本公開涉及液晶玻璃生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種溢流磚耐用性的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

高端液晶玻璃基板最適合成型方法是溢流下拉法，即輸送到溢流磚槽內(nèi)的熔融玻璃從槽口向外溢流于下方的溢流磚尖結(jié)合成超薄平板玻璃。溢流下拉法生產(chǎn)的玻璃表面只與空氣接觸，具有良好的光滑面，不需要拋光處理。溢流磚長(zhǎng)度為1500-3100毫米，兩端放在支撐座上，中間用于熔融玻璃溢流成型，其工作溫度1200-1350℃，在自身重量以及高溫玻璃液的長(zhǎng)期侵蝕下，溢流磚會(huì)發(fā)生彎曲侵蝕蠕變，具體表現(xiàn)為溢流磚中間部分的高度降低至支撐端高度以下，導(dǎo)致無法成型出厚度均勻的玻璃基板。

溢流磚高溫侵蝕蠕變是一個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)，對(duì)于溢流磚的設(shè)計(jì)和玻璃基板的拉制工藝都有重要的實(shí)用價(jià)值。目前國內(nèi)沒有測(cè)量溢流磚高溫蠕變的標(biāo)準(zhǔn)方法，也沒有相關(guān)檢測(cè)方法的報(bào)道，因此迫切需要一種可靠方法來測(cè)量溢流磚高溫侵蝕蠕變進(jìn)而檢測(cè)溢流磚的耐用性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目的是提供一種溢流磚耐用性的檢測(cè)方法，本公開的檢測(cè)方法能夠檢測(cè)溢流磚高溫蠕變率來檢測(cè)溢流磚的耐用性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本公開提供一種溢流磚耐用性的檢測(cè)方法，該檢測(cè)方法包括：將長(zhǎng)方體形的待測(cè)溢流磚放置于耐高溫容器中，使所述待測(cè)溢流磚的高度方向與水平面垂直，并將所述待測(cè)溢流磚沿長(zhǎng)度方向的兩端分別放置在兩個(gè)支撐座上，使所述待測(cè)溢流磚的下表面與所述耐高溫容器的底部形成有蠕變空間；將所述待測(cè)溢流磚在玻璃液中進(jìn)行高溫侵蝕處理，使溢流磚沿高度方向向下發(fā)生蠕變，得到蠕變溢流磚；采用公式I計(jì)算所述待測(cè)溢流磚的高溫蠕變率σ，公式I為：其中，h'為待測(cè)溢流磚的最大彎曲高度，為進(jìn)行所述高溫侵蝕處理前所述待測(cè)溢流磚的最低處與進(jìn)行所述高溫侵蝕處理后所得蠕變溢流磚的最低處的高度差，L'為所述兩個(gè)支撐座的水平距離；其中，所述高溫蠕變率σ越低，則指示待測(cè)溢流磚的耐用性越好。

優(yōu)選地，所述長(zhǎng)方體形的待測(cè)溢流磚的長(zhǎng)度為210-230毫米，寬度為15-25毫米，高度為8-12毫米。

優(yōu)選地，所述兩個(gè)支撐座的水平距離L'為195-205毫米，高度為10-30毫米。

優(yōu)選地，所述高溫侵蝕處理的條件包括：溫度為1200-1350℃，時(shí)間為1-120小時(shí)。

優(yōu)選地，所述玻璃液的上表面高于所述待測(cè)溢流磚的上表面10-20毫米。

優(yōu)選地，所述耐高溫容器為瓷舟。

優(yōu)選地，所述瓷舟的氧化鋁含量大于95質(zhì)量％。

優(yōu)選地，采用精度為0.02毫米的千分尺測(cè)量所述h'和所述L'。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本公開具有如下效果：

1、采用高溫環(huán)境、借助耐高溫容器內(nèi)部支撐座與玻璃液模擬溢流磚工作環(huán)境，通過檢測(cè)待測(cè)溢流磚最大彎曲高度計(jì)算出高溫蠕變率，所采用的設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、實(shí)用方便、具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，解決了平板玻璃溢流下拉工藝中溢流磚高溫侵蝕蠕變無法測(cè)量的問題，從而檢測(cè)了溢流磚的耐用性，該方法具有高的測(cè)量精度和可靠性，對(duì)溢流磚設(shè)計(jì)具有很高的實(shí)用價(jià)值。

2、采用例如氧化鋁瓷舟等耐高溫容器進(jìn)行檢測(cè)，耐高溫容器不容易被高溫玻璃液腐蝕、穩(wěn)定性好，可有效避免檢測(cè)設(shè)備對(duì)檢測(cè)的影響，減少誤差，檢測(cè)精度高。

本公開的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本公開的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本公開，但并不構(gòu)成對(duì)本公開的限制。在附圖中：

圖1是本公開檢測(cè)方法所采用檢測(cè)設(shè)備一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖(側(cè)視圖)；

圖2是是本公開檢測(cè)方法所采用檢測(cè)設(shè)備一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖(俯視圖)。

附圖標(biāo)記說明

1瓷舟 2待測(cè)溢流磚 1-1支撐座

1-2支撐座

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本公開的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本公開，并不用于限制本公開。

本公開提供一種溢流磚耐用性的檢測(cè)方法，該檢測(cè)方法包括：將長(zhǎng)方體形的待測(cè)溢流磚放置于耐高溫容器中，使所述待測(cè)溢流磚的高度方向與水平面垂直，并將所述待測(cè)溢流磚沿長(zhǎng)度方向的兩端分別放置在兩個(gè)支撐座上，使所述待測(cè)溢流磚的下表面與所述耐高溫容器的底部形成有蠕變空間；將所述待測(cè)溢流磚在玻璃液中進(jìn)行高溫侵蝕處理，使溢流磚沿高度方向向下發(fā)生蠕變，得到蠕變溢流磚；采用公式I計(jì)算所述待測(cè)溢流磚的高溫蠕變率σ，公式I為：其中，h'為待測(cè)溢流磚的最大彎曲高度，為進(jìn)行所述高溫侵蝕處理前所述待測(cè)溢流磚的最低處與進(jìn)行所述高溫侵蝕處理后所得蠕變溢流磚的最低處的高度差，L'為所述兩個(gè)支撐座的水平距離；其中，所述高溫蠕變率σ越低，則指示待測(cè)溢流磚的耐用性越好。

本公開的溢流磚與現(xiàn)有液晶玻璃生產(chǎn)所使用的溢流磚的形狀并不相同，但是其化學(xué)組成相同，為了使檢測(cè)效果更好，而且檢測(cè)更加方便，根據(jù)本公開發(fā)明人的測(cè)試，所述長(zhǎng)方體形的待測(cè)溢流磚長(zhǎng)度可以為210-230毫米，寬度可以為15-25毫米，高度可以為8-12毫米，所述兩個(gè)支撐座的水平距離L'可以為195-205毫米，高度可以為10-30毫米。

根據(jù)本公開發(fā)明人的測(cè)試，為了取得良好的檢測(cè)效果，所述高溫侵蝕處理的條件可以包括：溫度為1000-1400℃，時(shí)間為2-60天。

為了使檢測(cè)更加接近溢流磚的真實(shí)使用情況，所述玻璃液的上表面可以高于所述待測(cè)溢流磚的上表面10-20毫米。

根據(jù)本公開，檢測(cè)可以在高溫爐膛中進(jìn)行，可以按照一定的升溫曲線進(jìn)行升溫，高溫侵蝕處理結(jié)束后，可以將蠕變溢流磚降至室溫，然后檢測(cè)進(jìn)行所述高溫侵蝕處理前所述待測(cè)溢流磚的最低處與進(jìn)行所述高溫侵蝕處理后所得蠕變溢流磚的最低處的高度差，即待測(cè)溢流磚的最大彎曲高度h'。

根據(jù)本公開，耐高溫容器是指能夠經(jīng)受高溫處理而不變形的容器，例如，所述耐高溫容器可以為瓷舟，所述瓷舟的氧化鋁含量可以大于95質(zhì)量％。

為了使檢測(cè)數(shù)據(jù)更加精確，可以采用精度為0.02毫米的千分尺測(cè)量所述h'和所述L'。

下面將結(jié)合附圖通過具體實(shí)施方式進(jìn)一步說明本公開，但是本公開并不因此而受到任何限制。

如圖1和圖2所示，將待測(cè)溢流磚2水平著放入耐高溫容器1中，并使待測(cè)溢流磚2長(zhǎng)度方向的兩端分別架在支撐座1-1和支撐座1-2上，然后將玻璃或玻璃液放入耐高溫容器1中進(jìn)行高溫侵蝕處理，得到蠕變溢流磚。將蠕變溢流磚取出后，檢測(cè)最大彎曲高度h'，進(jìn)而計(jì)算高溫蠕變率σ。

下面將通過實(shí)施例來進(jìn)一步說明本公開，但是本公開并不因此而受到任何限制。

本公開實(shí)施例包括如下檢測(cè)步驟：

A、制備長(zhǎng)方體形的待測(cè)溢流磚，待測(cè)溢流磚的長(zhǎng)度L為220-221mm，寬度w為20-20.5mm，厚度h為10-10.5mm；

B、將待測(cè)溢流磚放入瓷舟(瓷舟材質(zhì)為95％以上氧化鋁)內(nèi)的兩個(gè)支撐座(支撐座間距離L'為200-200.5mm，高度為20-20.5mm)上，在瓷舟內(nèi)加入TFT-LCD侵蝕玻璃，玻璃液面高于待測(cè)溢流磚15mm；

C、將瓷舟放入高溫爐膛中，按照3℃/min升溫速率升溫至1300℃，并保持48小時(shí)，自然降至室溫；

D、取出瓷舟，沿待測(cè)溢流磚長(zhǎng)度方向把溢流磚縱向切開，用千分尺測(cè)量待測(cè)溢流磚最大彎曲高度h'；

E、計(jì)算待測(cè)溢流磚高溫蠕變率σ：

實(shí)施例1

制作三塊待測(cè)溢流磚A進(jìn)行檢測(cè)三次，檢測(cè)結(jié)果取平均值，溢流磚A的組成為：ZrO₂67.9％，SiO₂ 31.2％，TiO₂ 0.5％，雜質(zhì)0.4％；具體檢測(cè)條件和檢測(cè)結(jié)果見表1。

實(shí)施例2

制作三塊待測(cè)溢流磚B進(jìn)行檢測(cè)三次，檢測(cè)結(jié)果取平均值，溢流磚B的組成為：ZrO₂66.6％，SiO₂ 32.8％，TiO₂ 0.2％，雜質(zhì)0.4％；具體檢測(cè)條件和檢測(cè)結(jié)果見表1。

實(shí)施例3

制作三塊待測(cè)溢流磚C進(jìn)行檢測(cè)三次，檢測(cè)結(jié)果取平均值，溢流磚C的組成為：ZrO₂64.4％，SiO₂ 34.6％，TiO₂ 0.6％，雜質(zhì)0.4％；具體檢測(cè)條件和檢測(cè)結(jié)果見表1。

對(duì)比例1-3

按照實(shí)施例1-3的待測(cè)溢流磚A、B、C的組成，制備現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)用的溢流磚a、b、c，用于TFT-LCD玻璃的生產(chǎn)，檢測(cè)耐用時(shí)間(當(dāng)所生產(chǎn)的玻璃基板厚度偏差0.02毫米，則說明溢流磚a、b、c無法使用)，具體數(shù)據(jù)見表1。

從表1的數(shù)據(jù)可以看出，采用本公開方法檢測(cè)的溢流磚的高溫蠕變率與現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)用溢流磚的耐用時(shí)間呈負(fù)相關(guān)，本公開的檢測(cè)方法能夠檢測(cè)溢流磚高溫蠕變率來檢測(cè)溢流磚的耐用性。

表1