本發(fā)明涉及電動汽車技術領域，尤其涉及一種絕緣阻抗測量方法及絕緣阻抗測量設備。

背景技術：

隨著新能源的出現(xiàn)，國家政策向新能源傾斜，市面上出現(xiàn)了很多電動汽車、充電樁等產品，其中，電動汽車和充電樁等都屬于帶強電產品。

以電動汽車為例，電動汽車電壓工作范圍在300-600V，屬于高壓大電流系統(tǒng)，所以電動汽車安全性很重要，電動汽車高壓系統(tǒng)和汽車底盤之間的絕緣性能對乘客的人身安全和整車低壓系統(tǒng)工作的可靠性有著極其重要的影響。由于電動汽車高壓系統(tǒng)的設備工作條件比較惡劣，振動、摩擦、沖擊、酸堿氣體的腐蝕、溫度及濕度的變化等都有可能造成動力電纜及其他絕緣材料迅速老化，甚至絕緣破損，使得設備的絕緣性能大大降低。

為了能夠確保電動汽車的絕緣性滿足正常工作的要求，需要定時對電動汽車的絕緣性進行測量，主要是測量電動汽車的絕緣阻抗，通常情況下，絕緣阻抗越大，絕緣性越好，絕緣阻抗越小，絕緣性越差，目前常用的絕緣測試方法有平衡電橋法、不平衡電橋法、低頻信號注入法等。其中，不平衡電橋法和低頻信號注入法測量精度高，但是不平衡電橋法受直流母線電壓影響，會出現(xiàn)測量不準確的問題，而低頻信號注入法可以不受直流母線電壓影響，避免對直流母線電壓帶來的測量不準確的問題。

然而，由于電動汽車存在Y電容，且由于各種原因電動汽車的Y電容可能會大于Y電容的標準值，在這種情況下，若使用低頻信號注入法測量電動汽車的絕緣阻抗，Y電容將導致測量得到的絕緣阻抗不準確，影響對電動汽車的絕緣性的判斷。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種絕緣阻抗測量方法及絕緣阻抗測量設備，旨在解決現(xiàn)有技術中Y電容將導致測量得到的絕緣阻抗不準確，影響對電動汽車的絕緣性的判斷的技術問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提供一種絕緣阻抗測量方法，該方法包括：

在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向所述待測設備輸入周期為N*T的方波，所述N為正整數且N的初始值為1，所述T為預置的周期；

在每半個周期的最后預置時長內采樣所述絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗；

在所述N等于1時，則令N＝N+1，返回執(zhí)行所述向所述待測設備輸入周期為N*T的方波的步驟；

在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則將所述周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗；

在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則令N＝N+1，返回執(zhí)行所述向所述待測設備輸入周期為N*T的方波的步驟。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種絕緣阻抗測量裝置，該裝置包括：

輸入模塊，用于在所述絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向所述待測設備輸入周期為N*T的方波，所述N為正整數且N的初始值為1，所述T為預置的周期；

采樣計算模塊，用于在每半個周期的最后預置時長內采樣所述絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗；

第一返回模塊，用于在所述N等于1時，則令N＝N+1，返回所述輸入模塊；

確定模塊，用于在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則將所述周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗；

第二返回模塊，用于在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則令N＝N+1，返回所述輸入模塊。

本發(fā)明提供一種絕緣阻抗測量方法，在該方法中，在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向該待測設備輸入周期為N*T的方波，該N為正整數且N的初始值為1，T為預置的周期；在每半個周期的最后預置時長內采樣絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在周期為N*T時的絕緣阻抗；在N等于1時，則令N＝N+1，返回執(zhí)行上述向該待測設備輸入周期為N*T的方波的步驟；在N不等于1時，若在周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則將在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗；在N不等于1時，若在周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則令N＝N+1，返回執(zhí)行上述向該待測設備輸入周期為N*T的方波的步驟。通過逐漸增加輸入待測設備的方波的周期，使得能夠輸入滿足待測設備的Y電容充滿電且釋放完電所需要的時間的方波，且通過采集半個周期的最后預置時長內測量電阻的電壓值計算絕緣阻抗，及利用在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗與在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗進行比較，使得能夠完全避免Y電容對絕緣阻抗的影響，得到待測試設備準確的絕緣阻抗，避免Y電容對待測試設備的絕緣性判斷的影響。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中不同的Y電容對應的輸出電壓的波形的示意圖；

圖2為本發(fā)明第一實施例中絕緣阻抗測量方法的流程示意圖；

圖3a為低頻信號注入法的工作原理的示意圖；

圖3b為圖3a的等效電路圖；

圖3c為輸出電壓的波形的示意圖；

圖4為本發(fā)明圖2所示第一實施例中的追加步驟的流程示意圖；

圖5為本發(fā)明圖2所示第一實施例中步驟202的細化步驟的流程示意圖；

圖6為本發(fā)明第二實施例中絕緣阻抗測量設備的功能模塊的示意圖；

圖7為本發(fā)明第三實施例中絕緣阻抗測量設備的功能模塊的示意圖；

圖8為本發(fā)明圖6所示和第二實施例中采樣計算模塊602的細化功能模塊的示意圖。

具體實施方式

為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而非全部實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

由于現(xiàn)有技術中存在Y電容將導致測量得到的絕緣阻抗不準確，影響對電動汽車的絕緣性的判斷的技術問題。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提出一種絕緣阻抗測量方法，通過逐漸增加輸入待測設備的方波的周期，使得能夠輸入滿足待測設備的Y電容充滿電且釋放完電所需要的時間的方波，且通過采集半個周期的最后預置時長內測量電阻的電壓值計算絕緣阻抗，及利用在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗與在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗進行比較，使得能夠完全避免Y電容對絕緣阻抗的影響，得到待測試設備準確的絕緣阻抗，避免Y電容對待測試設備的絕緣性判斷的影響。

為了更好的理解本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將介紹本發(fā)明實施例中的技術方案的實施原理，如下：

在本發(fā)明實施例中，利用絕緣阻抗測量設備對待測試設備的絕緣阻抗進行測量時，可以基于低頻信號注入法進行測量，具體可以是輸入指定周期的方波，現(xiàn)有技術中由于輸入的方波的周期是固定的，因此，在Y電容較大的情況下，會出現(xiàn)測量的絕緣阻抗不準確的問題。

請參閱圖1，圖1為本發(fā)明實施例中不同的Y電容對應的輸出電壓的波形的示意圖。

在圖1中可以看出，在Y電容較小(如不大于100nF)時，輸出電壓的高電壓都是相同的，且輸出電壓的低電壓也是相同的，在這種情況下，Y電容并未影響到輸出電壓，利用該輸入電壓的波形是可以得到準確的絕緣阻抗的。

然而，在Y電容較大(如大于100nF)時，輸出電壓的高電壓是逐漸降低的，且輸出電壓的低電壓是逐漸升高的，即輸出電壓的波形中有“斜坡”，且輸出電壓的高電壓均比Y電容較小時的輸出電壓高，輸出電壓的低電壓均比Y電容較小時的輸出電壓低。由于在計算待測設備的絕緣阻抗時，是基于輸出電壓進行計算的，因此，使用不準確的輸出電壓得到的絕緣阻抗也將是不準確的，且由于Y電容較大時，輸出電壓偏大，則表明待測設備兩端的電壓偏小，將導致最終測量得到待測設備的絕緣阻抗偏小。

在通過創(chuàng)造性的勞動之后，可以確定若適當的延長方波的周期，使得在Y電容較大時，輸出電壓的高電壓在降低時可以降低至一個固定電壓值，該固定電壓值即為去除Y電容影響后可用于準確計算待測設備的絕緣阻抗的電壓值，同時也可以使得輸出電壓的低電壓在升高時也可以升高至一個固定電壓值，該固定電壓值也是去除Y電容影響后可用于準確計算待測設備的絕緣阻抗的電壓值。本發(fā)明即利用上述原理，逐漸延長輸入待測設備的方波的周期，以得到可準確計算絕緣阻抗的最小周期，并確定待測設備的絕緣阻抗。

請參閱圖2，為本發(fā)明第一實施例中絕緣阻抗測量方法的流程示意圖，該絕緣阻抗測量方法包括：

步驟201、在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向所述待測設備輸入周期為N*T的方波，所述N為正整數且N的初始值為1，所述T為預置的周期；

在本發(fā)明實施例中，若需要進行絕緣阻抗的測量，則需要將絕緣阻抗測量設備與待測設備連接，具體的，可以是將絕緣阻抗測量設備的方波輸出接口與待測設備信號輸入接口連接，以便絕緣阻抗測量設備可以通過本發(fā)明改進的低頻信號注入法測量該待測設備的絕緣阻抗。

為了更好的的理解本發(fā)明實施例中的技術方案，請參閱圖3a，圖3a為低頻信號注入法的工作原理的示意圖，請參閱圖3b，圖3b為圖3a的等效電路圖。

在圖3a中，方波信號是由絕緣阻抗測量設備輸入待測設備的一個已知幅度的低頻交流信號，且該方波信號在經過待測設備之后，將從待測設備的電池正負極反饋回絕緣阻抗測量設備，即將到達絕緣阻抗測量設備內的測試電阻R_F，通過采樣該測試電阻兩端的電壓值，能夠得到反饋回的輸出電壓(如圖1所示)，可以基于該輸出電壓得到待測設備的絕緣阻抗。其中，R1和R2為測量電路比例電阻，非系統(tǒng)絕緣電阻。

在圖3b中，C1及C2即為Y電容，R1和R2為測量電路比例電阻，Rp和Rn分別為直流正對地阻抗和直流負對地阻抗，Rf為測試電阻，在輸入方波之后，在該方波的高電壓所在的半周期內，將對Y電容進行充電，在該方波的低電壓所在的半周期內，將對該Y電容進行放電。在Y電容較大時，將該Y電容充滿電及釋放完電所需要的時間就較長，且在該Y電容充滿電所需要的時間大于輸入的方波的半個周期，且Y電容釋放完電所需要的時間也大于輸入的方波的半個周期時，輸出電壓將如圖1所示Y電容較大的情況，即輸出電壓偏大，即表明待測設備兩端的電壓偏小，將導致最終測量得到的待測設備的絕緣阻抗偏小。本發(fā)明實施例中的技術方案即為增大方波的周期，以使得方波的半個周期大于Y電容充滿電所需要的時間，且方波的半個周期大于Y電容釋放完電所需要的時間，且在這種情況下，輸出電壓將在“斜坡”之后，將形成穩(wěn)定的直線，即輸出電壓在半個周期的最后某一段時間內將為穩(wěn)定的電壓，可以將最后某一段時間作為采樣時間，對該采樣時間內穩(wěn)定的電壓進行采樣，以避免Y電容帶來的影響。請參閱圖3c，圖3c為輸出電壓的波形的示意圖，從圖3c可以看到，在輸入的方波的半個周期大于Y電容充滿電所需要的時間且大于Y電容釋放完電所需要的時間時，輸出電壓將存在平穩(wěn)區(qū)。

在本發(fā)明實施中，在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，將向該待測設備輸入周期為N*T的方波，其中，該N為正整數，N的初始值為1，且T為預置的周期，即表明在測量待測設備的絕緣阻抗時，最初輸入的方波為一個周期的方波。例如，若T為4s，則表明在測量的開始，輸入的是周期為4s的方波，且在后續(xù)的測量過程中，還可能輸入8s的方波、12s的方波等等。

步驟202、在每半個周期的最后預置時長內采樣所述絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗；

在本發(fā)明實施例中，在將待測設備與絕緣阻抗測量設備連接，且輸入方波之后，絕緣阻抗測量設備是通過采樣該絕緣阻抗設備內的測量電阻的電壓值，以基于該電壓值來確定在當前輸入的方波的情況下測量得到的絕緣阻抗的。具體的，絕緣阻抗測量設備是在輸入方波的每半個周期的最后預置時長內采樣該測量電阻的電壓值，并利用采樣得到的電壓值計算在方波的周期為N*T時絕緣阻抗。

其中，可以理解的是，方波的輸入與測量電阻的電壓值的采樣是同步的，例如，若方波的周期為4S，最后預置時長為320ms，則在輸入方波之后的(2s-320ms)開始進行采樣至2s，以實現(xiàn)在半個周期的最后320ms內采樣，且在輸入方波后的(4s-320ms)開始采樣至4s，以實現(xiàn)在半個周期的最后320ms內采樣，因此，對于方波的一個周期，絕緣阻抗測量設備將采樣兩次。

步驟203、在所述N等于1時，則令N＝N+1，返回執(zhí)行步驟201；

步驟204、在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則將所述周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗；

步驟205、在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則令N＝N+1，返回執(zhí)行步驟201。

在本發(fā)明實施例中，是利用兩個不同周期的方波得到的絕緣阻抗進行比較，以確定能夠避免Y電容影響的最小周期的方波。例如，需要使用方波的周期為2T時的絕緣阻抗與方波的周期為T時的絕緣阻抗進行比較，需要使用方波的周期為3T時的絕緣阻抗與方波的周期為2T時的絕緣阻抗進行比較，并依次類推。且在N等于1時，并不需要進行比較，而是需要繼續(xù)輸入周期為2T的方波，因此，在N等于1時，將令N＝N+1，并返回執(zhí)行步驟201中的向待測設備輸入周期為為N*T的方波，以便得到方波的周期為為N*T時的絕緣阻抗。

在本發(fā)明實施例中，在N不等于1時，則將利用方波的周期為N*T時的絕緣阻抗與已計算的在方波的周期為(N-1)*T時絕緣阻抗進行比較，若在方波的周期為N*T時絕緣阻抗小于或等于在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則將在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為待測試設備的絕緣阻抗。

其中，若方波的周期為N*T時的絕緣阻抗大于在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則表明還需要繼續(xù)增大方波的周期，將令N＝N+1，返回執(zhí)行步驟201中的向待測設備輸入周期為N*T的方波的步驟。

可以理解的是，在Y電容對測量的絕緣阻抗產生影響時，測量得到的絕緣阻抗是比實際阻抗偏小的，而隨著輸入方波的周期逐漸增大，該測量得到的絕緣阻抗將越來越接近實際阻抗，是逐漸增大的，因此，在周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗時，表明在周期為(N-1)*T時測量得到的絕緣阻抗已經最接近實際阻抗，已經避免了Y電容的影響，因此，可以將周期為(N-1)*T作為避免Y電容影響的最小周期，且在該周期下的絕緣阻抗可以作為待測設備的絕緣阻抗。

在本發(fā)明實施例中，在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向該待測設備輸入周期為N*T的方波，且在每半個周期的最后預置時長內采樣該絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在該周期為N*T時的絕緣電阻，且在N不等于1時，若在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的方波在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗,則將所述周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗，且在方波的周期為周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則繼續(xù)增大方波的周期以確定能夠避免Y電容影響的最小周期，使得能夠完全避免Y電容對絕緣阻抗的影響，得到待測試設備準確的絕緣阻抗，避免Y電容對待測試設備的絕緣性判斷的影響。

基于圖2所示第一實施例，請參閱圖4，為本發(fā)明圖2所示第一實施例中的追加步驟的流程示意圖，該追加步驟包括：

步驟401、判斷所述N是否大于或等于預置的數值；

步驟402、當所述N大于或等于預置的數值時，輸出提示消息，以提示所述待測設備存在異常；

步驟403、當所述N小于預置的數值時，則繼續(xù)執(zhí)行所述令N＝N+1的步驟。

在本發(fā)明實施例中，該追加步驟是在N不等于1，且在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗的情況下才執(zhí)行的，即步驟205執(zhí)行令N＝N+1之前執(zhí)行。

具體的，絕緣阻抗測量設備將判斷該N是否大于或等于預置的數值，當該N大于或等于預置的數值時，輸出提示消息，以提示該待測設備存在異常，可以理解的是，本發(fā)明實施例中，是通過設置預置的數值的方式以確定待測設備是否存在異常，其中，該異?？梢允荵電容過大(待測設備的質量存在問題)，使得在多次增加輸入的方波的周期之后，仍然無法確定能夠避免Y電容影響的最小周期的方波?；蛘?，該異常還可以是待測設備漏電。

其中，在該N小于預置的數值時，則表明可繼續(xù)增大方波的周期，將繼續(xù)執(zhí)行步驟205中的令N＝N+1，并返回步驟201。

在本發(fā)明實施例中，通過上述方式能夠有效的控制增加方波的周期的次數，以避免無效的測量。

基于圖2所示第一實施例，請參閱圖5，為本發(fā)明圖2所示第一實施例中步驟202的細化步驟的流程示意圖，該步驟202的細化步驟包括：

步驟501、在所述周期為N*T的方波的前半個周期的最后預置時長內，采樣所述測量電阻的第一電壓值，且在后半個周期的最后預置時長內，采樣所述測量電阻的第二電壓值；

步驟502、根據所述第一電壓值與所述第二電壓值計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗。

在本發(fā)明實施例中，在向待測設備輸入周期為N*T的方波之后，將在周期為N*T的方波的前半個周期的最后預置時長內，采樣測量電阻的第一電壓值，且在后半個周期的最后預置時長內，采樣測量電阻的第二電壓值，即對于不同周期的方波，都將對該方波的一個周期進行采樣。

在采樣得到第一電壓值及第二電壓值之后，將根據該第一電壓值與該第二電壓值計算在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗。具體，將利用第一電壓值及第二電壓值進行求平均運算，得到電壓均值，其中，求電壓均值主要是為了避免直流分量對電壓值的的影響，且在得到電壓均值之后，將利用該周期為N*T的方波的輸入電壓、該電壓均值、測量電阻的電阻計算在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗。

其中，可按照如下公式計算在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗：

其中，R_N表示在所述周期為N*T時的絕緣阻抗，所述U表示所述周期為N*T的方波的輸入電壓，U_N表示所述電壓均值，R_F表示所述測量電阻的電阻。

通過上述方式，能夠有效的計算得到在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗。

請參閱圖6，為本發(fā)明第二實施例中絕緣阻抗測量設備的功能模塊的示意圖，該絕緣阻抗測量設備包括：輸入模塊601、采樣計算模塊602、第一返回模塊603、確定模塊604、第二返回模塊605。

輸入模塊601，用于在所述絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向所述待測設備輸入周期為N*T的方波，所述N為正整數且N的初始值為1，所述T為預置的周期；

在本發(fā)明實施例中，若需要進行絕緣阻抗的測量，則需要將絕緣阻抗測量設備與待測設備連接，具體的，可以是將絕緣阻抗測量設備的方波輸出接口與待測設備信號輸入接口連接，以便絕緣阻抗測量設備可以通過本發(fā)明改進的低頻信號注入法測量該待測設備的絕緣阻抗。

為了更好的的理解本發(fā)明實施例中的技術方案，請參閱圖3a，圖3a為低頻信號注入法的工作原理的示意圖，請參閱圖3b，圖3b為圖3a的等效電路圖。

在圖3a中，方波信號是由絕緣阻抗測量設備輸入待測設備的一個已知幅度的低頻交流信號(方波信號)，且該方波信號在經過待測設備之后，將從待測設備的電池正負極反饋回絕緣阻抗測量設備，即將到達絕緣阻抗測量設備內的測試電阻R_F，通過采樣該測試電阻兩端的電壓值，能夠得到反饋回的輸出電壓(如圖1所示)，可以基于該輸出電壓得到待測設備的絕緣阻抗。其中，R1和R2為測量電路比例電阻，非系統(tǒng)絕緣電阻。

在圖3b中，C1及C2即為Y電容，在輸入方波之后，在該方波的高電壓所在的半周期內，將對Y電容進行充電，在該方波的低電壓所在的半周期內，將對該Y電容進行放電。在Y電容較大時，將該Y電容充滿電及釋放完電所需要的時間就較長，且在該Y電容充滿電所需要的時間大于輸入的方波的半個周期，且Y電容釋放完電所需要的時間也大于輸入的方波的半個周期時，輸出電壓將如圖1所示Y電容較大的情況，即輸出電壓偏大，即表明待測設備兩端的電壓偏小，將導致最終測量得到的待測設備的絕緣阻抗偏小。本發(fā)明實施例中的技術方案即為增大方波的周期，以使得方波的半個周期大于Y電容充滿電所需要的時間，且方波的半個周期大于Y電容釋放完電所需要的時間，且在這種情況下，輸出電壓將在“斜坡”之后，將形成穩(wěn)定的直線，即輸出電壓在半個周期的最后某一段時間內將為穩(wěn)定的電壓，可以將最后某一段時間作為采樣時間，對該采樣時間內穩(wěn)定的電壓進行采樣，以避免Y電容帶來的影響。請參閱圖3c，圖3c為輸出電壓的波形的示意圖，從圖3c可以看到，在輸入的方波的半個周期大于Y電容充滿電所需要的時間且大于Y電容釋放完電所需要的時間時，輸出電壓將存在平穩(wěn)區(qū)。

在本發(fā)明實施中，在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，輸入模塊601將向該待測設備輸入周期為N*T的方波，其中，該N為正整數，N的初始值為1，且T為預置的周期，即表明在測量待測設備的絕緣阻抗時，最初輸入的方波為一個周期的方波。例如，若T為4s，則表明在測量的開始，輸入的是周期為4s的方波，且在后續(xù)的測量過程中，還可能輸入8s的方波、12s的方波等等。

采樣計算模塊602，用于在每半個周期的最后預置時長內采樣所述絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗；

在本發(fā)明實施例中，在將待測設備與絕緣阻抗測量設備連接，且輸入方波之后，絕緣阻抗測量設備是通過采樣該絕緣阻抗設備內的測量電阻的電壓值，以基于該電壓值來確定在當前輸入的方波的情況下測量得到的絕緣阻抗的。具體的，采樣計算模塊602在輸入方波的每半個周期的最后預置時長內采樣該測量電阻的電壓值，并利用采樣得到的電壓值計算在方波的周期為N*T時絕緣阻抗。

其中，可以理解的是，方波的輸入與測量電阻的電壓值的采樣是同步的，例如，若方波的周期為4S，最后預置時長為320ms，則在輸入方波之后的(2s-320ms)開始進行采樣至2s，以實現(xiàn)在半個周期的最后320ms內采樣，且在輸入方波后的(4s-320ms)開始采樣至4s，以實現(xiàn)在半個周期的最后320ms內采樣，因此，對于方波的一個周期，絕緣阻抗測量設備將采樣兩次。

第一返回模塊603，用于在所述N等于1時，則令N＝N+1，返回所述輸入模塊601；

確定模塊604，用于在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則將所述周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗；

第二返回模塊605，用于在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則令N＝N+1，返回所述輸入模塊601。

在本發(fā)明實施例中，是利用兩個不同周期的方波得到的絕緣阻抗進行比較，以確定能夠避免Y電容影響的最小周期的方波。例如，需要使用方波的周期為2T時的絕緣阻抗與方波的周期為T時的絕緣阻抗進行比較，需要使用方波的周期為3T時的絕緣阻抗與方波的周期為2T時的絕緣阻抗進行比較，并依次類推。且在N等于1時，并不需要進行比較，而是需要繼續(xù)輸入周期為2T的方波，因此，在N等于1時，第一返回模塊603將令N＝N+1，并返回輸入模塊601由輸入模塊601向待測設備輸入周期為為N*T的方波，以便得到方波的周期為為N*T時的絕緣阻抗。

在本發(fā)明實施例中，在N不等于1時，則將利用方波的周期為N*T時的絕緣阻抗與已計算的在方波的周期為(N-1)*T時絕緣阻抗進行比較，若在方波的周期為N*T時絕緣阻抗小于或等于在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則確定模塊604將在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為待測試設備的絕緣阻抗。

其中，若方波的周期為N*T時的絕緣阻抗大于在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則表明還需要繼續(xù)增大方波的周期，第二返回模塊605將令N＝N+1，返回輸入模塊601，由輸入模塊601向待測設備輸入周期為N*T的方波的步驟。

可以理解的是，在Y電容對測量的絕緣阻抗產生影響時，測量得到的絕緣阻抗是比實際阻抗偏小的，而隨著輸入方波的周期逐漸增大，該測量得到的絕緣阻抗將越來越接近實際阻抗，是逐漸增大的，因此，在周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗時，表明在周期為(N-1)*T時測量得到的絕緣阻抗已經最接近實際阻抗，已經避免了Y電容的影響，因此，可以將周期為(N-1)*T作為避免Y電容影響的最小周期，且在該周期下的絕緣阻抗可以作為待測設備的絕緣阻抗。

在本發(fā)明實施例中，在絕緣阻抗測量設備與待測設備連接之后，向該待測設備輸入周期為N*T的方波，且在每半個周期的最后預置時長內采樣該絕緣阻抗測量設備內的測量電阻的電壓值，且利用采樣得到的電壓值計算在該周期為N*T時的絕緣電阻，且在N不等于1時，若在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗小于或等于已計算的方波在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗,則將所述周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗作為所述待測設備的絕緣阻抗，且在方波的周期為周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則繼續(xù)增大方波的周期以確定能夠避免Y電容影響的最小周期，使得能夠完全避免Y電容對絕緣阻抗的影響，得到待測試設備準確的絕緣阻抗，避免Y電容對待測試設備的絕緣性判斷的影響。

基于圖6所示第二實施例，請參閱圖7，圖7為本發(fā)明第三實施例中絕緣阻抗測量設備的功能模塊的示意圖，該設備包括如圖6所示第二實施例中的輸入模塊601、采樣計算模塊602、第一返回模塊603、確定模塊604、第二返回模塊605，且與圖6所示實施例中描述的內容相似，此處不做贅述。

在本發(fā)明實施例中，該設備還包括：

判斷模塊701，用于在所述N不等于1時，若在所述周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗，則判斷所述N是否大于或等于預置的數值；

提示模塊702，用于當所述N大于或等于預置的數值時，輸出提示消息，以提示所述待測設備存在異常；

則所述第二返回模塊605具體用于當所述N小于預置的數值時，則令N＝N+1，返回所述輸入模塊601。

在本發(fā)明實施例中，在N不等于1，且在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗大于已計算的在方波的周期為(N-1)*T時的絕緣阻抗的情況下，判斷模塊701將判斷該N是否大于或等于預置的數值，當該N大于或等于預置的數值時，提示模塊702輸出提示消息，以提示該待測設備存在異常，可以理解的是，本發(fā)明實施例中，是通過設置預置的數值的方式以確定待測設備是否存在異常，其中，該異?？梢允荵電容過大(待測設備的質量存在問題)，使得在多次增加輸入的方波的周期之后，仍然無法確定能夠避免Y電容影響的最小周期的方波。或者，該異常還可以是待測設備漏電。

其中，在該N小于預置的數值時，則表明可繼續(xù)增大方波的周期，第二返回模塊605將令N＝N+1，并返回輸入模塊601。

在本發(fā)明實施例中，通過上述功能模塊能夠有效的控制增加方波的周期的次數，以避免無效的測量。

基于圖6所示第二實施例，請參閱圖8，圖8為本發(fā)明圖6所示第二實施例中采樣計算模塊602的細化功能模塊的示意圖，該采樣計算模塊602包括：采樣模塊801及計算模塊802。

采樣模塊801，用于在所述周期為N*T的方波的前半個周期的最后預置時長內，采樣所述測量電阻的第一電壓值，且在后半個周期的最后預置時長內，采樣所述測量電阻的第二電壓值；

計算模塊802，用于根據所述第一電壓值與所述第二電壓值計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗。

進一步的，計算模塊802包括：

平均運算模塊803，用于利用所述第一電壓值及所述第二電壓值進行求平均運算，得到電壓均值；

阻抗計算模塊804，用于利用所述周期為N*T的方波的輸入電壓、所述電壓均值、所述測量電阻的電阻計算在所述周期為N*T時的絕緣阻抗。

進一步的，所述阻抗計算模塊804具體用于：

按照如下公式計算所述在所述周期為N*T時的絕緣阻抗：

其中，R_N表示在所述周期為N*T時的絕緣阻抗，所述U表示所述周期為N*T的方波的輸入電壓，U_N表示所述電壓均值，R_F表示所述測量電阻的電阻。

在本發(fā)明實施例中，在向待測設備輸入周期為N*T的方波之后，采樣模塊801將在周期為N*T的方波的前半個周期的最后預置時長內，采樣測量電阻的第一電壓值，且在后半個周期的最后預置時長內，采樣測量電阻的第二電壓值，即對于不同周期的方波，都將對該方波的一個周期進行采樣。

在采樣得到第一電壓值及第二電壓值之后，計算模塊802將根據該第一電壓值與該第二電壓值計算在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗。具體，平均運算模塊803將利用第一電壓值及第二電壓值進行求平均運算，得到電壓均值，其中，求電壓均值主要是為了避免直流分量對電壓值的的影響，且在得到電壓均值之后，阻抗計算模塊804將利用該周期為N*T的方波的輸入電壓、該電壓均值、測量電阻的電阻計算在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗。

其中，阻抗計算模塊804可按照如下公式計算在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗：

其中，R_N表示在所述周期為N*T時的絕緣阻抗，所述U表示所述周期為N*T的方波的輸入電壓，U_N表示所述電壓均值，R_F表示所述測量電阻的電阻。

通過上述模塊，能夠有效的計算得到在方波的周期為N*T時的絕緣阻抗。

在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述模塊的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個模塊或組件可以結合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的模塊可以是或者也可以不是物理上分開的，作為模塊顯示的部件可以是或者也可以不是物理模塊，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網絡模塊上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能模塊可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個模塊單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上模塊集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實現(xiàn)。

所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為獨立的產品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術方案本質上或者說對現(xiàn)有技術做出貢獻的部分或者該技術方案的全部或部分可以以軟件產品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產品存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網絡設備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。

需要說明的是，對于前述的各方法實施例，為了簡便描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領域技術人員應該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時進行。其次，本領域技術人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定都是本發(fā)明所必須的。

在上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其它實施例的相關描述。

以上為對本發(fā)明所提供的一種絕緣阻抗測量方法及絕緣阻抗測量設備的描述，對于本領域的技術人員，依據本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制。