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      納米材料介電屏蔽型電子式光學(xué)電壓互感器的制作方法

      文檔序號(hào):11228906閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供一種納米材料介電屏蔽型電子式光學(xué)電壓互感器,包括:微型光學(xué)電場(chǎng)傳感單元,介電屏蔽單元和高壓電氣絕緣單元,以及與微型光學(xué)電場(chǎng)傳感單元通過(guò)光纖連接的光電及信號(hào)處理單元;用于在具有外界雜散電場(chǎng)干擾的實(shí)際運(yùn)行場(chǎng)合中以光學(xué)技術(shù)精確地測(cè)量電壓;介電屏蔽單元包括構(gòu)成介電屏蔽區(qū)域的納米復(fù)合材料介電屏蔽結(jié)構(gòu),用于消除或減弱此區(qū)域內(nèi)來(lái)自外界雜散電場(chǎng)的干擾;通過(guò)采用納米材料介電屏蔽材料,使得光學(xué)電壓互感器無(wú)論是在額定電壓下正常運(yùn)行或是在高于額定電壓的情況下進(jìn)行各類試驗(yàn)或檢測(cè)時(shí),都既能以充分的介電屏蔽效果減弱各種因素造成的外界雜散電場(chǎng)干擾,又能有效地將介電屏蔽結(jié)構(gòu)的發(fā)熱降低到允許程度,使得安置在納米材料介電屏蔽區(qū)域中的微型光學(xué)電場(chǎng)傳感單元可以準(zhǔn)確而穩(wěn)定地測(cè)出所在處的電場(chǎng)值,再通過(guò)光電及信號(hào)處理單元精確地求出待測(cè)電壓值。

      技術(shù)研發(fā)人員:灣世偉;灣曉文
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:灣世偉;灣曉文
      技術(shù)研發(fā)日:2016.11.14
      技術(shù)公布日:2017.09.08
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