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      X射線數(shù)據(jù)處理裝置及其方法以及程序與流程

      文檔序號(hào):12358116閱讀:500來源:國知局
      X射線數(shù)據(jù)處理裝置及其方法以及程序與流程

      本發(fā)明涉及針對(duì)特定射線源的X射線強(qiáng)度從計(jì)數(shù)值來推定真值的X射線數(shù)據(jù)處理裝置及其方法以及程序。



      背景技術(shù):

      在光子計(jì)數(shù)方式的像素陣列檢測器中,由于一般使用單片的傳感器,因此在傳感器的內(nèi)部,在像素間不存在明確的邊界。一般僅形成在與讀出芯片連接的一側(cè)的讀出焊盤部分被形成為像素狀(參考專利文獻(xiàn)1)。

      由此,當(dāng)載流子在相鄰的像素的邊界部分進(jìn)行擴(kuò)散時(shí),會(huì)出現(xiàn)在這些像素間共有1光子份的電荷的電荷共享(charge share)這樣的現(xiàn)象。以該電荷共享為原因,即使入射的X射線的強(qiáng)度恒定,在依賴于對(duì)各像素設(shè)定的閾值的情況下,計(jì)數(shù)有時(shí)會(huì)比原本應(yīng)該的計(jì)數(shù)多,有時(shí)會(huì)比原本應(yīng)該的計(jì)數(shù)少。

      過去,或者在忽視電荷共享的影響的情況下進(jìn)行測定,或者在通過將閾值設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹刀褂绊懗蔀樽钚∠薅鹊那闆r下進(jìn)行測定,但在這樣的方法中,不能消除電荷共享的效應(yīng)。另一方面,還進(jìn)行了以下研究,將要消除電荷共享所帶來的影響本身的電路安裝在讀出芯片的像素間(參考非專利文獻(xiàn)1)。

      專利文獻(xiàn)

      專利文獻(xiàn)1:JP特開2012-242111號(hào)公報(bào)

      專利文獻(xiàn)2:JP特開2014-159973號(hào)公報(bào)

      非專利文獻(xiàn)

      非專利文獻(xiàn)1:H.-E.Nilsson,B.Norlin,F(xiàn)rojdh,L.Tlustos,“Charge sharing suppression using pixel-to-pixel communication in photon counting X-ray imaging systems”,Nuclear Instruments&Methods in Physics Research,Available online 6 February,A576,2007,243-247

      但是,安裝要消除電荷共享所帶來的影響的電路的方法需要分別在像素間對(duì)信號(hào)的波高進(jìn)行比較。由此,通過安裝比較器,會(huì)占據(jù)相應(yīng)的面積,在比較器間用于進(jìn)行比較的閾值會(huì)出現(xiàn)偏差。另外,在像素尺寸較小時(shí),難以應(yīng)對(duì)跨多個(gè)像素的電荷共享。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明鑒于這樣的狀況而完成,目的在于,提供一種不使用比較器等就能夠?qū)τ晒庾佑?jì)數(shù)方式的像素陣列型的X射線檢測器檢測出的且受到電荷共享的影響的X射線的計(jì)數(shù)值進(jìn)行補(bǔ)正的X射線數(shù)據(jù)處理裝置。

      (1)為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的X射線數(shù)據(jù)處理裝置是根據(jù)由光子計(jì)數(shù)方式的像素陣列型的X射線檢測器檢測出的X射線的計(jì)數(shù)值來推定真值的X射線數(shù)據(jù)處理裝置,其特征在于,具備:管理部,其接收并管理每個(gè)檢測部分的計(jì)數(shù)值;有效面積率算出部,其使用與所述檢測部分相關(guān)的數(shù)據(jù)、和與射線源以及檢測能量的閾值相關(guān)的數(shù)據(jù)來算出所述檢測部分的受到電荷共享的影響的檢測能力相對(duì)于原本的檢測能力的比例,作為所述檢測部分的有效面積率;和補(bǔ)正部,其以所述算出的有效面積率來補(bǔ)正所述被管理的計(jì)數(shù)值,從而推定真值。由此,不使用比較器等就能夠?qū)τ晒庾佑?jì)數(shù)方式的像素陣列型的X射線檢測器檢測出的且受到電荷共享的影響的X射線的計(jì)數(shù)值進(jìn)行補(bǔ)正。

      (2)另外,本發(fā)明的X射線數(shù)據(jù)處理裝置的特征在于,所述有效面積率算出部針對(duì)各射線源以及各檢測能量的閾值來算出所述有效面積率,所述補(bǔ)正部將所述算出的有效面積率表示為聯(lián)立方程式的系數(shù),使用所述聯(lián)立方程式,將針對(duì)各檢測能量的閾值的計(jì)數(shù)值線性變換成針對(duì)各射線源的補(bǔ)正值。由此,在多波長的X射線入射到檢測部分的情況下,也能減小具有波長依賴性的電荷共享的影響。

      (3)另外,本發(fā)明的X射線數(shù)據(jù)處理裝置的特征在于,與所述檢測部分相關(guān)的數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)于所述檢測部分而預(yù)先存儲(chǔ)的表示所述檢測部分的尺寸以及所述檢測部分內(nèi)的電荷的擴(kuò)散的分布的數(shù)據(jù)。由此,能對(duì)應(yīng)于檢測部分的特性、形狀來估計(jì)電荷共享的影響,算出有效面積率。

      (4)另外,本發(fā)明的方法是根據(jù)由光子計(jì)數(shù)方式的像素陣列型的X 射線檢測器檢測出的X射線的計(jì)數(shù)值來推定真值的X射線數(shù)據(jù)處理的方法,其特征在于,包括:接收并管理每個(gè)檢測部分的計(jì)數(shù)值的步驟;使用與所述檢測部分相關(guān)的數(shù)據(jù)、和與射線源以及檢測能量的閾值相關(guān)的數(shù)據(jù)來算出所述檢測部分的受到電荷共享的影響的檢測能力相對(duì)于原本的檢測能力的比例,作為所述檢測部分的有效面積率的步驟;和以所述算出的有效面積率來補(bǔ)正所述被管理的計(jì)數(shù)值,從而推定真值的步驟。由此,能補(bǔ)正電荷共享的影響。

      另外,本發(fā)明的程序是根據(jù)由光子計(jì)數(shù)方式的像素陣列型的X射線檢測器檢測出的X射線的計(jì)數(shù)值來推定真值的X射線數(shù)據(jù)處理的程序,其特征在于,使計(jì)算機(jī)執(zhí)行包括以下處理在內(nèi)的一系列的處理:接收并管理每個(gè)檢測部分的計(jì)數(shù)值的處理;使用與所述檢測部分相關(guān)的數(shù)據(jù)、和與射線源以及檢測能量的閾值相關(guān)的數(shù)據(jù)來算出所述檢測部分的受到電荷共享的影響的檢測能力相對(duì)于原本的檢測能力的比例,作為所述檢測部分的有效面積率的處理;和以所述算出的有效面積率來補(bǔ)正所述被管理的計(jì)數(shù)值,從而推定真值的處理。由此,能補(bǔ)正電荷共享的影響。

      根據(jù)本發(fā)明,不使用比較器等就能夠?qū)τ晒庾佑?jì)數(shù)方式的像素陣列型的X射線檢測器檢測出的且受到電荷共享的影響的X射線的計(jì)數(shù)值進(jìn)行補(bǔ)正。

      附圖說明

      圖1是表示本發(fā)明的X射線衍射系統(tǒng)的構(gòu)成的簡要圖。

      圖2是主要表示X射線檢測器以及X射線數(shù)據(jù)處理裝置的構(gòu)成的框圖。

      圖3A、圖3B分別是表示未發(fā)生電荷共享的情況和發(fā)生了電荷共享的情況下的X射線的檢測的示意圖。

      圖4是主要表示X射線數(shù)據(jù)處理裝置的構(gòu)成的框圖。

      圖5是表示ROIC的增益的偏差的曲線圖。

      圖6是表示與像素尺寸以及閾值相應(yīng)的電荷共享的影響的表。

      圖7是表示實(shí)際測量的X射線分布以及各射線源的有效面積率曲線的曲線圖。

      圖8A、圖8B是表示不進(jìn)行補(bǔ)正的情況和使用有效面積率進(jìn)行了補(bǔ)正的情況下的各自的圖像的圖。

      圖9是表示不進(jìn)行使用有效面積率的補(bǔ)正的情況和進(jìn)行了使用有效面積率的補(bǔ)正的情況下的強(qiáng)度分布的曲線圖。

      圖10是表示在熒光X射線降低模式下測定出的X射線強(qiáng)度和以使用了有效面積率的補(bǔ)正將熒光X射線去除后的X射線強(qiáng)度的曲線圖。

      圖11是表示將閾值分別設(shè)為5keV以及7keV測定出的圖像(上段)、和使用有效面積率補(bǔ)正后的Cu光源圖像以及Fe光源圖像(下段)的圖。

      具體實(shí)施方式

      接下來,參考附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。為了使說明易于理解,在各附圖中對(duì)同一構(gòu)成要素標(biāo)注同一參考編號(hào),省略重復(fù)的說明。

      (整體構(gòu)成)

      圖1是表示X射線測定系統(tǒng)10的構(gòu)成的一例的簡要圖。如圖1所示,X射線測定系統(tǒng)10包括:X射線源20、樣本S、X射線檢測器100以及X射線數(shù)據(jù)處理裝置200。

      X射線源20例如使從作為陰極的燈絲輻射出的電子束碰撞到作為對(duì)陰極的轉(zhuǎn)靶來產(chǎn)生X射線。從X射線源20輻射出的X射線是截面形狀為圓形或矩形的點(diǎn)狀的所謂點(diǎn)聚焦(point focus)的X射線束。

      通過在轉(zhuǎn)靶的外周面設(shè)置原子序數(shù)互不相同的多種金屬(例如Mo以及Cu),還能使X射線源20成為多波長的射線源。在電子碰撞Cu靶時(shí),輻射包含作為特征射線的CuKα射線(波長)在內(nèi)的X射線,在電子碰撞Mo靶時(shí),輻射包含作為特征射線的MoKα射線(波長)在內(nèi)的X射線。在從轉(zhuǎn)靶出射的X射線中,相互不同的靶素材的特征X射線即CuKα射線以及MoKα射線混合存在。

      樣本S被樣本支撐裝置支撐。樣本支撐裝置按照樣本S的特性以及測定的種類來確定。X射線檢測器100檢測因樣本S而衍射的衍射X射線以及熒光X射線。X射線數(shù)據(jù)處理裝置200對(duì)測定到的衍射X射線以及熒光X射線的X射線數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,并顯示測定結(jié)果。X射線檢測器100以及X射線數(shù)據(jù)處理裝置200的詳細(xì)情況在后面敘述。

      (X射線檢測器以及X射線數(shù)據(jù)處理裝置的構(gòu)成)

      圖2是主要表示X射線檢測器100以及X射線數(shù)據(jù)處理裝置200的構(gòu)成的框圖。X射線檢測器100具有多個(gè)X射線受光用的像素110(檢測部分),例如是二維半導(dǎo)體檢測器。多個(gè)像素110被二維陣列化,按照規(guī)則進(jìn)行排列。另外,檢測器并不限于二維半導(dǎo)體檢測器,也可以是一維半導(dǎo)體檢測器。

      分類電路120與多個(gè)像素110各自連接,計(jì)數(shù)部130進(jìn)一步與分類電路120各自連接。計(jì)數(shù)器讀出電路150與各計(jì)數(shù)部130連接。

      分類電路120按每個(gè)X射線波長將像素110的脈沖信號(hào)分類后輸出。計(jì)數(shù)部130對(duì)由分類電路120按每個(gè)波長分類后的信號(hào)各自的個(gè)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)部130例如內(nèi)置與分類數(shù)相同的數(shù)目的計(jì)數(shù)器電路,以使得能對(duì)由分類電路120分類出的數(shù)目的脈沖信號(hào)分別進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器讀出電路150的輸出信號(hào)作為按照能量的閾值而分離的X射線數(shù)據(jù)經(jīng)過通信線路被傳送到X射線數(shù)據(jù)處理裝置200。

      X射線數(shù)據(jù)處理裝置200例如是個(gè)人計(jì)算機(jī)。個(gè)人計(jì)算機(jī)例如具備:用于進(jìn)行運(yùn)算控制的CPU、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi)的給定區(qū)域的系統(tǒng)軟件、以及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi)的其他給定區(qū)域的應(yīng)用程序軟件等。

      在X射線數(shù)據(jù)處理裝置200連接鍵盤等,作為受理用戶的輸入的輸入部300。用戶能經(jīng)由輸入部300進(jìn)行測定結(jié)果的顯示或補(bǔ)正的指示等。另外,輸入部300受理與射線源以及檢測能量的閾值相關(guān)的數(shù)據(jù)的輸入。另外,在射線源中不僅包含向樣本照射的照射X射線源,還包含熒光X射線源。另外,在X射線數(shù)據(jù)處理裝置200連接顯示器、打印機(jī)等輸出部400。輸出部400按照來自X射線數(shù)據(jù)處理裝置200的指示來輸出測定結(jié)果。

      圖3A、圖3B分別是表示未發(fā)生電荷共享的情況和發(fā)生了電荷共享的情況下的X射線的檢測的示意圖。如圖3A所示,在X射線僅入射到單一的像素110的情況下,不發(fā)生電荷共享,能進(jìn)行正確的測定。但是,如圖3B所示,在X射線檢測器100的表面附近形成的電荷的云在到達(dá)電極之間發(fā)生擴(kuò)散而出現(xiàn)電荷共享。由于跨2個(gè)像素110而發(fā)生的電荷共享,一 個(gè)像素110所檢測出的峰值變低,在另一個(gè)像素110也檢測出低峰值。

      (X射線數(shù)據(jù)處理裝置的構(gòu)成)

      圖4是主要表示X射線數(shù)據(jù)處理裝置200的構(gòu)成的框圖。X射線數(shù)據(jù)處理裝置200具備管理部210、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部220、有效面積率算出部230、補(bǔ)正部250,其根據(jù)X射線的計(jì)數(shù)值來推定真值。另外,X射線數(shù)據(jù)處理裝置200既可以用在使多種光源的衍射X射線數(shù)據(jù)分離的情況,也可以用在從衍射X射線數(shù)據(jù)中分離熒光X射線的情況中。

      管理部210接受并管理由X射線檢測器100按每個(gè)像素檢測出的計(jì)數(shù)值。例如,管理部210按照與像素110的地址(i,j)建立關(guān)聯(lián)的方式來決定每個(gè)波長的衍射X射線強(qiáng)度,并存儲(chǔ)該結(jié)果的數(shù)據(jù)。管理部210按照用戶的指示例如使所存儲(chǔ)的Cu射線源的衍射X射線像和Mo射線源的衍射X射線像雙方的衍射像的數(shù)據(jù)顯示于輸出部400。既能顯示任意一方的衍射像,也能同時(shí)顯示雙方的像。

      數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部220存儲(chǔ)與X射線檢測器100的傳感器的材質(zhì)、結(jié)構(gòu)以及像素相關(guān)的數(shù)據(jù)和與X射線源20以及檢測能量的閾值相關(guān)的數(shù)據(jù)。與像素相關(guān)的數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)于像素而預(yù)先存儲(chǔ)的表示像素的尺寸、形狀以及傳感器內(nèi)的電荷的擴(kuò)散的分布的數(shù)據(jù)。另外,與X射線源20以及檢測能量的閾值相關(guān)的數(shù)據(jù)是表示使用X射線測定系統(tǒng)10時(shí)的條件的數(shù)據(jù),由用戶來輸入。由此,能對(duì)應(yīng)于像素的特性或形狀來估計(jì)電荷共享的影響,算出有效面積率。

      有效面積率算出部230使用與像素相關(guān)的數(shù)據(jù)以及所輸入的數(shù)據(jù),來算出像素的受到電荷共享的影響的檢測能力相對(duì)于原本的檢測能力的比例,作為像素的有效面積率。特別地,對(duì)于多個(gè)射線源以及多個(gè)閾值,有效面積率算出部230針對(duì)各射線源以及各檢測能量的閾值算出有效面積率。

      補(bǔ)正部250以算出的有效面積率來補(bǔ)正被管理的計(jì)數(shù)值,從而推定真值。這樣,能補(bǔ)正由光子計(jì)數(shù)方式的像素陣列型的X射線檢測器檢測出的且受到電荷共享的影響的X射線的計(jì)數(shù)值。具體來說,對(duì)于多個(gè)射線源以及多個(gè)閾值,補(bǔ)正部250將算出的有效面積率表示為聯(lián)立方程式的系數(shù),使用聯(lián)立方程式,將針對(duì)各檢測能量的閾值的計(jì)數(shù)值線性變換成針對(duì)各射 線源的補(bǔ)正值。由此,即使在多波長的X射線入射到像素的情況下,也能減小具有波長依賴性的電荷共享的影響。

      (補(bǔ)正以及補(bǔ)正中使用的有效面積率的算出)

      基于電荷共享的有效面積率存在對(duì)于閾值波長和入射X射線的波長的依賴性。使用該波長依賴性和借助多個(gè)閾值而測定出的計(jì)數(shù)值,對(duì)每個(gè)波長進(jìn)行到達(dá)像素的X射線的計(jì)數(shù)的推定。

      將不同的2個(gè)波長設(shè)為A、B,將不同的2個(gè)適當(dāng)?shù)拈撝翟O(shè)為L、H。另外,將從波長A、B的光源到達(dá)各像素的X射線的真實(shí)的光子數(shù)分別設(shè)為IA、IB,將在閾值L、H下觀測到的計(jì)數(shù)分別設(shè)為IL、IH。若將由閾值L和波長A決定的像素有效面積率表示為pLA那樣,則能如以下的數(shù)式(1)那樣得到觀測到的計(jì)數(shù)與真實(shí)的光子數(shù)的關(guān)系。

      在此,由于若將有效面積率所構(gòu)成的矩陣設(shè)為P,來求其逆矩陣,則成為以下的數(shù)式(2),所以能以在不區(qū)別波長A、B的信號(hào)的情況下觀測到的計(jì)數(shù)為基礎(chǔ),獨(dú)立地得到射線源A、B的計(jì)數(shù)。

      半導(dǎo)體傳感器內(nèi)的電荷的擴(kuò)散遵循正態(tài)分布,若假定其標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ,將像素的一邊的長度設(shè)為d,則有效面積率p能如下面的數(shù)式(3)那樣近似(∵d>>σ)。

      在此,λ是設(shè)為對(duì)象的X射線的波長,λTH是檢測電路的閾值波長。 在d>>σ不成立的情況下,需要考慮像素的4個(gè)角所帶來的效果。

      上述的X射線測定系統(tǒng)10能使用在多色光源的分離中。例如,能從根據(jù)高能量側(cè)的閾值和低能量側(cè)的閾值而分別分離的X射線的計(jì)數(shù)值IH以及IL,采用以下的數(shù)式(4)來求取Cu光源以及Mo光源的衍射X射線強(qiáng)度ICu以及IMo。

      另外,上述的X射線測定系統(tǒng)10還能應(yīng)用在采用虛擬非均勻照射來重新作成溫度補(bǔ)正后的均勻性補(bǔ)正表格中。

      (實(shí)施例1)

      使用上述的X射線測定系統(tǒng)10來進(jìn)行測定。X射線檢測器20中所用的標(biāo)準(zhǔn)讀出集成電路(ROIC)具有增益的偏差。例如,即使將閾值設(shè)定為6keV,實(shí)際檢測出的能量也按每個(gè)像素而有偏差。圖5是表示ROIC的增益的偏差的曲線圖。在圖5所示的示例中,增益具有平均值μ=6.0keV、標(biāo)準(zhǔn)偏差σ=0.2keV的分布。

      在X射線的檢測中,使用在表面具有如下像素的X射線檢測器,該像素為一邊100μm的矩形,傳感器厚為320μm,載流子的擴(kuò)散為σ=5.0μm的高斯分布。電荷共享的影響的大小按照像素尺寸的大小而不同,有效面積率也不同。圖6是表示與像素尺寸以及閾值相應(yīng)的電荷共享的影響的表。若源于ROIC的性能而相對(duì)于設(shè)定值發(fā)生1keV程度的偏差,則X射線的計(jì)數(shù)值發(fā)生8%程度的偏差。

      使用上述那樣的X射線檢測器來測定針對(duì)閾值的CuK的X射線強(qiáng)度,并算出針對(duì)閾值的Mo、Cu、Fe、Cr光源各自的X射線檢測的有效面積率。圖7是表示實(shí)際測量的X射線分布以及各射線源的有效面積率曲線的曲線圖。在算出中,有效面積率曲線將噪聲峰值的中心設(shè)為0keV來計(jì)算閾值。 另外,將FWHM24%(作為一例,在σ=8.04keV下為830eV)的高斯分布與針對(duì)8.04keV的單色光計(jì)算出的有效面積-閾值曲線作卷積。其結(jié)果是,實(shí)際測量的CuK的X射線分布與Cu光源的X射線檢測的有效面積率的曲線大致一致。

      (實(shí)施例2)

      說明使用有效面積率來對(duì)采用上述X射線測定系統(tǒng)得到的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)正的示例。設(shè)使用Cu光源如以下(5)這樣來得到實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

      對(duì)于這樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,若僅進(jìn)行單純的基于有效面積率的補(bǔ)正,則如以下(6)那樣使X射線的計(jì)數(shù)值被補(bǔ)正。

      若上述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是對(duì)鐵制的樣本照射Cu光源的X射線而得到的,則能以反映因熒光X射線導(dǎo)致的降低份的方式如以下(7)那樣計(jì)算源于Cu光源的X射線強(qiáng)度ICu以及熒光X射線的X射線強(qiáng)度IFe。

      另外,若明確所入射的X射線是單色,則能得到背景和有效面積100%下的強(qiáng)度。

      設(shè)為

      (實(shí)施例3)

      借助具備一邊100μm的矩形的像素的X射線檢測器的X射線測定系統(tǒng)來進(jìn)行實(shí)際檢測出的X射線強(qiáng)度的基于有效面積率的補(bǔ)正。在與傳感器并聯(lián)連接的ROIC間的計(jì)數(shù)值的補(bǔ)正中采用進(jìn)行了簡單平均(simple average)的值。圖8A是表示未補(bǔ)正的情況下的圖像的圖,圖8B是表示使用有效面積率進(jìn)行了補(bǔ)正的情況下的圖像的圖。在未補(bǔ)正的情況下,計(jì)數(shù)值整體上較小,另一方面,在進(jìn)行了補(bǔ)正的情況下,計(jì)數(shù)值整體上變大。

      圖9是表示未進(jìn)行使用有效面積率的補(bǔ)正的情況以及進(jìn)行了使用有效面積率的補(bǔ)正的情況下的強(qiáng)度分布的曲線圖。對(duì)于未補(bǔ)正的情況下的曲線來說,計(jì)數(shù)值整體上較小,像素間的計(jì)數(shù)值的偏差變大。另一方面,對(duì)于進(jìn)行了補(bǔ)正的情況下的曲線來說,計(jì)數(shù)值整體上較大,像素間的計(jì)數(shù)值的偏差變小。

      (實(shí)施例4)

      在與上述實(shí)施例相同的條件下,拍攝利用Cu光源對(duì)鐵制的粉末樣本照射X射線時(shí)的衍射圖。這時(shí),首先為了降低Fe的熒光X射線而將閾值設(shè)定為7keV來進(jìn)行拍攝(熒光降低模式)。接下來,將閾值分別設(shè)為5keV以及7keV來拍攝X射線圖像。然后,對(duì)于拍攝到的圖像求解將分別針對(duì)各閾值和Cu光源(8.04keV)以及Fe光源(6.4keV)確定的有效面積率用作系數(shù)的聯(lián)立方程式,從而對(duì)圖像進(jìn)行補(bǔ)正,分離成源于各光源的圖像(熒光分離模式)。

      圖10是表示在熒光X射線降低模式下測定出的X射線強(qiáng)度以及以使用了有效面積率的補(bǔ)正將熒光X射線分離后的X射線強(qiáng)度的曲線圖。圖10在x=360~411的范圍內(nèi)將熒光降低模式的測定數(shù)據(jù)圖像和熒光去除圖像描繪為平均計(jì)數(shù)分布。熒光分離模式的曲線圖相對(duì)于熒光降低模式的曲線圖在SBR(Signal to Background Ratio:信號(hào)背景比)上能看到約3倍的 提高。

      這樣,作為相當(dāng)于在將閾值設(shè)為4.1keV來拍攝的情況下得到的源于Cu光源的圖像的圖像,得到了分離后的源于Cu光源(8.04keV)的圖像。另外,作為相當(dāng)于在設(shè)為閾值3.3keV來拍攝的情況下得到的源于Fe光源的圖像的圖像,得到了源于Fe光源(6.4keV)的圖像。

      圖11是表示將閾值分別設(shè)為5keV以及7keV而測定的圖像(上段)、和使用有效面積率進(jìn)行了補(bǔ)正的Cu光源圖像以及Fe光源圖像(下段)的圖??芍?,相比于閾值7keV的圖像(上段左),在使用有效面積率進(jìn)行了補(bǔ)正的Cu光源圖像(下段左)中,衍射線變得明確,能將熒光X射線作為背景來分離、去除。

      符號(hào)說明:

      10 X射線測定系統(tǒng)

      20 X射線源

      100 X射線檢測器

      110 像素(檢測部分)

      120 分類電路

      130 計(jì)數(shù)部

      150 計(jì)數(shù)器讀出電路

      200 X射線數(shù)據(jù)處理裝置

      210 管理部

      220 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部

      230 有效面積率算出部

      250 補(bǔ)正部

      300 輸入部

      400 輸出部

      S 樣本。

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