本發(fā)明屬于顯示面板測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種測(cè)試組件及其監(jiān)控顯示面板電性特性的方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

目前，在顯示面板的制程中，需要監(jiān)控測(cè)試顯示面板的顯示區(qū)域(即AA(Active Area)區(qū))中的電性特性，諸如薄膜晶體管的性能、柵極金屬線的電阻、源漏極金屬線的電阻(線電阻能夠表征金屬膜層厚度的均一性狀況)以及像素電極層覆蓋過(guò)孔后其的電阻等。

因此，需要在顯示面板的非顯示區(qū)域設(shè)置測(cè)試組件，以便對(duì)顯示面板的顯示區(qū)域中的電性特性進(jìn)行測(cè)試監(jiān)控。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種測(cè)試組件及其監(jiān)控顯示面板電性特性的方法、顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于監(jiān)控顯示面板電性特性的測(cè)試組件，設(shè)置于所述顯示面板的非顯示區(qū)，所述測(cè)試組件至少包括：淺孔測(cè)試元件、深孔測(cè)試元件及半接孔測(cè)試元件，所述淺孔測(cè)試元件用于獲取淺孔中源漏極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，所述深孔測(cè)試元件用于獲取深孔中柵極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，所述半接孔測(cè)試元件用于獲取半接孔中像素電極層分別與源漏極金屬層和柵極金屬層的接觸阻抗大小。

進(jìn)一步地，所述淺孔測(cè)試元件包括：柵極金屬層，設(shè)置于基板上；柵極絕緣層，設(shè)置于所述基板和所述柵極金屬層上；源漏極金屬層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；鈍化層，設(shè)置于所述源漏極金屬層和所述柵極絕緣層上；淺孔，形成于所述鈍化層中，所述淺孔將所述源漏極金屬層暴露；像素電極層，設(shè)置于所述鈍化層上，所述像素電極層通過(guò)所述淺孔與所述源漏極金屬層接觸。

進(jìn)一步地，所述淺孔測(cè)試元件的數(shù)量至少為兩個(gè)。

進(jìn)一步地，所述深孔測(cè)試元件包括：柵極金屬層，設(shè)置于基板上；柵極絕緣層，設(shè)置于所述基板和所述柵極金屬層上；鈍化層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；深孔，形成于所述鈍化層和所述柵極絕緣層中，所述深孔將所述柵極金屬層暴露；像素電極層，設(shè)置于所述鈍化層上，所述像素電極層通過(guò)所述深孔與所述柵極金屬層接觸。

進(jìn)一步地，所述深孔測(cè)試元件的數(shù)量至少為兩個(gè)。

進(jìn)一步地，所述半接孔測(cè)試元件包括：柵極金屬層，設(shè)置于基板上；柵極絕緣層，設(shè)置于所述基板和所述柵極金屬層上；有源層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；源漏極金屬層，設(shè)置于所述有源層上；鈍化層，設(shè)置于所述源漏極金屬層和所述柵極絕緣層上；半接孔，形成于所述鈍化層、所述源漏極金屬層、所述有源層及所述柵極絕緣層中，所述半接孔將所述柵極金屬層暴露；像素電極層，設(shè)置于所述鈍化層上，所述像素電極層通過(guò)所述半接孔與所述源漏極金屬層和所述柵極金屬層接觸。

進(jìn)一步地，所述半接孔測(cè)試元件的數(shù)量至少為一個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種顯示面板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域中設(shè)置有上述的測(cè)試組件。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，又提供了一種利用權(quán)利上述的測(cè)試組件監(jiān)控顯示面板的電性特性的方法，其包括：利用所述淺孔測(cè)試元件獲取淺孔中源漏極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，且利用所述深孔測(cè)試元件獲取深孔中柵極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小，且利用所述半接孔測(cè)試元件獲取半接孔中像素電極層分別與源漏極金屬層和柵極金屬層的接觸阻抗大小，從而監(jiān)控顯示面板的電性特性。

本發(fā)明的有益效果：通過(guò)設(shè)置三種測(cè)試元件，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控像素電極層覆蓋深孔、淺孔或半接孔后其的電阻大小，從而實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜晶體管中過(guò)孔的缺陷，降低生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的淺孔測(cè)試元件的側(cè)視示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的兩個(gè)淺孔測(cè)試元件的俯視示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的深孔測(cè)試元件的側(cè)視示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的兩個(gè)深孔測(cè)試元件的俯視示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半接孔測(cè)試元件的側(cè)視示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半接孔測(cè)試元件的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號(hào)在附圖中始終表示相同的元件。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖。這里，該顯示面板可以為液晶面板，但本發(fā)明并不限制于此。

參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板包括：顯示區(qū)域AA和非顯示區(qū)域NA，其中非顯示區(qū)域NA位于顯示區(qū)域AA之外，非顯示區(qū)域NA圍繞顯示區(qū)域AA，并且非顯示區(qū)域NA與顯示區(qū)域AA相連接。顯示區(qū)域AA中通常設(shè)置有若干陣列排布的薄膜晶體管以及其它必要的元件。

在本實(shí)施例中，在非顯示區(qū)域NA設(shè)置兩個(gè)淺孔測(cè)試元件、兩個(gè)深孔測(cè)試元件及一個(gè)半接孔測(cè)試元件。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，淺孔測(cè)試元件的數(shù)量不以?xún)蓚€(gè)為限，其可以為三個(gè)或者更多個(gè)；同樣地深孔測(cè)試元件的數(shù)量也不以?xún)蓚€(gè)為限，其也可以為三個(gè)或者更多個(gè)，半接孔測(cè)試元件的數(shù)量也不以一個(gè)為限，其也可以為兩個(gè)或者更多個(gè)。

在淺孔測(cè)試元件中，淺孔將淺孔測(cè)試元件的源漏極金屬層暴露，像素電極層通過(guò)該淺孔與源漏極金屬層接觸，通過(guò)量測(cè)兩個(gè)淺孔測(cè)試單元的源漏極金屬層，可以獲取淺孔中源漏極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小。淺孔測(cè)試元件的結(jié)構(gòu)具體請(qǐng)參照?qǐng)D2。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的淺孔測(cè)試元件的側(cè)視示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的兩個(gè)淺孔測(cè)試元件的俯視示意圖。在圖3中，為了便于圖示，未示出第一柵極金屬層110和第一柵極絕緣層120。

參照?qǐng)D2和圖3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的淺孔測(cè)試元件100包括：設(shè)置于基板400上的第一柵極金屬層110、設(shè)置于基板400和第一柵極金屬層110上的第一柵極絕緣層120、設(shè)置于第一柵極絕緣層120上且與第一柵極金屬層110相對(duì)的第一源漏極金屬層130、設(shè)置于第一源漏極金屬層130和第一柵極絕緣層120上的第一鈍化層140、形成在第一鈍化層140中的淺孔150以及設(shè)置于第一鈍化層140上的第一像素電極層160；其中淺孔150將第一源漏極金屬層130暴露，第一像素電極層160通過(guò)淺孔150與第一源漏極金屬層130接觸。

在本實(shí)施例中，兩個(gè)淺孔測(cè)試元件100的第一像素電極層160彼此連接在一起。需要說(shuō)明的是，當(dāng)有更多個(gè)淺孔測(cè)試元件100時(shí)，這些淺孔測(cè)試元件100的第一像素電極層160全部連接在一起。

此外，需要說(shuō)明的是，第一柵極金屬層110與薄膜晶體管的柵極同時(shí)形成，第一柵極絕緣層120與薄膜晶體管的柵極絕緣層同時(shí)形成，第一源漏極金屬層130與薄膜晶體管的源極和漏極同時(shí)形成，第一鈍化層140與薄膜晶體管的鈍化層同時(shí)形成，淺孔150與暴露薄膜晶體管的漏極的過(guò)孔同時(shí)形成，第一像素電極層160與通過(guò)過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極接觸的像素電極同時(shí)形成，但本發(fā)明并不限制于此。

在深孔測(cè)試元件中，深孔將深孔測(cè)試元件的柵極金屬層暴露，像素電極層通過(guò)該深孔與柵極金屬層接觸，通過(guò)量測(cè)兩個(gè)深孔測(cè)試元件的柵極金屬層，可以獲取深孔中柵極金屬層與像素電極層的接觸阻抗大小。深孔測(cè)試元件的結(jié)構(gòu)具體請(qǐng)參照?qǐng)D4。圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的深孔測(cè)試元件的側(cè)視示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的兩個(gè)深孔測(cè)試元件的俯視示意圖。

參照?qǐng)D4和圖5，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的深孔測(cè)試元件200包括：設(shè)置于基板400上的第二柵極金屬層210、設(shè)置于基板400和第二柵極金屬層210上的第二柵極絕緣層220、設(shè)置于第二柵極絕緣層220上的第二鈍化層230、形成在第二鈍化層230和第二柵極絕緣層220中的深孔240以及設(shè)置于第二鈍化層230上的第二像素電極層250；其中深孔240將第二柵極金屬層210暴露，第二像素電極層250通過(guò)深孔240與第二柵極金屬層210接觸。

在本實(shí)施例中，兩個(gè)深孔測(cè)試元件200的第二像素電極層250彼此連接在一起。需要說(shuō)明的是，當(dāng)有更多個(gè)深孔測(cè)試元件200時(shí)，這些深孔測(cè)試元件2000的第二像素電極層250全部連接在一起。

此外，需要說(shuō)明的是，第二柵極金屬層210與薄膜晶體管的柵極同時(shí)形成，第二柵極絕緣層220與薄膜晶體管的柵極絕緣層同時(shí)形成，第二鈍化層230與薄膜晶體管的鈍化層同時(shí)形成，深孔240與暴露薄膜晶體管的漏極的過(guò)孔同時(shí)形成，第二像素電極層250與通過(guò)過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極接觸的像素電極同時(shí)形成，但本發(fā)明并不限制于此。

在半接孔測(cè)試元件中，半接孔將半接孔測(cè)試元件的源漏極金屬層和柵極金屬層均暴露，像素電極層通過(guò)該淺孔與源漏極金屬層和柵極金屬層分別接觸，通過(guò)量測(cè)該半接孔測(cè)試元件的源漏極金屬層和柵極金屬層，可以獲取半接孔中源漏極金屬層和柵極金屬層分別與像素電極層的接觸阻抗大小。半接孔測(cè)試元件的結(jié)構(gòu)具體請(qǐng)參照?qǐng)D6。圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半接孔測(cè)試元件的側(cè)視示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半接孔測(cè)試元件的俯視示意圖。在圖7中，為了便于圖示，未示出第三柵極絕緣層320和有源層330。

參照?qǐng)D6和圖7，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半接孔測(cè)試元件300包括：設(shè)置于基板400上的第三柵極金屬層310、設(shè)置于基板400和第三柵極金屬層310上的第三柵極絕緣層320、設(shè)置于第三柵極絕緣層320上的有源層330、設(shè)置于第三柵極絕緣層320和有源層330上且與第三柵極金屬層310相對(duì)的第三源漏極金屬層340、設(shè)置于第三源漏極金屬層340和第三柵極絕緣層320上的第三鈍化層350、形成在第三鈍化層350中的半接孔360以及設(shè)置于第三鈍化層350上的第三像素電極層370；其中半接孔360將第三源漏極金屬層340以及第三柵極金屬層310暴露，第三像素電極層370通過(guò)半接孔360與第三源漏極金屬層340及第三柵極金屬層310接觸。

此外，需要說(shuō)明的是，第三柵極金屬層310與薄膜晶體管的柵極同時(shí)形成，第三柵極絕緣層320與薄膜晶體管的柵極絕緣層同時(shí)形成，有源層330與薄膜晶體管的有源層同時(shí)形成，第三源漏極金屬層340與薄膜晶體管的源極和漏極同時(shí)形成，第三鈍化層350與薄膜晶體管的鈍化層同時(shí)形成，半接孔360與暴露薄膜晶體管的漏極的過(guò)孔同時(shí)形成，第三像素電極層370與通過(guò)過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極接觸的像素電極同時(shí)形成，但本發(fā)明并不限制于此。

綜上所述，通過(guò)設(shè)置三種測(cè)試元件，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控像素電極層覆蓋深孔、淺孔或半接孔后其的電阻大小，從而實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜晶體管中過(guò)孔的缺陷，降低生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。