本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,特別涉及一種集成電路測(cè)試裝置及其測(cè)試方法。
背景技術(shù):
集成電路封裝中,四方扁平無(wú)引腳封裝、四方扁平封裝或球柵陣列式封裝等,均會(huì)利用大量的焊盤(pán)進(jìn)行外部電連接,而焊盤(pán)連接的可靠性直接影響了封裝體的可靠性,在形成封裝體之前,對(duì)焊盤(pán)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是本領(lǐng)域常用的技術(shù)手段。
現(xiàn)有技術(shù)中,常用測(cè)試電路板對(duì)所述焊盤(pán)進(jìn)行電測(cè)試。一般的,測(cè)試電路板上設(shè)有與焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的接觸焊盤(pán),測(cè)試電路板與封裝芯片對(duì)接,使得焊盤(pán)與測(cè)試電路板的接觸焊盤(pán)電接觸外連測(cè)試系統(tǒng),以此得到測(cè)試的結(jié)果,但是在測(cè)試中往往會(huì)有靜電產(chǎn)生,造成測(cè)試不準(zhǔn)確的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
基于解決上述封裝中的問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種集成電路測(cè)試裝置,包括:
載臺(tái),用于承載待測(cè)集成電路芯片,載臺(tái)下方連接升降器,所述升降器用于將載臺(tái)抬升或降落;載臺(tái)卡在定位桿上,并可以沿著定位桿上下滑動(dòng),定位桿的頂端固定有定位框,所述定位框?yàn)榄h(huán)形框,中空部分漏出測(cè)試電路板的中間測(cè)試部分,定位框支撐所述測(cè)試電路板,所述測(cè)試電路板的邊緣與定位框接觸,在緊貼所述測(cè)試電路板的上表面上設(shè)置一陶瓷板,所述陶瓷板與測(cè)試電路板的背面(非測(cè)試面)相接觸。
其中,所述陶瓷板還包括靜電引出焊盤(pán)和加熱元件,所述靜電引出焊盤(pán)通過(guò)線(xiàn)路接地;所述加熱元件通過(guò)線(xiàn)路連接到電源,所述加熱元件加熱陶瓷板。
其中,所述載臺(tái)為絕緣材料,可以為散熱性較好的陶瓷或復(fù)合塑料。
其中,在所述測(cè)試裝置的側(cè)面上還設(shè)有清洗裝置。
其中,該清洗裝置是包括噴嘴的氣體清洗裝置,用于清洗待測(cè)集成電路芯片的表面。
其中,所述測(cè)試電路板的測(cè)試面上具有與芯片對(duì)應(yīng)電接觸的接觸焊盤(pán)或電極,并且,在測(cè)試電路板中設(shè)有再分布層,該再分布層用于重新布局芯片的電連接。
本發(fā)明還提供了一種集成電路的測(cè)試方法,其特征在于,包括:
提供上述的集成電路測(cè)試裝置;
將所述待測(cè)集成電路芯片放置于載臺(tái)上并固定;
利用清潔裝置清潔所述待測(cè)集成電路芯片的表面;
抬升所述載臺(tái)及待測(cè)集成電路芯片至待測(cè)集成電路芯片與測(cè)試電路板電接觸;
利用加熱元件加熱陶瓷板,并同時(shí)進(jìn)行電測(cè)試;
測(cè)試完畢后,停止加熱,并降落所述載臺(tái)和待測(cè)集成電路芯片,至恢復(fù)常溫后,取下待測(cè)集成電路芯片。
本發(fā)明的技術(shù)方案,利用接地除靜電或熱干擾除靜電的方式避免了測(cè)試帶來(lái)的靜電;利用測(cè)試電路板的再分布層進(jìn)行芯片的重布線(xiàn),方便測(cè)試;利用清潔裝置進(jìn)行清洗芯片,增加了測(cè)試的可靠性。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的測(cè)試裝置的示意圖;
圖2為測(cè)試裝置在測(cè)試過(guò)程中的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種集成電路測(cè)試裝置,包括:
參見(jiàn)圖1,載臺(tái)1用于承載待測(cè)集成電路芯片3,載臺(tái)1下方連接升降器2,所述升降器2用于將載臺(tái)1抬升或降落;載臺(tái)1卡在定位桿4上,并可以沿著定位桿4上下滑動(dòng),定位桿4的頂端固定有定位框5,所述定位框5為環(huán)形框,中空部分漏出測(cè)試電路板6的中間測(cè)試部分,定位框5支撐所述測(cè)試電路板6,所述測(cè)試電路板的邊緣與定位框5接觸,在緊貼所述測(cè)試電路板6的上表面上設(shè)置一陶瓷板7,所述陶瓷板7與測(cè)試電路板的背面(非測(cè)試面)相接觸。
所述陶瓷板7包括靜電引出焊盤(pán)8和加熱元件10,所述靜電引出焊盤(pán)8通過(guò)線(xiàn)路9接地,以此將測(cè)試電路板6的靜電除去;所述加熱元件10通過(guò)線(xiàn)路8連接到電源,所述加熱元件加熱陶瓷板7,采用熱擾亂的形式進(jìn)一步去除測(cè)試中的靜電。
所述載臺(tái)1為絕緣材料,可以為散熱性較好的陶瓷或復(fù)合塑料;在所述測(cè)試裝的側(cè)面上還設(shè)有清洗裝置,該清洗裝置可以是例如包括噴嘴的氣體清洗裝置,用于清洗待測(cè)集成電路芯片3的表面。
所述測(cè)試電路板6的測(cè)試面上具有與芯片對(duì)應(yīng)電接觸的接觸焊盤(pán)或電極,并且,在測(cè)試電路板6中設(shè)有再分布層,該再分布層用于重新布局芯片3的電連接。
所述靜電引出焊盤(pán)8與測(cè)試電路板6接觸,其在陶瓷板7的下表面露出;所述加熱元件10可以是例如電阻絲的加熱器件。
參見(jiàn)圖2,本發(fā)明還提供了一種集成電路的測(cè)試方法,其特征在于,包括:
提供上述的集成電路測(cè)試裝置;
將所述待測(cè)集成電路芯片3放置于載臺(tái)1上并固定;
利用清潔裝置清潔所述待測(cè)集成電路芯片3的表面;
抬升所述載臺(tái)1及待測(cè)集成電路芯片3至待測(cè)集成電路芯片3與測(cè)試電路板電接觸;
利用加熱元件10加熱陶瓷板7,并同時(shí)進(jìn)行電測(cè)試;
測(cè)試完畢后,停止加熱,并降落所述載臺(tái)1和待測(cè)集成電路芯片3,至恢復(fù)常溫后,取下待測(cè)集成電路芯片3。
最后應(yīng)說(shuō)明的是:顯然,上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本發(fā)明所作的舉例,而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。