：

本發(fā)明涉及用于制造用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置的方法，涉及用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置，涉及相應(yīng)的裝置以及涉及相應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序。

小型化的固體電解質(zhì)-氣體傳感器例如能夠用于尤其是測量在內(nèi)燃機(jī)的廢氣流中的剩余氧氣含量，或者用于所謂的lambda-測量或者諸如此類的，所述固體電解質(zhì)-氣體傳感器能夠在使用微觀機(jī)械方法和過程的情況下制成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在此背景下，利用這里所介紹的方案來介紹根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的用于制造用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置的方法、根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置，此外介紹根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的使用該方法的裝置，以及最后介紹根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的相應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序。有利的設(shè)計(jì)方案從相應(yīng)的由屬權(quán)利要求以及隨后的描述得出。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠提供基于固體電解質(zhì)的微型電化學(xué)傳感器或者小型化的固體電解質(zhì)-氣體傳感器，其中尤其是即使在例如具有深腔的極端的表面形貌結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)濕化學(xué)沉積的、功能性傳感器電極與用于電傳遞傳感器信號的、干化學(xué)沉積的電極的組合。所述方法能夠以匹配的方式也在其它應(yīng)用中被實(shí)施，或者被實(shí)施用于制造其它裝置，以便生成在強(qiáng)烈地形貌結(jié)構(gòu)地成形的表面上的結(jié)構(gòu)化的層，或者生成在形貌結(jié)構(gòu)上高要求的表面上的、濕化學(xué)涂覆的金屬電極。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，一方面能夠有利地實(shí)現(xiàn)的是，即使在形貌結(jié)構(gòu)方面高要求的表面上也局部地并且選擇性地使原本封閉的層或者薄膜結(jié)構(gòu)化，或者說有針對性地移除層材料，以便如此例如將濕化學(xué)沉積的、功能性的傳感器電極和用于電傳遞所述傳感器信號的、干化學(xué)沉積的電極相組合。在這種情況下，激光燒蝕尤其能夠被用于在深度結(jié)構(gòu)化的表面上將薄膜選擇性地去膜。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，另一方面也能夠有利地實(shí)現(xiàn)的是，在凹陷、諸如在mecs-傳感器元件中的腔或者空洞中使用濕化學(xué)電極，并且借助于緊湊的、干化學(xué)涂覆的薄膜將電極電接觸從空洞引出到傳感器的背側(cè)。在此尤其能夠使用定向的沉積方法，其中可能造成遮蔽效應(yīng)：例如僅僅將空洞的邊緣、而不是將空洞底涂層。

尤其能夠?qū)崿F(xiàn)的是，開辟針對mems-技術(shù)（mems=微型-機(jī)電系統(tǒng)）的新的應(yīng)用領(lǐng)域，諸如用于小型化的固體電解質(zhì)-氣體傳感器的或者mecs-傳感器元件的、干化學(xué)地和濕化學(xué)地生成的層的、前面所提到的組合，所述固體電解質(zhì)-氣體傳感器或者mecs傳感器元件能夠在使用微型機(jī)械方法和過程的情況下制成。這種傳感器元件例如能夠用于測量在內(nèi)燃機(jī)的廢氣中的剩余氧氣含量或者用于所謂的lambda-測量。

用于這種氣體傳感器的一種可能的傳感器方案能夠包括使用獨(dú)立的（freistehend）或者部分裸露的固體電解質(zhì)薄膜，其中在一種變型方案中的裸露能夠通過半導(dǎo)體襯底或者硅-晶片在薄膜區(qū)域中的背刻蝕來實(shí)現(xiàn)。這樣成形的空洞的深度在此能夠?qū)?yīng)于晶片或者襯底材料的厚度。對獨(dú)立的薄膜或者固體電解質(zhì)層的裸露的區(qū)段在兩側(cè)上利用廢氣耐受的以及溫度穩(wěn)定的、多孔的電極或者測量電極進(jìn)行涂層，所述電極諸如能夠由鉑或其它金屬成形。為了例如能夠生成功能性的、多孔的、作為測量電極的鉑電極，變型方案能夠具有來自于液態(tài)溶液的、功能化的鉑-納米顆粒的濕化學(xué)涂層。通過干化以及燒結(jié)起先為液態(tài)的涂層材料，能夠生成由經(jīng)燒結(jié)的鉑-顆粒構(gòu)成的緊湊的層，所述層尤其是耐受溫度載荷以及潮濕侵入。

為了能夠阻止在半導(dǎo)體襯底處（例如在傳感器背側(cè)上、在空洞內(nèi)側(cè)上以及在邊緣處）的整面的濕化學(xué)涂層中發(fā)生涂層的剝落以及薄膜裂縫，對于從電解質(zhì)背側(cè)到晶片背側(cè)的、連貫的、導(dǎo)電的接觸而言尤其能夠根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式地省去連貫的或者整面的電極薄膜的、濕化學(xué)上的涂覆。因而，能夠?qū)⒏苫瘜W(xué)涂覆的電極用于信號線路或者用于測量電極的電連接端子，因?yàn)閷Υ藵窕瘜W(xué)涂覆的電極無論如何具有比例如濺射的、相對無孔的金屬層小的比傳導(dǎo)率，這使得電壓信號經(jīng)過較長距離（諸如從固體電解質(zhì)層直至傳感器-插頭接觸部或者諸如此類）的傳輸變得困難。補(bǔ)救措施在此能夠借此來實(shí)現(xiàn)：通過由干化學(xué)沉積方法（諸如在半導(dǎo)體襯底的背離固體電解質(zhì)層的側(cè)上或者在晶片背側(cè)以及空洞壁上進(jìn)行濺射或電子束蒸發(fā)）和多孔的測量電極層（例如由鉑構(gòu)成）在空洞底部處的電解質(zhì)表面上的濕化學(xué)沉積的組合。對此，對于兩種涂層方法的這種組合的實(shí)現(xiàn)來說，能夠?qū)⒏苫瘜W(xué)沉積的、例如濺射的、封閉的以及氣密的、由鉑或者諸如此類的構(gòu)成的信號傳導(dǎo)層受限地布置在空洞壁以及晶片背側(cè)上。

在標(biāo)準(zhǔn)-mems-制造中，通常為了滿足這樣的要求能夠使用光刻過程，在所述光刻過程中，能夠通過光刻掩膜來局部地使被整面地涂覆的光敏漆結(jié)構(gòu)化，并且隨后能夠通過刻蝕過程或者剝離過程來進(jìn)行結(jié)構(gòu)傳遞，然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，尤其是即使在極端的形貌結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)局部的結(jié)構(gòu)化，或者說即使在極端成形的表面形貌結(jié)構(gòu)上也能夠?qū)崿F(xiàn)局部受限的層沉積或者結(jié)構(gòu)定義。因此，即使在極端的表面形貌結(jié)構(gòu)（諸如在存在深的空洞的情況下）上也能夠?qū)崿F(xiàn)干化學(xué)以及濕化學(xué)生成的層或者薄膜的組合，這例如借助于光刻是更昂貴的，甚至是不可能的或者不滿意的。因此，與在光刻中不同，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，尤其是即使在強(qiáng)烈形貌結(jié)構(gòu)地成形的表面處也能夠阻止：由于擴(kuò)散的光散射（由在光刻掩膜和光漆之間的增加的間距引起）而出現(xiàn)在深的部位處的結(jié)構(gòu)損失，和在給晶片表面涂漆時(shí)在結(jié)構(gòu)邊緣處出現(xiàn)漆裂縫或者諸如此類的。

介紹用于制造用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置的方法，其中所述方法具有以下步驟：

提供傳感器基體，所述基體具有半導(dǎo)體襯底和被布置在所述半導(dǎo)體襯底的第一主表面處的固體電解質(zhì)層，在所述襯底中成形至少一個(gè)腔區(qū)段，其中在所述至少一個(gè)腔區(qū)段中的固體電解質(zhì)層由所述半導(dǎo)體襯底留空；

使得在所述至少一個(gè)腔區(qū)段中未被所述半導(dǎo)體襯底覆蓋的固體電解質(zhì)層的區(qū)域中，至少一個(gè)缺口區(qū)段在所述信號傳導(dǎo)層中成形，所述信號傳導(dǎo)層在所述缺口區(qū)段中留空；以及

將至少兩個(gè)測量電極借助于濕化學(xué)過程涂覆到所述固體電解質(zhì)層上，其中第一測量電極布置在所述信號傳導(dǎo)層的所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中，并且第二測量電極布置在所述傳感器基體的固體電解質(zhì)層側(cè)上。

層的留空的區(qū)段當(dāng)前例如能夠理解為在所涉及的層中的開口。在此，開口也能夠部分地再次被填充，然而卻被所涉及的層的材料完全包住。

所述氣體傳感器裝置能夠被構(gòu)造用于定性地以及附加地或者替代地定量地檢測至少一種氣態(tài)分析物。所述至少一種氣態(tài)分析物例如能夠包括氧氣以及附加地或替代地包括氮氧化物。在此，所述氣體傳感器裝置例如能夠用于在機(jī)動(dòng)車中的廢氣傳感裝置、用于例如在靜止的加熱設(shè)施中的廢氣傳感裝置、用于火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)、用于在移動(dòng)電子設(shè)備（諸如移動(dòng)電話）中的氣體傳感裝置、用于呼吸氣體分析、用于工業(yè)過程監(jiān)視等等。所述氣體傳感器裝置尤其能夠例如用在以及構(gòu)造在機(jī)動(dòng)車中，以便監(jiān)視或者調(diào)節(jié)廢氣再處理系統(tǒng)。所述半導(dǎo)體襯底能夠由多種材料中的至少一種制成，所述材料能夠借助于出自半導(dǎo)體加工領(lǐng)域中的過程來加工。所述固體電解質(zhì)層能夠具有傳導(dǎo)離子的、例如陶瓷的材料，尤其是傳導(dǎo)氧離子的陶瓷材料。

根據(jù)一種實(shí)施方式，能夠在所述生成的步驟中干化學(xué)沉積所述信號傳導(dǎo)層，并且借助于選擇性的激光燒蝕在所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中進(jìn)行移除。在此，信號傳導(dǎo)層和固體電解質(zhì)層能夠具有不同的光學(xué)特性以及附加地或替代地具有不同的機(jī)械特性，諸如光吸收率、強(qiáng)度、熱膨脹或者諸如此類的。在實(shí)施激光燒蝕時(shí)，能夠?qū)⒓す馐喞赃m應(yīng)地與半導(dǎo)體襯底的以及所述至少一個(gè)腔區(qū)段的結(jié)構(gòu)高度相適配。這種實(shí)施方式提供以下優(yōu)點(diǎn)：在所述信號傳導(dǎo)層中的所述至少一個(gè)缺口區(qū)段能夠以精確的方式成形。此外能夠本身跨過強(qiáng)烈的表面形貌結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)高度不相關(guān)地實(shí)現(xiàn)燒蝕或者去層的均勻的程度。

在此，所述選擇性的激光燒蝕能夠從傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)出發(fā)來實(shí)施。附加地或者替代地，激光燒蝕能夠從傳感器基體的固體電解質(zhì)層側(cè)出發(fā)穿過固體電解質(zhì)層來實(shí)施。在這種情況下，所述固體電解質(zhì)層能夠?qū)τ谠诩す鉄g中使用的激光來說是透明的。這種實(shí)施方式提供如下優(yōu)點(diǎn)：能夠提高在工藝設(shè)計(jì)或者方法設(shè)計(jì)中的靈活性，并且因此必要時(shí)使傳感器裝置的制造變得容易。

根據(jù)一種實(shí)施方式，在所述生成的步驟中能夠在定義的沉積方向上以干化學(xué)的方式沉積信號傳導(dǎo)層。在此，能夠根據(jù)沉積方向和所述至少一個(gè)腔區(qū)段的幾何結(jié)構(gòu)來遮蔽所述至少一個(gè)缺口區(qū)段以免于所述信號傳導(dǎo)層的材料。在此，至少在所述半導(dǎo)體襯底的腔區(qū)段中裸露的固體電解質(zhì)層能夠根據(jù)相對于傳感器基體的參考平面的沉積方向或者根據(jù)傳感器基體關(guān)于沉積源的定向被布置在信號傳導(dǎo)層的、定向地沉積的材料的流動(dòng)遮蔽中。這種實(shí)施方式提供以下優(yōu)點(diǎn)：能夠借助于特別簡單的過程在例如僅僅一個(gè)步驟中生成具有至少一個(gè)缺口區(qū)段中的信號傳導(dǎo)層。

在所述提供的步驟中也能夠提供傳感器基體，在所述傳感器基體的半導(dǎo)體襯底中，所述至少一個(gè)腔區(qū)段以多于100微米或者多余200微米的深度來成形。

此外，所述方法能夠具有利用鈍化層來給半導(dǎo)體襯底涂層的步驟。在此，所述涂層的步驟能夠在生成所述信號傳導(dǎo)層的步驟之前被執(zhí)行。因此，所述信號傳導(dǎo)層能夠至少部分面積地在所述鈍化層上被生成。這種實(shí)施方式提供以下優(yōu)點(diǎn)：在傳感器裝置的運(yùn)行的情況下、尤其在用在內(nèi)燃機(jī)的廢氣中的情況下，所述半導(dǎo)體襯底的表面的退化能夠被避免。

此外，信號傳導(dǎo)層能夠在所述生成的步驟中以干化學(xué)方式沉積，并且利用掩模層來覆蓋。在這種情況下，所述掩模層能夠借助于選擇性的激光燒蝕局部地在至少一個(gè)缺口區(qū)段中脫離，并且所述信號傳導(dǎo)層在該缺口區(qū)段或者如果需要的話在所生成的缺口區(qū)段中的多個(gè)缺口區(qū)段中被移除。掩模層也能夠被去除。因此，所述生成的步驟能夠具有沉積的子步驟、覆蓋的子步驟、脫離的子步驟和移除的子步驟以及可選的去除的子步驟。在此，子步驟能夠以之前所提到的順序來實(shí)施。這種實(shí)施方式提供以下優(yōu)點(diǎn)：即使在以下情況下也能夠生成具有所述至少一個(gè)缺口區(qū)段的信號傳導(dǎo)層，即直接燒蝕或者擦除所述信號傳導(dǎo)層是困難的或者不可能的。

此外介紹用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置，其中所述氣體傳感器裝置具有以下特征：

傳感器基體，所述半導(dǎo)體基體具有半導(dǎo)體襯底和被布置在所述半導(dǎo)體襯底的第一主表面上的固體電解質(zhì)層，至少一個(gè)腔區(qū)段成形在所述半導(dǎo)體襯底中，其中所述固體電解質(zhì)層在所述至少一個(gè)腔區(qū)段中由所述半導(dǎo)體襯底留空；

信號傳導(dǎo)層，所述信號傳導(dǎo)層以干化學(xué)的方式被沉積在所述傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)處，其中在所述至少一個(gè)腔區(qū)段中未被所述半導(dǎo)體襯底覆蓋的固體電解質(zhì)層的區(qū)域中，至少一個(gè)缺口區(qū)段在所述信號傳導(dǎo)層中成形，所述信號傳導(dǎo)層在所述缺口區(qū)段中被留空；以及

至少兩個(gè)測量電極，所述測量電極借助于濕化學(xué)過程被涂覆到所述固體電解質(zhì)層上，其中第一測量電極被布置在所述信號傳導(dǎo)層的所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中，并且第二測量電極被布置在所述傳感器基體的固體電解質(zhì)層側(cè)上。

所述氣體傳感器裝置能夠通過實(shí)施之前所提到的方法的一種實(shí)施方式來制成或制造。

此外，這里所介紹的方案創(chuàng)造如下裝置，所述裝置被構(gòu)造用于在相應(yīng)的設(shè)備中執(zhí)行、操控或者實(shí)現(xiàn)這里所介紹的方法的變型方案的步驟。通過本發(fā)明以裝置為形式的這種實(shí)施變型方案，也能夠快速以及有效地解決本發(fā)明所基于的任務(wù)。

裝置當(dāng)前能夠理解為電氣設(shè)備，所述電氣設(shè)備處理傳感器信號并且據(jù)此來輸出控制和/或數(shù)據(jù)信號。所述裝置能夠具有接口，所述接口能夠按照硬件和/或按照軟件來構(gòu)造。在按照硬件的構(gòu)造方案中，所述接口例如能夠是所謂的、包含所述裝置的各種各樣的功能的系統(tǒng)-asic的一部分。然而也可能的是，所述接口是獨(dú)立的集成電路或者至少部分地由離散的器件構(gòu)成。在按照軟件的構(gòu)造方案中，所述接口能夠是軟件模塊，所述軟件模塊例如在微控制器上與其它軟件模塊并存。

具有如下程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品或者計(jì)算機(jī)程序也是有利的，尤其在所述程序產(chǎn)品或程序被實(shí)施在計(jì)算機(jī)或者裝置上時(shí)，所述程序代碼能夠被存儲在機(jī)器能夠讀取的載體或者存儲介質(zhì)上、如半導(dǎo)體存儲器、硬盤存儲器或者光學(xué)存儲器，并且被用于執(zhí)行、實(shí)現(xiàn)和/或操控根據(jù)之前所描述的實(shí)施方式中的一種實(shí)施方式的方法的步驟。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，之前所提到的氣體傳感器裝置的實(shí)施方式能夠被用在作為平臺或者基本模塊的微系統(tǒng)技術(shù)中，以便在唯一的芯片上集成以及組合式地評估另外的傳感器功能、諸如壓力檢測、顆粒檢測、lambda-傳感、碳水化合物檢測等等。

隨后根據(jù)附圖來示例性地進(jìn)一步解釋這里所介紹的方案。附圖示出：

圖1根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的氣體傳感器裝置的示意性截面圖；

圖2a至6b根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的氣體傳感器裝置在不同制造狀態(tài)中的示意性截面圖；以及

圖7根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的方法的流程圖。

在對本發(fā)明的有益的實(shí)施例的隨后的描述中，將相同的或相似的附圖標(biāo)記用于在不同的附圖中示出的、并且起相似作用的元件，其中省去對這些元件的重復(fù)描述。

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的氣體傳感器裝置100的示意性截面圖。所述氣體傳感器裝置100被構(gòu)造用于檢測至少一種氣態(tài)分析物。其中，所述至少一種氣態(tài)分析物例如是氧氣。所述氣體傳感器裝置100被實(shí)施為微電化學(xué)的傳感器或者氣體傳感器、尤其是被實(shí)施為氧傳感器。在此，氣體傳感器裝置100例如能夠用于在機(jī)動(dòng)車、靜止的加熱設(shè)施、火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)、移動(dòng)電子設(shè)備（諸如移動(dòng)電話、呼吸氣體分析設(shè)備）中的氣體傳感裝置或者廢氣傳感裝置，用于工業(yè)過程監(jiān)視等等。

所述氣體傳感器裝置100具有傳感器基體110。所述傳感器基體110包括半導(dǎo)體襯底112。所述半導(dǎo)體襯底112例如具有作為襯底材料的硅。所述半導(dǎo)體襯底112也具有第一主表面和對置的第二主表面。在所述半導(dǎo)體襯底112中，根據(jù)本發(fā)明在圖1中示出的實(shí)施例，示例性地僅成形腔區(qū)段114或者說凹口區(qū)段。在這種情況下，所述腔區(qū)段114作為穿過所述半導(dǎo)體襯底112的貫穿開口從所述半導(dǎo)體襯底112的第二主表面延伸直至第一主表面。所述腔區(qū)段114例如具有梯形的截面輪廓。在此，所述腔區(qū)段114的截面輪廓從所述半導(dǎo)體襯底112的第二主表面到第一主表面逐漸變細(xì)。此外，傳感器基體110包括固體電解質(zhì)層116。固體電解質(zhì)層116被布置在半導(dǎo)體襯底112的第一主表面上。在腔區(qū)段114中，固體電解質(zhì)層116未被半導(dǎo)體襯底112覆蓋。因此，所述傳感器基體110包括具有腔區(qū)段114的半導(dǎo)體襯底112和固體電解質(zhì)層116。因此，傳感器基體110具有固體電解質(zhì)層側(cè)和半導(dǎo)體襯底側(cè)。

氣體傳感器裝置100還具有信號傳導(dǎo)層120。信號傳導(dǎo)層120借助于干化學(xué)沉積被涂覆在傳感器基體110的半導(dǎo)體襯底側(cè)處。信號傳導(dǎo)層120由導(dǎo)電材料制成。根據(jù)本發(fā)明在圖1中示出的實(shí)施例，在傳感器基體110的半導(dǎo)體襯底側(cè)上的信號傳導(dǎo)層120覆蓋半導(dǎo)體襯底112的表面以及在腔區(qū)段114中的固體電解質(zhì)層116的部分區(qū)段。換言之，在此，信號傳導(dǎo)層120覆蓋半導(dǎo)體襯底112的第二主表面、腔區(qū)段114的邊緣以及在腔區(qū)段114中的固體電解質(zhì)層116的部分區(qū)段。信號傳導(dǎo)層120在腔區(qū)段114中未被半導(dǎo)體襯底112覆蓋的固體電解質(zhì)116的區(qū)域中具有缺口區(qū)段，在所述缺口區(qū)段中信號傳導(dǎo)層120被移除或者未被沉積（即被留空）。

此外，根據(jù)本發(fā)明在圖1中示出的實(shí)施例，氣體傳感器裝置100示例性地僅具有兩個(gè)測量電極130和140。測量電極130和140被涂覆在固體電解質(zhì)層116處。在此，測量電極130和140借助于濕化學(xué)過程被涂覆到固體電解質(zhì)層116上。第一測量電極130被布置在信號傳導(dǎo)層120的缺口區(qū)段中。第二測量140被布置在傳感器基體110的固體電解質(zhì)層側(cè)上。測量電極130和140構(gòu)造用于與所述至少一種氣態(tài)分析物的電化學(xué)交互作用。在缺口區(qū)段中，信號傳導(dǎo)層120被第一測量電極130中斷，第一測量電極130借助于信號傳導(dǎo)層120導(dǎo)電地接觸。在圖1的截面圖中，第一測量電極130在這種情況下與信號傳導(dǎo)層120具有兩個(gè)界面。

根據(jù)一種實(shí)施例，信號傳導(dǎo)層120能夠覆蓋半導(dǎo)體襯底112的較小的部分，和/或覆蓋在腔區(qū)段114中的固體電解質(zhì)層116的較小的部分，以及可選地具有與第一測量電極130比在圖1中示出的實(shí)施例中更小的界面。

圖2a至2g示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的、就制造方法的一種變型方案的實(shí)施而言、在不同制造狀態(tài)中的氣體傳感器裝置的至少部分區(qū)段的示意性截面圖。所述氣體傳感器裝置例如是圖1中的氣體傳感器裝置。

在此，圖2a示出氣體傳感器裝置的傳感器基體110的示意性截面圖。在此，示出在制造方法的傳感器基體110的提供的步驟之后的傳感器基體100。所述傳感器基體110具有帶有腔區(qū)段114的半導(dǎo)體襯底112和固體電解質(zhì)層116。所述固體電解質(zhì)層116例如被實(shí)施為部分裸露的或者獨(dú)立的、釔-穩(wěn)定的的氧化鋯電解質(zhì)薄膜或者ysz電解質(zhì)薄膜。

圖2b示出圖2a中的、具有沉積的信號傳導(dǎo)層120的傳感器基體的示意性截面圖。因此，在此示出制造狀態(tài)中的傳感器基體，在所述傳感器基體中，信號傳導(dǎo)層120借助于干化學(xué)沉積、尤其借助于干化學(xué)鉑-涂層在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)上生成。在這種情況下，信號傳導(dǎo)層120整面地被沉積在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)上。

圖2c示出圖2b中的、在所述制造方法的框架內(nèi)進(jìn)行激光燒蝕時(shí)的、具有信號傳導(dǎo)層120的傳感器基體的示意性截面圖。借助于激光l，通過激光燒蝕來將在腔區(qū)段114中的信號傳導(dǎo)層120的、毗鄰固體電解質(zhì)層11的部分區(qū)段移除。在這種情況下，激光l被布置在腔區(qū)段114側(cè)上。因此，在腔區(qū)段114中或者在空洞底部處進(jìn)行局部的激光燒蝕。在圖2c中符號化地通過箭頭來闡明激光l的運(yùn)動(dòng)方向。

圖2d示出具有在圖2c中的、在激光燒蝕之后的信號傳導(dǎo)層120的傳感器基體的示意性截面圖。在此，通過激光燒蝕來移除在腔區(qū)段114中的信號傳導(dǎo)層120的、毗鄰固體電解質(zhì)層116的部分區(qū)段。因此，在信號傳導(dǎo)層120中生成在圖1中提及的缺口區(qū)段222。在缺口區(qū)段222中移除信號傳導(dǎo)層120的材料。換言之，信號傳導(dǎo)層120在缺口區(qū)段222中被中斷。因此在圖2d中的氣體傳感器裝置在部分完成的狀態(tài)中被示出。

在借助于激光l進(jìn)行在ysz上的鉑的這種選擇性的燒蝕時(shí)，信號傳導(dǎo)層120的在缺口區(qū)段222中的鉑例如通過各個(gè)激光脈沖局部地進(jìn)行移除。尤其是通過直接并排以一定的重疊布置的激光脈沖，能夠?qū)崿F(xiàn)面狀的燒蝕。為了在燒蝕期間使激光焦點(diǎn)能夠適配于改變的結(jié)構(gòu)高度，要么高度信息能夠存儲在能夠在激光裝置中編程的激光燒蝕程序中，要么能夠使用自適應(yīng)的聚焦系統(tǒng)，所述自適應(yīng)聚焦系統(tǒng)在發(fā)出激光脈沖之前通過自動(dòng)聚焦系統(tǒng)使激光焦點(diǎn)適配于實(shí)際的結(jié)構(gòu)高度。同樣能夠借助于錐鏡實(shí)現(xiàn)射束成形，其中不僅能夠?qū)崿F(xiàn)用于穩(wěn)固的過程的高的深度清晰度，而且實(shí)現(xiàn)了對于小的結(jié)構(gòu)尺寸的制造的高的深度清晰度。

圖2e示出圖2d中的、具有所涂覆的用于測量電極的電極材料230的、部分完成的氣體傳感器裝置的示意性截面圖。在此，在缺口區(qū)段中的電極材料230被涂覆到固體電解質(zhì)層116上。準(zhǔn)確地說，在信號傳導(dǎo)層120的缺口區(qū)段中的電極材料230以濕化學(xué)的方式被涂覆到固體電解質(zhì)層116上。電極材料230例如是含鉑的材料、尤其是鉑-納米顆粒溶液。電極材料230的濕化學(xué)涂覆在此例如通過借助于涂覆工具235的分配來實(shí)現(xiàn)。

圖2f示出圖2e中的、具有燒結(jié)的電極材料或者被制造的第一測量電極130的、部分完成的氣體傳感器裝置的示意性截面圖。因此，在圖2f中示出在如下狀態(tài)中的、部分完成的氣體傳感器裝置，在所述狀態(tài)中通過燒結(jié)來固化出自圖2e的電極材料，并且因此生成第一測量電極130。第一測量電極130被布置在信號傳導(dǎo)層120的缺口區(qū)段中，在固體電解質(zhì)層116上。

圖2g示出具有所生成的或者所涂覆的第二測量電極140或者說前側(cè)電極的氣體傳感器裝置100的示意性截面圖。因此在圖2g中的氣體傳感器裝置100示出在如下狀態(tài)中，所述狀態(tài)對應(yīng)于在圖1中的狀態(tài)。氣體傳感器裝置100的、在圖2g中所示出的狀態(tài)例如是制造的或者制成的狀態(tài)。

圖2a至2g示出氣體傳感器裝置100的或者mecs-傳感器元件的、在使用激光燒蝕的情況下的制造方法的流程中的制造狀態(tài)，以便能夠?qū)崿F(xiàn)使用用于固體電解質(zhì)層116或者說電解質(zhì)薄膜的背側(cè)接觸的、功能性的、濕化學(xué)涂覆的電極。換言之，圖2a至2g示出激光燒蝕的使用，所述激光燒蝕用于氣體傳感器裝置100的、利用組合的濕化學(xué)以及干化學(xué)的沉積的制造方法。在此，進(jìn)行在缺口區(qū)段222中的信號傳導(dǎo)層120（例如濺射的鉑層）的選擇性的激光燒蝕，所述缺口區(qū)段是在腔區(qū)段114中毗鄰固體電解質(zhì)層116的缺口區(qū)段，所述腔區(qū)段尤其是具有超過200微米深的腔。

圖3示出氣體傳感器裝置在制造方法的框架中進(jìn)行激光燒蝕時(shí)的傳感器基體的示意性截面圖。傳感器基體例如是如下傳感器基體，所述傳感器基體如同出自圖2c中的傳感器基體，或者說在圖3中的視圖與在圖2c中的視圖一致，除了固體電解質(zhì)層116對于激光l透明地成形之外。因此，在圖3中也借助于激光l將在腔區(qū)段114中的信號傳導(dǎo)層120的、毗鄰固體電解質(zhì)層116的部分區(qū)段通過激光燒蝕來移除。然而在這種情況下，激光l被布置在固體電解質(zhì)層116側(cè)上。在腔區(qū)段114中或者在空洞底部處進(jìn)行了局部的激光燒蝕。在圖3中以符號的方式通過箭頭闡明激光l的運(yùn)動(dòng)方向。在這種情況下，穿過透明地實(shí)施的固體電解質(zhì)層116在信號傳導(dǎo)層120的待移除的部分區(qū)段上進(jìn)行激光燒蝕。

在此，信號傳導(dǎo)層120作為待燒蝕的層被沉積到被實(shí)施為光學(xué)透明薄膜的固體電解質(zhì)層116上。因此，從固體電解質(zhì)層116側(cè)出發(fā)的或者說晶片前側(cè)的激光影響是可能的，以便利用激光l將被沉積在薄膜背側(cè)上的信號傳導(dǎo)層120移除。在此情況下，在固體電解質(zhì)層116和信號傳導(dǎo)層120之間的界面處實(shí)現(xiàn)了激光l的最大能量輸入，其中首先蒸發(fā)直接毗鄰固體電解質(zhì)層116的原子層。因此，實(shí)現(xiàn)了固體電解質(zhì)層-信號傳導(dǎo)層-界面的更整潔的層剝離。由此能夠降低激光l的所需的脈沖能量，使得不僅能夠?qū)崿F(xiàn)快速的處理時(shí)間而且能夠?qū)崿F(xiàn)低損害的燒蝕。在此能夠使用脈沖的放射源以生成激光l，尤其是具有在幾皮秒以及更短時(shí)間的范圍中的脈沖長度，或者說具有短波長，例如兩倍頻率的或者三倍頻率的yag-固體激光（yag=釔鋁石榴石）。

圖4a至4f示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的、在制造方法的變型方案的實(shí)施時(shí)在各種制造狀態(tài)中的氣體傳感器裝置的至少部分區(qū)段的示意性截面圖。氣體傳感器裝置例如是圖1中的氣體傳感器裝置。

圖4a示出具有沉積的信號傳導(dǎo)層120的氣體傳感器裝置的傳感器基體的示意性截面圖。因此，在此示出在下述制造狀態(tài)中的傳感器基體，在所述制造狀態(tài)中，信號傳導(dǎo)層120借助于干化學(xué)沉積、尤其是借助于干化學(xué)鉑-涂層在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)處生成。在此，信號傳導(dǎo)層120在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)處整面地被沉積。

圖4b示出出自圖4a的、具有沉積的信號傳導(dǎo)層120的氣體傳感器裝置的傳感器基體的示意性截面圖，所述信號傳導(dǎo)層附加地具有被涂覆的掩模層425。在此，掩模層425涂覆在沉積的信號傳導(dǎo)層120上。

圖4c示出具有沉積的信號傳導(dǎo)層120和出自圖4b的被涂覆的掩模層425的、在進(jìn)行激光燒蝕時(shí)的氣體傳感器裝置的傳感器基體的示意性截面圖。借助于激光l，通過激光燒蝕來將在腔區(qū)段114中的掩模層425的、毗鄰待在信號傳導(dǎo)層120中成形的缺口區(qū)段的部分區(qū)段移除。在此，激光l被布置在腔區(qū)段114側(cè)上。在圖4c中以符號的方式通過箭頭來闡明激光l的運(yùn)動(dòng)方向。

圖4d示出具有信號傳導(dǎo)層120和出自圖4c的、在激光燒蝕之后的掩模層425的傳感器基體的示意性截面圖。在此，通過激光燒蝕來移除在腔區(qū)段114中的、對于125的掩模層毗鄰缺口區(qū)段的部分區(qū)段。因此，信號傳導(dǎo)層的部分區(qū)段裸露，在所述部分區(qū)段中應(yīng)當(dāng)成形缺口區(qū)段。換言之，圖4d示出出自圖4c的、在選擇性激光燒蝕所述掩模層425的部分區(qū)段之后的傳感器基體。

圖4e示出如下傳感器基體的示意性截面圖，所述傳感器基體具有出自圖4d的、在部分地移除在缺口區(qū)段222中的信號傳導(dǎo)層120之后的、通過激光燒蝕來部分地移除的掩模層425。在此，在缺口區(qū)段222中，例如通過反應(yīng)式離子蝕刻或者離子束蝕刻來移除在腔區(qū)段114中的信號傳導(dǎo)層120的、毗鄰固體電解質(zhì)層116的部分區(qū)段。由此，在信號傳導(dǎo)層120中生成在圖1中提及的缺口區(qū)段222。在缺口區(qū)段222中移除了信號傳導(dǎo)層120的材料。換言之，信號傳導(dǎo)層120在缺口區(qū)段222中被中斷。因此在圖4e中示出了在部分完成的狀態(tài)中的、在淹沒層425結(jié)構(gòu)傳遞到信號傳導(dǎo)層120上之后的氣體傳感器裝置。

圖4f示出出自圖2e的、在移除掩模層之后的、部分完成的氣體傳感器裝置的示意性截面圖。因此，在氣體傳感器裝置的圖4f中，在此示出具有腔區(qū)段114的半導(dǎo)體襯底112、固體電解質(zhì)層116和具有缺口區(qū)段222的信號傳導(dǎo)層120。在此，掩模層尤其以干化學(xué)或者濕化學(xué)的方式被移除。

換言之，在圖4a至4f中示出在使用掩模層420的情況下的燒蝕。在此，在相應(yīng)的制造方法中，掩模層425首先被涂覆到待結(jié)構(gòu)化的信號傳導(dǎo)層120上，如從圖4a和圖4b的對比性觀察中可見的那樣，掩模層425隨后被部分地?zé)g，如從圖4c和圖4d中可見的那樣，并且隨后掩模層425的結(jié)構(gòu)被傳遞至信號傳導(dǎo)層120，如從圖4d和圖4e的對比性觀察性中可見的那樣。如有必要，掩模層424隨后被移除，如從圖4e和圖4f的對比性觀察中可見的那樣。

如果對信號傳導(dǎo)層120的直接的燒蝕應(yīng)當(dāng)不可行，則因此存在如下可能性：通過干化學(xué)沉積首先將掩模層425直接涂覆到信號傳導(dǎo)層120上，并且隨后對這個(gè)掩模層425進(jìn)行燒蝕。緊接著進(jìn)行到信號傳導(dǎo)層120上的結(jié)構(gòu)傳遞，并且隨后必要時(shí)移除所述掩模層425。在這種情況下，掩模層425和信號傳導(dǎo)層120關(guān)于掩模層420的選擇性燒蝕在材料參數(shù)上具有合適的差異。

圖5a至5f示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的、在制造方法的變型方案的實(shí)施中在不同的制造狀態(tài)中的、氣體傳感器裝置的至少部分區(qū)段的示意性截面圖。氣體傳感器裝置例如是出自圖1的氣體傳感器裝置。在使用圖5a至5f的情況下闡明的制造方法類似于在使用圖2a至2g的情況下闡明的制造方法。

在此，圖5a示出氣體傳感器裝置的傳感器基體110的示意性截面圖。在此示出了在制造方法的傳感器基體110的提供的步驟之后的傳感器基體100。傳感器基體110具有帶有腔區(qū)段114的半導(dǎo)體襯底112和固體電解質(zhì)層116。固體電解質(zhì)層116例如被實(shí)施為部分裸露的或者獨(dú)立的、釔-穩(wěn)定的氧化鋯-電解質(zhì)薄膜或者說ysz-電解質(zhì)薄膜。

圖5b示出出自圖5a的、在進(jìn)行信號傳導(dǎo)層120的沉積時(shí)的傳感器基體的示意性截面圖。在此，傳感器基體鄰近信號傳導(dǎo)層120的材料的材料源550（例如所謂的目標(biāo)）地布置。在此，固體電解質(zhì)層116或者傳感器基體的主延伸方向橫向于材料源550的、信號傳導(dǎo)層120的材料的沉積的沉積方向555或者沉淀方向地布置。換言之，準(zhǔn)確地說在圖5b中示出了具有信號傳導(dǎo)層120的傳感器基體的、定向的、干化學(xué)的鉑-涂層。在此，信號傳導(dǎo)層120被沉積在半導(dǎo)體襯底112的部分區(qū)段處。在此，固體電解質(zhì)層116的、在腔區(qū)段114中裸露的區(qū)段被遮蔽或者在幾何上屏蔽免受信號傳導(dǎo)層120的、在沉積方向555上沉積的材料。這種幾何屏蔽產(chǎn)生于由所述傳感器基體關(guān)于材料源550、沉積方向555以及腔區(qū)段114的幾何特征的定向。

圖5c示出出自圖5b的、具有沉積的信號傳導(dǎo)層120的傳感器基體的示意性截面圖。因此，在此示出了如下制造狀態(tài)中的傳感器基體，在所述制造狀態(tài)中，借助于在半導(dǎo)體襯底112的部分區(qū)段中的干化學(xué)沉積、尤其是借助于干化學(xué)鉑-涂層，信號傳導(dǎo)層120大多在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)處被生成。在這種情況下，信號傳導(dǎo)層120在半導(dǎo)體襯底112的如下部分區(qū)段中沉積，所述部分區(qū)段大多被布置在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)處。準(zhǔn)確地說，在這種情況下如此沉積所述信號傳導(dǎo)層120，使得固體電解質(zhì)層116的、在腔區(qū)段114中裸露的區(qū)段沒有信號傳導(dǎo)層120。尤其是在這種情況下在截面圖中，利用信號傳導(dǎo)層120示例性地僅僅覆蓋腔區(qū)段114的邊緣。因此在信號傳導(dǎo)層120中生成了缺口區(qū)段222，信號傳導(dǎo)層120在所述缺口區(qū)段中被中斷、留空或者說未被沉積。缺口區(qū)段222延伸跨過固體電解質(zhì)層116在腔區(qū)段114中裸露的部分，并且示例性地延伸跨過腔區(qū)段114的、未被信號傳導(dǎo)層120的材料覆蓋的邊緣。因此，腔區(qū)段114被實(shí)施為具有側(cè)壁-鉑-薄膜的空洞。換言之，在圖5c中示出在部分完成的狀態(tài)中的氣體傳感器裝置。

圖5d示出出自圖5c的、具有用于測量電極的被涂覆的電極材料230的、部分完成的氣體傳感器裝置的示意性截面圖。在此，在缺口區(qū)段中的電極材料230被涂覆到固體電解質(zhì)層116上。更準(zhǔn)確地說，在信號傳導(dǎo)層120的缺口區(qū)段中的電極材料230以濕化學(xué)的方式涂覆到固體電解質(zhì)層116上。電極材料230例如是含鉑的材料、尤其是鉑-納米顆粒溶液。在這種情況下，電極材料230的濕化學(xué)涂覆例如通過借助于涂覆工具235進(jìn)行分配來實(shí)現(xiàn)。

圖5e示出出自圖5d的、具有燒結(jié)的電極材料或者說被制造的第一測量電極130的、部分完成的氣體傳感器裝置的示意性截面圖。因此，在圖5e中示出在如下狀態(tài)中的、部分完成的氣體傳感器裝置，在所述狀態(tài)中，出自圖5d的電極材料通過燒結(jié)來固化，并且因此生成了第一測量電極130。第一測量電極130被布置在信號傳導(dǎo)層120的缺口區(qū)段中在固體電解質(zhì)層116上。

圖5f示出具有所生成的或者所涂覆的第二測量電極140或者說前側(cè)電極的氣體傳感器裝置100的示意性截面圖。因此在圖5f中示出在如下狀態(tài)中的氣體傳感器裝置100，所述狀態(tài)對應(yīng)于在圖1中所示出的狀態(tài)，其中所述氣體傳感器裝置100與出自圖1的那個(gè)氣體傳感器裝置相似。氣體傳感器裝置100在圖5f中所示出的狀態(tài)例如是制造的或者制成的狀態(tài)。

換言之，圖5a至5f示出用于氣體傳感器裝置100或者mecs-傳感器元件的制造方法的、定向的沉積方法的使用，以便能夠?qū)崿F(xiàn)功能性的、以濕化學(xué)的方式涂覆的、用于背側(cè)接觸固體電解質(zhì)層116或者說電解質(zhì)薄膜的電極。因此能夠使用組合式沉積，所述組合式沉積由定向的干化學(xué)沉積以及隨后的濕化學(xué)沉積構(gòu)成。在此，例如進(jìn)行緊湊的金屬薄膜的、定向的真空沉積，其中待涂層的傳感器基體110與沉積方向555如此相互對準(zhǔn)，使得基本上僅僅在腔區(qū)段114的邊緣上以及在半導(dǎo)體襯底112的背側(cè)上進(jìn)行沉積。對于定向的沉積來說，除其他外優(yōu)選考慮電子束蒸發(fā)，在有限制的情況下也考慮濺射、支持離子束的濺射或者相似的方法。在傳感器基體110的主延伸平面與沉積方向555之間的角度或者說這兩者彼此如何對準(zhǔn)，在此除其他外取決于腔區(qū)段114的深度和/或直徑。在此，在腔區(qū)段114中裸露的固體電解質(zhì)層116或者空洞底部很大程度上保持不被涂層，以便例如不由于信號傳導(dǎo)層120或者緊湊的鉑-層而阻擋具有所述至少一種氣態(tài)分析物的測量氣體到達(dá)對于微型電化學(xué)傳感器來說重要的三相邊界（所述三相邊界被布置在測量氣體、測量電極130和140以及固體電解質(zhì)層116之間）。在信號傳導(dǎo)層120沉積在半導(dǎo)體襯底112的部分區(qū)段或者說空洞壁上之后，進(jìn)行第一測量電極130在空洞底部處的濕化學(xué)沉積，其中如此選擇電極薄膜的層厚度，使得在空洞壁處制造與信號傳導(dǎo)層120的接觸。

圖6a和6b示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的氣體傳感器裝置的傳感器基體110的示意性截面圖。在此，在圖6a中示出的傳感器基體110對應(yīng)于出自圖2a和圖5a的傳感器基體。在圖6b中，在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)上以，利用鈍化層660為半導(dǎo)體襯底112進(jìn)行涂層。出自圖1、圖2a至2g、圖3、圖4a至4f和圖5a至5f的氣體傳感器裝置中的一個(gè)氣體傳感器裝置的任意一個(gè)傳感器基體110尤其能夠以鈍化層660進(jìn)行涂層。

換言之，圖6a和6b示出在半導(dǎo)體襯底112的裸露的表面上提供或者說布置鈍化層660，以保護(hù)所述半導(dǎo)體襯底免于在氣體傳感器例如在廢氣中的運(yùn)行期間的襯底退化。在利用鈍化層660進(jìn)行涂層之后，或者說在鈍化之后，例如進(jìn)行與在圖5a至5f中闡明的制造方法相似或者相對應(yīng)的處理，即定向的金屬沉積，所述金屬沉積用于生成信號傳導(dǎo)層并且用于濕化學(xué)涂覆測量電極。因?yàn)榍粎^(qū)段114的或者空洞壁的邊緣的一部分保持不被信號傳導(dǎo)層涂層，所以可能需要的是，使該未被涂層的區(qū)域配備以鈍化層660，以便避免半導(dǎo)體襯底112的硅表面在傳感器運(yùn)行期間、尤其是在內(nèi)燃機(jī)的廢氣中使用時(shí)的退化。對于鈍化層660來說，例如考慮氧化層和氮化層，諸如二氧化硅（sio2）、氮化硅（sin）、氧化鋁（alo）、氮化鋁（aln）、氧化鈦（tio）、氮化鈦（tin）或者諸如此類的。鈍化層660能夠通過在半導(dǎo)體技術(shù)中常見的技術(shù)來提供、如濺射沉積、化學(xué)氣相沉積（cvd）、原子層沉積、電子束蒸發(fā)或者脈沖激光沉積（pld）。用于僅在半導(dǎo)體襯底112的未受保護(hù)的硅-邊緣上提供鈍化層660的簡單的方法是：在結(jié)構(gòu)化之后或者在成形腔區(qū)段114之后，在裸露的硅表面進(jìn)行熱氧化。

圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的方法700的流程圖。方法700是用于制造氣體傳感器裝置的方法。在此，所述氣體傳感器裝置被構(gòu)造用于檢測至少一種氣態(tài)分析物。因此，方法700能夠被實(shí)施用于制造如同圖1至6b之一中的氣體傳感器裝置那樣的氣體傳感器裝置。換言之，如同圖1至6b之一中的氣體傳感器裝置那樣的氣體傳感器裝置能夠通過實(shí)施所述方法700來進(jìn)行制造。

方法700具有提供傳感器基體的步驟710。在此，傳感器基體具有半導(dǎo)體襯底和被布置在所述半導(dǎo)體襯底的第一主表面處的固體電解質(zhì)層，在所述半導(dǎo)體襯底中成形至少一個(gè)腔區(qū)段。在此，所述固體電解質(zhì)層在所述至少一個(gè)腔區(qū)段中未被半導(dǎo)體襯底覆蓋或者說被半導(dǎo)體襯底留空。

在方法700中隨后能夠?qū)嵤┑纳傻牟襟E720中，在傳感器基體的半導(dǎo)體襯底側(cè)處，生成以干化學(xué)方式沉積的信號傳導(dǎo)層，使得在所述至少一個(gè)腔區(qū)段中未被半導(dǎo)體襯底覆蓋的固體電解質(zhì)的區(qū)域中成形了在信號傳導(dǎo)層中的至少一個(gè)缺口區(qū)段，在所述缺口區(qū)段中移除或者不沉積（或者留空）信號傳導(dǎo)層。

在跟隨所述生成步驟720的涂覆步驟730中，借助于濕化學(xué)過程將至少兩個(gè)測量電極涂覆到固體電解質(zhì)層上。在此，在涂覆的步驟730中將第一測量電極布置在信號傳導(dǎo)層的所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中。此外，在此在所述涂覆的步驟730中，將第二測量電極布置在傳感器基體的固體電解質(zhì)層側(cè)上。

根據(jù)一種實(shí)施例，在所述生成的步驟720中，信號傳導(dǎo)層以干化學(xué)的方式來沉積，并且借助于在所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中的選擇性的激光燒蝕來移除。替代地，在所述生成的步驟720中，信號傳導(dǎo)層在定義的沉積方向上以干化學(xué)的方式沉積。在此，根據(jù)沉積方向和至少一個(gè)腔區(qū)段的幾何結(jié)構(gòu)來遮蔽所述至少一個(gè)缺口區(qū)段免受信號傳導(dǎo)層的材料?？蛇x地，在所述生成的步驟720中，信號傳導(dǎo)層以干化學(xué)的方式沉積，并且利用掩模層進(jìn)行覆蓋，然后掩模層借助于在所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中的、選擇性的激光燒蝕來脫離，并且隨后在所述至少一個(gè)缺口區(qū)段中移除信號傳導(dǎo)層。

根據(jù)一種實(shí)施例，方法700具有利用鈍化層來為半導(dǎo)體襯底進(jìn)行涂層的步驟740。在此，在生成信號傳導(dǎo)層的步驟720之前執(zhí)行所述涂層的步驟740。

僅僅示例性地選擇了描述的以及在附圖中示出的實(shí)施例。不同的實(shí)施例能夠完整地或者關(guān)于各個(gè)特征地相互組合。一種實(shí)施例也能夠由另一實(shí)施例的特征進(jìn)行補(bǔ)充。

此外，在此所介紹的方法步驟能夠被重復(fù)，或者以不同于所描述的順序進(jìn)行實(shí)施。

如果一種實(shí)施例包括在第一特征和第二特征之間的“和/或”關(guān)聯(lián)，則這應(yīng)理解為：所述實(shí)施例根據(jù)一種實(shí)施方式不僅具有第一特征而且具有第二特征，并且根據(jù)另一種實(shí)施方式要么僅具有第一特征要么僅具有第二特征。