本發(fā)明實(shí)施例涉及石油天然氣勘探技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種巖層電阻率校正方法及裝置。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，致密砂巖儲(chǔ)層的勘探越來(lái)越受到重視。其中，致密砂巖儲(chǔ)層中的致密砂巖氣屬于非常規(guī)油氣藏，對(duì)非常規(guī)油氣藏的勘探開發(fā)是當(dāng)前解決我國(guó)能源問(wèn)題很重要的環(huán)節(jié)。通常情況下，通過(guò)對(duì)致密砂巖儲(chǔ)層的電特性(例如電阻率)的測(cè)量來(lái)測(cè)定致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性。

但現(xiàn)有技術(shù)中，由于不同應(yīng)力作用下巖石孔隙結(jié)構(gòu)的差別會(huì)導(dǎo)致復(fù)雜油氣儲(chǔ)集層(例如致密砂巖儲(chǔ)層)電阻率的測(cè)井響應(yīng)復(fù)雜多變，從而無(wú)法根據(jù)測(cè)量得到電阻率來(lái)準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種巖層電阻率校正方法及裝置，通過(guò)根據(jù)模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，使得校正后的巖層電阻率更加準(zhǔn)確，以便于能夠根據(jù)校正后的巖層電阻率來(lái)準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性。

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種巖層電阻率校正方法，包括：

測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力；

分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；

根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，其中，所述應(yīng)力類型包括：張性應(yīng)力或壓性應(yīng)力。

可選地，所述根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，包括：

根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)學(xué)擬合方式確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力，所述根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，包括：

根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

可選地，所述根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正，包括：

根據(jù)公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁，得到對(duì)所述張性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t1為所述校正后的電阻率，r_c1為所述測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₁為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₁、B₁以及C₁屬于所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬壓性應(yīng)力，所述根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，包括：

根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

可選地，所述根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正，包括：

根據(jù)公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂，得到對(duì)所述壓性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t2為所述校正后的電阻率，r_c2為所述測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₂為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₂、B₂以及C₂屬于所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，所述測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，包括：

根據(jù)三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測(cè)量單元，測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用于為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測(cè)量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用于測(cè)量位于所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻。

第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種巖層電阻率校正裝置，包括：

測(cè)量模塊，用于測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力；

第一確定模塊，用于分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

第二確定模塊，用于根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；

校正模塊，用于根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，其中，所述應(yīng)力類型包括：張性應(yīng)力或壓性應(yīng)力。

可選地，所述第二確定模塊具體用于：

根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)學(xué)擬合方式確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力，所述校正模塊，包括：

第一校正子模塊，用于根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

可選地，所述第一校正子模塊具體用于：

根據(jù)公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁，得到對(duì)所述張性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t1為所述校正后的電阻率，r_c1為所述測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₁為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₁、B₁以及C₁屬于所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬壓性應(yīng)力，所述校正模塊，包括：

第二校正子模塊，用于根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

可選地，所述第二校正子模塊具體用于：

根據(jù)公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂，得到對(duì)所述壓性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t2為所述校正后的電阻率，r_c2為所述測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₂為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₂、B₂以及C₂屬于所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，所述測(cè)量模塊包括：三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測(cè)量單元；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用于為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測(cè)量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用于測(cè)量位于所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻；

所述測(cè)量模塊具體用于：根據(jù)三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測(cè)量單元，測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力；進(jìn)一步地，分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率，并根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；進(jìn)一步地，根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，其中，所述應(yīng)力類型包括：張性應(yīng)力或壓性應(yīng)力?？梢姡ㄟ^(guò)根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，使得校正后的巖層電阻率更加準(zhǔn)確，以便于能夠根據(jù)校正后的巖層電阻率來(lái)準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1A為本申請(qǐng)巖層電阻率校正方法實(shí)施例一的流程示意圖；

圖1B為本申請(qǐng)巖層電阻率校正方法中應(yīng)用的測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2A為本申請(qǐng)實(shí)施例中巖心的受力方向示意圖；

圖2B為本申請(qǐng)巖層電阻率校正方法中應(yīng)用的測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3為不同圍壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖；

圖4為不同壓力差下電阻率隨圍壓的變化示意圖；

圖5為不同軸壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖；

圖6為不同壓力差下電阻率隨軸壓的變化示意圖；

圖7為本申請(qǐng)巖層電阻率校正裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

首先，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中所涉及的一些詞匯進(jìn)行解釋。

1)致密砂巖儲(chǔ)層

深層的致密砂巖儲(chǔ)層，具有超深高溫高壓、孔隙結(jié)構(gòu)復(fù)雜、地層壓力體系復(fù)雜、及地應(yīng)力較強(qiáng)等特點(diǎn)。

2)模擬張性應(yīng)力

通過(guò)將巖心放置在三軸方形夾持器中，調(diào)節(jié)軸壓與圍壓使得軸壓大于圍壓來(lái)模擬張性應(yīng)力。

3)模擬壓性應(yīng)力

通過(guò)將巖心放置在三軸方形夾持器中，調(diào)節(jié)軸壓與圍壓使得圍壓大于軸壓來(lái)模擬壓性應(yīng)力。

圖1A為本申請(qǐng)巖層電阻率校正方法實(shí)施例一的流程示意圖。本實(shí)施例的執(zhí)行主體可以為巖層電阻率校正裝置，該裝置可以通過(guò)軟件和/或硬件實(shí)現(xiàn)。如圖1A所示，本實(shí)施例的方法可以包括：

S101、測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。

本步驟中，測(cè)量模擬應(yīng)力的不同壓力差下巖心的電阻；可選地，所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力。例如：測(cè)量模擬張性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，和/或，測(cè)量模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。

圖1B為本申請(qǐng)巖層電阻率校正方法中應(yīng)用的測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖一?？蛇x地，通過(guò)根據(jù)三軸方形夾持器1、壓力泵2以及電阻測(cè)量單元3，測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。如圖1B所示，所述壓力泵2與所述三軸方形夾持器1的電阻測(cè)量端連接，用于為所述三軸方形夾持器1提供圍壓和軸壓；所述電阻測(cè)量單元3連接至所述三軸方形夾持器1的電阻測(cè)量端，用于測(cè)量位于所述三軸方形夾持器1中的巖心的電阻。

當(dāng)然，還可通過(guò)其它方式測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此并不作限制。

S102、分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率。

本步驟中，分別根據(jù)模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，確定該模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，例如：根據(jù)壓力差為P0下巖心的電阻1確定該壓力差下巖心的電阻率1，根據(jù)壓力差為P1下巖心的電阻2確定該壓力差下巖心的電阻率2?？蛇x地，分別根據(jù)模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，通過(guò)如下公式(1)確定該模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率：

r＝R×W×H/100L (1)

其中，r為不同壓力差下巖心的電阻率，單位(Ω·m)；R為不同壓力差下巖心的電阻，單位(Ω·m)；W為巖心的寬度，單位(cm)；H為巖心的高度，單位(cm)；L為巖心的長(zhǎng)度，單位(cm)。

當(dāng)然，分別根據(jù)模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，還可通過(guò)其它方式(例如，上公式的其它變形公式，或者其它計(jì)算公式)確定該模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此并不作限制。

S103、根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

本步驟中，根據(jù)所述模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；可選地，根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)學(xué)擬合方式確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。其中，數(shù)學(xué)擬合方式可以采用現(xiàn)有的擬合方式(例如，數(shù)據(jù)擬合方式、曲線擬合方式等)，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此并不作限制。例如，根據(jù)模擬張性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬張性應(yīng)力下的一組電阻率校正系數(shù)S1，可選地，S1包括但不限于：A₁、B₁以及C₁；根據(jù)模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬壓性應(yīng)力下的一組電阻率校正系數(shù)S2，可選地，S2包括但不限于：A₂、B₂以及C₂?？梢?，本步驟中，分別根據(jù)不同應(yīng)力類型在不同壓力差下巖心的電阻率，確定出對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的電阻率校正系數(shù)，以便于后續(xù)分別對(duì)測(cè)量得到的不同應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

當(dāng)然，本申請(qǐng)實(shí)施例中，根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，還可通過(guò)其它方式確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此并不作限制。

S104、根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

本步驟中，根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型(可選地，所述應(yīng)力類型包括：張性應(yīng)力或壓性應(yīng)力)下的巖層電阻率進(jìn)行校正，使得校正后的巖層電阻率更加準(zhǔn)確，以便于能夠根據(jù)校正后的巖層電阻率來(lái)準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性?？蛇x地，測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率為：實(shí)際井下測(cè)量得到的電阻率。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力，則根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)(例如，S1)，對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正?？蛇x地，根據(jù)公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁，得到對(duì)所述張性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t1為所述校正后的電阻率，r_c1為所述測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₁為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₁、B₁以及C₁屬于所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

當(dāng)然，根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，還可通過(guò)其它方式(例如，公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁的其它變形公式等)對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此并不作限制。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬壓性應(yīng)力，則根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)(例如，S2)，對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正?？蛇x地，根據(jù)公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂，得到對(duì)所述壓性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t2為所述校正后的電阻率，r_c2為所述測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₂為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₂、B₂以及C₂屬于所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

當(dāng)然，根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，還可通過(guò)其它方式(例如，公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂的其它變形公式等)對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正，本申請(qǐng)實(shí)施例中對(duì)此并不作限制。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力；進(jìn)一步地，分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率，并根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；進(jìn)一步地，根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，其中，所述應(yīng)力類型包括：張性應(yīng)力或壓性應(yīng)力?？梢姡ㄟ^(guò)根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，使得校正后的巖層電阻率更加準(zhǔn)確，以便于能夠根據(jù)校正后的巖層電阻率來(lái)準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性。

可選地，為了使得計(jì)算得到的模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率更加接近實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的電阻率，本申請(qǐng)實(shí)施例中在步驟S101之前，還包括如下步驟：

1)巖心加工

本實(shí)施例中，為了保證巖心各項(xiàng)測(cè)量參數(shù)的測(cè)量精度，通過(guò)將巖心加工成規(guī)則的正方體(可選地，5cm*5cm*5cm)，以便對(duì)巖心的三個(gè)方向上施加不同的壓力，以模擬應(yīng)力的不同應(yīng)力類型(即以實(shí)現(xiàn)模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力)和大小。圖2A為本申請(qǐng)實(shí)施例中巖心的受力方向示意圖，如圖2A所示，將一水平層理方向作為X方向，另一水平層理方向作為Y方向，垂直層理方向作為Z方向。可選地，巖心加工可以遵照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《工程巖體試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》(GB/T 50266-2013)制備，且?guī)r心切割后經(jīng)機(jī)械加工銑床加工成符合三軸方形夾持器要求的尺寸，以保證X、Y、Z三面的垂直度偏差小于±0.2°，且各自對(duì)應(yīng)端面的平整度誤差小于±0.1mm以及邊長(zhǎng)誤差小于±0.3mm?？蛇x地，為了區(qū)分不同巖心，可以在每個(gè)巖心上標(biāo)注巖心編號(hào)等相關(guān)信息。

2)巖心烘干

本實(shí)施例中，將每個(gè)巖心采用恒溫烘干法進(jìn)行烘干?？蛇x地，在烘干時(shí)，將溫度控制在[65℃,85℃]之間的溫度，歷時(shí)48小時(shí)，直至巖心恒重為止，并記錄巖心的尺寸和干重。

3)巖心飽和

本實(shí)施例中，配制與目標(biāo)地層的試水資料提供的礦化度相同的溶液，用于對(duì)所有巖心進(jìn)行加壓飽和。例如，大北克深地區(qū)由于目標(biāo)地層埋藏深，上覆地層壓力大且溫度高，目標(biāo)地層水礦化度高，飽和溶液標(biāo)準(zhǔn)取180000mg/L。可選地，巖心飽和處理過(guò)程如下：a)配用礦化度為180000mg/L的NaCl型鹽水，在15℃時(shí)，其電阻率為0.059Ω·m以及密度為1.1314g/cm3。b)對(duì)巖心抽真空5h以上，然后將巖心置入NaCl型鹽水中，并加壓飽和12h以上，使得巖心充分飽和，其中，加壓過(guò)程中依然要繼續(xù)抽真空較長(zhǎng)的時(shí)間，確保巖心100％飽和地層水(如NaCl型鹽水)，直到巖心重量不再變化為止。c)記錄巖心飽和后的尺寸和飽和重量，并存放于盛有飽和溶液(如NaCl型鹽水)的容器中備用。

可選地，通過(guò)如下公式計(jì)算巖心的孔隙度φ：

其中，ρ_s是NaCl型鹽水的密度，W_s為巖心飽和后的重量(單位：克)，W_d為巖心烘干后的重量(單位：克)，L、W、H分別為巖心的長(zhǎng)寬高(單位：厘米/cm)。

進(jìn)一步地，在步驟S101中，根據(jù)三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測(cè)量單元，測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。圖2B為本申請(qǐng)巖層電阻率校正方法中應(yīng)用的測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖二，如圖2B所示，測(cè)量裝置包括：三軸方形夾持器、壓力泵、電阻測(cè)量單元、溫控儀(用于控制巖心加熱溫度)、圍壓表(用于檢測(cè)圍壓)以及軸壓表(用于檢測(cè)軸壓)。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，測(cè)量模擬張性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，以及模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。可選地，通過(guò)調(diào)節(jié)加載到三軸方形夾持器1上的軸壓和圍壓大小來(lái)模擬不同應(yīng)力類型。其中，當(dāng)軸壓大于圍壓，即上覆地層壓力與水平最小地應(yīng)力相同，實(shí)現(xiàn)模擬張性應(yīng)力；當(dāng)圍壓大于軸壓，即上覆地層壓力與水平最大地應(yīng)力相同，實(shí)現(xiàn)模擬壓性應(yīng)力。如圖2A所示，巖心加工時(shí)已經(jīng)確定X方向是一水平層理方向，將X方向作為電阻測(cè)量方向，也是軸壓方向，模擬水平壓力X；Z、Y方向一起承受圍壓，模擬上覆地層壓力和水平壓力Y。

可選地，當(dāng)軸壓大于圍壓時(shí)，測(cè)量模擬張性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻的步驟如下：

第1步、按照巖心的測(cè)量方向?qū)⑵浞湃肴S方形夾持器1中密封，然后依次對(duì)軸向和圍向加低壓1MPa，并通過(guò)三軸方形夾持器1中的加熱器對(duì)巖心加熱至設(shè)定測(cè)量溫度。

第2步、調(diào)節(jié)軸壓和圍壓使二者達(dá)到一定的壓力差，保持溫度和壓力不變，待壓力平衡后測(cè)量巖心的電阻。

第3步、保持溫度和圍壓不變，依次按照第一預(yù)設(shè)間隔(例如1MPa、2MPa或5MPa等)增加軸壓，并依次在壓力平衡后測(cè)量巖心的電阻(記錄至表1)，直到軸壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大軸壓或預(yù)設(shè)最大壓力差。

表1 不同軸/圍壓下巖心的測(cè)量電阻數(shù)據(jù)表

第4步、在同一個(gè)圍壓下測(cè)量完不同軸壓下的巖心電阻后，將軸壓卸載至圍壓大小，再按照第二預(yù)設(shè)間隔(如1MPa、2MPa或5MPa等)增加圍壓，重復(fù)執(zhí)行第3步和第4步，直到圍壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大圍壓。

可選地，在測(cè)量完畢后，關(guān)閉三軸方形夾持器中的加熱器，并卸載圍壓和軸壓，待三軸方形夾持器冷卻到常溫后，卸載巖心。

可選地，當(dāng)圍壓大于軸壓時(shí)，測(cè)量模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻的步驟如下：

第1步、按照巖心的測(cè)量方向?qū)⑵浞湃肴S方形夾持器1中密封，然后依次對(duì)軸向和圍向加低壓1MPa，并通過(guò)三軸方形夾持器1中的加熱器對(duì)巖心加熱至設(shè)定測(cè)量溫度。

第2步、調(diào)節(jié)軸壓和圍壓使二者達(dá)到一定的壓力差，保持溫度和壓力不變，待壓力平衡后測(cè)量巖心的電阻。

第3步、保持溫度和軸壓不變，依次按照第三預(yù)設(shè)間隔(例如1MPa、2MPa或5MPa等)增加圍壓，并依次在壓力平衡后測(cè)量巖心的電阻(記錄至表2)，直到圍壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大圍壓或預(yù)設(shè)最大壓力差。

表2 不同軸/圍壓下巖心的測(cè)量電阻數(shù)據(jù)表

第4步、在同一個(gè)軸壓下測(cè)量完不同圍壓下的巖心電阻后，將圍壓卸載至軸壓大小，再按照第三預(yù)設(shè)間隔(如1MPa、2MPa或5MPa等)增加軸壓，重復(fù)執(zhí)行第3步和第4步，直到軸壓加至三軸方形夾持器所能承受的最大軸壓。

可選地，在測(cè)量完畢后，關(guān)閉三軸方形夾持器中的加熱器，并卸載圍壓和軸壓，待三軸方形夾持器冷卻到常溫后，卸載巖心。

進(jìn)一步地，在步驟S102中，當(dāng)軸壓大于圍壓時(shí)(即實(shí)現(xiàn)模擬張性應(yīng)力)，根據(jù)表1中不同壓力差下巖心的電阻，采用上述公式(1)確定模擬張性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，例如：通過(guò)上述步驟對(duì)克深地區(qū)庫(kù)車河露頭剖面的白堊系砂巖露頭取樣巖心進(jìn)行測(cè)量得到如表3所示的模擬張性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率。

表3 軸壓大于圍壓時(shí)的電阻率

根據(jù)表3的數(shù)據(jù)，制作得到圖3(圖3為不同圍壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖)和圖4(圖4為不同壓力差下電阻率隨圍壓的變化示意圖)。如圖3及圖4所示，a)在相同的圍壓條件下，當(dāng)壓力差增大時(shí)，電阻率的變化幅度很小，但隨壓力差的增大其電阻率增長(zhǎng)率減??；還有部分是隨壓力差的增加電阻率減小；b)在相同壓力差條件下，電阻率隨著圍壓的增大而明顯增大，但隨壓力差的增大其電阻率增長(zhǎng)率減小。其原因在于隨著地層有效應(yīng)力的增加，巖石的孔隙結(jié)構(gòu)與流體分布均發(fā)生變化。當(dāng)模擬上覆地層壓力或最小水平壓力(圍壓)小于最大水平壓力(軸壓)，特別對(duì)Z方向的孔隙影響大，相對(duì)X方向(電阻測(cè)量方向)的孔隙影響較小，因此電阻率增加緩慢。

可選地，在步驟S102中，當(dāng)圍壓大于軸壓時(shí)(即實(shí)現(xiàn)模擬壓性應(yīng)力)，根據(jù)表2中不同壓力差下巖心的電阻，采用上述公式(1)確定模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，例如：通過(guò)上述步驟對(duì)克深地區(qū)庫(kù)車河露頭剖面的白堊系砂巖露頭取樣巖心進(jìn)行測(cè)量得到如表4所示的模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率。

表4、圍壓大于軸壓時(shí)的電阻率

根據(jù)表4的數(shù)據(jù)，制作得到圖5(圖5為不同軸壓下電阻率隨壓力差的變化示意圖)和圖6(圖6為不同壓力差下電阻率隨軸壓的變化示意圖)。如圖5及圖6所示，a)在相同的軸壓條件下，當(dāng)壓力差增大時(shí)，電阻率也增大，且增幅較大，但隨軸壓的增大其電阻率增長(zhǎng)率減?。籦)在相同壓力差條件下，電阻率隨著軸壓的增大而明顯增大，但隨壓力差的增大其電阻率增長(zhǎng)率減小。其原因在于隨著地層有效應(yīng)力的增加，巖石的孔隙結(jié)構(gòu)與流體分布均發(fā)生變化。當(dāng)模擬上覆地層壓力或最大水平壓力(圍壓)大于最小水平壓力(軸壓)，特別對(duì)X方向(電阻測(cè)量方向)的孔隙影響大，導(dǎo)電流體的實(shí)際有效通道變小，增大了電流通過(guò)的阻力，使電阻率上升較大。

進(jìn)一步地，在步驟S103中，當(dāng)軸壓大于圍壓時(shí)(即實(shí)現(xiàn)模擬張性應(yīng)力)，根據(jù)表3中的不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)據(jù)擬合方式確定所述模擬張性應(yīng)力下的一組電阻率校正系數(shù)S1，可選地，S1包括但不限于：A₁、B₁以及C₁。

可選地，在步驟S103中，當(dāng)圍壓大于軸壓時(shí)(即實(shí)現(xiàn)模擬壓性應(yīng)力)，根據(jù)表4中的不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)據(jù)擬合方式確定所述模擬壓性應(yīng)力下的一組電阻率校正系數(shù)S2，可選地，S2包括但不限于：A₂、B₂以及。

進(jìn)一步地，在步驟S104中，當(dāng)軸壓大于圍壓時(shí)(即實(shí)現(xiàn)模擬張性應(yīng)力)，根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)(例如，S1)對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正?？蛇x地，根據(jù)公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁，得到對(duì)所述張性應(yīng)力下的巖層電阻率r_c1校正后的電阻率r_t1。

可選地，在步驟S104中，當(dāng)圍壓大于軸壓時(shí)(即實(shí)現(xiàn)模擬壓性應(yīng)力)，根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)(例如，S2)對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正?？蛇x地，根據(jù)公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂，得到對(duì)所述壓性應(yīng)力下的巖層電阻率r_c2校正后的電阻率r_t2。

綜上所述，通過(guò)測(cè)量模擬張性應(yīng)力和模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻，并確定出模擬張性應(yīng)力和模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率；進(jìn)一步地，根據(jù)模擬張性應(yīng)力和模擬壓性應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻率，分別確定出模擬張性應(yīng)力和模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；進(jìn)一步地，根據(jù)模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的模擬張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正，以及根據(jù)模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的模擬壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正?？梢?，通過(guò)根據(jù)模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，使得校正后的巖層電阻率更加準(zhǔn)確，以便于能夠根據(jù)校正后的巖層電阻率來(lái)準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的致密砂巖儲(chǔ)層的物理特性。

圖7為本申請(qǐng)巖層電阻率校正裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實(shí)施例提供的巖層電阻率校正裝置70包括：測(cè)量模塊701、第一確定模塊702、第二確定模塊703及校正模塊704。

其中，測(cè)量模塊701，用于測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力或模擬壓性應(yīng)力；

第一確定模塊702，用于分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

第二確定模塊703，用于根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)；

校正模塊704，用于根據(jù)所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)應(yīng)力類型下的巖層電阻率進(jìn)行校正，其中，所述應(yīng)力類型包括：張性應(yīng)力或壓性應(yīng)力。

可選地，所述第二確定模塊703具體用于：

根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)學(xué)擬合方式確定所述模擬應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬張性應(yīng)力，所述校正模塊704，包括：

第一校正子模塊，用于根據(jù)所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)，對(duì)測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

可選地，所述第一校正子模塊具體用于：

根據(jù)公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁，得到對(duì)所述張性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t1為所述校正后的電阻率，r_c1為所述測(cè)量得到的張性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₁為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₁、B₁以及C₁屬于所述模擬張性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，若所述模擬應(yīng)力包括：模擬壓性應(yīng)力，所述校正模塊704，包括：

第二校正子模塊，用于根據(jù)所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率，校正系數(shù)對(duì)測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率進(jìn)行校正。

可選地，所述第二校正子模塊具體用于：

根據(jù)公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂，得到對(duì)所述壓性應(yīng)力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t2為所述校正后的電阻率，r_c2為所述測(cè)量得到的壓性應(yīng)力下的巖層電阻率，P₂為測(cè)量所述巖層電阻率時(shí)的壓力差，A₂、B₂以及C₂屬于所述模擬壓性應(yīng)力下的電阻率校正系數(shù)。

可選地，所述測(cè)量模塊701包括：三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測(cè)量單元；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用于為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測(cè)量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用于測(cè)量位于所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻；

所述測(cè)量模塊701具體用于：根據(jù)所述三軸方形夾持器、所述壓力泵以及所述電阻測(cè)量單元，測(cè)量模擬應(yīng)力在不同壓力差下巖心的電阻。

本實(shí)施例的巖層電阻率校正裝置，可以用于本發(fā)明上述任意巖層電阻率校正方法實(shí)施例的技術(shù)方案，其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。