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      一種基于諧振特性的多晶硅薄膜熱膨脹系數(shù)提取方法與流程

      文檔序號(hào):11131557閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種基于諧振特性的多晶硅薄膜熱膨脹系數(shù)提取方法,其特征是,包括第一雙端固支梁、第二雙端固支梁和懸臂梁三個(gè)獨(dú)立測(cè)試結(jié)構(gòu),其中第一雙端固支梁、第二雙端固支梁和懸臂梁由相同的多晶硅薄膜材料制成,三者的長(zhǎng)度分別為l1、l2、l3;寬度均為w、厚度均為h;基于以上三者提取熱膨脹系數(shù)的方法包括如下步驟:

      步驟一,測(cè)量懸臂梁在常溫下的一階機(jī)械諧振頻率fc;

      步驟二,測(cè)量第一雙端固支梁在常溫下的一階機(jī)械諧振頻率f0,獲得其初始?xì)堄鄳?yīng)變?chǔ)?sub>0;

      步驟三,測(cè)量常溫下第一雙端固支梁的電阻R0,對(duì)第一雙端固支梁施加恒定電流I1進(jìn)行加熱,測(cè)量加熱過(guò)程中第一雙端固支梁隨時(shí)間t而變化的瞬態(tài)電阻特性R1(t);

      步驟四,保持恒定電流I1不變,當(dāng)?shù)谝浑p端固支梁達(dá)到熱穩(wěn)態(tài)時(shí),測(cè)量此時(shí)第一雙端固支梁的一階機(jī)械諧振頻率f1;基于在熱穩(wěn)態(tài)時(shí),第一雙端固支梁是平坦或屈曲不同狀態(tài),獲得不同狀態(tài)下對(duì)應(yīng)的殘余應(yīng)變?chǔ)?sub>1,

      步驟五,對(duì)第二雙端固支梁施加相同的恒定電流I1進(jìn)行加熱,測(cè)量加熱過(guò)程中第二雙端固支梁隨時(shí)間t而變化的瞬態(tài)電阻特性R2(t);基于測(cè)量得到的R1(t)和R2(t),計(jì)算獲得第一雙端固支梁加熱前后產(chǎn)生的溫度變化ΔT;

      步驟六,多晶硅薄膜的熱膨脹系數(shù)αT可以表示為:利用步驟一至五測(cè)量得到的fc、f0、f1、R0、R1(t)和R2(t),由以下公式計(jì)算提取出溫度T所對(duì)應(yīng)的多晶硅薄膜的熱膨脹系數(shù)αT

      其中,ξ為多晶硅薄膜的電阻溫度系數(shù),D1、τ1和τ2的值可以通過(guò)對(duì)R1(t)和R2(t)分別進(jìn)行指數(shù)擬合而得到,溫度T是熱穩(wěn)態(tài)時(shí)平均溫度,對(duì)應(yīng)的溫度T由以下公式得到:

      <mrow> <mi>T</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>D</mi> <mn>1</mn> </msub> <mi>&pi;</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>2</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>8</mn> <msub> <mi>&xi;R</mi> <mn>0</mn> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>1</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>2</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> <mo>&lsqb;</mo> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>l</mi> <mn>2</mn> </msub> <msqrt> <mrow> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>1</mn> </msub> </mrow> </msqrt> </mrow> <msqrt> <mrow> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>1</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>2</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </msubsup> </mrow> </msqrt> </mfrac> <mo>&times;</mo> <mi>tanh</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mi>&pi;</mi> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>l</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> </mfrac> <msqrt> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>1</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>2</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <msubsup> <mi>l</mi> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </msubsup> </mrow> <mrow> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>&tau;</mi> <mn>1</mn> </msub> </mrow> </mfrac> </msqrt> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mi>&pi;</mi> <mo>&rsqb;</mo> <mo>+</mo> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> </mrow>

      其中,T0為室溫;

      步驟七,分別采用多種不同的恒定電流I2~I(xiàn)n,重復(fù)步驟三至六,得到不同溫度下的多晶硅薄膜熱膨脹系數(shù)值。

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