本發(fā)明一般涉及加性制造，以及更具體來說涉及用于加性制造中的檢查和過程控制的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)：

加性制造是一種過程，其中材料逐層建立以形成組件。與澆鑄過程不同，加性制造僅由機(jī)器的位置分辨率(positionresolution)來限制，而不由對(duì)于如由澆鑄所要求的提供拔模角度、避免懸垂等的要求來限制。加性制造也通過諸如“分層制造”、“反向加工”、“直接金屬激光熔融”(dmlm)和“3-d印刷”的術(shù)語來參考。為了本發(fā)明的目的，這類術(shù)語被看作是同義詞。

現(xiàn)有技術(shù)加性制造過程通常要求構(gòu)建后檢查過程、例如計(jì)算機(jī)化斷層掃描(“ct”)，以檢驗(yàn)構(gòu)建的完整性。盡管有效，這個(gè)過程要求不合需要的額外時(shí)間和成本。

相應(yīng)地，存在對(duì)用于加性制造的實(shí)時(shí)檢查過程的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

這個(gè)需要通過非接觸式聲學(xué)原位檢查的方法來解決。

按照本文所述技術(shù)的一個(gè)方面，提供一種用于檢查加性制造過程的方法，在該加性制造過程中定向能量源用來在大量粉末材料的暴露的構(gòu)建表面處創(chuàng)建熔池，并且選擇地熔合粉末材料以形成加工件。該方法包含：使用非接觸式方法在構(gòu)建表面中生成聲波；響應(yīng)于聲波而使用非接觸式方法來測(cè)量構(gòu)建表面的位移；以及通過分析構(gòu)建表面的位移來確定加工件的至少一個(gè)表面下材料性質(zhì)。

按照本文所述技術(shù)的另一方面，一種制作加工件的方法包含：沉積粉末材料，以便限定構(gòu)建表面；定向來自定向能量源的構(gòu)建波束，以便在構(gòu)建表面中創(chuàng)建熔池，并且按照與加工件的截面層對(duì)應(yīng)的圖案選擇地熔合粉末材料；使用非接觸式方法在構(gòu)建表面中生成聲波；響應(yīng)于聲波而使用非接觸式方法測(cè)量構(gòu)建表面的位移；以及通過分析構(gòu)建表面的位移來確定加工件的至少一個(gè)表面下材料性質(zhì)。

按照本文所述技術(shù)的另一方面，提供一種用于檢查加性制造過程的設(shè)備，在該加性制造過程中定向能量源用來在大量粉末材料的暴露的構(gòu)建表面處創(chuàng)建熔池，并且選擇地熔合粉末材料以形成加工件。該設(shè)備包含：非接觸式裝置，配置成在構(gòu)建表面中生成聲波；以及非接觸式裝置，配置成響應(yīng)于聲波而測(cè)量構(gòu)建表面的位移。

本發(fā)明提供一組技術(shù)方案,如下:

1.一種檢查加性制造過程的方法，在所述加性制造過程中定向能量源用來在大量粉末材料的暴露的構(gòu)建表面處創(chuàng)建熔池，并且選擇地熔合所述粉末材料以形成加工件，所述方法包括：

使用非接觸式方法在所述構(gòu)建表面中生成聲波；

響應(yīng)于所述聲波而使用非接觸式方法來測(cè)量所述構(gòu)建表面的位移；以及

通過分析所述構(gòu)建表面的所述位移來確定所述加工件的至少一個(gè)表面下材料性質(zhì)。

2.如技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述聲波由所述定向能量源來生成。

3.如技術(shù)方案1所述的方法，其中，所述聲波由所述熔池的創(chuàng)建固有地生成。

4.如技術(shù)方案1所述的方法，其中，與所述定向能量源分離的探測(cè)激光器用來生成所述聲波。

5.如技術(shù)方案1所述的方法，其中，在所述加性制造過程期間，在一個(gè)或多個(gè)層完成之后生成所述聲波并且測(cè)量位移。

6.如技術(shù)方案1所述的方法，其中，表面位移使用與所述定向能量源分離的監(jiān)測(cè)激光器來測(cè)量。

7.如技術(shù)方案1所述的方法，其中：

單個(gè)波束導(dǎo)引設(shè)備用來導(dǎo)引來自所述定向能量源的所述構(gòu)建波束和下列中的至少一個(gè)：來自探測(cè)激光器的探測(cè)波束以及來自監(jiān)測(cè)激光器的監(jiān)測(cè)波束。

8.如技術(shù)方案1所述的方法，其中,所述表面下形狀包括所述加工件中的至少一個(gè)缺陷。

9.如技術(shù)方案1所述的方法，還包括響應(yīng)于所述加工件的所確定表面下性質(zhì)而控制至少一個(gè)構(gòu)建過程參數(shù)。

10.如技術(shù)方案1所述的方法，還包括：

通過分析所述構(gòu)建表面的所述位移來識(shí)別所述加工件的缺陷；以及

通過使用所述定向能量源來在所述缺陷之上創(chuàng)建熔池，準(zhǔn)許先前熔合材料流入并且填充所述缺陷，來修復(fù)所述缺陷。

11.如技術(shù)方案1所述的方法，還包括響應(yīng)于所述加工件的所確定表面下性質(zhì)、結(jié)合來自至少一個(gè)其他過程傳感器的數(shù)據(jù)來控制至少一個(gè)構(gòu)建過程參數(shù)。

12.一種制作加工件的方法,包括:

沉積粉末材料，以便限定構(gòu)建表面；

定向來自定向能量源的構(gòu)建波束，以便在所述構(gòu)建表面中創(chuàng)建熔池，并且按照與所述加工件的截面層對(duì)應(yīng)的圖案選擇地熔合所述粉末材料；

使用非接觸式方法在所述構(gòu)建表面中生成聲波；

響應(yīng)于所述聲波而使用非接觸式方法測(cè)量所述構(gòu)建表面的位移；以及

通過分析所述構(gòu)建表面的所述位移來確定所述加工件的至少一個(gè)表面下材料性質(zhì)。

13.如技術(shù)方案12所述的方法,還包括以循環(huán)方式重復(fù)沉積和熔合的步驟以便以逐層方式建立所述加工件。

14.如技術(shù)方案12所述的方法,其中,所述聲波由定向能量源生成。

15.如技術(shù)方案12所述的方法,其中,所述聲波在所述熔池的形成期間固有地生成。

16.如技術(shù)方案12所述的方法,其中，與所述定向能量源分離的探測(cè)激光器用來生成所述聲波。

17.如技術(shù)方案12所述的方法，其中，在所述加性制造過程期間，在一個(gè)或多個(gè)層完成之后生成所述聲波并且測(cè)量位移。

18.如技術(shù)方案12所述的方法，其中，表面位移使用與所述定向能量源分離的監(jiān)測(cè)激光器來測(cè)量。

19.如技術(shù)方案12所述的方法，其中：

單個(gè)波束導(dǎo)引設(shè)備用來導(dǎo)引來自所述定向能量源的所述構(gòu)建波束和下列中的至少一個(gè)：來自探測(cè)激光器的探測(cè)波束以及來自監(jiān)測(cè)激光器的監(jiān)測(cè)波束。

20.如技術(shù)方案1所述的方法，還包括將所述至少一個(gè)表面下材料性質(zhì)與已知良好的加工件的模型表示相比較。

附圖說明

通過參照結(jié)合附圖進(jìn)行的下面的描述，可最好地理解本發(fā)明，附圖包括：

圖1是示范加性制造設(shè)備的示意截面圖；

圖2是圖1的一部分的放大視圖；

圖3是備選加性制造設(shè)備的示意截面圖；

圖4是示出表示檢查數(shù)據(jù)的單元矩陣的示意圖表；以及

圖5是示出表示加工件的模型的單元矩陣的示意圖表。

具體實(shí)施方式

參照附圖，其中相同參考數(shù)字在各個(gè)視圖中通篇表示相同元件，圖1示意圖示用于執(zhí)行加性制造方法的設(shè)備10?；窘M件是工作臺(tái)12、粉末供應(yīng)裝置14、刮板或重涂器(recoater)16、溢出容器18、由構(gòu)建室22所包圍的構(gòu)建平臺(tái)20、定向能量源24和波束導(dǎo)引設(shè)備26，全部由外殼28包圍。下面將更詳細(xì)描述這些組件的每個(gè)。

工作臺(tái)12是限定平面工作表面30的剛性結(jié)構(gòu)。工作表面30與虛擬工作平面是共面的并且限定虛擬工作平面。在所圖示示例中，它包含：構(gòu)建開口32，與構(gòu)建室22進(jìn)行通信，并且暴露構(gòu)建平臺(tái)20；供應(yīng)開口34，與粉末供應(yīng)裝置14進(jìn)行通信；以及溢出開口36，與溢出容器18進(jìn)行通信。

重涂器16是剛性的橫向延長結(jié)構(gòu)，其位于工作表面30上。它連接到致動(dòng)器38，其可操作以選擇地沿工作表面30移動(dòng)重涂器16。以諸如氣動(dòng)或液壓缸、滾珠絲杠或線性電致動(dòng)器等的裝置可用于此目的的理解在圖1中示意描繪致動(dòng)器38。

粉末供應(yīng)裝置14包括在供應(yīng)開口34下面并且與其進(jìn)行通信的供應(yīng)容器40以及升降機(jī)42。升降機(jī)42是板狀結(jié)構(gòu)，其在供應(yīng)容器40內(nèi)是可垂直滑動(dòng)的。它連接到致動(dòng)器44，其可操作以選擇地向上或向下移動(dòng)升降機(jī)42。以諸如氣動(dòng)或液壓缸、滾珠絲杠或線性電致動(dòng)器等的裝置可用于此目的的理解在圖1中示意描繪致動(dòng)器44。當(dāng)升降機(jī)42降低時(shí)，預(yù)期組成(例如金屬、陶瓷和/或有機(jī)粉末)的粉末“p”的供應(yīng)可裝載到供應(yīng)容器40中。當(dāng)升降機(jī)42升高時(shí)，它將粉末p暴露在工作表面30上方。

構(gòu)建平臺(tái)20是板狀結(jié)構(gòu)，其在構(gòu)建開口32下面是可垂直滑動(dòng)的。它連接到致動(dòng)器46，其可操作以選擇地向上或向下移動(dòng)構(gòu)建平臺(tái)20。以諸如氣動(dòng)或液壓缸、滾珠絲杠或線性電致動(dòng)器等的裝置可用于此目的的理解在圖1中示意描繪致動(dòng)器46。當(dāng)構(gòu)建平臺(tái)20在構(gòu)建過程期間降低到構(gòu)建室22中時(shí)，構(gòu)建室22和構(gòu)建平臺(tái)20共同包圍和支承大量粉末p連同被構(gòu)建的任何組件。這種大量粉末通常稱作“粉末層”，以及這種特定類別的加性制造過程可稱作“粉末層過程”。

溢出容器18在溢出開口36下面并且與其通信，并且用作過量粉末p的貯存器。

定向能量源24可包括任何已知裝置，其可操作以生成適當(dāng)功率和其他操作特性的波束，以便在構(gòu)建過程期間熔融和熔合金屬粉末，下面更詳細(xì)描述。例如，定向能量源24可以是激光器。其他定向能量源、例如電子束槍是激光器的適當(dāng)備選方案。

波束導(dǎo)引設(shè)備26可包含一個(gè)或多個(gè)反射鏡、棱鏡、磁場(chǎng)和/或透鏡，并且提供有適當(dāng)致動(dòng)器，以及被布置,使得來自定向能量源24的波束“b”能夠聚焦成預(yù)期光點(diǎn)大小并且導(dǎo)引到與工作表面30一致的平面中的預(yù)期位置。為了方便的描述的目的，這個(gè)平面可稱作x-y平面，以及與x-y平面垂直的方向表示為z方向(x、y和z是三個(gè)相互垂直的方向)。波束b在本文中可稱作“構(gòu)建波束”。

外殼28用來隔離和保護(hù)設(shè)備10的其他組件。它可提供有例如氮、氬或其他氣體或者氣體混合物的適當(dāng)屏蔽氣體“g”的流(flow)。氣體g可作為靜態(tài)加壓體積或者作為動(dòng)態(tài)流來提供。外殼28可分別提供有入口和出口端口48、50用于此目的。

使用上述設(shè)備的加工件w的基本構(gòu)建過程如下。將構(gòu)建平臺(tái)20移動(dòng)到初始高位置。構(gòu)建平臺(tái)20降低低于工作表面30所選層增量。層增量影響加性制造過程的速度和加工件w的分辨率。作為示例，層增量可以為大約10至50微米(0.0003至0.002英寸)。粉末“p”然后沉積在例如構(gòu)建平臺(tái)20之上，供應(yīng)容器40的升降機(jī)42可升高以經(jīng)過供應(yīng)開口34來推送粉末，從而將它暴露在工作表面30上方。重涂器16跨工作表面移動(dòng)，以便在構(gòu)建平臺(tái)20之上水平地散布升高的粉末p。當(dāng)重涂器16從左到右通過時(shí)，任何過量粉末p經(jīng)過溢出開口36落入溢出容器18中。隨后，重涂器16可移回到起始位置。弄平的粉末p可稱作“構(gòu)建層”52，并且其暴露的上表面可稱作“構(gòu)建表面”54(參見圖2)。

定向能量源24用來熔融被構(gòu)建的加工件w的二維截面或?qū)?。定向能量?4發(fā)射波束“b”，以及波束導(dǎo)引設(shè)備26用來按照適當(dāng)圖案在暴露的粉末表面之上導(dǎo)引構(gòu)建波束b的焦點(diǎn)“s”。包圍焦點(diǎn)s的粉末p的暴露層的小部分(在本文中稱作“熔池”56(在圖2中最好地看到))通過構(gòu)建波束b加熱到允許它燒結(jié)、熔融和/或流動(dòng)并且因此固結(jié)的溫度。作為示例，熔池56可以是大約100微米(0.004英寸)寬。這個(gè)步驟可稱作熔合粉末p。

構(gòu)建平臺(tái)20垂直向下移動(dòng)層增量，以及按照類似厚度來施加另一層粉末p。定向能量源24再次發(fā)射構(gòu)建波束b，以及波束導(dǎo)引設(shè)備26用來按照適當(dāng)圖案在暴露的粉末表面之上導(dǎo)引構(gòu)建波束b的焦點(diǎn)s。粉末p的暴露層通過構(gòu)建波束b加熱到允許它熔融、流動(dòng)并且在頂層內(nèi)并且與先前凝固的下層固結(jié)的溫度。

重復(fù)移動(dòng)構(gòu)建平臺(tái)20、施加粉末p并且然后定向能量熔融粉末p的這個(gè)循環(huán)，直到整個(gè)加工件w完成。

圖2更詳細(xì)示出在上述類型的粉末層中構(gòu)成的加工件w。示范加工件w包含通過水平壁62所互連的一對(duì)間隔開的垂直壁58、60?？涨?4存在于垂直壁58、60之間，并且填充有粉末p；附加粉末p存在于垂直壁58、60與構(gòu)建室22的側(cè)壁之間。加工件w示為具有設(shè)置在其中的示范缺陷66(具體來說是空隙)。能夠使用這種方法來檢測(cè)的缺陷類型的非限制性示例包含氣孔、裂縫和密度變化。這個(gè)特定缺陷66位于構(gòu)建表面54下面，并且因而通過表面檢查方法將不會(huì)是可檢測(cè)的。

非接觸式聲學(xué)檢查過程可結(jié)合到上述構(gòu)建過程中。一般來說，檢查過程包含使用非接觸式方法在構(gòu)建表面54中生成聲波，并且使用非接觸式方法來監(jiān)測(cè)返回信號(hào)。一般來說，這種類型的檢查過程可稱作“激光超聲檢查”。

可使用在構(gòu)建層52中生成聲波的任何非接觸式部件。例如，構(gòu)建波束b在生成熔池56中的動(dòng)作固有地生成從熔池56輻射出的聲波。可監(jiān)測(cè)來自這個(gè)聲波的返回信號(hào)。

提供用于監(jiān)測(cè)返回信號(hào)的部件。在圖1和圖2所示的示例中，低功率連續(xù)波(“cw”)或脈動(dòng)監(jiān)測(cè)激光器68或者其他適當(dāng)裝置被定位,以便能夠?qū)⒈O(jiān)測(cè)波束m定向在構(gòu)建表面54處。監(jiān)測(cè)波束m可經(jīng)過與構(gòu)建波束b相同的波束導(dǎo)引設(shè)備26來定向。構(gòu)建表面54的偏移(deflection)(通過在構(gòu)建表面54處的返回信號(hào)的到達(dá)所引起)又引起構(gòu)建表面54上方的氣體“g”的折射率中的變化，其最終影響監(jiān)測(cè)波束m的通路。監(jiān)測(cè)波束通路中的變化能夠由光電檢測(cè)器70來感測(cè)。這種類型的聲學(xué)檢測(cè)通常稱作氣體耦合激光聲學(xué)檢測(cè)或“gclad”。許多其他類型的干涉計(jì)是已知的，并且能夠替代監(jiān)測(cè)激光器68和光電二極管70。在這個(gè)示例中，監(jiān)測(cè)波束m的返回信號(hào)經(jīng)過分束器72定向到光電檢測(cè)器70；用來聚焦和/或定向監(jiān)測(cè)波束m的特定硬件對(duì)于本發(fā)明不是關(guān)鍵的。

備選地，構(gòu)建波束b能夠相對(duì)于用來熔合粉末p的功率級(jí)調(diào)制到降低的功率級(jí)，并且定向到構(gòu)建表面54以生成聲波。例如，構(gòu)建波束b的功率級(jí)在層的構(gòu)建期間在高與低等級(jí)之間能夠被交替。備選地，能夠熔合粉末p的完成層，并且然后在施加粉末p的下一層增量之前，能夠在構(gòu)建表面54之上以降低的功率級(jí)來重新掃描構(gòu)建波束b，以生成聲波。

備選地，如圖3所示，探測(cè)波束pb(由單獨(dú)探測(cè)激光器74或者其他適當(dāng)輻射能量裝置所生成)可具體用于那個(gè)目的。如圖4所示，探測(cè)波束pb可選地可經(jīng)過與構(gòu)建波束b相同的波束導(dǎo)引設(shè)備26來定向。

包含檢查裝置(例如探測(cè)激光器74、監(jiān)測(cè)激光器68和/或光電檢測(cè)器70)的設(shè)備10的操作可通過運(yùn)行于圖1中通過控制器75一般表示的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)中體現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)處理器上的軟件來控制。相同控制器75可用來檢索和分析傳感器數(shù)據(jù)，用于統(tǒng)計(jì)分析、統(tǒng)計(jì)過程控制和用于反饋控制。

上述方法生成與從構(gòu)建表面54到表面下結(jié)構(gòu)并且返回的聲波的往返行程時(shí)間有關(guān)的信息，在已知所述的材料的聲速的情況下,這能夠用來確定一個(gè)或多個(gè)表面下材料性質(zhì)，例如在構(gòu)建表面54下面的材料的厚度和/或密度。

在檢查過程期間，其中引起聲波的表面位置(例如探測(cè)波束焦點(diǎn))確定構(gòu)建表面54上的密度測(cè)量和/或厚度的x-y位置。監(jiān)測(cè)波束m的焦點(diǎn)位置不是關(guān)鍵的；換句話說，聲波傳播通路無需與構(gòu)建表面54直接垂直。在監(jiān)測(cè)波束焦點(diǎn)與探測(cè)波束pb(或其他源)的焦點(diǎn)間隔開的情況下，適當(dāng)計(jì)算能夠用來基于聲返回?cái)?shù)據(jù)來確定實(shí)際厚度。例如，可采用探測(cè)波束pb和監(jiān)測(cè)波束m的不同相對(duì)位置來對(duì)已知組成和厚度的板進(jìn)行測(cè)量。

探測(cè)波束pb能夠在構(gòu)建表面54之上按照x-y或光柵圖案來掃描，以建立與加工件w有關(guān)的信息。例如，圖4示出表示為單元76的網(wǎng)格的構(gòu)建表面54的小部分。每個(gè)單元76填充有表示測(cè)量材料厚度的影線圖案(hatchpattern)，其中更密的影線圖案指示更大的材料厚度。存在與垂直壁58中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一組78單元、與水平壁62對(duì)應(yīng)的第二組80單元以及與第二垂直壁60對(duì)應(yīng)的第三組82單元。第四組84單元對(duì)應(yīng)于缺陷66的位置。

圖4中看到的影線圖案只是為了描述的目的。在使用中，任何類型的便利表示可用來呈現(xiàn)厚度數(shù)據(jù)，例如變化圖案、顏色或亮度等級(jí)。數(shù)據(jù)還能夠通過數(shù)字或文本數(shù)據(jù)來表示。此外，單元76的大小、類型和布置可變化，以適合特定應(yīng)用。

這種檢查方法生成與在表面下面的材料的厚度有關(guān)的信息。材料厚度中的不同變化能夠是缺陷66的存在的指示。但是，組件還可包含離散厚度變化。在示例加工件w中，在垂直壁58、60與水平壁62之間的過渡處存在離散厚度變化。取決于加工件w和缺陷的幾何結(jié)構(gòu)，檢查方法可以不能夠?qū)⑦@類有意特征與缺陷加以區(qū)分。

因此，對(duì)于最佳結(jié)果，實(shí)時(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)可與已知良好組件的模型相比較。例如，模型能夠包含與每層內(nèi)的每個(gè)x-y位置的預(yù)計(jì)材料厚度有關(guān)的信息。圖5圖示表示為單元86的網(wǎng)格的構(gòu)建表面54的小部分。每個(gè)單元86填充有表示測(cè)量材料厚度的影線圖案，其中更密的影線圖案指示更大的材料厚度。存在與垂直壁58中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一組88單元、與水平壁62對(duì)應(yīng)的第二組90單元以及與第二垂直壁60對(duì)應(yīng)的第三組92單元。圖5與圖4的比較清楚地示出，圖4所示的第四組84單元76是非預(yù)計(jì)的并且最可能是缺陷。

上述檢查方法可在加性制造過程中為了各種目的而實(shí)現(xiàn)。例如，在每個(gè)構(gòu)建層52的熔合期間，或者緊接每個(gè)構(gòu)建層52完成之后，或者在若干構(gòu)建層52已完成之后，能夠進(jìn)行檢查。這允許每層或每組層已經(jīng)正確構(gòu)建并且沒有缺陷的確認(rèn)。

如果發(fā)現(xiàn)加工件具有缺陷，則能夠放棄構(gòu)建過程。備選地，如果發(fā)現(xiàn)缺陷，則設(shè)備10能夠用來通過將構(gòu)建波束b定向到加工件w在缺陷之上，創(chuàng)建重新熔合材料的熔池，并且準(zhǔn)許它流入并且填充缺陷，來修復(fù)缺陷。

上述檢查過程可用來提供實(shí)時(shí)反饋，其能夠用來修改加性構(gòu)建過程。例如，如果檢查過程確定構(gòu)建正創(chuàng)建缺陷，則諸如激光器功率、掃描速度、氣流等的一個(gè)或多個(gè)過程參數(shù)可變化，以便將性能恢復(fù)到標(biāo)稱或者消除缺陷源。

上述檢查過程還可用作統(tǒng)計(jì)過程控制的計(jì)劃的部分。具體來說，檢查過程能夠用來識(shí)別過程中的變化源。過程參數(shù)然后能夠在后續(xù)構(gòu)建中變更，以減少或消除變化源。

來自聲學(xué)檢查設(shè)備的數(shù)據(jù)可與一個(gè)或多個(gè)其他過程傳感器(例如光電二極管、高溫計(jì)、聲傳感器、拍攝裝置或分光計(jì))結(jié)合使用。來自過程傳感器的信息可用作過程的統(tǒng)計(jì)過程控制或反饋控制的附加數(shù)據(jù)源，如上所述。通用傳感器94在圖1中示意示出。

本文所述過程具有優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的若干優(yōu)點(diǎn)。具體來說，它允許以高準(zhǔn)確性映射加性結(jié)構(gòu)中的懸垂層的厚度以及與標(biāo)稱的變化的檢測(cè)。這具有消除諸如現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)前使用的ct掃描的構(gòu)建后質(zhì)量控制過程的可能性。

前面描述了用于加性制造過程的非接觸式聲學(xué)檢查的設(shè)備和方法。本說明書(包含任何所附權(quán)利要求書、摘要和附圖)中公開的所有特征和/或如此公開的任何方法或過程的所有步驟可組合在任何組合中，除了其中這類特征和/或步驟的至少一些是互斥的組合之外。

本說明書(包含任何所附權(quán)利要求書、摘要和附圖)中公開的每個(gè)特征可通過服務(wù)相同、等效或類似目的的備選特征來替代，除非另有明確規(guī)定。因此，除非另有明確規(guī)定，否則所公開的每個(gè)特征只是等效或類似特征的一般系列的一個(gè)示例。

本發(fā)明并不局限于前面(一個(gè)或多個(gè))實(shí)施例的細(xì)節(jié)。本發(fā)明擴(kuò)展本說明書(包含任何所附潛在新穎點(diǎn)、摘要和附圖)中公開的特征的任何新穎特征或者任何新穎組合或者擴(kuò)展到如此公開的任何方法或過程的步驟的任何新穎步驟或者任何新穎組合。

部件列表

10設(shè)備

12工作臺(tái)

14粉末供應(yīng)裝置

16重涂器

18容器

20平臺(tái)

22室

24能量源

26導(dǎo)引設(shè)備

28外殼

30工作表面

32構(gòu)建開口

34供應(yīng)開口

36溢出開口

38致動(dòng)器

40供應(yīng)容器

42升降機(jī)

44致動(dòng)器

46致動(dòng)器

48入口端口

50出口端口

52構(gòu)建層

54構(gòu)建表面

56熔池

58垂直壁

60垂直壁

62水平壁

64空腔

66缺陷

68激光器

70光電檢測(cè)器

72分束器

74探測(cè)激光器

75控制器

76單元

78第一組

80第二組

82第三組

84第四組

86單元

88第一組

90第二組

92第三組

94傳感器