本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是，涉及一種光刻膠厚度的確定方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，光刻膠的厚度一般通過光刻膠厚度與關(guān)鍵尺寸關(guān)系曲線確定。即以光刻膠厚度為X軸，關(guān)鍵尺寸CD(critical dimension)為Y軸做出光刻膠厚度與關(guān)鍵尺寸關(guān)系曲線，當(dāng)目標(biāo)尺寸為線條間space尺寸時，取光刻膠厚度與關(guān)鍵尺寸關(guān)系曲線中波谷位置對應(yīng)的光刻膠厚度；當(dāng)目標(biāo)尺寸為線條line尺寸時，取光刻膠厚度與關(guān)鍵尺寸關(guān)系曲線中波峰位置對應(yīng)的光刻膠厚度。

CN101872127A公開了一種光刻膠厚度與關(guān)鍵尺寸關(guān)系曲線的制作方法，用于光刻膠厚度的確定，其制作曲線的過程和常見的方法一樣，仍需光刻板進行關(guān)鍵尺寸CD的測量，占用器材較多，制作流程復(fù)雜，成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種光刻膠厚度的確定方法，其通過最小曝光能量搖擺曲線即可確定光刻膠厚度，該方法占用器材少，操作簡單，可有效降低成本。

為解決上述問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：

一種光刻膠厚度的確定方法，包括以下步驟：

S101.準(zhǔn)備多個測試晶圓：對測試晶圓分別進行編號，編號為1、2、3、…n；

S102.在n個測試晶圓上分別涂覆光刻膠；

S103.測量每個測試晶圓上光刻膠厚度THK：n個測試晶圓上光刻膠厚度分別為THK₁、THK₂、THK₃、…THK_n；

S104.對每個測試晶圓上的光刻膠進行曝光，獲得每個測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量E0，n個測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量分別為E0₁、E0₂、E0₃、…E0_n；

S105.獲得最小曝光能量搖擺曲線：根據(jù)每個測試晶圓對應(yīng)的光刻膠厚度THK和其上光刻膠最小曝光能量E0，以光刻膠厚度THK為X軸，以最小曝光能量E0為Y軸繪制曲線，所得曲線即為最小曝光能量搖擺曲線；

S106.確定光刻膠厚度：根據(jù)生產(chǎn)中線條間space尺寸和線條line尺寸的變化關(guān)系，結(jié)合最小曝光能量搖擺曲線，確定最小曝光能量搖擺曲線中波峰或波谷對應(yīng)的光刻膠厚度即為光刻膠厚度。

進一步的，所述步驟S102中，每個測試晶圓上的光刻膠厚度均一，不同測試晶圓上的光刻膠厚度不同。

進一步的，所述步驟S102中，涂覆光刻膠時，將光刻膠噴至測試晶圓的中心，測試晶圓先以2000～4000r/min旋轉(zhuǎn)0.5～3s，然后以800～2500r/min旋轉(zhuǎn)10～30s，即可在測試晶圓上獲得厚度均一的光刻膠膜層。

進一步的，所述步驟S102中，涂覆光刻膠時，將光刻膠噴至測試晶圓的中心，測試晶圓先以3000～4000r/min旋轉(zhuǎn)1.5～2.5s，然后以1500～2000r/min旋轉(zhuǎn)15～25s，即可在測試晶圓上獲得厚度均一的光刻膠膜層。

進一步的，所述步驟S103中，光刻膠厚度采用膜厚測量儀測得。

進一步的，所述步驟S104中，采用曝光機對每個測試晶圓上的光刻膠進行曝光。

進一步的，所述步驟S106中，如生產(chǎn)中線條line的尺寸變小，線條間space的尺寸變大，則該生產(chǎn)中光刻膠膜厚選取最小曝光能量搖擺曲線波峰處所對應(yīng)的光刻膠厚度；如生產(chǎn)中線條line的尺寸變大，線條間space的尺寸變小，則該生產(chǎn)中光刻膠膜厚選取最小曝光能量搖擺曲線波谷處所對應(yīng)的光刻膠厚度。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明通過測量光刻膠厚度和光刻膠的最小曝光能量，獲得最小曝光能量搖擺曲線，通過曲線即可確定光刻膠厚度，最小曝光能量的獲取占用器材少，無需光刻板等曝光器材，且操作簡單，可有效降低成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明中光刻膠厚度的確定方法流程圖。

圖2為實施例1中最小曝光能量搖擺曲線示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細說明。

如圖1所示，本發(fā)明中光刻膠厚度的確定方法，包括以下步驟：

S101.準(zhǔn)備多個測試晶圓：對測試晶圓分別進行編號，編號為1、2、3、…n；

S102.在n個測試晶圓上分別涂覆光刻膠；

S103.測量每個測試晶圓上光刻膠厚度THK：n個測試晶圓上光刻膠厚度分別為THK₁、THK₂、THK₃、…THK_n；

S104.對每個測試晶圓上的光刻膠進行曝光，獲得每個測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量E0，n個測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量分別為E0₁、E0₂、E0₃、…E0_n；

S105.獲得最小曝光能量搖擺曲線：根據(jù)每個測試晶圓對應(yīng)的光刻膠厚度THK和其上光刻膠最小曝光能量E0，以光刻膠厚度THK為X軸，以最小曝光能量E0為Y軸繪制曲線，所得曲線即為最小曝光能量搖擺曲線；

S106.確定光刻膠厚度：根據(jù)目標(biāo)尺寸與線條間space尺寸和線條line尺寸的關(guān)系，結(jié)合最小曝光能量搖擺曲線，最小曝光能量搖擺曲線中波峰或波谷對應(yīng)的光刻膠厚度即為最佳的光刻膠厚度。

進一步的，所述步驟S102中，每個測試晶圓上的光刻膠厚度均一，不同測試晶圓上的光刻膠厚度不同。涂覆光刻膠時，將光刻膠噴至測試晶圓的中心，測試晶圓先以2000～4000r/min旋轉(zhuǎn)0.5～3s，然后以800～2500r/min旋轉(zhuǎn)10～30s，即可在測試晶圓上獲得厚度均一的光刻膠膜層。

進一步的，所述步驟S103中，光刻膠厚度采用膜厚測量儀測得。

進一步的，所述步驟S104中，采用曝光機對每個測試晶圓上的光刻膠進行曝光。

進一步的，所述步驟S106中，如生產(chǎn)中線條line的尺寸變小，線條間space的尺寸變大，則該生產(chǎn)中光刻膠膜厚選取最小曝光能量搖擺曲線波峰處所對應(yīng)的光刻膠厚度；如生產(chǎn)中線條line的尺寸變大，線條間space的尺寸變小，則該生產(chǎn)中光刻膠膜厚選取最小曝光能量搖擺曲線波谷處所對應(yīng)的光刻膠厚度。

實施例1

采用如圖1所示流程確定光刻膠厚度，方法包括以下步驟：

S101.準(zhǔn)備10個測試晶圓：對測試晶圓分別進行編號，編號為1、2、3、…10；

S102.在10個測試晶圓上分別涂覆光刻膠，不同測試晶圓上的光刻膠厚度不同，涂覆光刻膠時，將光刻膠噴至測試晶圓的中心，測試晶圓先以3000r/min旋轉(zhuǎn)2.5s，然后以1500r/min旋轉(zhuǎn)20s，即可在測試晶圓上獲得厚度均一的光刻膠膜層；

S103.采用膜厚測量儀測量每個測試晶圓上光刻膠厚度THK：10個測試晶圓上光刻膠厚度分別為THK₁、THK₂、THK₃、…THK₁₀；即，THK₁為1號測試晶圓上光刻膠厚度，THK₂為2號測試晶圓上光刻膠厚度，以此類推，THK₁₀為10號測試晶圓上光刻膠厚度；

S104.采用曝光機對每個測試晶圓上的光刻膠進行曝光，獲得每個測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量E0，10個測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量分別為E0₁、E0₂、E0₃、…E0₁₀；即，E0₁為1號測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量，E0₂為2號測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量，以此類推，E0₁₀為10號測試晶圓上光刻膠的最小曝光能量；

S105.獲得最小曝光能量搖擺曲線：根據(jù)每個測試晶圓對應(yīng)的光刻膠厚度THK和其上光刻膠最小曝光能量E0(即，THK₁對應(yīng)E0₁，THK₂對應(yīng)E0₃…THK₁₀對應(yīng)E0₁₀)，以光刻膠厚度THK為X軸，以最小曝光能量E0為Y軸繪制曲線，所得曲線即為最小曝光能量搖擺曲線(如圖2所示)；

S106.確定光刻膠厚度：根據(jù)生產(chǎn)中線條間space尺寸和線條line尺寸的變化關(guān)系，結(jié)合最小曝光能量搖擺曲線，確定最小曝光能量搖擺曲線中波峰或波谷對應(yīng)的光刻膠厚度即為光刻膠厚度。

在其他工藝條件確定的情況下，如生產(chǎn)中線條line的尺寸變小，線條間space的尺寸變大，則該生產(chǎn)中光刻膠膜厚選取最小曝光能量搖擺曲線波峰處所對應(yīng)的光刻膠厚度；如生產(chǎn)中線條line的尺寸變大，線條間space的尺寸變小，則該生產(chǎn)中光刻膠膜厚選取最小曝光能量搖擺曲線波谷處所對應(yīng)的光刻膠厚度；通過對光刻膠厚度的選擇，減小關(guān)鍵尺寸因光刻膠厚度波動而發(fā)生的變化，增大工藝窗口。

通過與常規(guī)方法(采用光刻膠厚度與關(guān)鍵尺寸關(guān)系曲線確定光刻膠厚度)比較，本發(fā)明與常規(guī)方法獲得的結(jié)論完全相符，可以替代常規(guī)方法使用，從而減少器材的使用，提高生產(chǎn)效率，有效降低成本。

對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。