1.一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，該方法包括以下幾個步驟：
(1)將待解析樣本經(jīng)電噴霧電離、質(zhì)譜分析后得到含前體離子實驗同位素輪廓信息的一級質(zhì)譜；
(2)將一級質(zhì)譜中的各前體離子實驗同位素輪廓信息與前體離子理論數(shù)據(jù)庫進行比對，得到多個候選多糖拓撲結(jié)構(gòu)；根據(jù)這些候選多糖拓撲結(jié)構(gòu)中單糖的種類，組成及連接方式，計算得到每個候選多糖的每個候選碎片離子的理論同位素輪廓；
(3)將前體離子送入離子阱中進行氣相解離得到碎片離子，將碎片離子送入質(zhì)譜分析器和檢測器，得到包含碎片離子實驗同位素輪廓信息的二級質(zhì)譜；
(4)二級質(zhì)譜中各碎片離子的實驗同位素輪廓依次與每個候選多糖的所有理論碎片離子進行匹配；碎片離子匹配度最高的候選多糖拓撲結(jié)構(gòu)即為最終的多糖拓撲結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述待解析樣本中多糖的濃度為0.5～2μM，溶劑包括NH4HCO3、甲醇和水，其中NH4HCO3的濃度為8～12mM，甲醇和水的質(zhì)量相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，步驟(1)所述的電噴霧電離處理的電壓為2～3kV，溫度為280～350℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述前體離子理論數(shù)據(jù)庫通過以下步驟生成：
(a)根據(jù)單糖的種類和數(shù)量計算每一個N-多糖的分子式；
(b)參照標準元素列表，根據(jù)分子式中元素的種類和數(shù)量計算相應的同位素輪廓，即得前體離子理論數(shù)據(jù)庫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，碎片離子理論數(shù)據(jù)庫通過以下步驟生成：
(Ⅰ)根據(jù)每一個N-多糖中單糖的種類、排列、標注和斷裂規(guī)律，計算每一個碎片離子的分子式；
(Ⅱ)參照標準元素列表，根據(jù)分子式中元素的種類和數(shù)量計算相應的同位素輪廓，即得碎片離子理論數(shù)據(jù)庫。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述標準元素列表中含有每一個同位素的精確原子量及豐度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述前體離子的實驗同位素輪廓與相應的理論同位素輪廓指紋比對的參數(shù)包括同位素峰強度閾值、同位素峰質(zhì)荷比偏差和同位素峰強度偏差。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述的氣相解離為高能碰撞誘導解離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述的高能碰撞誘導解離的歸一化碰撞能量為10～20％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于質(zhì)譜分析的多糖拓撲結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述碎片離子實驗同位素輪廓與相應的理論同位素輪廓的指紋比對的參數(shù)包括同位素峰強度閾值、同位素峰質(zhì)荷比偏差和同位素峰強度偏差。