本發(fā)明涉及功率二極管測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

二極管作為常用于整流、穩(wěn)壓等電路中的基礎(chǔ)性元件，其核心為PN結(jié)，具有單向?qū)щ娦?，正向特性可用伏安特性來描述。?dāng)正向電壓大于PN結(jié)勢(shì)壘電壓時(shí)，二極管正偏導(dǎo)通，而且其正向電流隨著正向電壓的增大而呈指數(shù)規(guī)律增加。

隨著工業(yè)的不斷發(fā)展，人們對(duì)二極管性能要求越來越高，尤其是功率二極管，它的正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試越發(fā)顯得重要和迫切，因?yàn)檎騽?dòng)態(tài)電阻在大電流情形下的損耗相對(duì)顯著，如果設(shè)計(jì)時(shí)不考慮這一現(xiàn)象，會(huì)影響給實(shí)際電氣系統(tǒng)的正常工作，嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致系統(tǒng)損毀。

國(guó)內(nèi)已經(jīng)開展了二極管正向參數(shù)測(cè)試技術(shù)的研究。使用萬用表電阻檔測(cè)量二極管的正向電阻時(shí)[行小帥，關(guān)于用萬用表測(cè)試二極管正向電阻的討論[J]，物理教師，Vol.14，No.3(1993):25.]，低阻擋測(cè)出的電阻值小，高阻擋測(cè)出的電阻值大，這是由于二極管I-V特性的非線性所致，又因?yàn)槿f用表的電流有限，難以測(cè)量功率二極管的正向動(dòng)態(tài)電阻。陳隆道設(shè)計(jì)的高壓二極管正向特性的自動(dòng)測(cè)試儀[陳隆道，高壓二極管正向特性自動(dòng)測(cè)試儀[J]，儀表技術(shù)，Vol.1,No.3(1994):17.]，可以測(cè)量高壓二極管的正向電流以及在該正向電流下的電壓等，使用數(shù)碼管顯示測(cè)試結(jié)果，但未涉及功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻的測(cè)試。王存達(dá)等人根據(jù)激光二極管的正向直流、交流特性以及表觀電阻、表觀電容的概念[叢紅俠，馮列峰，王軍，朱傳云，王存達(dá)，謝雪松，呂長(zhǎng)志，激光二極管正向電特性的精確檢測(cè)[J]，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，Vol.27，No.1(2006):105.]，提出了一種基于串聯(lián)模式精確地檢測(cè)半導(dǎo)體二極管正向電特性的新方法，不僅可以得到二極管在不同電壓下的串聯(lián)電阻、結(jié)電容、結(jié)電壓、理想化因子等，還能判斷一個(gè)實(shí)際的二極管有無界面層存在并得到其界面層阻抗值，但在較大正向電壓、高頻等情況下有一定偏差，此方法不適合大電流工作的功率二極管。葉豐開發(fā)的基于虛擬儀器的二極管測(cè)試系統(tǒng)[葉豐，基于虛擬儀器的二極管測(cè)試系統(tǒng)研究[J]，機(jī)械制造，Vol.50,No.4:(2012):66.]，分為上位機(jī)和下位機(jī)兩個(gè)部分，上位機(jī)為下位機(jī)提供控制數(shù)字信號(hào)和模擬輸入信號(hào)，并接收下位機(jī)反饋的模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)，同時(shí)上位機(jī)軟件給測(cè)試人員提供測(cè)試結(jié)果顯示、測(cè)試結(jié)果統(tǒng)計(jì)、調(diào)試校準(zhǔn)等功能服務(wù)；下位機(jī)直接和測(cè)試點(diǎn)相連，通過調(diào)理電路的放大、濾波等作用將輸入模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變成測(cè)試所需的激勵(lì)電壓或激勵(lì)電流；軟件程序采用美國(guó)國(guó)家儀器公司(NI)的LabView 2009及NI-DAQmx數(shù)據(jù)采集驅(qū)動(dòng)，此測(cè)試系統(tǒng)不僅可用于高壓二極管的參數(shù)測(cè)量，也適用于普通二極管的測(cè)試，適合在生產(chǎn)流水線上對(duì)二極管進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)，但也沒有考慮到功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻的測(cè)試。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置，實(shí)現(xiàn)功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻的自動(dòng)檢測(cè)及顯示，且省時(shí)省力。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置，包括測(cè)試及信號(hào)處理電路、顯示電路以及與所述測(cè)試及信號(hào)處理電路和所述顯示電路均相連的主控制器；其中，

所述測(cè)試及信號(hào)處理電路包括用于在被測(cè)功率二極管上加載大電流脈沖信號(hào)并使之導(dǎo)通的電流脈沖產(chǎn)生電路和用于獲取所述被測(cè)功率二極管導(dǎo)通后產(chǎn)生的電壓信號(hào)并與所獲電壓信號(hào)進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路；其中，所述電流脈沖產(chǎn)生電路包括脈沖信號(hào)源、第一運(yùn)放芯片、第一三極管、電壓幅度調(diào)節(jié)電路、第二運(yùn)放芯片、電流負(fù)反饋電路、電壓震蕩控制電路及MOS管組；所述第一運(yùn)放芯片的正輸入端和負(fù)輸入端分別與所述主控制器及所述脈沖信號(hào)源相連，輸出端與所述第一三極管的基極相連；所述第一三極管的發(fā)射極與所述電壓幅度調(diào)節(jié)電路相連，集電極與所述第二運(yùn)放芯片的正輸入端相連；所述第二運(yùn)放芯片的負(fù)輸入端與所述電流負(fù)反饋電路的一端相連，輸出端與所述電流負(fù)反饋電路的另一端及所述MOS管組的柵極均相連；所述MOS管組的漏極與所述被測(cè)功率二極管的正極相連；所述電壓震蕩控制電路的一端與MOS管組的柵極相連，另一端與所述MOS管組的漏極相連；所述信號(hào)處理電路的第一輸入端與所述被測(cè)功率二極管的正極相連，第二輸入端與所述被測(cè)功率二極管的負(fù)極相連，輸出端與所述主控制器相連；

所述主控制器，用于對(duì)所述處理后的信號(hào)進(jìn)行計(jì)算，得出所述被測(cè)功率二極管的正向動(dòng)態(tài)電阻，并送給所述顯示電路；

所述顯示電路由LCD液晶屏形成，用于顯示所述主控制器計(jì)算出被測(cè)功率二極管的正向動(dòng)態(tài)電阻。

其中，所述電壓震蕩控制電路由相串接的多個(gè)電阻和電容形成。

其中，所述信號(hào)處理電路包括第一保護(hù)電阻、第二保護(hù)電阻、控制芯片及用于對(duì)所述被測(cè)功率二極管導(dǎo)通后產(chǎn)生的電壓信號(hào)進(jìn)行雙路單積分及數(shù)模轉(zhuǎn)換的第三運(yùn)放芯片；其中，

所述第一保護(hù)電阻的一端與所述被測(cè)功率二極管的正極相連，另一端與所述控制芯片的第一輸入端相連；

所述第二保護(hù)電阻的一端與所述被測(cè)功率二極管的負(fù)極相連，另一端與所述控制芯片的第二輸入端相連；

所述控制芯片的第一輸出端與所述第三運(yùn)放芯片的正輸入端相連，第二輸出端與所述第三運(yùn)放芯片的負(fù)輸入端相連；

所述第三運(yùn)放芯片的輸出端與所述主控制器相連。

其中，所述信號(hào)處理電路還包括與所述控制芯片的第三輸入端相連的信號(hào)線性保持電路，所述信號(hào)線性保持電路用于為所述控制芯片提供恒流充電以保證數(shù)模轉(zhuǎn)換后信號(hào)變化線性關(guān)系。

其中，所述裝置還包括電源電路。

其中，所述脈沖信號(hào)源為用于產(chǎn)生低阻抗脈沖信號(hào)的CD4066型模擬/數(shù)字信號(hào)四路雙向模擬開關(guān)芯片。

其中，所述主控制器由89C52型主CPU芯片、TLC5615C型數(shù)模轉(zhuǎn)換器及外圍電路形成。

實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果：

1、在本發(fā)明實(shí)施例中，由于裝置采用模塊化設(shè)計(jì)，各個(gè)模塊電路獨(dú)立工作，相互干擾較小，裝置測(cè)試時(shí)管子不發(fā)熱，因而可達(dá)到較高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定度；

2、在本發(fā)明實(shí)施例中，由于裝置采用直接通過LCD液晶屏顯示，無需人工參與計(jì)算，操作方便，簡(jiǎn)化了測(cè)試過程，從而實(shí)現(xiàn)功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻的自動(dòng)檢測(cè)及顯示，達(dá)到省時(shí)省力的目的。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖仍屬于本發(fā)明的范疇。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；

圖2為圖1測(cè)試及信號(hào)處理電路中電流脈沖產(chǎn)生電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)連接示意圖；

圖3為圖1測(cè)試及信號(hào)處理電路中信號(hào)處理電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)連接示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置中電源電路的應(yīng)用場(chǎng)景圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置中測(cè)試及信號(hào)處理電路的應(yīng)用場(chǎng)景圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置中主控制器的應(yīng)用場(chǎng)景圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置中針對(duì)1N5048型功率二極管在不同脈沖電流下測(cè)得的正向動(dòng)態(tài)電阻曲線變化示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置中針對(duì)1N5822型功率二極管在不同脈沖電流下測(cè)得的正向動(dòng)態(tài)電阻曲線變化示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

如圖1至圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例中，提供的一種功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置，包括測(cè)試及信號(hào)處理電路1、顯示電路3以及與測(cè)試及信號(hào)處理電路和顯示電路3均相連的主控制器2；其中，

測(cè)試及信號(hào)處理電路1包括用于在被測(cè)功率二極管DUT上加載大電流脈沖信號(hào)并使之導(dǎo)通的電流脈沖產(chǎn)生電路11和用于獲取被測(cè)功率二極管DUT導(dǎo)通后產(chǎn)生的電壓信號(hào)并與所獲電壓信號(hào)進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路12；其中，

如圖2所示，電流脈沖產(chǎn)生電路11包括脈沖信號(hào)源111、第一運(yùn)放芯片112、第一三極管113、電壓幅度調(diào)節(jié)電路117、第二運(yùn)放芯片114、電流負(fù)反饋電路115、電壓震蕩控制電路118及MOS管組116；第一運(yùn)放芯片112的正輸入端(+)和負(fù)輸入端(-)分別與主控制器2及脈沖信號(hào)源111相連，輸出端與第一三極管113的基極B相連；第一三極管的發(fā)射極E與電壓幅度調(diào)節(jié)電路117相連，集電極C與第二運(yùn)放芯片114的正輸入端(+)相連；第二運(yùn)放芯片114的負(fù)輸入端(-)與電流負(fù)反饋電路115的一端相連，輸出端與電流負(fù)反饋電路115的另一端及MOS管組116的柵極均相連；MOS管組116的漏極與被測(cè)功率二極管DUT的正極相連；電壓震蕩控制電路118的一端與MOS管組116的柵極相連，另一端與MOS管組116的漏極相連；

信號(hào)處理電路12的第一輸入端x1與被測(cè)功率二極管DUT的正極相連，第二輸入端x2與被測(cè)功率二極管DUT的負(fù)極相連，輸出端x3與主控制器2相連；

主控制器2，用于對(duì)所述處理后的信號(hào)進(jìn)行計(jì)算，得出被測(cè)功率二極管DUT的正向動(dòng)態(tài)電阻，并送給顯示電路3；

顯示電路3由LCD液晶屏形成，用于顯示主控制器2計(jì)算出被測(cè)功率二極管DUT的正向動(dòng)態(tài)電阻。

應(yīng)當(dāng)說明的是，MOS管組116由多個(gè)MOS管相并聯(lián)形成，例如10個(gè)MOS管并聯(lián)組成。

應(yīng)當(dāng)說明的是，電壓幅度調(diào)節(jié)電路117用于保持第一運(yùn)放芯片112輸出電壓幅度與第二運(yùn)放芯片114輸入電壓幅度相一致；電壓震蕩控制電路118用于控制MOS管組116輸出電流信號(hào)電平值保持在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

可以理解的是，電流脈沖產(chǎn)生電路11產(chǎn)生大電流流過被測(cè)功率二極管DUT，使得該被測(cè)功率二極管DUT導(dǎo)通，并經(jīng)過信號(hào)處理電路12進(jìn)行處理后，產(chǎn)生相應(yīng)的電流信號(hào)，在主控制器2中進(jìn)行運(yùn)算，從而得到該被測(cè)功率二極管DUT的正向動(dòng)態(tài)電阻，該正向動(dòng)態(tài)電阻隨流過被測(cè)功率二極管DUT電流變化而變化。

更進(jìn)一步的，電壓震蕩控制電路118由相串接的多個(gè)電阻和電容形成。

更進(jìn)一步的，如圖3所示，信號(hào)處理電路12包括第一保護(hù)電阻121、第二保護(hù)電阻122、控制芯片123及用于對(duì)被測(cè)功率二極管DUT導(dǎo)通后產(chǎn)生的電壓信號(hào)進(jìn)行雙路單積分及數(shù)模轉(zhuǎn)換的第三運(yùn)放芯片124；其中，

第一保護(hù)電阻121的一端與被測(cè)功率二極管DUT的正極相連，另一端與控制芯片123的第一輸入端a1相連；

第二保護(hù)電阻122的一端與與被測(cè)功率二極管DUT的負(fù)極相連，另一端與控制芯片123的第二輸入端a2相連；

控制芯片123的第一輸出端b1與第三運(yùn)放芯片124的正輸入端(+)相連，第二輸出端b2與第三運(yùn)放芯片124的負(fù)輸入端(-)相連；

第三運(yùn)放芯片124的輸出端與主控制器2相連。

更進(jìn)一步的，信號(hào)處理電路12還包括與控制芯片123的第三輸入端a3相連的信號(hào)線性保持電路125，信號(hào)線性保持電路125用于為控制芯片123提供恒流充電以保證數(shù)模轉(zhuǎn)換后信號(hào)變化線性關(guān)系。

更進(jìn)一步的，裝置還包括電源電路。

在一個(gè)實(shí)施例中，在電流脈沖產(chǎn)生電路11中，脈沖信號(hào)源111為用于產(chǎn)生低阻抗脈沖信號(hào)的CD4066型模擬/數(shù)字信號(hào)四路雙向模擬開關(guān)芯片；第一運(yùn)放芯片112采用LF411型集成運(yùn)放芯片，第一三極管113采用9014型三極管，第二運(yùn)放芯片114采用一LF412型集成運(yùn)放芯片，電流負(fù)反饋電路115通過一電阻來實(shí)現(xiàn)，MOS管組由10個(gè)IRF9540型MOS管并聯(lián)組成；

電壓幅度調(diào)節(jié)電路117也可通過一電阻來實(shí)現(xiàn)；電壓震蕩控制電路118由相串接的多個(gè)電阻和電容形成；

在信號(hào)處理電路12中，第一保護(hù)電阻121及第二保護(hù)電阻122均通過電阻來實(shí)現(xiàn)，控制芯片123可采用脈沖信號(hào)源111內(nèi)CD4066型模擬/數(shù)字信號(hào)四路雙向模擬開關(guān)芯片，第三運(yùn)放芯片124采用另一LF412型集成運(yùn)放芯片；信號(hào)線性保持電路125通過采用9015型三極管與TL431C型可調(diào)式精密穩(wěn)壓器的組合來實(shí)現(xiàn)；

主控制器2由89C52型主CPU芯片、TLC5615C型數(shù)模轉(zhuǎn)換器及外圍電路形成；

顯示電路3中液晶屏采用RT12232B型LCD。

如圖4至圖8所示，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試裝置的應(yīng)用場(chǎng)景做進(jìn)一步說明：

圖4為電源電路的應(yīng)用場(chǎng)景圖，通過電源插座外接220V商用交流電作為電源，使用0.5A保險(xiǎn)絲來保證系統(tǒng)的安全性，使用開關(guān)K1完成電路通和斷兩個(gè)功能。220V交流電通過變壓器B1降壓，通過整流橋D10整流得到+15V直流電壓。由7806型三端集成穩(wěn)壓器IC9實(shí)現(xiàn)+6V直流供電，在其輸入處由電容C13進(jìn)行濾波，在經(jīng)過二極管D3降壓得+5.2V公用電壓VCC。用R19進(jìn)行分壓得到-5V供電，采用電容C11進(jìn)行濾波，為了保證電壓的穩(wěn)定性，采用穩(wěn)壓管D9進(jìn)行穩(wěn)壓處理，保證電源能穩(wěn)定供電。而在+6V、-5V兩者的連接端有電容C12和C9進(jìn)行濾波，用來抑制輸出電壓的波紋度。二極管D4和D6用來單向?qū)娏?。?dāng)電路發(fā)生故障或異常時(shí)，隨著電流的升高，很有有可能損壞電路中的某些重要元器件，造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，因此采用自恢復(fù)保險(xiǎn)絲RXE0A75來保證電路的安全性。而本裝置的基準(zhǔn)電壓，可以通過TL431C型可調(diào)式精密穩(wěn)壓器IC8來獲得，最后通過電位器W2獲取+2.048V基準(zhǔn)電壓，為了保證其穩(wěn)定性，需要控制兩個(gè)電阻R17、W2的比值。此基準(zhǔn)電壓通過4148型二極管D1、D2信號(hào)處理電路中的第一、第二保護(hù)電阻之后，作為參考電平(如圖5所示)。

圖5為測(cè)試及信號(hào)處理電路的應(yīng)用場(chǎng)景圖，從89C52型主CPU(如圖6所示)通過TLC5615C型數(shù)模轉(zhuǎn)換器IC2(如圖6所示)送來的測(cè)試脈沖信號(hào)，與來自CD4066型模擬/數(shù)字信號(hào)四路雙向模擬開關(guān)IC3芯片的低阻抗脈沖信號(hào)匯合，允許基準(zhǔn)電壓以脈沖形式經(jīng)過LF411型集成運(yùn)放芯片IC6放大，送給9014型三極管TR1的輸出電流增大，TR1的發(fā)射極電阻R13構(gòu)成電壓幅度調(diào)節(jié)電路，通過它的電壓反饋?zhàn)孖C6保證電流脈沖幅度忠實(shí)地復(fù)制基準(zhǔn)電壓脈沖。TR1的集電極將該脈沖電平反相，并反向且呈現(xiàn)在R12上，加到LF412型集成運(yùn)放芯片IC5B。電容C10作消振蕩用。

通過IC5B的放大，推動(dòng)IRF9540型MOS管組TR2(10個(gè)MOS管并聯(lián)組成)輸出大電流脈沖，送給被測(cè)功率二極管(Device Under Test,DUT)的正極。電阻R9和電容C4防止MOS管組震蕩，采樣電阻R25構(gòu)成電流負(fù)反饋電路，將脈沖電流進(jìn)行采樣并反饋回IC5B，同時(shí)在MOS管組TR2的源極連接一個(gè)MBR3030型大功率肖特基二極管D5進(jìn)行測(cè)試導(dǎo)線電感的反激脈沖的抑制。

圖5中，由9015型三極管TR3與TL431C型穩(wěn)壓器IC7組成的信號(hào)線性保持電路，可為CD4066型模擬/數(shù)字信號(hào)四路雙向模擬開關(guān)IC3、IC4組成的控制芯片提供恒流充電，保證信號(hào)數(shù)——模轉(zhuǎn)換的線性關(guān)系，再傳給主CPU芯片IC1。

圖6為主控制器的應(yīng)用場(chǎng)景圖，89C52型主CPU芯片IC1通過控制P20——P22端口讀取鍵盤的輸入信息，控制P00——P07腳是給顯示電路——液晶顯示器(LCD)提供數(shù)據(jù)，通過RXD和TXD端口控制LCD的E1和E2兩個(gè)使能端口，以保證LCD能夠正常顯示數(shù)據(jù)，通過INT0端口控制LCD中數(shù)據(jù)的讀和寫，通過INT1端口控制LCD進(jìn)行復(fù)位。通過P10——P12端口控制外接的TLC5615C型數(shù)模轉(zhuǎn)換器IC2芯片，送給運(yùn)算放大器IC6。其中P10端口連接該芯片CS端口控制芯片是否工作(低電平有效)；P11端口通過芯片SLCK端口為該芯片提供工作時(shí)鐘信號(hào)，四位的串行數(shù)據(jù)在時(shí)鐘同步下發(fā)送；P12端口通過芯片DIN端口控制信號(hào)的串行輸入。

IC2芯片的OUT端口為模擬電壓輸出端，主CPU芯片IC1輸出的脈沖經(jīng)過此轉(zhuǎn)換為模擬電壓送到IC6。IC2的VCC端口接一個(gè)正電壓，一般取5V，由總電源供電，同時(shí)加一個(gè)小電容C14進(jìn)行濾波處理。

鍵盤輸入由主CPU芯片IC1的P00——P03、P20——P23端口來捕獲鍵盤發(fā)出的相關(guān)電平信號(hào)，來實(shí)現(xiàn)各種命令、參數(shù)的輸入。

顯示電路采用RT12232B型LCD模塊進(jìn)行實(shí)驗(yàn)結(jié)果的數(shù)據(jù)顯示。主CPU芯片IC1的P00——P07端口分別給RT12232B芯片的D0——D7腳提供數(shù)據(jù)，主CPU的RXD、TXD、INT0、INT1、P24端口分別對(duì)應(yīng)控制顯示器的E1、E2、R/W、RST、A0。其中，E1和E2是使能端，控制LCD芯片進(jìn)行正常工作，R/W為讀/寫選擇端，當(dāng)電平為高電平時(shí)進(jìn)行讀操作，當(dāng)電平為低電平時(shí)進(jìn)行寫操作；A0為數(shù)據(jù)/命令選擇端，當(dāng)電平為高電平時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器，當(dāng)電平為低電平時(shí)選擇指令寄存器；RST為復(fù)位端口，當(dāng)電平為低電平時(shí)有效；VLCD為L(zhǎng)CD驅(qū)動(dòng)電壓端口，可以通過調(diào)節(jié)W1來獲得合適的電壓。為了保證信號(hào)穩(wěn)定，同時(shí)在LCD模塊和主CPU芯片之間增加了一組上拉電阻R1，起到固定電平的作用，使CPU與LCD之間的信號(hào)由電平不確定狀態(tài)穩(wěn)固拉到5V左右電平，便于主CPU芯片能準(zhǔn)確判斷信號(hào)是否發(fā)生變化。9012型三極管TR4放大CPU送到報(bào)警器的電流。24C02型緩存器IC10用于存儲(chǔ)當(dāng)前系統(tǒng)的工作狀態(tài)，記憶所設(shè)置的參數(shù)，而且關(guān)機(jī)后不丟失，以方便使用。芯片IC10主要的端口為WP、SCL、SDA，其中WP為寫保護(hù)，SCL、SDA為二線串行接口，符合I2C總線協(xié)議。WP端口在低電平情況下，主CPU才能對(duì)24C02中的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改寫入，所以WP接地，SCL外接時(shí)鐘，而SDA直接連接主CPU的T1端口，用來作為數(shù)據(jù)寫入的傳輸端口。

主CPU芯片IC1從其內(nèi)部的ROM中逐條獲取指令，然后逐步執(zhí)行。假如沒有晶振，主CPU芯片乃至整個(gè)裝置就無法正常執(zhí)行程序代碼。本發(fā)明裝置中主CPU的外接晶振頻率為12MHz，可以有效地保證主CPU芯片的運(yùn)行速度，同時(shí)晶振配有30pF的起振電容，保證晶振正常工作。由于主CPU芯片的P0端口為開漏輸出，為了正常工作，在主CPU芯片的P0端口接有上拉電阻R1，以保證信號(hào)的驅(qū)動(dòng)和傳輸，保證裝置正常工作。

圖7和圖8分別為1N5048型功率二極管及1N5822型功率二極管在不同脈沖電流下測(cè)得的正向動(dòng)態(tài)電阻曲線變化示意圖，從圖7和圖8中，可以看出隨著正向電流的增大，兩種二極管的正向動(dòng)態(tài)電阻逐步減小且趨于穩(wěn)定。這是因?yàn)樾‰娏鲿r(shí)二極管導(dǎo)電主要由擴(kuò)散機(jī)制決定而大電流時(shí)二極管導(dǎo)電主要由電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及復(fù)合機(jī)制決定引起的。可見，使用本發(fā)明裝置測(cè)量的結(jié)果符合半導(dǎo)體器件物理規(guī)律。

實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果：

1、在本發(fā)明實(shí)施例中，由于裝置采用模塊化設(shè)計(jì)，各個(gè)模塊電路獨(dú)立工作，相互干擾較小，裝置測(cè)試時(shí)管子不發(fā)熱，因而可達(dá)到較高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定度；

2、在本發(fā)明實(shí)施例中，由于裝置采用直接通過LCD液晶屏顯示，無需人工參與計(jì)算，操作方便，簡(jiǎn)化了測(cè)試過程，從而實(shí)現(xiàn)功率二極管正向動(dòng)態(tài)電阻的自動(dòng)檢測(cè)及顯示，達(dá)到省時(shí)省力的目的。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，所述的存儲(chǔ)介質(zhì)，如ROM/RAM、磁盤、光盤等。

以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。