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      用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置的制作方法

      文檔序號(hào):11825164閱讀:444來(lái)源:國(guó)知局
      用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及電磁繼電器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及電磁繼電器電接觸性能試驗(yàn)分析裝置,具體而言,就是一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置。



      背景技術(shù):

      由于電磁繼電器具有一系列固體電子器件不能替代的優(yōu)點(diǎn),如:高轉(zhuǎn)換深度、大輸入輸出比等,其在工業(yè)控制、通信、電力等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用,電磁繼電器主要用于控制系統(tǒng)電源及信號(hào)的通斷。

      在實(shí)際使用電磁繼電器的過(guò)程中,由于實(shí)際電路中存在分布式電感和電容,電磁繼電器觸點(diǎn)開(kāi)閉時(shí)會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)過(guò)壓或過(guò)流,從而導(dǎo)致電磁繼電器觸點(diǎn)發(fā)生瞬態(tài)電弧燒蝕受損或粘連失效,影響電磁繼電器產(chǎn)品的電壽命。因而,通過(guò)浪涌試驗(yàn)對(duì)電磁繼電器產(chǎn)品的抗浪涌能力進(jìn)行測(cè)試、分析具有重要意義。

      目前,針對(duì)浪涌對(duì)繼電器觸點(diǎn)影響的研究在國(guó)內(nèi)外已經(jīng)受到廣泛關(guān)注,但是,還沒(méi)有專(zhuān)門(mén)的試驗(yàn)裝置根據(jù)試驗(yàn)方案的要求自動(dòng)對(duì)多組電磁繼電器試驗(yàn)件進(jìn)行浪涌試驗(yàn),并反饋試驗(yàn)信息,現(xiàn)有的浪涌試驗(yàn)裝置主要存在以下缺點(diǎn):

      1、浪涌電流時(shí)間大多通過(guò)調(diào)整電容器的充放電時(shí)間進(jìn)行控制,精度不高,在進(jìn)行試驗(yàn)分析時(shí)難以定量描述浪涌電流時(shí)間與電壽命的關(guān)系;

      2、當(dāng)試驗(yàn)方案中的浪涌試驗(yàn)條件需要改變或者多個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件試驗(yàn)條件不一致時(shí),需要對(duì)各個(gè)浪涌試驗(yàn)設(shè)備逐一進(jìn)行手工調(diào)節(jié),試驗(yàn)效率低下;

      3、在浪涌試驗(yàn)過(guò)程中,對(duì)觸點(diǎn)電壓/電流波形的監(jiān)測(cè)需要通過(guò)示波器等設(shè)備實(shí)現(xiàn),難以對(duì)多組電磁繼電器試驗(yàn)件同時(shí)進(jìn)行浪涌試驗(yàn),且不便于試驗(yàn)人員實(shí)時(shí)查看試驗(yàn)過(guò)程中各試驗(yàn)件的試驗(yàn)信息;

      4、電路結(jié)構(gòu)固定,難以靈活擴(kuò)展,當(dāng)試驗(yàn)件數(shù)量超過(guò)設(shè)備允許數(shù)量時(shí),需要試驗(yàn)人員手工切換并分批次進(jìn)行試驗(yàn),試驗(yàn)耗時(shí)長(zhǎng)。

      因此,本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待研發(fā)一種能夠定量描述浪涌電流時(shí)間與電壽命之間關(guān)系的高效率浪涌實(shí)驗(yàn)裝置。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      有鑒于此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置,解決了現(xiàn)有浪涌試驗(yàn)裝置無(wú)法定量描述浪涌電流時(shí)間與電壽命之間關(guān)系的問(wèn)題。

      為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的具體實(shí)施方式提供一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置,包括:試驗(yàn)操作終端、與所述試驗(yàn)操作終端連接的多個(gè)控制/采集電路,以及與所述控制/采集電路連接的多個(gè)浪涌負(fù)載發(fā)生單元,所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元與電磁繼電器一一對(duì)應(yīng)連接,其中,所述試驗(yàn)操作終端用于向所述控制/采集電路下發(fā)實(shí)驗(yàn)控制命令,并通過(guò)所述控制/采集電路和所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元接收電磁繼電器的觸點(diǎn)電流采樣信息;所述控制/采集電路用于根據(jù)所述實(shí)驗(yàn)控制命令調(diào)節(jié)所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元的電阻阻值從而向電磁繼電器輸出浪涌電流;所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元用于在所述控制/采集電路的控制下向電磁繼電器輸出預(yù)定大小的浪涌電流,并采樣電磁繼電器的所述觸點(diǎn)電流采樣信息通過(guò)所述控制/采集電路反饋給所述試驗(yàn)操作終端。

      根據(jù)本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式可知,用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置至少具有以下有益效果:實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件的浪涌電流時(shí)間、浪涌間隔時(shí)間及浪涌次數(shù)的獨(dú)立控制;全自動(dòng)完成多個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件的浪涌試驗(yàn),并實(shí)時(shí)顯示每個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件的浪涌試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間、已完成的浪涌次數(shù)及觸點(diǎn)電流波形;可以對(duì)一個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件單獨(dú)進(jìn)行浪涌負(fù)載試驗(yàn),也可以對(duì)多個(gè)電磁繼電器同時(shí)進(jìn)行獨(dú)立試驗(yàn)條件的浪涌負(fù)載試驗(yàn),精確測(cè)試電磁繼電器的抗浪涌能力;支持對(duì)每個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件的相關(guān)試驗(yàn)信息(如:浪涌試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間、已完成的浪涌次數(shù)及觸點(diǎn)電流波形)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與查詢(xún),能夠按照不同試驗(yàn)方案的要求對(duì)多組電磁繼電器觸點(diǎn)同時(shí)進(jìn)行浪涌負(fù)載試驗(yàn),提高了試驗(yàn)效率。

      應(yīng)了解的是,上述一般描述及以下具體實(shí)施方式僅為示例性及闡釋性的,其并不能限制本發(fā)明所欲主張的范圍。

      附圖說(shuō)明

      下面的所附附圖是本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)的一部分,其繪示了本發(fā)明的示例實(shí)施例,所附附圖與說(shuō)明書(shū)的描述一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理。

      圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置的示意性框圖;

      圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種控制/采集電路的示意性框圖;

      圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種浪涌負(fù)載發(fā)生單元電路原理圖;

      圖4為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種處理器通過(guò)控制/采集電路對(duì)浪涌負(fù)載發(fā)生單元進(jìn)行控制的原理圖。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面將以附圖及詳細(xì)敘述清楚說(shuō)明本發(fā)明所揭示內(nèi)容的精神,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員在了解本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施例后,當(dāng)可由本發(fā)明內(nèi)容所教示的技術(shù),加以改變及修飾,其并不脫離本發(fā)明內(nèi)容的精神與范圍。

      本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明,但并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。另外,在附圖及實(shí)施方式中所使用相同或類(lèi)似標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件是用來(lái)代表相同或類(lèi)似部分。

      關(guān)于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等,并非特別指稱(chēng)次序或順位的意思,也非用以限定本發(fā)明,其僅為了區(qū)別以相同技術(shù)用語(yǔ)描述的元件或操作。

      關(guān)于本文中所使用的方向用語(yǔ),例如:上、下、左、右、前或后等,僅是參考附圖的方向。因此,使用的方向用語(yǔ)是用來(lái)說(shuō)明并非用來(lái)限制本創(chuàng)作。

      關(guān)于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等,均為開(kāi)放性的用語(yǔ),即意指包含但不限于。

      關(guān)于本文中所使用的“及/或”,包括所述事物的任一或全部組合。

      關(guān)于本文中所使用的用語(yǔ)“大致”、“約”等,用以修飾任何可以微變化的數(shù)量或誤差,但這些微變化或誤差并不會(huì)改變其本質(zhì)。一般而言,此類(lèi)用語(yǔ)所修飾的微變化或誤差的范圍在部分實(shí)施例中可為20%,在部分實(shí)施例中可為10%,在部分實(shí)施例中可為5%或是其他數(shù)值。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解,前述提及的數(shù)值可依實(shí)際需求而調(diào)整,并不以此為限。

      某些用以描述本申請(qǐng)的用詞將于下或在此說(shuō)明書(shū)的別處討論,以提供本領(lǐng)域技術(shù)人員在有關(guān)本申請(qǐng)的描述上額外的引導(dǎo)。

      圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置的示意性框圖,如圖1所示,該可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置包括:試驗(yàn)操作終端1、與多個(gè)所述試驗(yàn)操作終端1連接的控制/采集電路2和與電磁繼電器連接的浪涌負(fù)載發(fā)生單元3;可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置完成對(duì)電磁繼電器的浪涌負(fù)載試驗(yàn)。

      如圖所示,可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置主要包括:試驗(yàn)操作終端1(主要由上位機(jī)11和處理器12組成)、多個(gè)控制/采集電路3、多個(gè)浪涌負(fù)載發(fā)生單元3。上位機(jī)11、處理器12和控制/采集電路3具體描述如下:

      (1)上位機(jī)11

      所述上位機(jī)11具體可以為裝有試驗(yàn)管理軟件的PC機(jī),PC機(jī)通過(guò)CAN總線與處理器12連接,PC機(jī)通過(guò)CAN總線向所述處理器12發(fā)送浪涌試驗(yàn)條件設(shè)置命令,PC機(jī)還用于顯示通過(guò)CAN總線接收的處理器12反饋的電磁繼電器浪涌負(fù)載試驗(yàn)信息;本發(fā)明的具體實(shí)施例中,浪涌試驗(yàn)條件設(shè)置命令包括每個(gè)所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元的浪涌電流時(shí)間、浪涌間隔時(shí)間及浪涌次數(shù);所述浪涌負(fù)載試驗(yàn)信息包括每個(gè)所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元的浪涌試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間、已完成的浪涌次數(shù)及電磁繼電器試驗(yàn)件觸點(diǎn)電流采樣信息。

      (2)處理器12

      本發(fā)明的具體實(shí)施例中,處理器12可以采用STM32單片機(jī),處理器12用于接收上位機(jī)11發(fā)送的浪涌試驗(yàn)條件設(shè)置命令,并反饋電磁繼電器試驗(yàn)件的浪涌負(fù)載試驗(yàn)信息;所述處理器12還用于通過(guò)控制/采集電路2控制多個(gè)浪涌負(fù)載發(fā)生單元3根據(jù)浪涌試驗(yàn)條件的要求向多組電磁繼電器輸出浪涌電流。

      (3)控制/采集電路2

      所述控制/采集電路2用于接收所述處理器12發(fā)送的控制命令,并按命令通過(guò)浪涌負(fù)載發(fā)生單元3對(duì)指定的電磁繼電器進(jìn)行試驗(yàn);控制/采集電路2還用于在浪涌試驗(yàn)過(guò)程中監(jiān)測(cè)電磁繼電器的觸點(diǎn)電流采樣信息,并將監(jiān)測(cè)到的觸點(diǎn)電流采樣信息反饋給處理器12。

      圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種控制/采集電路的示意性框圖,如圖2所示,每個(gè)控制/采集電路2包括一個(gè)板選電路21、一個(gè)主控單元22、一個(gè)數(shù)據(jù)采集電路23、一個(gè)線圈驅(qū)動(dòng)電路24,每個(gè)控制/采集電路2可以連接8個(gè)浪涌負(fù)載發(fā)生單元3。其中,所述板選電路21的使能信號(hào)輸入端與所述處理器12的電路選擇信號(hào)輸出引腳連接;所述主控單元22的數(shù)據(jù)采集控制I/O口與所述數(shù)據(jù)采集電路23的數(shù)據(jù)輸出引腳連接,所述主控單元22的線圈驅(qū)動(dòng)控制I/O口與所述線圈驅(qū)動(dòng)電路24的控制輸入端口連接,所述主控單元22的CS端口、IN端口和OUT端口與所述處理器12的控制與數(shù)據(jù)采集I/O口連接;所述主控單元22、所述數(shù)據(jù)采集電路23和所述線圈驅(qū)動(dòng)電路24的電源輸入端均與所述板選電路21連接。

      再次參見(jiàn)圖2,板選電路21主要由第一繼電器211、三極管212、第一電阻213和第二電阻214組成。其中,第一繼電器211具有線圈2111和常開(kāi)觸點(diǎn)2112,第一繼電器211的線圈2111及常開(kāi)觸點(diǎn)2112的一端短接后與電源正極VCC連接,第一繼電器211的常開(kāi)觸點(diǎn)2112的另一端與主控單元22、數(shù)據(jù)采集電路23及線圈驅(qū)動(dòng)電路24的電源輸入端連接;第一繼電器211的線圈2111的另一端與三極管212的集電極相連,三極管212的發(fā)射極接地,三極管212的發(fā)射極與基極之間通過(guò)第一電阻213和第二電阻214連接,第一電阻213和第二電阻214之間的節(jié)點(diǎn)為板選電路21的使能信號(hào)輸入端,板選電路21的使能信號(hào)輸入端與所述處理器12的一個(gè)電路選擇信號(hào)輸出引腳相連。

      數(shù)據(jù)采集電路23包括分壓電路、跟隨電路及A/D轉(zhuǎn)換芯片(圖中未繪示),浪涌負(fù)載發(fā)生單元3的E端口通過(guò)分壓電路、跟隨電路連接到A/D轉(zhuǎn)換芯片的輸入引腳,A/D轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳與主控單元22的一組數(shù)據(jù)采集控制I/O口相連;本發(fā)明的具體實(shí)施例中,跟隨電路主要由LF356構(gòu)成,A/D轉(zhuǎn)換芯片可以為AD9220。

      線圈驅(qū)動(dòng)電路24可以由晶體管陣列ULN2803組成,晶體管陣列的8個(gè)控制輸入端口與主控單元22的一組線圈驅(qū)動(dòng)控制I/O口相連,晶體管陣列的8個(gè)輸出端口分別與8個(gè)浪涌負(fù)載發(fā)生單元3的D端口相連。

      主控單元22可以采用FPGA芯片EP2C35F484,主控單元22的一組數(shù)據(jù)采集控制I/O口連接數(shù)據(jù)采集電路23的數(shù)據(jù)輸出引腳,主控單元22的一組線圈驅(qū)動(dòng)控制I/O口連接線圈驅(qū)動(dòng)電路24的控制輸入端口,主控單元22的CS端口、IN端口和OUT端口與處理器12的一組控制與數(shù)據(jù)采集I/O口相連。

      圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種浪涌負(fù)載發(fā)生單元電路原理圖,參見(jiàn)圖3,浪涌負(fù)載發(fā)生單元3的具體實(shí)施例如下:

      浪涌負(fù)載發(fā)生單元3具體包括第三電阻31、第四電阻32、第五電阻33、MOS管34、第六電阻35和第七電阻36,其中,第三電阻31,其一端通過(guò)A端口與電磁繼電器的動(dòng)合靜觸點(diǎn)連接,另一端與B端口連接;第四電阻32,其一端與B端口連接,另一端接地;第五電阻33,其一端與A端口連接;MOS管34,其漏極與所述第五電阻33的另一端連接,基極與C端口連接,源極與E端口連接;第六電阻35,其一端與所述MOS管34的漏極連接,另一端與所述MOS管34的源極連接;第七電阻36,其一端與所述MOS管34的源極連接,另一端接地。

      本發(fā)明的具體實(shí)施例中,第三電阻31的阻值為7500歐姆;所述第四電阻32的阻值為1000歐姆;所述第五電阻33的阻值為5.6歐姆;所述第六電阻35的阻值為22歐姆;所述第七電阻36的阻值為0.1歐姆。

      浪涌負(fù)載發(fā)生單元3用于按照控制/采集電路2的指令向電磁繼電器輸出浪涌電流;浪涌負(fù)載發(fā)生單元3還用于按照控制/采集電路2的指令驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)電磁繼電器的線圈(即繞線),使電磁繼電器運(yùn)轉(zhuǎn);所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元3還用于對(duì)電磁繼電器浪涌試驗(yàn)過(guò)程中的觸點(diǎn)電流進(jìn)行采樣;所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元3還可通過(guò)調(diào)節(jié)第五電阻33、第六電阻35的阻值從而控制浪涌電流的大小。

      圖4為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種處理器通過(guò)控制/采集電路對(duì)浪涌負(fù)載發(fā)生單元進(jìn)行控制的原理圖,圖4所示,圖4所示的處理器12通過(guò)控制/采集電路2對(duì)浪涌負(fù)載發(fā)生單元3進(jìn)行控制的原理圖進(jìn)行說(shuō)明,圖3中浪涌負(fù)載發(fā)生單元3的A端口(即端子A)連接電磁繼電器試驗(yàn)件動(dòng)合靜觸點(diǎn)4-1,用于控制所述電磁繼電器動(dòng)合觸點(diǎn)組4-1、4-3浪涌電流的通斷;圖3中浪涌負(fù)載發(fā)生單元3的B端口(即端子B)連接控制/采集電路2的Bi(i=1,2…8)端口,用于反饋電磁繼電器動(dòng)合靜觸點(diǎn)的電平狀態(tài);圖3中C端口(即端子C)連接控制/采集電路2的Ci(i=1,2…8)端口,用于接收所述控制/采集電路2對(duì)MOS管34的控制信號(hào);圖3中D端口(即端子D)連接控制/采集電路2的Di(i=1,2…8)端口,用于按照所述控制/采集電路2輸出的控制命令對(duì)電磁繼電器的動(dòng)作進(jìn)行控制;圖3中E端口(即端子E)連接控制/采集電路2的Ei(i=1,2…8)端口,用于在試驗(yàn)過(guò)程中向所述控制/采集電路2輸出電磁繼電器動(dòng)合觸點(diǎn)組的采樣電壓;所述第三電阻31的第一端與所述第五電阻33的第一端及所述一個(gè)電磁繼電器的動(dòng)合靜觸點(diǎn)連接;所述第四電阻32的第一端接地GND;所述第三電阻31的第二端與所述第四電阻32的第二端與端子B連接;所述第五電阻33的第二端與所述第六電阻35的第一端及MOS管34的漏極連接;所述第六電阻35的第二端與所述第七電阻36的第一端及所述MOS管34的源極連接;所述第七電阻36的第二端接地GND;所述第三電阻31(阻值為7500歐姆)與所述第四電阻32(電阻為1000歐姆)構(gòu)成分壓電路,用于對(duì)電磁繼電器動(dòng)合靜觸點(diǎn)電壓進(jìn)行分壓,使電壓大小滿足所述控制/采集電路2的輸入電平要求(控制/采集電路2的輸入電平要求為3.3V),具體為所述當(dāng)動(dòng)合靜觸點(diǎn)電平為28V時(shí),分壓電路接通:+28V→動(dòng)合觸點(diǎn)組→所述第三電阻31→所述第四電阻32→GND,端子B處電平等于28V/(7.5KΩ+1KΩ)×(1KΩ)≈3.3V,當(dāng)動(dòng)合靜觸點(diǎn)電平為0V時(shí),分壓電路斷開(kāi),端子B處電平為0V;所述第五電阻33、所述第六電阻35及所述MOS管34用于按照端子C的電平狀態(tài)控制電磁繼電器動(dòng)合觸點(diǎn)組的浪涌電流通斷;所述第七電阻36(電阻為0.1歐姆)用于對(duì)流經(jīng)動(dòng)合觸點(diǎn)組的電流進(jìn)行采樣。

      電磁繼電器部分主要包括:

      用于進(jìn)行浪涌負(fù)載試驗(yàn)的電磁繼電器試驗(yàn)件,數(shù)量可根據(jù)實(shí)際需要及所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元的數(shù)量靈活設(shè)計(jì)。

      如圖4所示,以電磁繼電器1、9的浪涌負(fù)載試驗(yàn)為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:在試驗(yàn)操作終端設(shè)置浪涌試驗(yàn)條件(浪涌負(fù)載發(fā)生單元1的浪涌電流時(shí)間5ms、浪涌間隔10ms、浪涌次數(shù)2000次;浪涌負(fù)載發(fā)生單元9的浪涌電流時(shí)間10ms、浪涌間隔10ms、浪涌次數(shù)1000次),試驗(yàn)操作終端通過(guò)CAN總線將浪涌試驗(yàn)條件發(fā)送給處理器;處理器使能EN1、EN2、CS1、CS2端口之后,通過(guò)OUT1、OUT2端口分別將電磁繼電器試驗(yàn)件1、9的試驗(yàn)條件發(fā)送到控制/采集電路1和控制/采集電路2的IN端口,并發(fā)送試驗(yàn)開(kāi)始命令。對(duì)于電磁繼電器試驗(yàn)件1(9):控制/采集電路1(2)的C1端口輸出高電平,所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元1(9)中的MOS管將第六電阻(22歐姆)短路;所述控制/采集電路1(2)的D1端口輸出高電平,電磁繼電器(9)開(kāi)始動(dòng)作,所述控制/采集電路1(2)開(kāi)始對(duì)浪涌負(fù)載發(fā)生單元1(9)的端子E的電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行連續(xù)采集;當(dāng)所述控制/采集電路1(2)檢測(cè)到浪涌負(fù)載發(fā)生單元1(9)的端子B電平由低變高時(shí),端口C1保持輸出高電平5ms(10ms),在此過(guò)程中浪涌回路導(dǎo)通:+28V→動(dòng)合觸點(diǎn)組→第五電阻(5.6歐姆)→MOS管→所述第五電阻(0.1歐姆)→GND,回路電流等于28V/(5.6Ω+0.1Ω)≈5A;然后,端口C1輸出低電平,所述MOS管斷開(kāi),所述第六電阻接入回路,負(fù)載回路導(dǎo)通:+28V→動(dòng)合觸點(diǎn)組→所述第五電阻(5.6歐姆)→所述第六電阻(22歐姆)→所述第七電阻(0.1歐姆)→GND,回路電流為28V/(5.6Ω+22Ω+0.1Ω)≈1A,所述控制/采集電路1(2)停止對(duì)浪涌負(fù)載發(fā)生單元1(9)的端子E的電壓數(shù)據(jù)采集;電磁繼電器試驗(yàn)件1(9)完成一次浪涌試驗(yàn),所述控制/采集電路1(2)通過(guò)OUT端口將采集到的浪涌負(fù)載發(fā)生單元1(9)的端子E的電壓數(shù)據(jù)反饋到所述處理器的IN1端口;所述處理器將電磁繼電器1(9)的浪涌次數(shù)加1,并通過(guò)CAN總線將電磁繼電器1(9)的浪涌次數(shù)及端子E的電壓數(shù)據(jù)反饋到試驗(yàn)操作終端,試驗(yàn)操作終端將端子E的電壓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為電磁繼電器1(9)動(dòng)合觸點(diǎn)組的電流波形,并對(duì)浪涌試驗(yàn)信息進(jìn)行顯示;所述控制/采集電路1(2)的C1端口持續(xù)輸出低電平10ms之后,進(jìn)行下一次浪涌試驗(yàn);直到完成2000次(1000次)浪涌次數(shù),控制/采集電路1(2)向所述處理器返回試驗(yàn)結(jié)束信息,所述處理器停止使能EN1、EN2、CS1、CS2端口,電磁繼電器1(9)的浪涌試驗(yàn)完成。本實(shí)施例的電磁繼電器用可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置具有電路簡(jiǎn)潔、成本低、可根據(jù)試驗(yàn)方案進(jìn)行靈活擴(kuò)展、試驗(yàn)過(guò)程無(wú)需人工操作、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。

      綜上所述,本發(fā)明上述實(shí)施例至少還具有以下有益效果:

      1、本發(fā)明能夠按照電磁繼電器浪涌試驗(yàn)要求,通過(guò)試驗(yàn)操作終端設(shè)置浪涌試驗(yàn)條件,從而自動(dòng)、獨(dú)立地控制一組或多組電磁繼電器觸點(diǎn)的浪涌電流時(shí)間及浪涌試驗(yàn)次數(shù),可同時(shí)執(zhí)行多組試驗(yàn)方案,節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間;2、上位機(jī)可以實(shí)時(shí)接收處理器反饋的浪涌試驗(yàn)信息,便于試驗(yàn)人員查詢(xún);3、本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔、成本低、可擴(kuò)展,試驗(yàn)過(guò)程全自動(dòng),人工干預(yù)少,可同時(shí)對(duì)多個(gè)電磁繼電器進(jìn)行浪涌試驗(yàn),降低試驗(yàn)成本。

      本發(fā)明提供一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置,實(shí)現(xiàn)同時(shí)對(duì)多個(gè)電磁繼電器試驗(yàn)件的浪涌電流時(shí)間、浪涌間隔時(shí)間及浪涌次數(shù)的獨(dú)立控制;全自動(dòng)完成多個(gè)電磁繼電器的浪涌試驗(yàn),并實(shí)時(shí)顯示每個(gè)電磁繼電器的浪涌試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間、已完成的浪涌次數(shù)及觸點(diǎn)電流波形;可以對(duì)一個(gè)電磁繼電器單獨(dú)進(jìn)行浪涌負(fù)載試驗(yàn),也可以對(duì)多個(gè)電磁繼電器同時(shí)進(jìn)行獨(dú)立試驗(yàn)條件的浪涌負(fù)載試驗(yàn),精確測(cè)試電磁繼電器的抗浪涌能力;支持對(duì)每個(gè)電磁繼電器的相關(guān)試驗(yàn)信息(如:浪涌試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間、已完成的浪涌次數(shù)及觸點(diǎn)電流波形)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與查詢(xún),能夠按照不同試驗(yàn)方案的要求對(duì)多組電磁繼電器觸點(diǎn)同時(shí)進(jìn)行浪涌負(fù)載試驗(yàn),提高了試驗(yàn)效率。

      本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:附圖只是一個(gè)實(shí)施例的示意圖,附圖中的模塊或流程并不一定是實(shí)施本發(fā)明所必須的。

      本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)施例中的裝置中的模塊可以按照實(shí)施例描述分布于實(shí)施例的裝置中,也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)裝置中。上述實(shí)施例的模塊可以合并為一個(gè)模塊,也可以進(jìn)一步拆分成多個(gè)子模塊。

      上述的本發(fā)明實(shí)施例可在各種硬件、軟件編碼或兩者組合中進(jìn)行實(shí)施。例如,本發(fā)明的實(shí)施例也可為在數(shù)據(jù)信號(hào)處理器(Digital Signal Processor,DSP)中執(zhí)行上述方法的程序代碼。本發(fā)明也可涉及計(jì)算機(jī)處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微處理器或現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(Field Programmable Gate Array,F(xiàn)PGA)執(zhí)行的多種功能??筛鶕?jù)本發(fā)明配置上述處理器執(zhí)行特定任務(wù),其通過(guò)執(zhí)行定義了本發(fā)明揭示的特定方法的機(jī)器可讀軟件代碼或固件代碼來(lái)完成。可將軟件代碼或固件代碼發(fā)展為不同的程序語(yǔ)言與不同的格式或形式。也可為不同的目標(biāo)平臺(tái)編譯軟件代碼。然而,根據(jù)本發(fā)明執(zhí)行任務(wù)的軟件代碼與其他類(lèi)型配置代碼的不同代碼樣式、類(lèi)型與語(yǔ)言不脫離本發(fā)明的精神與范圍。

      以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。

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