本文中所揭露的主題涉及用于集成電路(integratedcircuit；ic)的方法及測試結(jié)構(gòu)。尤其，本發(fā)明的態(tài)樣涉及可測量ic芯片及其組件(例如金屬層級層以及其中的層間介電質(zhì))的可靠性的測試及監(jiān)控結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

特定裝置的各ic可由位于半導(dǎo)體襯底材料的一個或多個芯片上的數(shù)十億互連裝置例如晶體管、電阻器、電容器以及二極管組成。包括ic的產(chǎn)品的質(zhì)量及可行性可至少部分依賴于用以制造該ic以及其中各種組件的結(jié)構(gòu)的技術(shù)。ic的制造可包括兩個階段：前端工藝(front-end-of-line；feol)制造方法以及后端工藝(back-end-of-line；beol)制造方法。feol通常包括執(zhí)行于晶圓上直到并包括形成第一“金屬層級”(也就是將數(shù)個半導(dǎo)體裝置連接在一起的金屬導(dǎo)線)的制造制造方法。beol通常包括形成該第一金屬層級之后的制造制造方法，包括所有后續(xù)金屬層級的形成。為了使所制造的裝置具有較大的可擴(kuò)展性及精密度，可改變金屬層級的數(shù)目以適合特定的應(yīng)用，例如提供四至六個金屬層級，或者在另外的例子中提供多達(dá)16個或更多的金屬層級。

兩個或更多金屬層級可通過使用垂直金屬導(dǎo)線(也被稱為“過孔”)電性互連。除其它中間金屬層級以外，各過孔可穿過一個或多個層間介電材料區(qū)域。過孔可帶來重大的制造挑戰(zhàn)，因為單個斷裂接觸或電性短路可影響整個產(chǎn)品的操作。因此，在包括例如層間介電質(zhì)特別薄的情況下以及在大量過孔的情況下，準(zhǔn)確預(yù)測或以信號顯示芯片級失效率可能尤為重要。傳統(tǒng)的測試結(jié)構(gòu)可包括長而交織的金屬導(dǎo)線導(dǎo)電鏈。這些類型的測試結(jié)構(gòu)可能為高電阻并引起失效率高估，因為測試電流與“漏”電流具有相似的量級。替代測試結(jié)構(gòu)可能對電流變化更為敏感，但可能因其底層結(jié)構(gòu)的不同而不測試最壞情形。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一態(tài)樣提供一種集成電路(integratedcircuit；ic)測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)包括：監(jiān)控鏈，其第一端通過分別位于第一金屬層級及第二金屬層級的其中一個內(nèi)的多條金屬導(dǎo)線與第二端電性連接，其中，該第一金屬層級與該第二金屬層級垂直隔開；第一測試導(dǎo)線，位于該第一金屬層級內(nèi)并沿第一方向延伸，其中，該第一測試導(dǎo)線與該監(jiān)控鏈電性絕緣；以及第二測試導(dǎo)線，位于該第二金屬層級內(nèi)并沿第二方向延伸，其中，該第二測試導(dǎo)線與該監(jiān)控鏈及該第一測試導(dǎo)線電性絕緣，以及其中，該第一方向不同于該第二方向。

本發(fā)明的第二態(tài)樣提供一種集成電路(ic)測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)包括：監(jiān)控鏈，其第一端通過分別位于第一金屬層級及第二金屬層級的其中一個內(nèi)的多條金屬導(dǎo)線與第二端電性連接，其中，該第一金屬層級與該第二金屬層級垂直隔開；第一測試導(dǎo)線，位于該第一金屬層級內(nèi)并沿第一方向延伸，其中，該第一測試導(dǎo)線與該監(jiān)控鏈電性絕緣；以及第二測試導(dǎo)線，位于該第二金屬層級內(nèi)并沿第二方向延伸，其中，該第一方向不同于該第二方向；互連過孔，與該第一測試導(dǎo)線及該第二測試導(dǎo)線的其中一條電性耦接，并自該第一金屬層級延伸至該第二金屬層級。

本發(fā)明的第三態(tài)樣提供一種集成電路(ic)測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)包括：監(jiān)控鏈，其第一端通過分別位于第一金屬層級及第二金屬層級的其中一個內(nèi)的多條金屬導(dǎo)線與第二端電性連接，其中，該第一金屬層級與該第二金屬層級垂直隔開；多條第一測試導(dǎo)線，分別位于該第一金屬層級內(nèi)并沿第一方向延伸，其中，各該多條第一測試導(dǎo)線與該監(jiān)控鏈電性絕緣并橫向位于該多條金屬導(dǎo)線的其中兩條之間；以及多條第二測試導(dǎo)線，分別位于該第二金屬層級內(nèi)并沿第二方向延伸，其中，各該多條第二測試導(dǎo)線與該監(jiān)控鏈電性絕緣并橫向位于該多條金屬導(dǎo)線的其中兩條之間，以及其中，該第一方向不同于該第二方向。

附圖說明

從下面參照附圖所作的本發(fā)明的各種態(tài)樣的詳細(xì)說明將更容易理解本發(fā)明的這些及其它特征，該些附圖顯示本發(fā)明的各種實施例，其中：

圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的ic測試結(jié)構(gòu)在平面x-y中的平面視圖。

圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的該ic測試結(jié)構(gòu)在平面x-z中的部分剖視圖。

圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的該ic測試結(jié)構(gòu)在平面x-z中的另一個部分剖視圖。

圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的另一個ic測試結(jié)構(gòu)在平面x-y中的平面視圖。

圖5顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的又一個ic測試結(jié)構(gòu)在平面x-y中的平面視圖。

應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的附圖并非按比例繪制。該些附圖意圖僅顯示本發(fā)明的典型態(tài)樣，因此不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限制本發(fā)明的范圍。該些附圖中，類似的附圖標(biāo)記表示該些附圖之間類似的元件。

具體實施方式

本發(fā)明的各種態(tài)樣可提供集成電路(ic)測試結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)提供對錯誤或缺陷的敏感性，以及測試各種各樣測試狀況(例如是否存在過孔至過孔和/或過孔至導(dǎo)線故障)的能力。在一個實施例中，依據(jù)本發(fā)明的ic測試結(jié)構(gòu)可包括監(jiān)控鏈(作為一個組件)，其第一端通過分別位于該ic的第一或第二金屬層級內(nèi)的金屬導(dǎo)線與第二端電性連接。本文中所使用的術(shù)語“監(jiān)控鏈”通常指由位于兩個或更多金屬層級層內(nèi)的金屬導(dǎo)線及過孔組成的電子電路，且其可被構(gòu)造為包括蛇形結(jié)構(gòu)。具有蛇形結(jié)構(gòu)的監(jiān)控鏈可包括例如橫向和/或垂直包覆其它電路元件的部分，從而提供與其它電路元件鄰近并電性隔離的電路。在材料失效的情況下，位于同一材料內(nèi)的監(jiān)控鏈可能斷開并因此在經(jīng)受測試電壓時產(chǎn)生零電流。ic的該第一及第二金屬層級可相互垂直隔開，且該監(jiān)控鏈本身可被設(shè)為蛇形監(jiān)控鏈，其中，例如，該第一金屬層級內(nèi)的金屬導(dǎo)線分別沿第一方向延伸，而該第二金屬層級內(nèi)的各金屬導(dǎo)線可分別沿不同的第二方向延伸。除該監(jiān)控鏈以外，該ic測試結(jié)構(gòu)還可包括位于該第一金屬層級內(nèi)但與該監(jiān)控鏈電性絕緣的一條或多條第一測試導(dǎo)線，以使該第一測試導(dǎo)線基本平行于該第二金屬層級內(nèi)的該監(jiān)控鏈的該金屬導(dǎo)線延伸。該ic結(jié)構(gòu)還可包括位于該第二金屬層級內(nèi)并沿該第二方向延伸但與該監(jiān)控鏈及該第一測試導(dǎo)線電性絕緣的一條或多條第二測試導(dǎo)線。

請參照圖1，其顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的ic測試結(jié)構(gòu)10的平面視圖。ic測試結(jié)構(gòu)10可位于ic芯片12內(nèi)，該ic芯片可在其中包括多個層，這些層中的至少兩層被分別設(shè)為第一及第二金屬層級。在圖1(加上圖4及5)中，位于第一金屬層級m1內(nèi)的元件不用交叉影線表示，而位于第二金屬層級mn內(nèi)的元件用交叉影線表示。金屬層級m1、mn的側(cè)剖視圖提供于圖2及3中，并在本文中其它地方討論，以進(jìn)一步說明。作為直接相鄰的金屬層級或者具有中間金屬及絕緣體層級(圖1省略)位于其間，第一與第二金屬層級m1、mn可相互垂直隔開(例如沿圖2及3中所示的“z”軸)。

ic測試結(jié)構(gòu)10可包括監(jiān)控鏈14，該監(jiān)控鏈在第一端16與第二端18之間延伸，以形成具有蛇形路徑的連續(xù)電路，包括ic芯片12的第一金屬層級m1及第二金屬層級mn內(nèi)的部分。第一端16可與第一測試墊20電性耦接，而第二端18可與第二測試墊22電性耦接。盡管第一端16與第一測試墊20顯示為位于第二金屬層級mn中而第二端18及第二測試墊22顯示為位于第一金屬層級m1中，但應(yīng)當(dāng)理解，監(jiān)控鏈14可開始并結(jié)束于相同的金屬層級，但在其部分延伸穿過不同的金屬層級。監(jiān)控鏈14可包括多條金屬導(dǎo)線24，各該金屬導(dǎo)線可由任意當(dāng)前已知或以后開發(fā)的電性導(dǎo)電材料組成，包括例如銅(cu)、鋁(al)、銀(ag)、金(au)、其組合等。在操作期間，測試電流和/或電壓可施加于監(jiān)控鏈14，以產(chǎn)生電性響應(yīng)。自監(jiān)控鏈14以及本文中所討論的ic測試結(jié)構(gòu)10的其它導(dǎo)電部分所產(chǎn)生的該電性響應(yīng)可包括與ic芯片12的狀態(tài)相關(guān)的任意類型信息，例如特定導(dǎo)線或電路何時斷開，電阻變化發(fā)生于何時或何處等。測試過程中的該響應(yīng)的任何變化可標(biāo)示ic芯片12的結(jié)構(gòu)問題，例如斷裂或翹曲。因此，關(guān)于電路的電性信息可用以確定ic芯片12是否已在制造期間和/或部署后受損。例如通過編譯有關(guān)ic芯片12上的各電路和/或?qū)Ь€的響應(yīng)數(shù)據(jù)，編譯自ic芯片12的各被測部分所獲得的響應(yīng)數(shù)據(jù)可執(zhí)行測試結(jié)果的處理，以指出電性行為變化何時發(fā)生，并接著指出電性中斷是否是因為例如特定區(qū)域中的電性短路或材料失效。

一組金屬導(dǎo)線24可形成并位于電性絕緣或半導(dǎo)體材料層(例如半導(dǎo)體材料或電性絕緣介電材料區(qū))內(nèi)，以使金屬導(dǎo)線24在與其接觸的其它電性導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間輸電。位于第一金屬層級m1內(nèi)的金屬導(dǎo)線24可沿第一方向(例如平行于y軸)延伸，而位于第二金屬層級mn內(nèi)的金屬導(dǎo)線24可沿不同于該第一方向的第二方向(例如平行于x軸)延伸。盡管該第一與第二方向在圖1中示例顯示為基本相互垂直，但應(yīng)當(dāng)理解，該第一與第二方向可相對彼此以任意非平行的角度取向。在不同金屬層級(例如第一及第二金屬層級m1、mn)內(nèi)的金屬導(dǎo)線24可通過分別垂直延伸于第一與第二金屬層級m1、mn之間的過孔26相互電性連接。過孔26可由與各金屬導(dǎo)線24相同的電性導(dǎo)電材料組成，或者可由一種或多種不同的導(dǎo)電材料組成。過孔26以不同的交叉影線顯示，以標(biāo)示各過孔26垂直延伸進(jìn)入ic芯片12中。在一個實施例中，各過孔26可包括任意標(biāo)準(zhǔn)的導(dǎo)電金屬(例如銅)，其上具有襯里材料(未圖示)，例如氮化鉭。

盡管監(jiān)控鏈14可有效測量例如整個ic芯片12上的短路及開路，但第一與第二端16、18之間的監(jiān)控鏈14的長度可影響監(jiān)控鏈14對電流變化的敏感性，從而導(dǎo)致缺陷是否已發(fā)生的過度悲觀測量。為補(bǔ)償監(jiān)控鏈14的這些屬性，ic測試結(jié)構(gòu)10可包括位于ic芯片12內(nèi)的至少一條第一測試導(dǎo)線28以及至少一條第二測試導(dǎo)線30。一條或多條第一測試導(dǎo)線28可位于第一金屬層級m1內(nèi)，沿該第一方向取向，也就是平行于金屬導(dǎo)線24。一條或多條第一測試導(dǎo)線28也可與監(jiān)控鏈14電性絕緣，以在測試期間使其中的電流及電壓的行為獨(dú)立于監(jiān)控鏈14。在包括多條第一測試導(dǎo)線28的情況下，第一脊導(dǎo)線32可將各第一測試導(dǎo)線28與第一測試導(dǎo)線墊34電性耦接，以測量例如一條或多條第一測試導(dǎo)線28與監(jiān)控鏈14之間的電流和/或電壓降。第一脊導(dǎo)線32可基本沿該第二方向(例如平行于x軸)或垂直于和/或不同于第一測試導(dǎo)線28的方向的另一方向延伸。在包括多條第二測試導(dǎo)線30的情況下，ic測試結(jié)構(gòu)10可包括與第二測試導(dǎo)線墊38電性耦接的第二脊導(dǎo)線36。第二脊導(dǎo)線36可沿該第一方向(例如平行于y軸)延伸，或者可除此以外，沿垂直于和/或不同于第二測試導(dǎo)線30的方向延伸。各第二測試導(dǎo)線30可與一條或多條第一測試導(dǎo)線28及監(jiān)控鏈14電性斷開，從而第二測試導(dǎo)線墊38可用以測量一條或多條第二測試導(dǎo)線30與監(jiān)控鏈14之間的電流和/或電壓行為。

在一個實施例中，一條或多條第一測試導(dǎo)線28、第一脊導(dǎo)線32和/或第一測試導(dǎo)線墊34可分別位于相同的金屬層級(例如第一金屬層級m1)中。第二測試導(dǎo)線30、第二脊導(dǎo)線36和/或第二測試導(dǎo)線墊38可分別位于不同的金屬層級(例如第二金屬層級mn)中。一條或多條第一與第二測試導(dǎo)線28、30可分別在相應(yīng)導(dǎo)線對24之間橫向延伸，而保持與金屬導(dǎo)線24電性斷開。以此配置，一條或多條第一及第二測試導(dǎo)線28、30可延伸穿過位于監(jiān)控鏈14內(nèi)的中間金屬層級，從而降低ic測試結(jié)構(gòu)10所需的空間量并提供額外的測試形式。第一及第二測試導(dǎo)線28、30可各自都不具有與其電性連接的過孔(例如過孔26)，從而第一及第二測試導(dǎo)線28、30可構(gòu)成單個金屬層級(例如第一或第二金屬層級m1、mn)內(nèi)的自包含測試元件。在操作期間，除通過監(jiān)控鏈14整體測量ic芯片12的屬性以外，通過在第一及第二測試墊20、22和/或第一及第二測試導(dǎo)線墊34、38上施加測試電壓來測量ic芯片12的特定部分，可測試ic芯片12中的故障有無。

請參照圖2，其顯示ic測試結(jié)構(gòu)10的部分側(cè)剖視圖。第一及第二金屬層級m1、mn可通過一個或多個中間金屬層級40(分別標(biāo)記為例如m2、m3、m4、m5、mn-1)相互隔開。如符號mn及m1所暗示的那樣，金屬層的數(shù)目可依據(jù)所選擇的實施以及后端工藝(beol)制造方法的任意要求而變化。ic測試結(jié)構(gòu)10也可包括位于各中間金屬層級40之間的層間介電質(zhì)42。各層間介電質(zhì)42可包括一種或多種電性絕緣物質(zhì)，包括但不限于：氮化硅(si3n4)，氧化硅(sio2)，氟化sio2(fsg)，氫化氧碳化硅(sicoh)，多孔sicoh，硼-磷-硅酸鹽玻璃(bpsg)，倍半硅氧烷，包括硅(si)、碳(c)、氧(o)和/或氫(h)原子的碳(c)摻雜氧化物(也就是有機(jī)硅酸鹽)，熱固性聚芳醚，silk(可從陶氏化學(xué)公司獲得的一種聚芳醚)，包含可從jsr公司獲得的聚合物材料的旋涂硅碳，其它低介電常數(shù)(<3.9)材料，或其層。在一些實施例中，還應(yīng)當(dāng)理解，不同的層間介電質(zhì)42可由具有相應(yīng)不同介電常數(shù)的不同材料組成。在一個實施例中，一個或多個過孔26可自一個金屬層級延伸至相鄰金屬層級，以使第一金屬層級m1(例如最低金屬層級)中的一條或多條金屬導(dǎo)線24可與第二金屬層級mn(例如ic芯片12的最高金屬層級)中的一條或多條金屬導(dǎo)線24電性連接。

請參照圖3，其顯示本發(fā)明的一個實施例中的ic測試結(jié)構(gòu)10的另一個部分剖視圖。在圖3中，以虛線表示層間介電質(zhì)42，以標(biāo)示在第一與第二金屬層級m1、mn之間設(shè)置可變數(shù)目的中間金屬層級40及介電層42。監(jiān)控鏈14可形成延伸穿過第一及第二金屬層級m1、mn的電路，過孔26將監(jiān)控鏈14的各金屬導(dǎo)線24耦接在一起。在第一金屬層級m1內(nèi)，一條或多條第一測試導(dǎo)線28可橫向位于一組第一金屬導(dǎo)線24之間，并可橫向延伸入和/或出該頁面的平面。類似地，第二測試導(dǎo)線30可橫向位于第二金屬層級mn內(nèi)的一組第二金屬導(dǎo)線30之間，并可橫向延伸入和/或出該頁面的平面。

現(xiàn)在請參照圖4，其顯示具有額外結(jié)構(gòu)特征的ic測試結(jié)構(gòu)10的實施例。尤其，監(jiān)控鏈14可選擇性地包括在監(jiān)控鏈14的第一與第二端16、18之間與監(jiān)控鏈14電性接觸的一個或多個中間測試墊50。各中間測試墊50可位于相同的金屬層級中(例如分別位于第一或第二金屬層級m1、mn內(nèi))或者可位于不同的金屬層級內(nèi)。例如，在ic芯片12中的任意過孔26和/或?qū)娱g介電質(zhì)42(圖2、3)失效以后，通過降低監(jiān)控鏈14上的總電壓降和/或允許部分測試監(jiān)控鏈14，中間測試墊50可在ic測試結(jié)構(gòu)10內(nèi)提供額外的測試功能。通過增加ic芯片12內(nèi)的測試組件的數(shù)目，且在第一及第二測試導(dǎo)線28、30保持與監(jiān)控鏈14電性絕緣的情況下，中間墊50與第一和/或第二測試導(dǎo)線墊34、38一起可允許對ic芯片12的特定部分進(jìn)行電性短路和/或泄漏測試。

請參照圖5，其顯示ic測試結(jié)構(gòu)10的另一個實施例。ic結(jié)構(gòu)10可包括例如將第一端16的第一測試墊20與第二端18的第二測試墊22電性連接的監(jiān)控鏈14。除一條或多條第一及第二測試導(dǎo)線28、30以外，ic測試結(jié)構(gòu)10可包括互連過孔52，該互連過孔將各測試導(dǎo)線28、30與另一金屬層級電性連接。例如，互連過孔52可將第一金屬層級m1的一條或多條第一測試導(dǎo)線28與第二金屬層級mn的部分電性連接，同時互連過孔52可將第二金屬層級mn的一條或多條第二測試導(dǎo)線30與第一金屬層級m1的部分電性連接。盡管互連過孔52可將一條或多條第一及第二測試導(dǎo)線28、30與其它金屬層級電性連接，但各測試導(dǎo)線28、30可與監(jiān)控鏈14保持電性絕緣，以避免形成電性短路或合并獨(dú)立測試元件。例如，如圖5中所示，互連過孔52可在沒有垂直鄰近的測試導(dǎo)線28、30或監(jiān)控鏈14的金屬導(dǎo)線24的位置接觸第一和/或第二測試導(dǎo)線28、30。除其它以外，包括于ic測試結(jié)構(gòu)50中的互連過孔52可允許在ic結(jié)構(gòu)10內(nèi)的過孔至過孔測試，從而提供額外的材料應(yīng)力或失效測量。

與ic測試結(jié)構(gòu)10的其它實施例一樣，互連過孔52可接觸分別位于例如兩條相應(yīng)第一或第二測試導(dǎo)線28、30之間并與其基本平行延伸的多條第一及第二測試導(dǎo)線28、30的其中一條，以增加ic測試結(jié)構(gòu)10的通用性及覆蓋率。還應(yīng)當(dāng)理解，如適當(dāng)?shù)脑?，可組合圖4與5中所示的實施例，從而可在單個實施中一并提供中間測試墊50(圖4)與互連過孔52。另外，一些測試導(dǎo)線28、30可在其上不具有互連過孔50，以保持監(jiān)控鏈14與第一和/或第二測試導(dǎo)線28、30之間的電性隔離。

本文中所述的本發(fā)明的實施例可提供數(shù)個技術(shù)及商業(yè)優(yōu)點(diǎn)，其中一些在本文中示例說明。為測量電性短路、開路和/或其它屬性例如介電可靠性，ic測試結(jié)構(gòu)10的單個實施例可通過例如監(jiān)控鏈14、一條或多條第一測試導(dǎo)線28以及一條或多條第二測試導(dǎo)線30提供多個測試源，同時降低監(jiān)控鏈14及其它測試裝置上的寄生電壓降。另外，通過第一及第二測試導(dǎo)線28、30獨(dú)立監(jiān)控ic芯片12的狀態(tài)的能力可提供有效確定監(jiān)控鏈14內(nèi)或(一般來說)ic芯片12內(nèi)的電性短路或結(jié)構(gòu)故障(例如監(jiān)控鏈14產(chǎn)生無效響應(yīng)(例如零電壓或電流))的位置的測試結(jié)構(gòu)。還應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)本發(fā)明的實施例所執(zhí)行的測試可結(jié)合提供組合邏輯的電路來實施和/或使用。例如，依據(jù)ic測試結(jié)構(gòu)10的設(shè)計及結(jié)構(gòu)的預(yù)定屬性，與ic測試結(jié)構(gòu)10電性耦接的邏輯電路或等同測試裝置可提供布爾屬性來測試?yán)缣囟▍^(qū)域或?qū)蛹壷薪殡姴牧蠐舸┑拇嬖谂c否。

本文中所揭露的方法及結(jié)構(gòu)提供就例如金屬層級之間的層間介電材料(例如層間介電質(zhì)42)的數(shù)目/寬度等因素測試ic芯片12的域可行性的結(jié)構(gòu)。尤其，ic測試結(jié)構(gòu)10可在其中包括高濃度過孔(例如過孔26)的ic芯片12的區(qū)域中提供可測試結(jié)構(gòu)。通過使用本文中所述的ic測試結(jié)構(gòu)10，可在制造期間和/或以后測量所提出的ic芯片12的屬性，以確定例如產(chǎn)生較大域可行性的層間介電質(zhì)42的尺寸或物理屬性。例如，如果監(jiān)控鏈14在特定區(qū)域內(nèi)中斷或斷裂，則一條或多條第一及第二測試導(dǎo)線28、30可用以在采取正確行動或設(shè)計修改以前確定失效發(fā)生的特定位置或位置組。

本文中所使用的術(shù)語僅是出于說明特定實施例的目的，并非意圖限制本發(fā)明。除非上下文中另外明確指出，否則本文中所使用的單數(shù)形式“一個”以及“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。另外，應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語“包括”用于本說明書中時表明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件，和/或其群組。

所述權(quán)利要求中的所有手段或步驟加功能元素的相應(yīng)結(jié)構(gòu)、材料、動作及等同物意圖包括結(jié)合具體請求保護(hù)的其它請求保護(hù)的元素執(zhí)行該功能的任意結(jié)構(gòu)、材料或動作。本發(fā)明的說明用于示例及說明目的，而非意圖詳盡無遺或限于所揭露形式的揭露。許多修改及變更將對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員顯而易見，而不背離本發(fā)明的范圍及精神。實施例經(jīng)選擇及說明以最佳解釋本發(fā)明的原理及實際應(yīng)用，并使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明針對不同的實施例具有適合所考慮的特定應(yīng)用的不同變更。