本發(fā)明涉及電表技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及掉電電表低功耗全失壓檢測用電控制方法。

背景技術(shù)：

電表的全失壓記錄功能，是電表最常用的一種實(shí)用化事件記錄功能，是通過全失壓事件的記錄為要追補(bǔ)的電量提供準(zhǔn)確的電量追補(bǔ)依據(jù)，避免因電量追補(bǔ)依據(jù)缺乏二引起供電與用電雙方的糾紛。電表的全失壓檢測分為正常工作狀態(tài)檢測和掉電狀態(tài)檢測。其中，電表的掉電狀態(tài)檢測需要電池提供電源，掉電狀態(tài)檢測的持續(xù)檢測會消耗大量的電池電量，從而可能會影響到電表掉電狀態(tài)檢測的檢測時(shí)間的長度和電池的使用壽命。

現(xiàn)有電表在掉電狀態(tài)的電池模式下工作時(shí)仍然用正常工作狀態(tài)方法持續(xù)開啟計(jì)量芯片對負(fù)荷電流進(jìn)行采樣檢測，這樣會消耗電池的大量電量，能耗消耗快，會使電池的電量在較短時(shí)間內(nèi)被用完，從而影響電表檢測的其他功能，同時(shí)還會影響電池的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有現(xiàn)有電表存在上述不足，提供一種電表工作在電池模式時(shí)，能讓電表按照設(shè)定的電流檢測頻率進(jìn)行低功耗的全失壓記錄電流檢測，電能消耗低，電池使用壽命長，可靠性高的掉電電表低功耗全失壓檢測用電控制方法。

以上技術(shù)問題是通過下列技術(shù)方案解決的：

掉電電表低功耗全失壓檢測用電控制方法，包括計(jì)量芯片和與計(jì)量芯片連接的主芯片，所述計(jì)量芯片包括正常模式、部分檢測模式、電流檢測模式和休眠模式，所述計(jì)量芯片還包括模式管腳PM1和模式管腳PM0，當(dāng)主芯片同時(shí)向計(jì)量芯片的模式管腳PM1和模式管腳PM0都輸入高電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為正常模式當(dāng)主芯片向計(jì)量芯片的模式管腳PM1輸入高電平信號的同時(shí)又向模式管腳PM0輸出低電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為部分檢測模式；當(dāng)主芯片向計(jì)量芯片的模式管腳PM1輸入低電平信號的同時(shí)又向模式管腳PM0輸出高電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為電流檢測模式；當(dāng)主芯片同時(shí)向計(jì)量芯片的模式管腳PM1和模式管腳PM0都輸入低電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為休眠模式；

控制方法包括如下步驟：

當(dāng)電表工作在電池模式下時(shí)，主芯片根據(jù)預(yù)先設(shè)置的對負(fù)荷電流檢測的時(shí)間間隔來控制計(jì)量芯片的電流檢測頻率；

在電池模式下全失壓低功耗檢測包括全失壓檢測和計(jì)量檢測，并且只有在全失壓檢測后根據(jù)全失壓檢測結(jié)果來判定是否要進(jìn)行計(jì)量檢測，如果有全失壓發(fā)生才進(jìn)行計(jì)量檢測，如果沒有全失壓發(fā)生就不進(jìn)行計(jì)量檢測；

通過電流閾值比較器檢測負(fù)荷電流是否達(dá)到電流門限的閾值來判定電表是否發(fā)生全失壓：

如果發(fā)生了全失壓，則由電流閾值比較器觸發(fā)一個(gè)中斷信號給主芯片，主芯片收到中斷信號后，主芯片給計(jì)量芯片信號，隨即開啟計(jì)量芯片從休眠模式切換到電流檢測模式進(jìn)行全失壓記錄，否則不開啟計(jì)量芯片的電流檢測模式。

本方案電表工作在電池模式時(shí)，能讓電表按照設(shè)定的電流檢測頻率進(jìn)行低功耗的全失壓記錄電流檢測，電能消耗低，電池使用壽命長，可靠性高，實(shí)現(xiàn)了電表在電池模式全失壓異常時(shí)的低功耗檢測，為電表在電池模式下實(shí)現(xiàn)全失壓連續(xù)長時(shí)間檢測提供了可能。電池功耗的降低意味著電池使用時(shí)間的延長，也節(jié)省了因更換電池造成的成本，具有較高的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

作為優(yōu)選，在計(jì)量芯片不檢測時(shí)，通過主芯片控制，使計(jì)量芯片工作在功耗最低的休眠模式下，然后按照設(shè)定的時(shí)間間隔喚醒計(jì)量芯片從休眠模式下切換到電流檢測模式下；在電流檢測模式下計(jì)量芯片將三相負(fù)荷電流與預(yù)先校好的電流閾值比較，若有在閾值以上的分相負(fù)荷電流，則會觸發(fā)計(jì)量芯片的中斷輸出端而輸出低電平，從而決定是否開啟計(jì)量芯片的電流檢測模式進(jìn)行全失壓記錄。

作為優(yōu)選，計(jì)量芯片從休眠模式切換到電流檢測模式進(jìn)行全失壓記錄的過程如下：開始，每隔設(shè)定時(shí)間喚醒計(jì)量芯片到電流檢測模式，然后判斷負(fù)荷電流是否超過閾值；

如果負(fù)荷電流沒有超過閾值，則說明當(dāng)前沒有發(fā)生全失壓，同時(shí)讀取上一次發(fā)生的全失壓；然后判斷當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)是否相同？

如果當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)相同，則直接將計(jì)量芯片切換到休眠模式；

如果當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)不相同，則將計(jì)量芯片切換到正常模式，對當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)進(jìn)行記錄，并結(jié)束上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)記錄，同時(shí)將全失壓狀態(tài)標(biāo)志更新為未發(fā)生全失壓狀態(tài)標(biāo)志，并同時(shí)將閾值下限寫入閾值寄存器，然后再將計(jì)量芯片切換到休眠模式；

如果負(fù)荷電流已經(jīng)超過閾值，則說明當(dāng)前正在發(fā)生全失壓，同時(shí)讀取上一次發(fā)生的全失壓；然后判斷當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)是否相同？

如果當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)相同，則直接將計(jì)量芯片切換到休眠模式；

如果當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)不相同，則將計(jì)量芯片切換到正常模式，對當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)進(jìn)行記錄，并結(jié)束上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)記錄，同時(shí)將全失壓狀態(tài)標(biāo)志更新為已發(fā)生全失壓狀態(tài)標(biāo)志，并同時(shí)將閾值上限寫入閾值寄存器，然后再將計(jì)量芯片切換到休眠模式；

當(dāng)計(jì)量芯片切換到休眠模式狀態(tài)后，再根據(jù)設(shè)定的時(shí)間間隔返回到開始狀態(tài)，如此往復(fù)重新開始進(jìn)行下一次是否開啟計(jì)量芯片的電流檢測模式進(jìn)行下一次的全失壓記錄。

作為優(yōu)選，為了全失壓不被漏檢，則需要預(yù)先設(shè)定電流門限的兩個(gè)閾值，即閾值上限和閾值下限；判斷全失壓開始時(shí)則采用閾值下限，判斷全失壓結(jié)束時(shí)則采用閾值上限。

作為優(yōu)選，所述計(jì)量芯片包括模式管腳PM1和模式管腳PM0，并由主芯片控制正常模式、部分檢測模式、電流檢測模式和休眠模式之間的切換。

作為優(yōu)選，還包括低功耗的比較電路，并通過比較電路對電流檢測模式下的閾值進(jìn)行校驗(yàn)，電流檢測由比較電路實(shí)現(xiàn)，當(dāng)外部電流小于設(shè)定的閾值時(shí)，比較電路輸出低電平；當(dāng)外部電流大于設(shè)定閾值時(shí)，則輸出高電平。

作為優(yōu)選，電流閾值比較器共有六個(gè)，這六個(gè)電流閾值比較器分別用于三相電的正向電流和負(fù)向電流的檢測，并這六個(gè)電流閾值比較器分別用各自對應(yīng)的電流檢測控制位來控制各自電流閾值比較器的開啟和關(guān)閉；每個(gè)電流閾值比較器的電流檢測閾值由各自的閾值寄存器來設(shè)置；還包括低功耗的比較電路，電流閾值比較器包括一個(gè)在正常模式下的檢驗(yàn)校準(zhǔn)使能控制位來進(jìn)行電流檢測使能，并且當(dāng)比較電路的輸出作為檢測輸出時(shí)，如果輸出是低電平則檢測關(guān)閉，如果輸出是高電平則檢測使能；這六個(gè)電流閾值比較器分別對應(yīng)電流通道的三個(gè)負(fù)向電流檢測控制位和三個(gè)正向電流檢測控制位，并且每個(gè)正向電流檢測控制位為高電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測關(guān)閉，每個(gè)正向電流檢測控制位為低電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測使能，并且每個(gè)負(fù)向電流檢測控制位為高電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測關(guān)閉，每個(gè)負(fù)向電流檢測控制位為低電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測使能。

作為優(yōu)選，電流閾值比較器的電流檢測閾值由該電流閾值比較器的閾值寄存器來設(shè)置，設(shè)電流閾值比較器的電流檢測閾值范圍為H1-H2，預(yù)先設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)源輸出需要檢測的電信號，并電流閾值比較器的電流檢測閾值范圍的閾值下限為H1，設(shè)電流閾值比較器的電流檢測閾值范圍的閾值上限為H2，設(shè)落在閾值下限H1和閾值上限H2之間的一個(gè)值為變量H；并將閾值下限H1、閾值上限H2和變量H一并存儲到閾值寄存器中；

當(dāng)比較電路輸出高電平時(shí)，判斷(H2-H)÷(H-H1)是否大于1，如果(H2-H)÷(H-H1)大于1，則檢測電流閾值就等于H，然后結(jié)束校準(zhǔn)檢測；如果(H2-H)÷(H-H1)不大于1，則讓H1＝H，并算出新的H＝(H2+H1)÷2，然后將這個(gè)新的變量H值賦給閾值寄存器；

當(dāng)比較電路輸出低電平時(shí)，判斷(H-H1)÷(H2-H)是否大于1，如果(H-H1)÷(H2-H)大于1，則檢測電流閾值就等于H1，然后結(jié)束校準(zhǔn)檢測；如果(H-H1)÷(H2-H)不大于1，則讓H2＝H，并算出新的H＝(H2+H1)÷2，然后將這個(gè)新的變量H值賦給閾值寄存器；

然后由閾值寄存器中新的變量H值來控制比較電路輸出的高低電平信號。

作為優(yōu)選，正常模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為13mA；部分檢測模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為7mA；電流檢測模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流單向?yàn)?00uA、雙向?yàn)?00uA；休眠模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為1uA。

本發(fā)明能夠達(dá)到如下效果：

本發(fā)明電表工作在電池模式時(shí)，能讓電表按照設(shè)定的電流檢測頻率進(jìn)行低功耗的全失壓記錄電流檢測，電能消耗低，電池使用壽命長，可靠性高，實(shí)現(xiàn)了電表在電池模式全失壓異常時(shí)的低功耗檢測，為電表在電池模式下實(shí)現(xiàn)全失壓連續(xù)長時(shí)間檢測提供了可能。電池功耗的降低意味著電池使用時(shí)間的延長，也節(jié)省了因更換電池造成的成本，具有較高的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種是否開啟計(jì)量芯片的正常工作模式進(jìn)行全失壓記錄流程示意圖。

圖2為本發(fā)明的一種電流檢測閾值的校準(zhǔn)流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

實(shí)施例，掉電電表低功耗全失壓檢測用電控制方法，包括計(jì)量芯片和與計(jì)量芯片連接的主芯片，所述計(jì)量芯片包括正常模式、部分檢測模式、電流檢測模式和休眠模式。所述計(jì)量芯片還包括模式管腳PM1和模式管腳PM0，當(dāng)主芯片同時(shí)向計(jì)量芯片的模式管腳PM1和模式管腳PM0都輸入高電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為正常模式當(dāng)主芯片向計(jì)量芯片的模式管腳PM1輸入高電平信號的同時(shí)又向模式管腳PM0輸出低電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為部分檢測模式當(dāng)主芯片向計(jì)量芯片的模式管腳PM1輸入低電平信號的同時(shí)又向模式管腳PM0輸出高電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為電流檢測模式當(dāng)主芯片同時(shí)向計(jì)量芯片的模式管腳PM1和模式管腳PM0都輸入低電平信號時(shí)則計(jì)量芯片的電源模式為休眠模式。

控制方法包括如下步驟：

當(dāng)電表工作在電池模式下時(shí)，主芯片根據(jù)預(yù)先設(shè)置的對負(fù)荷電流檢測的時(shí)間間隔來控制計(jì)量芯片的電流檢測頻率。在電池模式下全失壓低功耗檢測包括全失壓檢測和計(jì)量檢測，并且只有在全失壓檢測后根據(jù)全失壓檢測結(jié)果來判定是否要進(jìn)行計(jì)量檢測，如果有全失壓發(fā)生才進(jìn)行計(jì)量檢測，如果沒有全失壓發(fā)生就不進(jìn)行計(jì)量檢測。通過電流閾值比較器檢測負(fù)荷電流是否達(dá)到電流門限的閾值來判定電表是否發(fā)生全失壓。如果發(fā)生了全失壓，則由電流閾值比較器觸發(fā)一個(gè)中斷信號給主芯片，主芯片收到中斷信號后，主芯片給計(jì)量芯片信號，隨即開啟計(jì)量芯片從休眠模式切換到電流檢測模式進(jìn)行全失壓記錄，否則不開啟計(jì)量芯片的電流檢測模式。

在計(jì)量芯片不檢測時(shí)，通過主芯片控制，使計(jì)量芯片工作在功耗最低的休眠模式下，然后按照設(shè)定的時(shí)間間隔喚醒計(jì)量芯片從休眠模式下切換到電流檢測模式下。在電流檢測模式下計(jì)量芯片將三相負(fù)荷電流與預(yù)先校好的電流閾值比較，若有在閾值以上的分相負(fù)荷電流，則會觸發(fā)計(jì)量芯片的中斷輸出端而輸出低電平，從而決定是否開啟計(jì)量芯片的電流檢測模式進(jìn)行全失壓記錄。

參見圖1所示，計(jì)量芯片從休眠模式切換到電流檢測模式進(jìn)行全失壓記錄的過程如下：開始，每隔設(shè)定時(shí)間喚醒計(jì)量芯片到電流檢測模式，然后判斷負(fù)荷電流是否超過閾值。

如果負(fù)荷電流沒有超過閾值，則說明當(dāng)前沒有發(fā)生全失壓，同時(shí)讀取上一次發(fā)生的全失壓。然后判斷當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)是否相同？

如果當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)相同，則直接將計(jì)量芯片切換到休眠模式。

如果當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)不相同，則將計(jì)量芯片切換到正常模式，對當(dāng)前沒有發(fā)生的全失壓的狀態(tài)進(jìn)行記錄，并結(jié)束上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)記錄，同時(shí)將全失壓狀態(tài)標(biāo)志更新為未發(fā)生全失壓狀態(tài)標(biāo)志，并同時(shí)將閾值下限寫入閾值寄存器，然后再將計(jì)量芯片切換到休眠模式。

如果負(fù)荷電流已經(jīng)超過閾值，則說明當(dāng)前正在發(fā)生全失壓，同時(shí)讀取上一次發(fā)生的全失壓。然后判斷當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)是否相同？

如果當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)相同，則直接將計(jì)量芯片切換到休眠模式。

如果當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)和上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)不相同，則將計(jì)量芯片切換到正常模式，對當(dāng)前正在發(fā)生的全失壓的狀態(tài)進(jìn)行記錄，并結(jié)束上一次發(fā)生的全失壓的狀態(tài)記錄，同時(shí)將全失壓狀態(tài)標(biāo)志更新為已發(fā)生全失壓狀態(tài)標(biāo)志，并同時(shí)將閾值上限寫入閾值寄存器，然后再將計(jì)量芯片切換到休眠模式。

當(dāng)計(jì)量芯片切換到休眠模式狀態(tài)后，再根據(jù)設(shè)定的時(shí)間間隔返回到開始狀態(tài)，如此往復(fù)重新開始進(jìn)行下一次是否開啟計(jì)量芯片的電流檢測模式進(jìn)行下一次的全失壓記錄。

為了全失壓不被漏檢，則需要預(yù)先設(shè)定電流門限的兩個(gè)閾值，即閾值上限和閾值下限。判斷全失壓開始時(shí)則采用閾值下限，判斷全失壓結(jié)束時(shí)則采用閾值上限。

所述計(jì)量芯片包括模式管腳PM1和模式管腳PM0，并由主芯片控制正常模式、部分檢測模式、電流檢測模式和休眠模式之間的切換。正常模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為13mA。部分檢測模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為7mA。電流檢測模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流單向?yàn)?00uA、雙向?yàn)?00uA。休眠模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為1uA。

還包括低功耗的比較電路，并通過比較電路對電流檢測模式下的閾值進(jìn)行校驗(yàn)，電流檢測由比較電路實(shí)現(xiàn)，當(dāng)外部電流小于設(shè)定的閾值時(shí)，比較電路輸出低電平。當(dāng)外部電流大于設(shè)定閾值時(shí)，則輸出高電平。

電流閾值比較器共有六個(gè)，這六個(gè)電流閾值比較器分別用于三相電的正向電流和負(fù)向電流的檢測，并這六個(gè)電流閾值比較器分別用各自對應(yīng)的電流檢測控制位來控制各自電流閾值比較器的開啟和關(guān)閉。每個(gè)電流閾值比較器的電流檢測閾值由各自的閾值寄存器來設(shè)置。還包括低功耗的比較電路，電流閾值比較器包括一個(gè)在正常模式下的檢驗(yàn)校準(zhǔn)使能控制位來進(jìn)行電流檢測使能，并且當(dāng)比較電路的輸出作為檢測輸出時(shí)，如果輸出是低電平則檢測關(guān)閉，如果輸出是高電平則檢測使能。這六個(gè)電流閾值比較器分別對應(yīng)電流通道的三個(gè)負(fù)向電流檢測控制位和三個(gè)正向電流檢測控制位，并且每個(gè)正向電流檢測控制位為高電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測關(guān)閉，每個(gè)正向電流檢測控制位為低電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測使能，并且每個(gè)負(fù)向電流檢測控制位為高電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測關(guān)閉，每個(gè)負(fù)向電流檢測控制位為低電平時(shí)則對應(yīng)的電流閾值比較器檢測使能。

參見圖2所示，電流閾值比較器的電流檢測閾值由該電流閾值比較器的閾值寄存器來設(shè)置，設(shè)電流閾值比較器的電流檢測閾值范圍為H1-H2，預(yù)先設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)源輸出需要檢測的電信號，并設(shè)電流閾值比較器的電流檢測閾值范圍的閾值下限為H1，設(shè)電流閾值比較器的電流檢測閾值范圍的閾值上限為H2，設(shè)落在閾值下限H1和閾值上限H2之間的一個(gè)值為變量H。并將閾值下限H1、閾值上限H2和變量H一并存儲到閾值寄存器中。

當(dāng)比較電路輸出高電平時(shí)，判斷(H2-H)÷(H-H1)是否大于1，如果(H2-H)÷(H-H1)大于1，則檢測電流閾值就等于H，然后結(jié)束校準(zhǔn)檢測如果(H2-H)÷(H-H1)不大于1，則讓H1＝H，并算出新的H＝(H2+H1)÷2，然后將這個(gè)新的變量H值賦給閾值寄存器

當(dāng)比較電路輸出低電平時(shí)，判斷(H-H1)÷(H2-H)是否大于1，如果(H-H1)÷(H2-H)大于1，則檢測電流閾值就等于H1，然后結(jié)束校準(zhǔn)檢測如果(H-H1)÷(H2-H)不大于1，則讓H2＝H，并算出新的H＝(H2+H1)÷2，然后將這個(gè)新的變量H值賦給閾值寄存器

然后由閾值寄存器中新的變量H值來控制比較電路輸出的高低電平信號。

正常模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為13mA部分檢測模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為7mA電流檢測模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流單向?yàn)?00uA、雙向?yàn)?00uA休眠模式時(shí)計(jì)量芯片工作需要的電流為1uA。

本實(shí)例中的H1＝2mVrms，H2＝4mVrms。

下面進(jìn)行全失壓檢測功能驗(yàn)證

為了保證發(fā)明的可靠性，需要通過實(shí)際測試來進(jìn)行驗(yàn)證。本實(shí)施例在驗(yàn)證時(shí)準(zhǔn)備了3只電表在各種情況下進(jìn)行驗(yàn)證。根據(jù)國網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)，全失壓發(fā)生結(jié)束條件為：

累計(jì)時(shí)間以1分鐘為最小時(shí)間單位。

發(fā)生條件為：最大相電壓＜臨界電壓閥值(60％Un)，并且負(fù)荷電流＞(5％Ib)，Δt＞(60s)。

結(jié)束條件為：最大相電壓≥臨界電壓閥值(60％Un)或者負(fù)荷電流≤(5％Ib)，Δt＞(60s)。

根據(jù)發(fā)生結(jié)束條件，測試結(jié)果如表1所示：

表1：全失壓測試數(shù)據(jù)

下面進(jìn)行功耗計(jì)算及對比

根據(jù)表1描述，下面我們分別對兩種全失壓檢測方法的功耗做大致計(jì)算和對比。

假設(shè)50s檢測一次，考慮可靠檢測，電流檢測模式的樣本建立時(shí)間從32ms放寬到50ms，并且未發(fā)生全失壓，計(jì)量芯片平均功耗電流如下。

常規(guī)檢測方法-：

(50(s)*1(uA)+0.05(s)*13000(uA))/50.05(s)＝13.986(uA)

降功耗檢測方法二：

(50(s)*1(uA)+0.05(s)*200(uA))/50.05(s)＝1.1988(uA)

可見，采用方法二功耗差不多只有原來的8.57％，功耗降低非常明顯。

本實(shí)施例電表工作在電池模式時(shí)，能讓電表按照設(shè)定的電流檢測頻率進(jìn)行低功耗的全失壓記錄電流檢測，電能消耗低，電池使用壽命長，可靠性高，實(shí)現(xiàn)了電表在電池模式全失壓異常時(shí)的低功耗檢測，為電表在電池模式下實(shí)現(xiàn)全失壓連續(xù)長時(shí)間檢測提供了可能。電池功耗的降低意味著電池使用時(shí)間的延長，也節(jié)省了因更換電池造成的成本，具有較高的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)價(jià)佰。

上面結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但實(shí)現(xiàn)時(shí)不受上述實(shí)施例限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變化或修改。